JPH01128478A - 半導体ホトカプラ装置 - Google Patents
半導体ホトカプラ装置Info
- Publication number
- JPH01128478A JPH01128478A JP62287990A JP28799087A JPH01128478A JP H01128478 A JPH01128478 A JP H01128478A JP 62287990 A JP62287990 A JP 62287990A JP 28799087 A JP28799087 A JP 28799087A JP H01128478 A JPH01128478 A JP H01128478A
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- JP
- Japan
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- film
- light
- varnish
- lead terminal
- periphery
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ホトカプラ装置に関する。
第４図は従来の半導体ホトカプラ装置の外観を示す斜視
図であり、また、第５図は第４図のＶ−■線に沿う断面
図である。この半導体ホトカプラ装置ｌは、一対のリー
ド端子２．３と、一方のリード端子２の内端部２ａにマ
ウントされた発光用ＬＥＤチップのような発光素子４と
、他方のリード端子３の内端部ａに前記発光素子４と対
向状でマウントされた受光用ＬＥＤチップのような受光
素子５と、画素子４．５間の光透過パイプとなる透明シ
リコンワニス６と、画素子４．５およびワニス６を一体
的に外装封止したパッケージ７とを備えており、発光素
子４からの光をワニス６を通して受光素子５に伝達する
ようになっている。
図であり、また、第５図は第４図のＶ−■線に沿う断面
図である。この半導体ホトカプラ装置ｌは、一対のリー
ド端子２．３と、一方のリード端子２の内端部２ａにマ
ウントされた発光用ＬＥＤチップのような発光素子４と
、他方のリード端子３の内端部ａに前記発光素子４と対
向状でマウントされた受光用ＬＥＤチップのような受光
素子５と、画素子４．５間の光透過パイプとなる透明シ
リコンワニス６と、画素子４．５およびワニス６を一体
的に外装封止したパッケージ７とを備えており、発光素
子４からの光をワニス６を通して受光素子５に伝達する
ようになっている。
そして、このような半導体ホトカプラ装置においては、
光を確実に、かつ、効率よく伝達することが非常に重要
であると同時に、その用途上、発光素子４からなる発光
部と受光素子５からなる受光部との間、いわゆる１次・
２次間の絶縁耐力を充分満足していなければならず、特
に、絶縁耐力については５ｋｖ保証が一般的になりつつ
ある。
光を確実に、かつ、効率よく伝達することが非常に重要
であると同時に、その用途上、発光素子４からなる発光
部と受光素子５からなる受光部との間、いわゆる１次・
２次間の絶縁耐力を充分満足していなければならず、特
に、絶縁耐力については５ｋｖ保証が一般的になりつつ
ある。
ところが、この光伝達効率と、絶縁耐力を決定する受・
発光部間の沿面距離ＩＩ、との間には大きな相互関係が
あり、絶縁耐力を向上させるには沿面圧Ｍ １＋を長く
する必要がある。
発光部間の沿面距離ＩＩ、との間には大きな相互関係が
あり、絶縁耐力を向上させるには沿面圧Ｍ １＋を長く
する必要がある。
そこで、最近では、光伝達効率に直接影響する発光素子
４と受光素子５との離間距ＨＡｚを長くせず、すなわち
、光伝達効率を低下させることなく、両者間の沿面距離
、１１を長（設定するために、第６図に示すように、発
光素子４と受光素子５とを光学的に連結する透明シリコ
ンワニス６の中間部に、これを横断する透明絶縁フィル
ム８を介装し、発光部を構成するリード端子２の内端部
２ａと受光部を構成するリード端子３との間およびこの
リード端子３の内端部３ａと発光部のリード端子２との
間に前記フィルム８の周縁８ａを張り出させることが考
えられている。
４と受光素子５との離間距ＨＡｚを長くせず、すなわち
、光伝達効率を低下させることなく、両者間の沿面距離
、１１を長（設定するために、第６図に示すように、発
光素子４と受光素子５とを光学的に連結する透明シリコ
ンワニス６の中間部に、これを横断する透明絶縁フィル
