JPH0112833B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0112833B2 JPH0112833B2 JP56031840A JP3184081A JPH0112833B2 JP H0112833 B2 JPH0112833 B2 JP H0112833B2 JP 56031840 A JP56031840 A JP 56031840A JP 3184081 A JP3184081 A JP 3184081A JP H0112833 B2 JPH0112833 B2 JP H0112833B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- film
- protective film
- thickness
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属薄膜などの活性表面を周囲環境
から保護するための保護膜の形成方法に関し、特
に、プラスチツクフイルム上に強磁性金属薄膜を
形成させた金属薄膜型磁気記録媒体の表面を保護
するのに適した方法に関する。
から保護するための保護膜の形成方法に関し、特
に、プラスチツクフイルム上に強磁性金属薄膜を
形成させた金属薄膜型磁気記録媒体の表面を保護
するのに適した方法に関する。
金属薄膜，半導体薄膜などを応用した各種機能
素子，記録媒体などにおいて、これらの表面を周
囲環境から保護するための薄膜状の安定な保護膜
が各分野において要求されている。金属薄膜型磁
気記録媒体においては、その特徴である高密度記
録を生かすために媒体と磁気ヘツドとの間隔を極
力小さくすることが要求されているが、金属薄膜
自体を周囲環境に露出すると湿気，腐食性ガスな
どの作用で、その表面が腐食されやすく、また、
磁気ヘツドとの摺動によつて、摩耗を生じやすい
ため、その表面に保護膜を形成させることが必要
であるが、この場合、上記の要求を考慮して、ス
ペーシングロスを小さくするため、膜層を1000Å
以下、好ましくは、数百Å以下にしなければなら
ない。
素子，記録媒体などにおいて、これらの表面を周
囲環境から保護するための薄膜状の安定な保護膜
が各分野において要求されている。金属薄膜型磁
気記録媒体においては、その特徴である高密度記
録を生かすために媒体と磁気ヘツドとの間隔を極
力小さくすることが要求されているが、金属薄膜
自体を周囲環境に露出すると湿気，腐食性ガスな
どの作用で、その表面が腐食されやすく、また、
磁気ヘツドとの摺動によつて、摩耗を生じやすい
ため、その表面に保護膜を形成させることが必要
であるが、この場合、上記の要求を考慮して、ス
ペーシングロスを小さくするため、膜層を1000Å
以下、好ましくは、数百Å以下にしなければなら
ない。
従来、金属、あるいは、無機化合物をターゲツ
トとして不活性ガスイオン衝撃により相手物質上
に保護膜を形成させることはいくつか提案されて
おり、これらをプラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体に適用すべく検討した
が、可とう性に劣り磁気ヘツドの走行で亀裂を生
じたり、磁気ヘツドとの相性が悪く削れたりする
ものがほとんどであつた。またテトラフロロエチ
レン重合体をターゲツトとして物質表面に保護膜
を形成することも公知であり、これを金属薄膜型
磁気記録媒体の表面保護層として検討したが、耐
食性が劣ることが判明した。
トとして不活性ガスイオン衝撃により相手物質上
に保護膜を形成させることはいくつか提案されて
おり、これらをプラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体に適用すべく検討した
が、可とう性に劣り磁気ヘツドの走行で亀裂を生
じたり、磁気ヘツドとの相性が悪く削れたりする
ものがほとんどであつた。またテトラフロロエチ
レン重合体をターゲツトとして物質表面に保護膜
を形成することも公知であり、これを金属薄膜型
磁気記録媒体の表面保護層として検討したが、耐
食性が劣ることが判明した。
本発明者は以上のような点に鑑み、これまでに
例のない重合体をターゲツトとすることを試みた
結果熱可塑性芳香族ポリエステルをターゲツトと
し還元性ガスと不活性ガスの混合雰囲気中でスパ
ツタした場合に所望の保護膜が形成されることが
明らかになつた。
例のない重合体をターゲツトとすることを試みた
結果熱可塑性芳香族ポリエステルをターゲツトと
し還元性ガスと不活性ガスの混合雰囲気中でスパ
ツタした場合に所望の保護膜が形成されることが
明らかになつた。
ここで、熱可塑性芳香族ポリエステルとして
は、ポリエチレンテレフタレート（PET），ポリ
ブチレンテレフタレート（PBT）などがある。
は、ポリエチレンテレフタレート（PET），ポリ
ブチレンテレフタレート（PBT）などがある。
この熱可塑性芳香族ポリエステルをフイルム状
