JPH01125791A - 固体光メモリ装置 - Google Patents
固体光メモリ装置Info
- Publication number
- JPH01125791A JPH01125791A JP62260698A JP26069887A JPH01125791A JP H01125791 A JPH01125791 A JP H01125791A JP 62260698 A JP62260698 A JP 62260698A JP 26069887 A JP26069887 A JP 26069887A JP H01125791 A JPH01125791 A JP H01125791A
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- Japan
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- optical memory
- film
- state optical
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、強誘電体のメモリ効果を利用した二次元画像
の記録／再生用の固体光メモリ装置に関する。
の記録／再生用の固体光メモリ装置に関する。
従来技術
従来より結晶を用いた固体光メモリ素子としては、ポッ
ケルス効果形結晶素子（Ｂ ｉ、、Ｓ ｉ Ｏ，、）や
強誘電体結晶（Ｂｉ、Ｔｉ、Ｏ，、、ＰＬＺＴ）と光導
電膜を組合せた素子、及び２次電子増倍効果を持つＭＣ
Ｐ（マイクロ・チャンネル・プレート）とＬｉＮｂ０．
の組合せによるＭＳＬＭが知られている。
ケルス効果形結晶素子（Ｂ ｉ、、Ｓ ｉ Ｏ，、）や
強誘電体結晶（Ｂｉ、Ｔｉ、Ｏ，、、ＰＬＺＴ）と光導
電膜を組合せた素子、及び２次電子増倍効果を持つＭＣ
Ｐ（マイクロ・チャンネル・プレート）とＬｉＮｂ０．
の組合せによるＭＳＬＭが知られている。
ところが、ポッケルス効果形結晶素子は大口径単結晶の
作成が困難であり、かつ、読出し光による像劣化を生ず
るので強い読出し光を使用する応用分野には利用できな
い。又、強誘電体結晶と光導電膜の組合せ素子は、分極
方向を制御してメモリ特性を持たせているものであり、
結晶の作成が難しい。特に、Ｂ １４ Ｔ １３０１
！結晶の大口径化は困難である。更には、デバイス化に
際して極薄化のための加工研磨が必要となるものである
。又、ＭＳＬＭは装置の大型化、複雑化、高コスト化を
招き、実用的でない。
作成が困難であり、かつ、読出し光による像劣化を生ず
るので強い読出し光を使用する応用分野には利用できな
い。又、強誘電体結晶と光導電膜の組合せ素子は、分極
方向を制御してメモリ特性を持たせているものであり、
結晶の作成が難しい。特に、Ｂ １４ Ｔ １３０１
！結晶の大口径化は困難である。更には、デバイス化に
際して極薄化のための加工研磨が必要となるものである
。又、ＭＳＬＭは装置の大型化、複雑化、高コスト化を
招き、実用的でない。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、二次元
画像を光学的に記録し、その記録画像を長時間にわたっ
て保持でき、かつ、読出し再生時に像劣化の生じない非
破壊読出しができる高解像・高コントラストで安価な固
体光メモリ装置を得ることを目的とする。
画像を光学的に記録し、その記録画像を長時間にわたっ
て保持でき、かつ、読出し再生時に像劣化の生じない非
破壊読出しができる高解像・高コントラストで安価な固
体光メモリ装置を得ることを目的とする。
構成
本発明は、上記目的を達成するため、透明基板上に第１
透明導電膜と強誘電体膜と光導電膜と第２透明導電膜と
を順次積層形成してなる固体光メモリ素子と、この固体
光メモリ素子に対し画像を記録する記録用光学的手段と
、前記固体光メモリ素子に光を照射しこの固体光メモリ
に記録されている画像を読出す再生用光学的手段とから
なることを特徴とするものである。
透明導電膜と強誘電体膜と光導電膜と第２透明導電膜と
を順次積層形成してなる固体光メモリ素子と、この固体
光メモリ素子に対し画像を記録する記録用光学的手段と
、前記固体光メモリ素子に光を照射しこの固体光メモリ
に記録されている画像を読出す再生用光学的手段とから
なることを特徴とするものである。
以下、本発明の第一の実施例を第１図ないし第５図に基