ム８を介装し、発光部を構成するリード端子２の内端部
２ａと受光部を構成するリード端子３との間およびこの
リード端子３の内端部３ａと発光部のリード端子２との
間に前記フィルム８の周縁８ａを張り出させることが考
えられている。
ここで、第６図に示す構成の半導体ホトカプラ装置は、
つぎの手順で組み立てられている。
つぎの手順で組み立てられている。
■リード端子３の内端部３ａにマウントされた受光素子
５の上に、比較的粘度の高いワニス６ａを所定量だけ滴
下する。
５の上に、比較的粘度の高いワニス６ａを所定量だけ滴
下する。
■ワニス６ａ上に、位置決めされたフィルム８を載置し
て押し付ける。
て押し付ける。
■フィルム８の上に、前記同様のワニス６ｂを所定量だ
け滴下する。
け滴下する。
■上層のワニス６ｂ上に、リード端子２の内端部２ａに
マウントされた発光素子４を載置して押し付ける。
マウントされた発光素子４を載置して押し付ける。
■全体を加熱し、ワニス６ａ、６ｂを熱重合により硬化
させる。
させる。
０画素子４，５およびワニス６ａ、６ｂの周囲に、これ
らを外装封止するパッケージ７を形成する。
らを外装封止するパッケージ７を形成する。
ところで、前記従来構成の半導体ホトカプラ装置におい
ては、ワニス６を横断して介装されたフィルム８０周縁
８ａを迂回して得られる沿面距離１１はパフケージ７の
大きさによって規制されることになり、その長さには上
限がある。しかし、最近の強化絶縁規格の一部には沿面
距離ｌ、を４■１以上とすることが規格取得の基本条件
とされているものがあるにもかかわらず、従来構成によ
れば、パッケージ７の幅寸法が５ｔｌで高さ寸法が２〜
３龍というように小さなものになると、沿面距離１１を
４＋ｎ以上に設定することができないという問題点があ
った。
ては、ワニス６を横断して介装されたフィルム８０周縁
８ａを迂回して得られる沿面距離１１はパフケージ７の
大きさによって規制されることになり、その長さには上
限がある。しかし、最近の強化絶縁規格の一部には沿面
距離ｌ、を４■１以上とすることが規格取得の基本条件
とされているものがあるにもかかわらず、従来構成によ
れば、パッケージ７の幅寸法が５ｔｌで高さ寸法が２〜
３龍というように小さなものになると、沿面距離１１を
４＋ｎ以上に設定することができないという問題点があ
った。
さらに、前記フィルム８は所定の沿面距Ｒｔｔ ＋を確
保するためにワニス６と同心状枦装置されるにもかかわ
らず、前記組み立て工程の手順■において、このフィル
ム８が単に上下のワニス６ａ。
保するためにワニス６と同心状枦装置されるにもかかわ
らず、前記組み立て工程の手順■において、このフィル
ム８が単に上下のワニス６ａ。
６ｂ間に挟まれているだけであることとリード端子２．
３との取り合い関係から図示したように斜めに傾いてし
まい、かつ、手順■の熱重合時にワニス６の有する粘度
が一旦低下してフィルム８がずれ動いてしまうことから
ワニス６との同心状態が失われるという不都合もあった
。なお、このようなフィルム８の位置ずれ防止対策も考
えられてはいるが、フィルム８が非常に小さなものであ
り、その位置ずれ防止には特殊な装置が必要となるため
、コスト的な見地から実施されていないのが現状である
。
３との取り合い関係から図示したように斜めに傾いてし
まい、かつ、手順■の熱重合時にワニス６の有する粘度
が一旦低下してフィルム８がずれ動いてしまうことから
ワニス６との同心状態が失われるという不都合もあった
。なお、このようなフィルム８の位置ずれ防止対策も考
えられてはいるが、フィルム８が非常に小さなものであ
り、その位置ずれ防止には特殊な装置が必要となるため
、コスト的な見地から実施されていないのが現状である
。
この発明は、このような問題点を解決するために創案さ
れたものであって、パッケージの外形が大型化すること
なく、受・発光部間の沿面距離を延長することができ、
しかも、特殊な装置を用いることなく、フィルムの位置
ずれ防止を図ることができる半導体ホトカプラ装置の堤
供を目的としている。
れたものであって、パッケージの外形が大型化すること
なく、受・発光部間の沿面距離を延長することができ、
しかも、特殊な装置を用いることなく、フィルムの位置
ずれ防止を図ることができる半導体ホトカプラ装置の堤
供を目的としている。
ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明は、発光素子と受光素子とを光学的に連結する
