JPH01128046A - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
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- JPH01128046A JPH01128046A JP28523187A JP28523187A JPH01128046A JP H01128046 A JPH01128046 A JP H01128046A JP 28523187 A JP28523187 A JP 28523187A JP 28523187 A JP28523187 A JP 28523187A JP H01128046 A JPH01128046 A JP H01128046A
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- Japan
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- waveguide
- center line
- refractive index
- waveguides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体材料を用いた光スイッチに関する。
１つの入力ポートからの光信号を２つの出力ボート間で
切り換える光スイッチは、光伝送、光交換における最も
重要な構成要素である。このような光スイッチは、光導
波路により方向性結合器。
切り換える光スイッチは、光伝送、光交換における最も
重要な構成要素である。このような光スイッチは、光導
波路により方向性結合器。
交差２分岐等を形成し、その部分の屈折率を物理光学効
果を利用して変化させることにより実現できる。現在、
屈折率変化を得るための手段として一次電気光学効果（
ポッケルス効果）が最も広く用いられているが、比較的
電気光学係数の大きなＬｉＮｂ０．等の強誘電体材料を
用いても実用的に得られる比屈折率変化は１０−３台と
小さく、素子の小型化が難しい。
果を利用して変化させることにより実現できる。現在、
屈折率変化を得るための手段として一次電気光学効果（
ポッケルス効果）が最も広く用いられているが、比較的
電気光学係数の大きなＬｉＮｂ０．等の強誘電体材料を
用いても実用的に得られる比屈折率変化は１０−３台と
小さく、素子の小型化が難しい。
これに対して近年、半導体多重量子井戸（ＭＱＷ）構造
の層に垂直な電界を印加した際に、吸収端の近傍の波長
で大きな屈折率変化が生じることが報告され、これを利
用した光スイッチが提案されている（昭和６０年度電子
通信学会半導体・材料部門全国大会予編集、 １−１
０７）、この光スイ・ソチを、第３図に示す。第３図に
おいて、３１は多重量子井戸、３２は電極、３３は導波
路をそれぞれ示している。
の層に垂直な電界を印加した際に、吸収端の近傍の波長
で大きな屈折率変化が生じることが報告され、これを利
用した光スイッチが提案されている（昭和６０年度電子
通信学会半導体・材料部門全国大会予編集、 １−１
０７）、この光スイ・ソチを、第３図に示す。第３図に
おいて、３１は多重量子井戸、３２は電極、３３は導波
路をそれぞれ示している。
この他、１つの入力ポートからの光信号を２つの出力ポ
ート間で切り換える光スイッチとしては、２つの出力ポ
ートのうち１つを光吸収型ゲートを用いて消光させる分
岐・ゲート型光スイッチが、電子情報通信学会総合全国
大会（昭和６２年）予編集、４−２６９ページに掲載さ
れている。この光スイッチを、第４図に示す。光吸収型
ゲートはＭＱＷ構造に電界を印加した際に吸収端が長波
長側に移動し、吸収損失が増加することを利用したもの
である。
ート間で切り換える光スイッチとしては、２つの出力ポ
ートのうち１つを光吸収型ゲートを用いて消光させる分
岐・ゲート型光スイッチが、電子情報通信学会総合全国
大会（昭和６２年）予編集、４−２６９ページに掲載さ
れている。この光スイッチを、第４図に示す。光吸収型
ゲートはＭＱＷ構造に電界を印加した際に吸収端が長波
長側に移動し、吸収損失が増加することを利用したもの
である。
以上のように、ＭＱＷ構造は、電界によって吸収端が長
波長側に移動することにより屈折率変化および吸収係数
変化が生ずることから、光スイッチの構成には有用であ
る。
波長側に移動することにより屈折率変化および吸収係数