づいて説明する。まず、固体光メモリ素子ｌが設けられ
、原画２の画像をこの固体光メモリ素子ｌに対して記録
するための記録用光学的手段をなす結像レンズ３が固体
光メモリ素子１に対向させて設けられている。又、固体
光メモリ素子１に対しては再生用光学的手段４も設けら
れている。この再生用光学的手段４は照射光源５と照射
用レンズ６と偏光子７と検光子８と結像レンズ９とスク
リーン１０とからなり、偏光子７・検光子８間に固体光
メモリ素子ｌを配置させてなる。
づいて説明する。まず、固体光メモリ素子ｌが設けられ
、原画２の画像をこの固体光メモリ素子ｌに対して記録
するための記録用光学的手段をなす結像レンズ３が固体
光メモリ素子１に対向させて設けられている。又、固体
光メモリ素子１に対しては再生用光学的手段４も設けら
れている。この再生用光学的手段４は照射光源５と照射
用レンズ６と偏光子７と検光子８と結像レンズ９とスク
リーン１０とからなり、偏光子７・検光子８間に固体光
メモリ素子ｌを配置させてなる。
ここに、原画２の画像情報は結像レンズ３により固体光
メモリ素子１に記録される。このように記録する際には
、固体光メモリ素子１に対してほぼ垂直に原画２からの
光像を照射するものとする。
メモリ素子１に記録される。このように記録する際には
、固体光メモリ素子１に対してほぼ垂直に原画２からの
光像を照射するものとする。
一方、固体光メモリ素子１に記録された画像の読出し再
生は、固体光メモリ素子１の法線に対して角度θにて照
射光源５からの読出し光を入射させて画像を再生する。
生は、固体光メモリ素子１の法線に対して角度θにて照
射光源５からの読出し光を入射させて画像を再生する。
この時、偏光子７と検光子８とは互いに直交位なる関係
に設定しておく。
に設定しておく。
ここに、前記固体光メモリ素子１の構造を第２図に示す
。この固体光メモリ素子１はガラス板等の透明基板１０
をベースとし、まず、この透明基板１０上にＩｎ、Ｏ，
：Ｓｎからなる第１透明導電膜１１が真空蒸着法により
形成されている。この第１透明導電膜ｌｌ上には強誘電
体膜１２が形成されている。この強誘電体膜１２は強誘
電体であるＢ １４Ｔｉ、Ｏ□の薄膜によるものであり
、透明基板１０の温度を３００℃とした条件下でイオン
ブレーティング法により形成される。このような強誘電
体膜１２上には５ｅ−Ｔｅ （４ｗｔ％）を真空蒸着し
てなる光導電膜１３が形成されている。
。この固体光メモリ素子１はガラス板等の透明基板１０
をベースとし、まず、この透明基板１０上にＩｎ、Ｏ，
：Ｓｎからなる第１透明導電膜１１が真空蒸着法により
形成されている。この第１透明導電膜ｌｌ上には強誘電
体膜１２が形成されている。この強誘電体膜１２は強誘
電体であるＢ １４Ｔｉ、Ｏ□の薄膜によるものであり
、透明基板１０の温度を３００℃とした条件下でイオン
ブレーティング法により形成される。このような強誘電
体膜１２上には５ｅ−Ｔｅ （４ｗｔ％）を真空蒸着し
てなる光導電膜１３が形成されている。
なお、光導電膜１３はアモルファスシリコン、Ａｓ、Ｓ
ｅ、、ＯＰＣ等を用いてもよい、更に、この光導電膜１
３上にＩｎ、０３：Ｓｎを蒸着してなる第２透明導電膜
１４が形成されている。なお、強誘電体膜１２を構成す
るＢ Ｌ ４ Ｔ ｌ ｓ Ｃ）＋ｚの薄膜は、Ｃ軸が
成長面に垂直になるように成長するものであり、−メモ
リとして使用するのはａ−ｂ面である。
ｅ、、ＯＰＣ等を用いてもよい、更に、この光導電膜１
３上にＩｎ、０３：Ｓｎを蒸着してなる第２透明導電膜
１４が形成されている。なお、強誘電体膜１２を構成す
るＢ Ｌ ４ Ｔ ｌ ｓ Ｃ）＋ｚの薄膜は、Ｃ軸が
成長面に垂直になるように成長するものであり、−メモ
リとして使用するのはａ−ｂ面である。
ここに、前記透明導電膜１１．１４間には記録用電源１
５、消去用電源１６による電圧が選択的に印加され得る
ようにスイッチング素子１７が接続されている。なお、
再生時には電圧印加しないため、スイッチング素子１７
には再生用の切換え端子も設けられている。
５、消去用電源１６による電圧が選択的に印加され得る
ようにスイッチング素子１７が接続されている。なお、
再生時には電圧印加しないため、スイッチング素子１７
には再生用の切換え端子も設けられている。
このような構成において、本実施例の固体光メモリ素子
１の記録／再生／消去の動作について第３図を参照して