透明シリコンワニスの中間部に、これを横断する透明絶
縁フィルムが介装されてなる半導体ホトカプラ装置にお
いて、前記フィルムの中央にくぼみ部を形成し、かつ、
このくぼみ部の周縁を波紋形状に折り曲げ形成した構成
に特徴を有するものである。
透明シリコンワニスの中間部に、これを横断する透明絶
縁フィルムが介装されてなる半導体ホトカプラ装置にお
いて、前記フィルムの中央にくぼみ部を形成し、かつ、
このくぼみ部の周縁を波紋形状に折り曲げ形成した構成
に特徴を有するものである。
〔作用〕
上記構成によれば、フィルムに設けられたくぼみ部の内
外面、すなわち、凹面および凸面のそれぞれにワニスが
密着することによってフィルム位置がセルフアライメン
トされ、フィルムの位置ずれが有効に防止されるととも
に、このくぼみ部の周縁に形成された波絞形状によって
パッケージの外形を大型化することなく、受・発光部間
の沿面距離が延長されることになる。
外面、すなわち、凹面および凸面のそれぞれにワニスが
密着することによってフィルム位置がセルフアライメン
トされ、フィルムの位置ずれが有効に防止されるととも
に、このくぼみ部の周縁に形成された波絞形状によって
パッケージの外形を大型化することなく、受・発光部間
の沿面距離が延長されることになる。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、この発明の一実施例に係る半導体ホトカプラ
装置の縦断正面図、第２図および第３図はフィルムの斜
視図および断面図である。なお、この半導体ホトカプラ
装置の構成については従来例の構成と基本的に異ならな
いので、第１図において第４図ないし第６図に示す従来
例と互いに同一または相当する部品、部分については同
一符号を付し、構成の要部以外についての説明は省略す
る。
装置の縦断正面図、第２図および第３図はフィルムの斜
視図および断面図である。なお、この半導体ホトカプラ
装置の構成については従来例の構成と基本的に異ならな
いので、第１図において第４図ないし第６図に示す従来
例と互いに同一または相当する部品、部分については同
一符号を付し、構成の要部以外についての説明は省略す
る。
この実施例に係る半導体ホトカプラ装置１においては、
発光素子４と受光素子５とを光学的に連結する透明シリ
コンワニス６の中間部を横断して介装された透明絶縁フ
ィルムＩＯの形状が従来例と大きく異なっている。すな
わち、このフィルム１０の中央には球面形状の一部から
なるくぼみ部１０ａが形成されるとともに、その周縁１
０ｂは前記くぼみ部１０ａと同心状の波絞形状に折り曲
げ形成されている。そして、このフィルムｌＯも、従来
例で説明した組み立て工程と同様、前記■ないし■の手
順にしたがってワニス６の中間部に装着され、パッケー
ジ７によって外装封止されている。ところが、本実施例
のフィルム１０によれば、前記組み立て工程のうちの手
順■が終了した時点で、フィルム１０のくぼみ部１０ａ
の外面である凸面と下層のワニス６ａとが、また、（ぼ
み部１０ａの内面である凹面と上層のワニス６ｂとが互
いの親和力によって密着させられるので、セルフアライ
メント効果が得られることになる。そのため、特殊な位
置ずれ防止装置を用いることなく、手順■の熱重合によ
るフィルムｌＯの位置ずれが有効に防止されることにな
る。
発光素子４と受光素子５とを光学的に連結する透明シリ
コンワニス６の中間部を横断して介装された透明絶縁フ
ィルムＩＯの形状が従来例と大きく異なっている。すな
わち、このフィルム１０の中央には球面形状の一部から
なるくぼみ部１０ａが形成されるとともに、その周縁１
０ｂは前記くぼみ部１０ａと同心状の波絞形状に折り曲
げ形成されている。そして、このフィルムｌＯも、従来
例で説明した組み立て工程と同様、前記■ないし■の手
順にしたがってワニス６の中間部に装着され、パッケー
ジ７によって外装封止されている。ところが、本実施例
のフィルム１０によれば、前記組み立て工程のうちの手
順■が終了した時点で、フィルム１０のくぼみ部１０ａ
の外面である凸面と下層のワニス６ａとが、また、（ぼ
み部１０ａの内面である凹面と上層のワニス６ｂとが互
いの親和力によって密着させられるので、セルフアライ
メント効果が得られることになる。そのため、特殊な位
置ずれ防止装置を用いることなく、手順■の熱重合によ
るフィルムｌＯの位置ずれが有効に防止されることにな
る。
また、本実施例においても、発光部を構成するリード端
子２の内端部２ａと受光部を構成するリード端子３との
