JPH01128433A - 画像反転パターン形成方法 - Google Patents
画像反転パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH01128433A JPH01128433A JP62286140A JP28614087A JPH01128433A JP H01128433 A JPH01128433 A JP H01128433A JP 62286140 A JP62286140 A JP 62286140A JP 28614087 A JP28614087 A JP 28614087A JP H01128433 A JPH01128433 A JP H01128433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- pattern
- exposed
- reversal
- ion beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
- B29B17/00—Recovery of plastics or other constituents of waste material containing plastics
- B29B17/02—Separating plastics from other materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29B—PREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
- B29B17/00—Recovery of plastics or other constituents of waste material containing plastics
- B29B17/02—Separating plastics from other materials
- B29B2017/0213—Specific separating techniques
- B29B2017/0286—Cleaning means used for separation
- B29B2017/0289—Washing the materials in liquids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/06—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing reinforcements, fillers or inserts
- B29K2105/065—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing reinforcements, fillers or inserts containing impurities
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は集束イオンビームを用いた画像反転１＜ターン
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
ポジ型レジストの画像反転を用いたパターン形成方法は
、一種類のポジ型レジストによってポジ型レジストパタ
ーン及びネガ型レジストパターンの両方が得られ、工程
及び設備の簡略化が計れるほか、光りソグラコイにおい
ては定在波の影響によるパターン寸法精度の悪化を抑え
ることができる等優れた特徴を有している。またパター
ン露光に集束イオンビーム露光を用いることにより、光
露光や電子ビーム露光では形成が困難な０．１μｍ程度
の微細なパターンの形成が可能である。
、一種類のポジ型レジストによってポジ型レジストパタ
ーン及びネガ型レジストパターンの両方が得られ、工程
及び設備の簡略化が計れるほか、光りソグラコイにおい
ては定在波の影響によるパターン寸法精度の悪化を抑え
ることができる等優れた特徴を有している。またパター
ン露光に集束イオンビーム露光を用いることにより、光
露光や電子ビーム露光では形成が困難な０．１μｍ程度
の微細なパターンの形成が可能である。
従来技術の工程を第４図を用いて説明する。
半導体基板４２に塗布されたポジ型レジスト４１（第４
図（ａ））に集束イオンビーム４３により適正露光量に
てパターン露光を行う（第４図（ｂ））。次にリバーサ
ルベークを行うことにより露光部分のネガ反転を起こさ
せる（第４図（Ｃ））。さらに遠紫外線光４４により一
括露光を行って、先のパターン露光での未露光部分を適
正露光量にて露光する（第４図（ｄ））。最後に現像を
行うことにより画像反転パターンが形成される（第４図
（ｅ））。しかしながら、この従来の方法では画像反転
を起こさせるためのりバーサルベーク及び、未露光部分
を除去するための遠紫外線光による一括露光を行ってお
り、ネガ型レジストを用いた通常のパターン形成方法と
比較して工程及び設備が複雑化するという問題点を有し
ていた。本発明の目的は、従来より工程の簡略化された