説明する。第３図中、（ａ）は書込み記録時、（ｂ）は
読出し再生時、（Ｃ）は消去時を示す。
１の記録／再生／消去の動作について第３図を参照して
説明する。第３図中、（ａ）は書込み記録時、（ｂ）は
読出し再生時、（Ｃ）は消去時を示す。
まず、書込み前には強誘電体膜１２の分極方向を同図（
ａ）に示すように、記録用電源１５による印加電界によ
って矢印Ａで示す一定方向に揃えておく。このような状
態で原画２からの画像に対応する光像ｆ８を光導電膜１
３に対して照射する。
ａ）に示すように、記録用電源１５による印加電界によ
って矢印Ａで示す一定方向に揃えておく。このような状
態で原画２からの画像に対応する光像ｆ８を光導電膜１
３に対して照射する。
ユニに、光像１８による光の照射された部分の光導電膜
１３の抵抗値が低下し印加した殆どの電圧が強誘電体膜
１２部分にかかるため、この領域１２ａの分極方向が回
転し、矢印Ｂで示す方向となる。しかるに、光の照射さ
れない部分では、これに対応する領域１２ｂの分極方向
は回転せず初期の方向Ａにある。つまり、強誘電体膜１
２における分極方向により画像情報が記録されることに
なる。ここに、このような状態は電界（記録用電源１５
による印加電圧）を切っても分極方向が変化することが
なく、長時間保持され、メモリ機能が確保される。この
性質は、強誘電体に特有なヒステリシス特性によるもの
である。
１３の抵抗値が低下し印加した殆どの電圧が強誘電体膜
１２部分にかかるため、この領域１２ａの分極方向が回
転し、矢印Ｂで示す方向となる。しかるに、光の照射さ
れない部分では、これに対応する領域１２ｂの分極方向
は回転せず初期の方向Ａにある。つまり、強誘電体膜１
２における分極方向により画像情報が記録されることに
なる。ここに、このような状態は電界（記録用電源１５
による印加電圧）を切っても分極方向が変化することが
なく、長時間保持され、メモリ機能が確保される。この
性質は、強誘電体に特有なヒステリシス特性によるもの
である。
次に、この固体光メモリ素子１に記録された画像を読出
し再生する際には、第３図（ｂ）に示すように固体光メ
モリ素子１を直交位の偏光子７と検光子８との間に配置
し、照射光源５に基づく読出し光１９を照射して画像を
再生する。この際、読出し光１９を固体光メモリ素子１
に対して垂直に入射させると、強誘電体膜１２における
分極方向の差異を読出すことができないので、読出し光
１９はａ−ｃ面内において入射角θで入射するように設
定される（第４図参照）。又、スイッチング素子１７は
透明導電ｇｉｌｌ、１４間に電圧を印加しない状態に切
換えられる。なお、入射角０があまり小さいと読出し像
のコントラストが低くなるので、ある程度大きくする必
要がある。実際には、屈折の法則により強誘電体膜■２
に入射する角度は第２透明導電膜１４に対する入射角θ
よりも更に小さくなるため、入射角θとしては２０°以
上に設定するのが望ましい。又、読出し光１９の入射偏
光方向は、第４図に示すようにｂ軸に対して４５６ と
する。
し再生する際には、第３図（ｂ）に示すように固体光メ
モリ素子１を直交位の偏光子７と検光子８との間に配置
し、照射光源５に基づく読出し光１９を照射して画像を
再生する。この際、読出し光１９を固体光メモリ素子１
に対して垂直に入射させると、強誘電体膜１２における
分極方向の差異を読出すことができないので、読出し光
１９はａ−ｃ面内において入射角θで入射するように設
定される（第４図参照）。又、スイッチング素子１７は
透明導電ｇｉｌｌ、１４間に電圧を印加しない状態に切
換えられる。なお、入射角０があまり小さいと読出し像
のコントラストが低くなるので、ある程度大きくする必
要がある。実際には、屈折の法則により強誘電体膜■２
に入射する角度は第２透明導電膜１４に対する入射角θ
よりも更に小さくなるため、入射角θとしては２０°以
上に設定するのが望ましい。又、読出し光１９の入射偏
光方向は、第４図に示すようにｂ軸に対して４５６ と
する。
ところで、実際に分極方向の異なる２つの領域１２ａ、
１２ｂの屈折率楕円体は第５図に示すようになる。この
第５図ではａ−ｃ面における屈折率楕円体を示すもので
ある。角度θで入射した読出し光１９は、強誘電体膜１
２内に対しては角度βにて入射する。この時、各々の領
域１２ａ、１２ｂにおけるリターデーション（位相差）
ｒは、となる。ここに、Ｑは強誘電体膜１２の膜厚、Δ