間およびこのリード端子３の内端部３ａと発光部のリー
ド端子２との間にフィルム１０の周縁１０ｂが張り出さ
れているが、この周縁ｌＯｂが波絞形状に折り曲げ形成
されているので、パッケージ７の外形が大型化されるこ
となく、受・発光部間の沿面距離１１が延長されること
になり、必要な長さに設定することができる。
子２の内端部２ａと受光部を構成するリード端子３との
間およびこのリード端子３の内端部３ａと発光部のリー
ド端子２との間にフィルム１０の周縁１０ｂが張り出さ
れているが、この周縁ｌＯｂが波絞形状に折り曲げ形成
されているので、パッケージ７の外形が大型化されるこ
となく、受・発光部間の沿面距離１１が延長されること
になり、必要な長さに設定することができる。
ところで、本発明の発明者が行った実験によれば、フィ
ルム１０の大きさを４Ｗｍ角としたうえ、その中央に直
径１．５ｆｉのくぼみ部１０ａを形成するとともに、こ
のくぼみ部１０ａの周縁を波紋形状に折り曲げ形成した
場合、熱重合によるフィルム１０の位置ずれを防止する
ことができることが確認された。また、外形幅寸法が５
Ｗｍで高さ寸法が２〜３−１というようなパッケージ７
によって外装封止された半導体ホトカプラ装Ｗ１におい
ても、その沿面路ｊｌｌ ｌ＋を規格取得の基本条件と
なる４Ｈ以上に設定可能であることが確認されている。
ルム１０の大きさを４Ｗｍ角としたうえ、その中央に直
径１．５ｆｉのくぼみ部１０ａを形成するとともに、こ
のくぼみ部１０ａの周縁を波紋形状に折り曲げ形成した
場合、熱重合によるフィルム１０の位置ずれを防止する
ことができることが確認された。また、外形幅寸法が５
Ｗｍで高さ寸法が２〜３−１というようなパッケージ７
によって外装封止された半導体ホトカプラ装Ｗ１におい
ても、その沿面路ｊｌｌ ｌ＋を規格取得の基本条件と
なる４Ｈ以上に設定可能であることが確認されている。
なお、以上説明した退引絶縁フィルムＩＯは、例えば、
赤外線透過絶縁フィルムなどであっても良い、また、こ
のフィルム１０に形成されるくぼみ部１０ａの大きさは
ワニス６の粘度や使用量およびパフケージ７の外形の大
きさなどによって適宜決定され、かつ、その周縁１０ｂ
に形成される波絞形状の折り曲げ回数なども任意に選択
されることはいうまでもない。
赤外線透過絶縁フィルムなどであっても良い、また、こ
のフィルム１０に形成されるくぼみ部１０ａの大きさは
ワニス６の粘度や使用量およびパフケージ７の外形の大
きさなどによって適宜決定され、かつ、その周縁１０ｂ
に形成される波絞形状の折り曲げ回数なども任意に選択
されることはいうまでもない。
以上説明したように、この発明によれば、半導体ホトカ
プラ装置を構成する発光素子と受光素子との間を光学的
に連結する透明シリコンワニスの中間部に介装される透
明絶縁フィルムの中央にくぼみ部を形成しているので、
このくぼみ部の内外面、すなわち、凹面および凸面のそ
れぞれにワニスが密着することによってフィルム位置が
セルフアライメントされるため、フィルムの位置ずれを
有効に防止することができる。また、このフィルムのく
ぼみ部の周縁を波紋形状に形成しているので、パッケー
ジ外形の大型化を伴うことなく、受・発光部間の沿面距
離を延長することができる。
プラ装置を構成する発光素子と受光素子との間を光学的
に連結する透明シリコンワニスの中間部に介装される透
明絶縁フィルムの中央にくぼみ部を形成しているので、
このくぼみ部の内外面、すなわち、凹面および凸面のそ
れぞれにワニスが密着することによってフィルム位置が
セルフアライメントされるため、フィルムの位置ずれを
有効に防止することができる。また、このフィルムのく
ぼみ部の周縁を波紋形状に形成しているので、パッケー
ジ外形の大型化を伴うことなく、受・発光部間の沿面距
離を延長することができる。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例に係り、第１図
は半導体ホトカプラ装置の縦断正面図、第２図はフィル
ムの外観を示す斜視図、第３図は第２図の■−■線に沿
う断面図である。また、第４図ないし第６図は従来例に
係り、第４図はその一例としての半導体ホトカプラ装置
の斜視図、第５図は第４図のｖ−ｖｌに沿う断面図、第
６図は他の例としての半導体ホトカプラの縦断面図であ
る。 図において、符号１は半導体ホトカプラ装置、４は発光
素子、５は受光素子、６は透明シリコンワニス、１０は
透明絶縁フィルム、１０ａはそのくぼみ部、１０ｂはそ