画像反転パターン形成方法を提供することにある。
図（ａ））に集束イオンビーム４３により適正露光量に
てパターン露光を行う（第４図（ｂ））。次にリバーサ
ルベークを行うことにより露光部分のネガ反転を起こさ
せる（第４図（Ｃ））。さらに遠紫外線光４４により一
括露光を行って、先のパターン露光での未露光部分を適
正露光量にて露光する（第４図（ｄ））。最後に現像を
行うことにより画像反転パターンが形成される（第４図
（ｅ））。しかしながら、この従来の方法では画像反転
を起こさせるためのりバーサルベーク及び、未露光部分
を除去するための遠紫外線光による一括露光を行ってお
り、ネガ型レジストを用いた通常のパターン形成方法と
比較して工程及び設備が複雑化するという問題点を有し
ていた。本発明の目的は、従来より工程の簡略化された
画像反転パターン形成方法を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明は、ポジ型レジストと集束イオンビーム露光によ
るレジストの画像反転を用いたパターン形成方法におい
て、前記ポジ型レジストに適正露光量以上の集束イオン
ビームを露光する工程と、現像液により未露光部分を選
択的に除去しパターンを形成する工程とから成ることを
特徴とする、画像反転パターン形成方法である。
るレジストの画像反転を用いたパターン形成方法におい
て、前記ポジ型レジストに適正露光量以上の集束イオン
ビームを露光する工程と、現像液により未露光部分を選
択的に除去しパターンを形成する工程とから成ることを
特徴とする、画像反転パターン形成方法である。
（作用）
次に本発明の原理について第２図及び第３図を用いて説
明する。
明する。
通常ポジ型レジストはベースとなるポリマーと感光基の
結合した構造をとっており、特定の波長の光又は荷電粒
子を照射することによって感光基の化学的反応を誘起し
特定の現像液に対して可溶性となる性質を持っている。
結合した構造をとっており、特定の波長の光又は荷電粒
子を照射することによって感光基の化学的反応を誘起し
特定の現像液に対して可溶性となる性質を持っている。
しかしこのポジ型レジストに感光基の化学的反応を誘起
し、特定の現像液に対して可溶性となるのに必要なエネ
ルギー以上の露光エネルギーを与えると、感光基の反応
が進み前記現像液に対して不溶性となったり、ベースと
なるポリマー同士の架橋反応によりレジストの分子量が
増大し不溶化する等のネガ反応現象が起こる。また、こ
のネガ反応を起こさせるのに必要な露光エネルギーは、
そのエネルギー密度の低さから光露光によっては与える
ことができず、荷電粒子ビームによる必要がある。荷電
粒子ビームとして電子ビームとイオンビームを比較した
場合、電子とイオンの質量の大きな差に起因するレジス
ト中での単位体積当りのエネルギー密度の差によって、
電子を用いた場合イオンに比較して１〜２桁高い露光量
が必要となり近接効果、電荷蓄積の影響を強く受は微細
なパターンを清度良く形成することが困難である。第２
図は基板上に厚さ０．５μｍ塗布されたノボラック系ポ
ジ型レジスＩ−を加速エネルギー２６０ｋｅＶのＢｅ集
束イオンビームにより露光し、水酸化カリウム飽和水溶
液現像液：純水−１：３．５の混液中で１５０秒現像し
た結果得られた、露光量とレジスト残膜率の関係を示し
ている。ここでレジスト残膜率は塗布膜厚を基準とした
規格化残膜率で示しである。
し、特定の現像液に対して可溶性となるのに必要なエネ
ルギー以上の露光エネルギーを与えると、感光基の反応
が進み前記現像液に対して不溶性となったり、ベースと
なるポリマー同士の架橋反応によりレジストの分子量が
増大し不溶化する等のネガ反応現象が起こる。また、こ
のネガ反応を起こさせるのに必要な露光エネルギーは、
そのエネルギー密度の低さから光露光によっては与える
ことができず、荷電粒子ビームによる必要がある。荷電
粒子ビームとして電子ビームとイオンビームを比較した
場合、電子とイオンの質量の大きな差に起因するレジス
ト中での単位体積当りのエネルギー密度の差によって、
電子を用いた場合イオンに比較して１〜２桁高い露光量
が必要となり近接効果、電荷蓄積の影響を強く受は微細
なパターンを清度良く形成することが困難である。第２
図は基板上に厚さ０．５μｍ塗布されたノボラック系ポ
ジ型レジスＩ−を加速エネルギー２６０ｋｅＶのＢｅ集
束イオンビームにより露光し、水酸化カリウム飽和水溶
液現像液：純水−１：３．５の混液中で１５０秒現像し
た結果得られた、露光量とレジスト残膜率の関係を示し
ている。ここでレジスト残膜率は塗布膜厚を基準とした
規格化残膜率で示しである。
この実験結果はノボラック系ポジ型レジストがイオンビ
ームによって適正露光量以上の露光量を与えられると、
急速にネガ反転を起こすことを示している。
ームによって適正露光量以上の露光量を与えられると、
急速にネガ反転を起こすことを示している。
ネガ反転状態にあるレジストはポリマーの架橋による分
子量の増大、感光基の不溶化等、未露光部分に比較して
も更に不溶化の進んだ状態にあり、現像液を適当に選択
することにより未露光部分のみを選択的に除去すること