ｎ１．Δｎ２は各々の領域１２ａ、１２ｂの複屈折差で
あり、角度βに依存した関数となる。そして、偏光子７
、検光子８が直交位の場合、光のオフ状態（暗状態）は
、 ｒ、＝Ｎλ 又は ｒ、＝’Ｎλ ・・・・・・・・
・・・・（３）（但し、Ｎは整数） で与えられる。従って、読出し像の最大コントラストを
与える条件式は、 １ ｒ’、−ｒ、 １ ＝λ／２ ・・・・・
・・・・・・・（４）となる。ここに、このような式を
満足するようにβ、Ｑの値を設定することは容易である
。
１２ｂの屈折率楕円体は第５図に示すようになる。この
第５図ではａ−ｃ面における屈折率楕円体を示すもので
ある。角度θで入射した読出し光１９は、強誘電体膜１
２内に対しては角度βにて入射する。この時、各々の領
域１２ａ、１２ｂにおけるリターデーション（位相差）
ｒは、となる。ここに、Ｑは強誘電体膜１２の膜厚、Δ
ｎ１．Δｎ２は各々の領域１２ａ、１２ｂの複屈折差で
あり、角度βに依存した関数となる。そして、偏光子７
、検光子８が直交位の場合、光のオフ状態（暗状態）は
、 ｒ、＝Ｎλ 又は ｒ、＝’Ｎλ ・・・・・・・・
・・・・（３）（但し、Ｎは整数） で与えられる。従って、読出し像の最大コントラストを
与える条件式は、 １ ｒ’、−ｒ、 １ ＝λ／２ ・・・・・
・・・・・・・（４）となる。ここに、このような式を
満足するようにβ、Ｑの値を設定することは容易である
。
更に、固体光メモリ素子１に記録された画像を消去する
際には、第３図（ｃ）に示すようにスイッチング素子１
７を消去用電源１６側に切換え、記録時とは逆の電圧を
固体光メモリ素子１に印加する。このような状態で、固
体光メモリ素子ｌの全面に消去用の光２０を一様に照射
する。これにより、強誘電体膜１２の分極方向が矢印Ａ
で示す一定方向に揃い、記録像が消去される。再び、画
像を記録する場合には、第３図（ａ）のように印加電圧
を反転させ画像対応の光像１８を入射させればよい。
際には、第３図（ｃ）に示すようにスイッチング素子１
７を消去用電源１６側に切換え、記録時とは逆の電圧を
固体光メモリ素子１に印加する。このような状態で、固
体光メモリ素子ｌの全面に消去用の光２０を一様に照射
する。これにより、強誘電体膜１２の分極方向が矢印Ａ
で示す一定方向に揃い、記録像が消去される。再び、画
像を記録する場合には、第３図（ａ）のように印加電圧
を反転させ画像対応の光像１８を入射させればよい。
このように、本実施例によれば、まず、固体光メモリ素
子１の薄膜化により結晶の作成が不要となる。又、結晶
の場°合であれば、極薄に加工研磨することが必要であ
るが、本実施例のように薄膜の場合には加工・研磨工程
を省略でき、メモリ素子の作成が容易となる。更には、
このような薄膜化により高解像力、高コントラストの固
体メモリ装置を実現できるものとなる。又、強誘電体膜
１２の分極方向をスイッチングしているので、どんなに
強い光で画像読出しを行なってもメモリが砿壊されるこ
とのない非破壊読出しが可能となり、広範囲への応用が
期待できる。更には、高価な結晶を使用する必要がなく
、低コスト化を図れる。
子１の薄膜化により結晶の作成が不要となる。又、結晶
の場°合であれば、極薄に加工研磨することが必要であ
るが、本実施例のように薄膜の場合には加工・研磨工程
を省略でき、メモリ素子の作成が容易となる。更には、
このような薄膜化により高解像力、高コントラストの固
体メモリ装置を実現できるものとなる。又、強誘電体膜
１２の分極方向をスイッチングしているので、どんなに
強い光で画像読出しを行なってもメモリが砿壊されるこ
とのない非破壊読出しが可能となり、広範囲への応用が
期待できる。更には、高価な結晶を使用する必要がなく
、低コスト化を図れる。
なお、第１図に示した配置の場合、固体光メモリ素子１
か再生光学手段４の光軸に対して角度θだけ傾いている
ので、読出し再生像は多少歪んだ像として再生される。
か再生光学手段４の光軸に対して角度θだけ傾いている
ので、読出し再生像は多少歪んだ像として再生される。
このような歪みを補正するためには、例えば第６図に示
すように書込み系である結像レンズ３の光軸を固体光メ
モリ素子１に対して垂直状態から角度θ′だけ傾け、原
画２を角度θ“だけ傾けた状態で固体光メモリ素子１へ
の書込み記録を行ない、これを再生するようにすれば、
原画を歪みのない状態で忠実に再現することができる。