の周縁である。 なお、図中の同一符号は、互いに同一もしくは相当する
部品、部分を示している。
は半導体ホトカプラ装置の縦断正面図、第２図はフィル
ムの外観を示す斜視図、第３図は第２図の■−■線に沿
う断面図である。また、第４図ないし第６図は従来例に
係り、第４図はその一例としての半導体ホトカプラ装置
の斜視図、第５図は第４図のｖ−ｖｌに沿う断面図、第
６図は他の例としての半導体ホトカプラの縦断面図であ
る。 図において、符号１は半導体ホトカプラ装置、４は発光
素子、５は受光素子、６は透明シリコンワニス、１０は
透明絶縁フィルム、１０ａはそのくぼみ部、１０ｂはそ
の周縁である。 なお、図中の同一符号は、互いに同一もしくは相当する
部品、部分を示している。
Claims (1)
- （１）発光素子と受光素子とを光学的に連結する透明シ
リコンワニスの中間部に、これを横断する透明絶縁フィ
ルムが介装されてなる半導体ホトカプラ装置において、 前記フィルムの中央にくぼみ部を形成し、かつ、このく
ぼみ部の周縁を波紋形状に折り曲げ形成したことを特徴
とする半導体ホトカプラ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62287990A JPH01128478A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 半導体ホトカプラ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62287990A JPH01128478A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 半導体ホトカプラ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128478A true JPH01128478A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17724369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62287990A Pending JPH01128478A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 半導体ホトカプラ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128478A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654559A (en) * | 1993-09-23 | 1997-08-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical coupling device and method for manufacturing the same |
| JP2008235831A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Nec Electronics Corp | フォトカプラおよびその組立方法 |
| WO2023068149A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP62287990A patent/JPH01128478A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5654559A (en) * | 1993-09-23 | 1997-08-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical coupling device and method for manufacturing the same |
| JP2008235831A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Nec Electronics Corp | フォトカプラおよびその組立方法 |
| WO2023068149A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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