が可能である。第３図はノボラック系ポジ型レジストの
加速エネルギー２６０ｋｅＶ、Ｂｅイオンによる露光に
よってネガ反転を起こした部分と未露光部分の現像時間
と規格化残膜率の関係を示している。現像液は水酸化カ
リウム飽和水溶液現像液：純水−１：３゜５の混液を用
い、ネガ反転部分の露光量は１ Ｘ １０１３ｉｏｎｓ
／ ｃｍ２である。この実験結果は、ノボラック系ポジ
型レジストは未露光部分においても現像時間と共に残膜
率は直線的に低下するが、ネガ反転を起こした部分は全
く残膜率が低下していないことを示している。したがっ
てこれらの結果より、集束イオンビーム露光によってネ
ガ反転が起こるようにパターン露光を行うことによって
、その後に一括露光を行うこと無く画像反転パターンを
形成することができる。
子量の増大、感光基の不溶化等、未露光部分に比較して
も更に不溶化の進んだ状態にあり、現像液を適当に選択
することにより未露光部分のみを選択的に除去すること
が可能である。第３図はノボラック系ポジ型レジストの
加速エネルギー２６０ｋｅＶ、Ｂｅイオンによる露光に
よってネガ反転を起こした部分と未露光部分の現像時間
と規格化残膜率の関係を示している。現像液は水酸化カ
リウム飽和水溶液現像液：純水−１：３゜５の混液を用
い、ネガ反転部分の露光量は１ Ｘ １０１３ｉｏｎｓ
／ ｃｍ２である。この実験結果は、ノボラック系ポジ
型レジストは未露光部分においても現像時間と共に残膜
率は直線的に低下するが、ネガ反転を起こした部分は全
く残膜率が低下していないことを示している。したがっ
てこれらの結果より、集束イオンビーム露光によってネ
ガ反転が起こるようにパターン露光を行うことによって
、その後に一括露光を行うこと無く画像反転パターンを
形成することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について第１図を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の詳細な説明するたの基板の部分断面図
である。まず、半導体基板１２上にノボラック系ポジ型
レジスト１１を厚さ０．５μｍ塗布し、１００°０５３
０分間ベイクする（第１図（ａ））。その後Ｂｅ集束イ
オンビーム１３によってノボラック系ポジ型レジス１−
１１にパターン露光を行う（第１図（ｂ）〉。その時Ｂ
ｅ集東イオンビーム１３の加速エネルギーは２６０ｋｅ
Ｖ、また露光量は１ ｘ １０１３ｉｏｎｓ／ ｃｍ２
とした。その後水酸化カリウム飽和水溶液現像液：純水
＝１’：３．５の混液中で３００秒現像することにより
、第１図（ｃ）に示した画像反転パターンを形成するこ
とができ、中０．１μｍの微細パターンまで得られる。
である。まず、半導体基板１２上にノボラック系ポジ型
レジスト１１を厚さ０．５μｍ塗布し、１００°０５３
０分間ベイクする（第１図（ａ））。その後Ｂｅ集束イ
オンビーム１３によってノボラック系ポジ型レジス１−
１１にパターン露光を行う（第１図（ｂ）〉。その時Ｂ
ｅ集東イオンビーム１３の加速エネルギーは２６０ｋｅ
Ｖ、また露光量は１ ｘ １０１３ｉｏｎｓ／ ｃｍ２
とした。その後水酸化カリウム飽和水溶液現像液：純水
＝１’：３．５の混液中で３００秒現像することにより
、第１図（ｃ）に示した画像反転パターンを形成するこ
とができ、中０．１μｍの微細パターンまで得られる。
この場合、従来集束イオンビームによるパターン露光後
、ネガ反転を起こさせるためのりバーサルベーク工程及
び、未露光部分を除去するために紫外線光等を用いて行
っていた一括露光工程を省略することができるので、従
来方法に比べ設備及び工程の簡略化を計ることができた
。
、ネガ反転を起こさせるためのりバーサルベーク工程及
び、未露光部分を除去するために紫外線光等を用いて行
っていた一括露光工程を省略することができるので、従
来方法に比べ設備及び工程の簡略化を計ることができた
。
この実施例ではポジ型レジスト及び現像液にノボラック
系ポジ型レジスト（ＡＺレジスト）と水酸化カリウム飽
和水溶液現像液の組合せを用いたが、ノボラック系ポジ
型レジストとテトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド等地の現像液の組合せ、またポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）とエチルセロソルブ等地のポジ型レジ
スト及び現像液の組合せを用いても良い。またパターン
露光を行うめたの集束イオンビームのイオン種としてＢ
ｅイオンを用いたが、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇａ等等地単体金属
又は共晶合金イオン源から得られるイオン種を用いても
良い。
系ポジ型レジスト（ＡＺレジスト）と水酸化カリウム飽
和水溶液現像液の組合せを用いたが、ノボラック系ポジ
型レジストとテトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド等地の現像液の組合せ、またポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）とエチルセロソルブ等地のポジ型レジ