変化が生ずることから、光スイッチの構成には有用であ
る。
ここで、ＭＱＷ構造について説明する。ＭＱＷ構造は、
電子波動の波長（ド・ブロイ波長）程度の厚みの半導体
層をそれよりバンドギャップの広い半導体ではさんだ量
子井戸（ＱＷ）を層厚方向に多重に形成したもので、電
子、正孔波動の二次元化によりバルク材料とは大きく異
なる物性を示すことから注目されている。
電子波動の波長（ド・ブロイ波長）程度の厚みの半導体
層をそれよりバンドギャップの広い半導体ではさんだ量
子井戸（ＱＷ）を層厚方向に多重に形成したもので、電
子、正孔波動の二次元化によりバルク材料とは大きく異
なる物性を示すことから注目されている。
ＭＱＷ構造に層に垂直な方向に光を伝搬させた際の吸収
端近傍の光の吸収係数及び屈折率スペクトラムの電界に
よる変化は、層に垂直の電界Ｅがない場合には、吸収係
数スペクトラムには重い正孔、軽い正孔と電子の準位間
の遷移に対応したエキシトン吸収ピークが見られ、これ
に対応して屈折率スペクトラムには大きな段差が見られ
る。電界Ｅを印加してい（と、電子５正孔準位のシフト
が生じ吸収端の長波長側への移動がおこる。この際エキ
シトン吸収ビークは多少のブロードニングを生ずるもの
の１０’Ｖ／ｃ＋ｓ程度の強電界においても安定に存在
する。
端近傍の光の吸収係数及び屈折率スペクトラムの電界に
よる変化は、層に垂直の電界Ｅがない場合には、吸収係
数スペクトラムには重い正孔、軽い正孔と電子の準位間
の遷移に対応したエキシトン吸収ピークが見られ、これ
に対応して屈折率スペクトラムには大きな段差が見られ
る。電界Ｅを印加してい（と、電子５正孔準位のシフト
が生じ吸収端の長波長側への移動がおこる。この際エキ
シトン吸収ビークは多少のブロードニングを生ずるもの
の１０’Ｖ／ｃ＋ｓ程度の強電界においても安定に存在
する。
電界Ｅの印加による吸収端シフトに対応して、屈折率ス
ペクトラム上の段差も長波長側に移動する。このため屈
折率変化が生じる訳でその絶対値は１×１０ゝＶ／ｃｍ
程度の電界で１０−”のオーダに及ぶことが報告されて
おり、この現象を利用した交差導波路全反射型光スイッ
チの設計結果では、スイッチ部長数１００μｍ以下の小
型光スイッチが可能であることが報告されている（昭和
６０年度電子通信学会半導体・材料部門全国大会予稿集
、１−１０７ ） 。
ペクトラム上の段差も長波長側に移動する。このため屈
折率変化が生じる訳でその絶対値は１×１０ゝＶ／ｃｍ
程度の電界で１０−”のオーダに及ぶことが報告されて
おり、この現象を利用した交差導波路全反射型光スイッ
チの設計結果では、スイッチ部長数１００μｍ以下の小
型光スイッチが可能であることが報告されている（昭和
６０年度電子通信学会半導体・材料部門全国大会予稿集
、１−１０７ ） 。
従来例で示した屈折率変化を利用する光スイッチでは、
入力ポートに対して出力ポートのうちの１つが入力ポー
トの延長線上にあるために、出力ポート間の角度が太き
（とれないことから素子長が大きくなるという問題があ
った。
入力ポートに対して出力ポートのうちの１つが入力ポー
トの延長線上にあるために、出力ポート間の角度が太き
（とれないことから素子長が大きくなるという問題があ
った。
また、同じ〈従来例で示したような入力ポートを２つの
出力ポートに分けて、そのうちの１つを光吸収型のゲー
トを用いて消光させる分岐・ゲート型光スイッチでは、
分岐部で本質的に３ｄＢの損失があるという問題があっ
た。
出力ポートに分けて、そのうちの１つを光吸収型のゲー
トを用いて消光させる分岐・ゲート型光スイッチでは、
分岐部で本質的に３ｄＢの損失があるという問題があっ
た。
本発明の目的は、上記のような従来の光スイッチの問題
点を解決し、小型で光源、受光器等のモノリシック集積
化が可能でかつ光の切り換えに伴う分岐損失のない光ス
イッチを提供することにある。
点を解決し、小型で光源、受光器等のモノリシック集積
化が可能でかつ光の切り換えに伴う分岐損失のない光ス
イッチを提供することにある。
本発明は、第１の導波路および前記第１の導波路の中心
線に対して互いに異なる方向に分岐される第２．第３の
導波路をもつＹ分岐型の導波路と、前記第１の導波路と
前記第２．第３の導波路の分枝部の一部の屈折率変化を
生じさせる手段とから成る光スイッチにおいて、 前記第１．第２および第３の導波路のうち少なくとも屈
折率変化を生じさせるべき部分は、ド・ブロイ波長程度
の厚みの第１の半導体層とそれよりバンドギャップの広