に成形したもの、あるいは、アルミニウム板上に
塗膜として形成したものをターゲツトとし、アル
ゴン，クリプトン，キセノンなどの不活性ガスと
水素，炭化水素，シラン，ホスフインなどの還元
性ガスの混合雰囲気中でイオン衝撃により上記タ
ーゲツトを蒸発させ、保護すべき基板表面に被着
せしめる。すなわち、スパツタする。
に成形したもの、あるいは、アルミニウム板上に
塗膜として形成したものをターゲツトとし、アル
ゴン，クリプトン，キセノンなどの不活性ガスと
水素，炭化水素，シラン，ホスフインなどの還元
性ガスの混合雰囲気中でイオン衝撃により上記タ
ーゲツトを蒸発させ、保護すべき基板表面に被着
せしめる。すなわち、スパツタする。
なお還元性ガスは生成した膜中の活性な点と反
応し、安定化させる作用を有する。
応し、安定化させる作用を有する。
スパツタの方法としては、通常のRFまたはDC
スパツタ法、マグネトロン型RFまたはDCスパツ
タ法、イオンビームスパツタなどの公知の方法が
可能であるが、プラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体への保護膜形成におい
てはマグネトロン型RFスパツタ法が最適である。
このマグネトロン型RFスパツタ法の場合には、
混合ガス圧力；10-4〜10-2Torr，ターゲツト電
力0.5〜5W／cm2の条件でFe，Co，Ni，それらの
合金、またはそれらと他の金属との合金から成る
強磁性金属薄膜上に直接、あるいは、Al，Crな
どの非磁性層を介して成膜速度１〜50Å／secで
膜厚50Å〜1000Åの保護膜を形成させた場合に、
金属薄膜の耐食性，磁気ヘツドに対する耐摩耗性
の著しい向上が見られる。以下、このことにつき
具体例で示す。
スパツタ法、マグネトロン型RFまたはDCスパツ
タ法、イオンビームスパツタなどの公知の方法が
可能であるが、プラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体への保護膜形成におい
てはマグネトロン型RFスパツタ法が最適である。
このマグネトロン型RFスパツタ法の場合には、
混合ガス圧力；10-4〜10-2Torr，ターゲツト電
力0.5〜5W／cm2の条件でFe，Co，Ni，それらの
合金、またはそれらと他の金属との合金から成る
強磁性金属薄膜上に直接、あるいは、Al，Crな
どの非磁性層を介して成膜速度１〜50Å／secで
膜厚50Å〜1000Åの保護膜を形成させた場合に、
金属薄膜の耐食性，磁気ヘツドに対する耐摩耗性
の著しい向上が見られる。以下、このことにつき
具体例で示す。
実施例 １：
厚さ15μmの長尺ポリエステルフイルム上に厚
さ0.2μmのCo強磁性薄膜を連続真空斜め蒸着法に
より形成し、テープに切断し、これを試料Ａとし
た。この試料Ａに下記の条件でスパツタし、厚さ
100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料Ｂと
した。
さ0.2μmのCo強磁性薄膜を連続真空斜め蒸着法に
より形成し、テープに切断し、これを試料Ａとし
た。この試料Ａに下記の条件でスパツタし、厚さ
100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料Ｂと
した。
ターゲツト：ポリエチレンテレフタレート
（PET）フイルム（東レ(株)製、商品名ルミー
ラー、厚さ100μm 雰囲気：４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力：2.5W／cm2 スパツタ時間：30sec 実施例 ２： 前記と同じ試料Ａを用い、これに下記の条件で
スパツタし、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。
これを試料Ｃとした。
（PET）フイルム（東レ(株)製、商品名ルミー
ラー、厚さ100μm 雰囲気：４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力：2.5W／cm2 スパツタ時間：30sec 実施例 ２： 前記と同じ試料Ａを用い、これに下記の条件で
スパツタし、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。
これを試料Ｃとした。
ターゲツト：ポリブチレンテレフタレート
（PBT）シート（ポリプラスチツク(株)製、商
品名ジユラネツクス）、厚さ１mm 雰囲気：４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力：2.5W／cm2 スパツタ時間：30sec 実施例 ３： 前記と同じ試料Ａを用い、これに下記条件でス
パツタし、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。
これを試料Ｄとした。
（PBT）シート（ポリプラスチツク(株)製、商