すように書込み系である結像レンズ３の光軸を固体光メ
モリ素子１に対して垂直状態から角度θ′だけ傾け、原
画２を角度θ“だけ傾けた状態で固体光メモリ素子１へ
の書込み記録を行ない、これを再生するようにすれば、
原画を歪みのない状態で忠実に再現することができる。
つづいて、本発明の第二の実施例を第７図により説明す
る。本実施例は、第１透明導電膜１１と強誘電体膜１２
との間に透明な結晶軸配向膜２１を形成してなる固体光
メモリ素子１としたものである。この結晶軸配向膜２１
はＣ軸配向性を持つＺｎＯからなるものであり、ＺｎＯ
焼結ターゲットを用いたＲＦスパッタリングにより形成
される。
る。本実施例は、第１透明導電膜１１と強誘電体膜１２
との間に透明な結晶軸配向膜２１を形成してなる固体光
メモリ素子１としたものである。この結晶軸配向膜２１
はＣ軸配向性を持つＺｎＯからなるものであり、ＺｎＯ
焼結ターゲットを用いたＲＦスパッタリングにより形成
される。
ＺｎＯ薄膜はそのＣ軸か基板に対して垂直に配向し、強
誘電体膜１２の形成を容易にする。つまり、強誘電体膜
１２のＣ軸がこの結晶軸配向膜２１のＣ軸にならい透明
基板１０に垂直になり、この結果、強誘電体膜１２の結
晶性が良好となる利点がある。
誘電体膜１２の形成を容易にする。つまり、強誘電体膜
１２のＣ軸がこの結晶軸配向膜２１のＣ軸にならい透明
基板１０に垂直になり、この結果、強誘電体膜１２の結
晶性が良好となる利点がある。
更に、本発明の第三の実施例を第８図により説明する。
本実施例は、Ｉｎｇｏｓ： Ｓｎからなる第１透明導電
膜１１に代えて、ＺｎＯ：ＡＱからなる結晶軸配向性の
第１透明導電膜２２を備えた固体光メモリ素子１とした
ものである。ここに、この第１透明導電膜２２は結晶軸
配向性の膜であり、Ｃ軸が透明基板１０に垂直に向いて
いる。この膜はＺｎＯに数モル％のＡＱを含有させた焼
結ターゲットを用い、ＲＦスパッタリングにより透明基
板１０上に形成してなる。この膜上に前述の如く、強誘
電体膜１２が形成される。本実施例によれば、透明電極
と結晶軸配向膜の機能を同時にこのような第１透明導電
膜２２に持たせることにより、透明導電膜単独の作成工
程を省略することができる。
膜１１に代えて、ＺｎＯ：ＡＱからなる結晶軸配向性の
第１透明導電膜２２を備えた固体光メモリ素子１とした
ものである。ここに、この第１透明導電膜２２は結晶軸
配向性の膜であり、Ｃ軸が透明基板１０に垂直に向いて
いる。この膜はＺｎＯに数モル％のＡＱを含有させた焼
結ターゲットを用い、ＲＦスパッタリングにより透明基
板１０上に形成してなる。この膜上に前述の如く、強誘
電体膜１２が形成される。本実施例によれば、透明電極
と結晶軸配向膜の機能を同時にこのような第１透明導電
膜２２に持たせることにより、透明導電膜単独の作成工
程を省略することができる。
効果
本発明は、上述したように透明基板上に第１透明導電膜
と強誘電体膜と光導電膜と第２透明導電膜とを順次積層
形成してなる固体光メモリ素子を用い、この固体光メモ
リ素子に対し記録用光学的手段と再生用光学的手段とを
備えてなるので、固体光メモリ素子自体はその薄膜化に
より結晶の作成を不要とし、極薄のための加工・研磨工
程も不要としてメモリ素子の作成を容易化・低コスト化
することができ、このような薄膜化により高解像力・高
コントラスト化も図ることができ、又、強誘電体膜の分
極方向のスイッチングを利用するため、二次元画像を光
学的に記録し、その記録画像を長時間にわたって保持で
き、かつ、読出し再生時にその再生光の強度に関係なく
像劣化の生じない非破壊読出しができるものであり、広
範囲に応用することができるものである。
と強誘電体膜と光導電膜と第２透明導電膜とを順次積層
形成してなる固体光メモリ素子を用い、この固体光メモ
リ素子に対し記録用光学的手段と再生用光学的手段とを
備えてなるので、固体光メモリ素子自体はその薄膜化に
より結晶の作成を不要とし、極薄のための加工・研磨工
程も不要としてメモリ素子の作成を容易化・低コスト化
することができ、このような薄膜化により高解像力・高
コントラスト化も図ることができ、又、強誘電体膜の分
極方向のスイッチングを利用するため、二次元画像を光
学的に記録し、その記録画像を長時間にわたって保持で
き、かつ、読出し再生時にその再生光の強度に関係なく
像劣化の生じない非破壊読出しができるものであり、広