い第２の半導体層により挟んだ量子井戸を層厚方向に少
なくとも１つ含む構造であり、 前記第１の導波路の中心線と前記第２の導波路の中心線
の交差角の半分の交差角で前記第１の導波路の中心線と
交わり、前記第１の導波路の中心線と前記第２の導波路
の中心線の交点の近傍を通る直線をエツジの一部とする
、前記第１の導波路の中心線に対して前記第３の導波路
側にある第１の電極と、 前記第１の導波路の中心線と前記第３の導波路の中心線
の交差角の半分の交差角で前記第１の導波路の中心線と
交わり、前記第１の導波路の中心線と前記第３の導波路
の中心線の交点の近傍を通る直線をエツジの一部とする
、前記第１の導波路の中心線に対して前記第２の導波路
側にある第２の電極を有することを特徴としている。
線に対して互いに異なる方向に分岐される第２．第３の
導波路をもつＹ分岐型の導波路と、前記第１の導波路と
前記第２．第３の導波路の分枝部の一部の屈折率変化を
生じさせる手段とから成る光スイッチにおいて、 前記第１．第２および第３の導波路のうち少なくとも屈
折率変化を生じさせるべき部分は、ド・ブロイ波長程度
の厚みの第１の半導体層とそれよりバンドギャップの広
い第２の半導体層により挟んだ量子井戸を層厚方向に少
なくとも１つ含む構造であり、 前記第１の導波路の中心線と前記第２の導波路の中心線
の交差角の半分の交差角で前記第１の導波路の中心線と
交わり、前記第１の導波路の中心線と前記第２の導波路
の中心線の交点の近傍を通る直線をエツジの一部とする
、前記第１の導波路の中心線に対して前記第３の導波路
側にある第１の電極と、 前記第１の導波路の中心線と前記第３の導波路の中心線
の交差角の半分の交差角で前記第１の導波路の中心線と
交わり、前記第１の導波路の中心線と前記第３の導波路
の中心線の交点の近傍を通る直線をエツジの一部とする
、前記第１の導波路の中心線に対して前記第２の導波路
側にある第２の電極を有することを特徴としている。
本発明は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造に特有な室温エキ
シトンによる共鳴吸収の電界による移動とそれに伴う屈
折率変化を利用することにより従来技術の問題点を解決
した。前述したように多重量子井戸の吸収スペクトルに
は吸収端の近傍で鋭いエキシトンピークが見られる。ま
た、吸収と屈折率の間にはクラマース・クローニンヒの
関係があり、エキシトンのピークの存在によって屈折率
スペクトルはエキシトンピーク波長付近で大きな変化を
示す。それらの吸収スペクトルと屈折率スペクトルの様
子をそれぞれ第２図（ａ）、 （ｂ）に示す。
シトンによる共鳴吸収の電界による移動とそれに伴う屈
折率変化を利用することにより従来技術の問題点を解決
した。前述したように多重量子井戸の吸収スペクトルに
は吸収端の近傍で鋭いエキシトンピークが見られる。ま
た、吸収と屈折率の間にはクラマース・クローニンヒの
関係があり、エキシトンのピークの存在によって屈折率
スペクトルはエキシトンピーク波長付近で大きな変化を
示す。それらの吸収スペクトルと屈折率スペクトルの様
子をそれぞれ第２図（ａ）、 （ｂ）に示す。
次に、多重量子井戸に電界を印加した場合の吸収と屈折
率について述べる。多重量子井戸に電界を印加すると、
エキシトンピークは長波長側へ移動しその半値幅は広が
る。そのエキシトンピークの長波長側への移動に伴って
、屈折率スペクトルも長波長側へ移動する。その時の吸
収スペクトルと屈折率スペクトルの様子もそれぞれ第２
図（ａ）、 （ｂ）に示されている。電界がない場合
のエキシトンのピーク波長を被変調光の波長の短波長近
傍に設定すると、電界印加により吸収係数は１０３〜１
０’ｃｍ−’の増加、屈折率は１０−２程度の減少が得
られる。従って電界によるこの大きな吸収係数変化と屈
折率変化の両方を交差型光スイッチに適用することによ
り、小型で分岐損失のない高性能な交差型光スイッチが
得られる。
率について述べる。多重量子井戸に電界を印加すると、
エキシトンピークは長波長側へ移動しその半値幅は広が
る。そのエキシトンピークの長波長側への移動に伴って
、屈折率スペクトルも長波長側へ移動する。その時の吸
収スペクトルと屈折率スペクトルの様子もそれぞれ第２
図（ａ）、 （ｂ）に示されている。電界がない場合
のエキシトンのピーク波長を被変調光の波長の短波長近
傍に設定すると、電界印加により吸収係数は１０３〜１
０’ｃｍ−’の増加、屈折率は１０−２程度の減少が得