品名ジユラネツクス）、厚さ１mm 雰囲気：４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力：2.5W／cm2 スパツタ時間：30sec 実施例 ３： 前記と同じ試料Ａを用い、これに下記条件でス
パツタし、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。
これを試料Ｄとした。
ターゲツト：飽和共重合ポリエステル樹脂シー
ト（東洋紡積(株)製、商品名バイロン200）、厚
さ0.5mm 雰囲気：４×10-2Torr，Ar＋Hz（10％） ターゲツト電力：2.5W／cm2 スパツタ時間：30sec 別の試料Ａを用いて、下記条件でスパツタし、
厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料
Ｅとした。（比較例） ターゲツト：ポリエチレンテレフタレート
（PET）フイルム東レ(株)製、商品名ルミラ
ー、厚さ100μm 雰囲気：４×10-2Torr，Ar ターゲツト電力：2.5W／cm2 スパツタ時間：30sec これらの試料を40℃，90％RH中に放置し、耐
湿テストを行なつた結果、光学顕微鏡で磁性面に
錆発生が確認されるまでに要した放置日数は、下
記の通りであつた。
ト（東洋紡積(株)製、商品名バイロン200）、厚
さ0.5mm 雰囲気：４×10-2Torr，Ar＋Hz（10％） ターゲツト電力：2.5W／cm2 スパツタ時間：30sec 別の試料Ａを用いて、下記条件でスパツタし、
厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料
Ｅとした。（比較例） ターゲツト：ポリエチレンテレフタレート
（PET）フイルム東レ(株)製、商品名ルミラ
ー、厚さ100μm 雰囲気：４×10-2Torr，Ar ターゲツト電力：2.5W／cm2 スパツタ時間：30sec これらの試料を40℃，90％RH中に放置し、耐
湿テストを行なつた結果、光学顕微鏡で磁性面に
錆発生が確認されるまでに要した放置日数は、下
記の通りであつた。
試料Ａ：12日（比較例）
試料Ｂ：75日
試料Ｃ：70日
試料Ｄ：70日
試料Ｅ：40日（比較例）
また、別途に、上記各試料を市販の家庭用ビデ
オテープレコーダーと同様の機能を有するスチル
テスターにてスチル時間を測定した結果は下記の
通りであつた。
オテープレコーダーと同様の機能を有するスチル
テスターにてスチル時間を測定した結果は下記の
通りであつた。
試料Ａ：30分（比較例）
試料Ｂ：80分
試料Ｃ：75分
試料Ｄ：70分
試料Ｅ：50分（比較例）
上記の例からも明らかなように、本発明によれ
ば膜厚100Å程度のスパツタ膜形成によつて強磁
性薄膜の耐食性，耐摩耗性を大巾に改善すること
ができ、工業的に非常に有用なものである。
ば膜厚100Å程度のスパツタ膜形成によつて強磁
性薄膜の耐食性，耐摩耗性を大巾に改善すること
ができ、工業的に非常に有用なものである。
Claims (1)
- １ 金属薄膜型磁気記録媒体に保護膜を形成する
方法であつて、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレートまたは飽和共重合ポリ
エステルのいずれかから成るターゲツトを、還元
性ガスと不活性ガスの混合雰囲気中におけるスパ
ツタリング法により蒸発させ、前記金属薄膜表面
に被着せしめることを特徴とする保護膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56031840A JPS57145978A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56031840A JPS57145978A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57145978A JPS57145978A (en) | 1982-09-09 |
| JPH0112833B2 true JPH0112833B2 (ja) | 1989-03-02 |
Family
ID=12342246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56031840A Granted JPS57145978A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57145978A (ja) |
-
1981
- 1981-03-04 JP JP56031840A patent/JPS57145978A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57145978A (en) | 1982-09-09 |
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