範囲に応用することができるものである。
第１図は本発明の第一の実施例を示す概略側面図、第２
図は固体光メモリ素子の構造図、第３図は記録／再生／
消去動作の説明図、第４図は再生系の概略斜視図、第５
図は再生原理の説明図、第６図は変形例を示す概略側面
図、第７図は本発明の第二の実施例を示す構造図、第８
図は本発明の第三の実施例を示す構造図である。 １・・・固体光メモリ素子、３・・・結像レンズ（記録
用光学的手段）、４・・・再生用光学的手段、１０・・
・透明基板、１１・・・第１透明導電膜、１２・・・強
誘電体膜、１３・・・光導電膜、１４・・・第２透明導
電膜、２２・・・第１透明導電膜 出 願 人 株式会社 リ コ −Ｊｕ図 、％６ 図 、、％７図 」 ３０国 」
図は固体光メモリ素子の構造図、第３図は記録／再生／
消去動作の説明図、第４図は再生系の概略斜視図、第５
図は再生原理の説明図、第６図は変形例を示す概略側面
図、第７図は本発明の第二の実施例を示す構造図、第８
図は本発明の第三の実施例を示す構造図である。 １・・・固体光メモリ素子、３・・・結像レンズ（記録
用光学的手段）、４・・・再生用光学的手段、１０・・
・透明基板、１１・・・第１透明導電膜、１２・・・強
誘電体膜、１３・・・光導電膜、１４・・・第２透明導
電膜、２２・・・第１透明導電膜 出 願 人 株式会社 リ コ −Ｊｕ図 、％６ 図 、、％７図 」 ３０国 」
Claims (1)
- 透明基板上に第１透明導電膜と強誘電体膜と光導電膜と
第２透明導電膜とを順次積層形成してなる固体光メモリ
素子と、この固体光メモリ素子に対し画像を記録する記
録用光学的手段と、前記固体光メモリ素子に光を照射し
この固体光メモリに記録されている画像を読出す再生用
光学的手段とからなることを特徴とする固体光メモリ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260698A JPH01125791A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 固体光メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260698A JPH01125791A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 固体光メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125791A true JPH01125791A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17351531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260698A Pending JPH01125791A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 固体光メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125791A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278487A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Iwate Univ | 紫外線センサ素子及びその製造方法 |
| JP2013008998A (ja) * | 2012-09-10 | 2013-01-10 | Iwate Univ | 紫外線センサ素子及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP62260698A patent/JPH01125791A/ja active Pending
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| JP2006278487A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Iwate Univ | 紫外線センサ素子及びその製造方法 |
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