られる。従って電界によるこの大きな吸収係数変化と屈
折率変化の両方を交差型光スイッチに適用することによ
り、小型で分岐損失のない高性能な交差型光スイッチが
得られる。
また、この光スイッチは半導体材料を用いているため光
源、受光器とのモノリシック集積化も可能である。
源、受光器とのモノリシック集積化も可能である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明による光スイッチの一実施例を示す図で
あり、第１図（ａ）は斜視図、第１図（ｂ）は上面図で
ある。材料系としては、ＧａＡｓ ／ Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓ糸材料を用いた場合につき説明するが、ＩｎＰ
／ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ／ １ ｎ Ａ Ｉ
Ａ ｓ系等、室温で安定なエキシトン吸収ピークが観測
できるＭＱＷ構造が製作できる材料系であれば、本発明
が適用可能なことは言うまでもない。第１図を参照し、
本実施例の製作方法を説明しながらその構成について説
明する。
あり、第１図（ａ）は斜視図、第１図（ｂ）は上面図で
ある。材料系としては、ＧａＡｓ ／ Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓ糸材料を用いた場合につき説明するが、ＩｎＰ
／ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ／ １ ｎ Ａ Ｉ
Ａ ｓ系等、室温で安定なエキシトン吸収ピークが観測
できるＭＱＷ構造が製作できる材料系であれば、本発明
が適用可能なことは言うまでもない。第１図を参照し、
本実施例の製作方法を説明しながらその構成について説
明する。
ｐ型ＧａＡｓ基板ｌ上に、ｐ型Ａ １ ｏ、 ｚ５Ｇ
ａ ｏ、 ｂｓＡｓクラッドＪ’１２ （厚み１．ｕｍ
）、ノンドープＧａＡｓ／Ａｌｏ、ｚｓＧａｏ、１ｓＡ
ｓ ＭＱＷガイド層３ （０，４、ｃｒｍ） 、ノン
ドープＡ１ｏ、ｚｓＧａｏ、１ｓＡＳクラッド層４ （
０，５μｍ） 、ｎ型ＧａＡｓ）ツブ層５ （０，１μ
ｍ）をＭＢＥ法により連続成長する。ＧａＡＳ／Ａ１ｏ
、５ｓＧａｏ、６５ＡＳ ＭＱＷガイドＭ３は、厚み
１００人のＧａ Ａ ｓ 、 Ａ １ ｏ、ｘｓＧａ、
、、、、ｓＡｓ層を２０周期交互に積層したものである
。
ａ ｏ、 ｂｓＡｓクラッドＪ’１２ （厚み１．ｕｍ
）、ノンドープＧａＡｓ／Ａｌｏ、ｚｓＧａｏ、１ｓＡ
ｓ ＭＱＷガイド層３ （０，４、ｃｒｍ） 、ノン
ドープＡ１ｏ、ｚｓＧａｏ、１ｓＡＳクラッド層４ （
０，５μｍ） 、ｎ型ＧａＡｓ）ツブ層５ （０，１μ
ｍ）をＭＢＥ法により連続成長する。ＧａＡＳ／Ａ１ｏ
、５ｓＧａｏ、６５ＡＳ ＭＱＷガイドＭ３は、厚み
１００人のＧａ Ａ ｓ 、 Ａ １ ｏ、ｘｓＧａ、
、、、、ｓＡｓ層を２０周期交互に積層したものである
。
以下では簡単のためＡｌのモル比を略して記述する。
次にフォトリソグラフィ法により幅８μｍ２分岐角（δ
） １０〜３２°のＹ分岐パターンのマスクをエビ層側
に形成し、反応性イオン・ビームエッチフグ法によりマ
スク以外のＧａＡｓ ）ツブＮ５およびＡｊ！ＧａＡｓ
層４をエツチングする。この際のエツチングは、Ａｊ！
ＧａＡｓクラッド層４の途中で止めるように制御した。
） １０〜３２°のＹ分岐パターンのマスクをエビ層側
に形成し、反応性イオン・ビームエッチフグ法によりマ
スク以外のＧａＡｓ ）ツブＮ５およびＡｊ！ＧａＡｓ
層４をエツチングする。この際のエツチングは、Ａｊ！
ＧａＡｓクラッド層４の途中で止めるように制御した。
このエツチングにより１本の導波路９とこの導波路の中
心線に対して互いに反対方向の２本の分岐導波路１０ａ
、１０ｂが形成される。次に、分岐角δの半分の角度で
、導波路９の中心線と分岐導波路ＩＱａ、１０ｂの中心
線の交点１４の近傍を通る直線１５．１６を一方のエツ
ジとするｎ側電極６および７を、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕで導
波路９および分岐導波路ｌＱａ、１０ｂ上に形成する。
心線に対して互いに反対方向の２本の分岐導波路１０ａ
、１０ｂが形成される。次に、分岐角δの半分の角度で
、導波路９の中心線と分岐導波路ＩＱａ、１０ｂの中心
線の交点１４の近傍を通る直線１５．１６を一方のエツ