スト及び現像液の組合せを用いても良い。またパターン
露光を行うめたの集束イオンビームのイオン種としてＢ
ｅイオンを用いたが、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｇａ等等地単体金属
又は共晶合金イオン源から得られるイオン種を用いても
良い。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によればポジ型しジスＩ・
と集束イオンビーム露光によるレジスＩ・の画像反転を
用いたパターン形成方法において、前記ポジ型レジスト
に適正露光量以上の集束イオンビームを露光する工程と
、現像液により未露光部分を選択的に除去しパターンを
形成する工程により、従来方法で行われていたりバーサ
ルベーク工程及び−括露光工程を省略することができ、
設備及び工程の簡略化を計ることができる。
と集束イオンビーム露光によるレジスＩ・の画像反転を
用いたパターン形成方法において、前記ポジ型レジスト
に適正露光量以上の集束イオンビームを露光する工程と
、現像液により未露光部分を選択的に除去しパターンを
形成する工程により、従来方法で行われていたりバーサ
ルベーク工程及び−括露光工程を省略することができ、
設備及び工程の簡略化を計ることができる。
第１図は本発明の方法の一実施例を説明するための基板
の部分断面図、第２図はＢｅ種束イオンビームの露光量
とノボラック系ポジ型レジストの現象後の規格化残膜率
の関係を示す図、第３図はＢｅ集東イオンビーム露光に
よる画像反転部分と未露光部分の現像時間と規格化残膜
率の関係を示す図、また第４図は従来技術の方法を説明
するための基板の部分断面図である。 １１・・・・・・・・・・・・ノボラック系ポジ型レジ
スト４１・・・・・・・・・・・・ポジ型レジスト１２
．４２・・・基板
の部分断面図、第２図はＢｅ種束イオンビームの露光量
とノボラック系ポジ型レジストの現象後の規格化残膜率
の関係を示す図、第３図はＢｅ集東イオンビーム露光に
よる画像反転部分と未露光部分の現像時間と規格化残膜
率の関係を示す図、また第４図は従来技術の方法を説明
するための基板の部分断面図である。 １１・・・・・・・・・・・・ノボラック系ポジ型レジ
スト４１・・・・・・・・・・・・ポジ型レジスト１２
．４２・・・基板
Claims (1)
- （１）ポジ型レジストと集束イオンビーム露光によるレ
ジストの画像反転を用いたパターン形成方法において、
前記ポジ型レジストに適正露光量以上の集束イオンビー
ムを露光する工程と、現像液により未露光部分を選択的
に除去しパターンを形成する工程とを備えたことを特徴
とする画像反転パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286140A JPH01128433A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 画像反転パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286140A JPH01128433A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 画像反転パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128433A true JPH01128433A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17700454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62286140A Pending JPH01128433A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 画像反転パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007505487A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | シーエスジー ソーラー アクチェンゲゼルシャフト | 有機樹脂材料に開口部を形成する方法の改良 |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP62286140A patent/JPH01128433A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007505487A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | シーエスジー ソーラー アクチェンゲゼルシャフト | 有機樹脂材料に開口部を形成する方法の改良 |
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