ジとするｎ側電極６および７を、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕで導
波路９および分岐導波路ｌＱａ、１０ｂ上に形成する。
さらにｐ側電極８をＣｒ−Ａｕによって形成する。最後
に導波路９の中心線に垂直な方向に入出射端面をへき開
により形成した。なお、実際にはボーディングのための
バットおよび引き出し線も形成しているが、図では省略
した。
に導波路９の中心線に垂直な方向に入出射端面をへき開
により形成した。なお、実際にはボーディングのための
バットおよび引き出し線も形成しているが、図では省略
した。
第１図（ａ）を用いて実際のスイッチ動作について説明
する。ここでは、切り換える光の波長としてＭＱＷガイ
ド層３の吸収端（バンドギャップ波長λ、 ＝０．８５
μｍ）より長波長側を考え、０．８７０μｍを選んだ。
する。ここでは、切り換える光の波長としてＭＱＷガイ
ド層３の吸収端（バンドギャップ波長λ、 ＝０．８５
μｍ）より長波長側を考え、０．８７０μｍを選んだ。
導波路９に入射した光１３は、ｎ側電極６および７とｐ
側電極８間に電圧を印加しない時は、通常の３ｄＢ損失
のあるＹ分岐導波路となる。ところが、ｎ側電極６とｐ
側電極８間に電圧を印加した際には電極６の直下のＭＱ
Ｗガイド層３にマイナスの屈折率変化が誘起され、それ
により入射光１３は電極７側の分岐導波路１０に全反射
され、出射光１１となる。この屈折率変化の大きさは相
対変化Δｎ ／ ｎとして１Ｏ−３〜１０−２のオーダ
である。全反射角θをΔｎ ／ ｎの間にはｓｉｎθ＝
（１−Δｎ ／ ｎ ）の関係があるため、Δｎ ／
ｎ ＝１０−３〜１Ｏ−２の屈折率変化により５°〜１
６°の交差角の光導波路で全反射型光スイッチを得るこ
とができる。一方、ｎ側電極７とｐ側電極８間に電圧を
印加した際にも同様な過程で、出射光１２を得ることが
できる。すなわち、印加電圧を電極６〜８間と電極７〜
８間で切り換えることにより、出射光路を切り換えるこ
とができる。この際、入射側導波路と出射側導波路の交
差角は５°〜１６°であるので、分岐導波路のなす分岐
角δは１０〜３２°と大きくとれる。また、電圧印加を
行えば、電極直下のＭＱＷガイド層３では吸収が大きく
なるために、加工誤差などで漏れる光を吸収することが
でき、そのため出射光１１と出射光１２の光量比を大き
くとれる。さらに、全反射を用いているので、分岐損失
がないために挿入損失も低減できる。
側電極８間に電圧を印加しない時は、通常の３ｄＢ損失
のあるＹ分岐導波路となる。ところが、ｎ側電極６とｐ
側電極８間に電圧を印加した際には電極６の直下のＭＱ
Ｗガイド層３にマイナスの屈折率変化が誘起され、それ
により入射光１３は電極７側の分岐導波路１０に全反射
され、出射光１１となる。この屈折率変化の大きさは相
対変化Δｎ ／ ｎとして１Ｏ−３〜１０−２のオーダ
である。全反射角θをΔｎ ／ ｎの間にはｓｉｎθ＝
（１−Δｎ ／ ｎ ）の関係があるため、Δｎ ／
ｎ ＝１０−３〜１Ｏ−２の屈折率変化により５°〜１
６°の交差角の光導波路で全反射型光スイッチを得るこ
とができる。一方、ｎ側電極７とｐ側電極８間に電圧を
印加した際にも同様な過程で、出射光１２を得ることが
できる。すなわち、印加電圧を電極６〜８間と電極７〜
８間で切り換えることにより、出射光路を切り換えるこ
とができる。この際、入射側導波路と出射側導波路の交
差角は５°〜１６°であるので、分岐導波路のなす分岐
角δは１０〜３２°と大きくとれる。また、電圧印加を
行えば、電極直下のＭＱＷガイド層３では吸収が大きく
なるために、加工誤差などで漏れる光を吸収することが
でき、そのため出射光１１と出射光１２の光量比を大き
くとれる。さらに、全反射を用いているので、分岐損失
がないために挿入損失も低減できる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、従来の交
差型の光スイッチや分岐ゲート型の光スイッチよりも小
型でモノリシック集積が可能でかつ光の切り換えにとも
なう損失変化が小さい光スイッチが得られる。
差型の光スイッチや分岐ゲート型の光スイッチよりも小
型でモノリシック集積が可能でかつ光の切り換えにとも
なう損失変化が小さい光スイッチが得られる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は、本発明による光スイッチ
の一実施例を説明するための斜視図及び上面図、 第２図（ａ）、 （ｂ）は、本発明の光スイッチの動
作原理となるＭＱＷの屈折率変化を説明する図、 第３図及び第４図は、従来例を説明するための図である
。 ９・・・・・・導波路 １０ａ、１０ｂ・・分岐導波路 ６．７・・・・ｎ側電極 ８・・・・・・ｐ側電極 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 （ａ） （ｂ） 第１図 波長 第２図
の一実施例を説明するための斜視図及び上面図、 第２図（ａ）、 （ｂ）は、本発明の光スイッチの動
作原理となるＭＱＷの屈折率変化を説明する図、 第３図及び第４図は、従来例を説明するための図である
。 ９・・・・・・導波路 １０ａ、１０ｂ・・分岐導波路 ６．７・・・・ｎ側電極 ８・・・・・・ｐ側電極 代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 （ａ） （ｂ） 第１図 波長 第２図
Claims (1)
- （１）第１の導波路および前記第１の導波路の中心線に
対して互いに異なる方向に分岐される第２、第３の導波
路をもつＹ分岐型の導波路と、前記第１の導波路と前記
第２、第３の導波路の分岐部の一部の屈折率変化を生じ
させる手段とから成る光スイッチにおいて、前記第１、
第２および第３の導波路のうち少なくとも屈折率変化を
生じさせるべき部分は、ド・ブロイ波長程度の厚みの第
１の半導体層とそれよりバンドギャップの広い第２の半
導体層により挟んだ量子井戸を層厚方向に少なくとも１
つ含む構造であり、 前記第１の導波路の中心線と前記第２の導波路の中心線
の交差角の半分の交差角で前記第１の導波路の中心線と
交わり、前記第１の導波路の中心線と前記第２の導波路
の中心線の交点の近傍を通る直線をエッジの一部とする
、前記第１の導波路の中心線に対して前記第３の導波路
側にある第１の電極と、 前記第１の導波路の中心線と前記第３の導波路の中心線
の交差角の半分の交差角で前記第１の導波路の中心線と
交わり、前記第１の導波路の中心線と前記第３の導波路
の中心線の交点の近傍を通る直線をエッジの一部とする
、前記第１の導波路の中心線に対して前記第２の導波路
側にある第２の電極を有することを特徴とする光スイッ
チ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28523187A JPH01128046A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28523187A JPH01128046A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128046A true JPH01128046A (ja) | 1989-05-19 |
Family
ID=17688808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28523187A Pending JPH01128046A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128046A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308125A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 導波路型光スイッチ |
| JPH0391723A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光スイッチ |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28523187A patent/JPH01128046A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02308125A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 導波路型光スイッチ |
| JPH0391723A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光スイッチ |
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