JPH01128607A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH01128607A JPH01128607A JP28533787A JP28533787A JPH01128607A JP H01128607 A JPH01128607 A JP H01128607A JP 28533787 A JP28533787 A JP 28533787A JP 28533787 A JP28533787 A JP 28533787A JP H01128607 A JPH01128607 A JP H01128607A
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- JP
- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- electrode
- thin film
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は弾性表面波装置の信頼性向上に係シ、特に大電
力を伝送する弾性表面波装置または大振幅の表面波波動
が定在波として存在する弾性表面波共振器に好適な信頼
性の高い電極や反射器を有する弾性表面波装置に関する
。
力を伝送する弾性表面波装置または大振幅の表面波波動
が定在波として存在する弾性表面波共振器に好適な信頼
性の高い電極や反射器を有する弾性表面波装置に関する
。
半導体集積回路のＡ１配線に１０５〜Ｉ Ｏ’ Ａ／
ａｎ２程度以上の高密度電流を流した場合には、エレク
トロマイクレーシーンヲ生シ、突起（ヒロックス）、空
隙（ボイド）Ｋよる短絡や断線がしばしば発生する０そ
の原因は、Ａｌ原子が動き易い粒界で拡散によ）移動す
るためであると考えられている。
ａｎ２程度以上の高密度電流を流した場合には、エレク
トロマイクレーシーンヲ生シ、突起（ヒロックス）、空
隙（ボイド）Ｋよる短絡や断線がしばしば発生する０そ
の原因は、Ａｌ原子が動き易い粒界で拡散によ）移動す
るためであると考えられている。
この対策として特開昭４５−１１３３号、特開昭４９−
２２３９７号公報等に開示されている様に銅（Ｃｕ）を
添加したＡ１配線が用いられている。
２２３９７号公報等に開示されている様に銅（Ｃｕ）を
添加したＡ１配線が用いられている。
また、Ｔａ、Ｈｆその他の元素の中間層を挾んだＡ１配
線を用いる場合もある・ 一方、近年、弾性表面波装置の応用範囲が拡がシ、大電
力を伝送する弾性表面波フィルタや大振幅の表面波波動
が定在波として存在する弾性表面波共像器が用いられる
ようになった。しかし、上記のような弾性表面改装室に
おいては、その送受波電極や反射器の微細なＡｌ電極指
において、電子通信学会論文誌、１９８４年３月、巻Ｊ
６７−Ｃ１第３号、第２７８〜２８５頁に江畑等によっ
て述べられている様に、上記した半導体集積回路のＡｌ
配線電極に生ずるエレクトロマイグレーシ目ンによる場
合と同様の欠陥が発生し、共振器では共振周波数の経時
変化、大電力を伝送する弾性表面波フィルタでは短絡、
断線による出力停止などの故障が頻発していた・弾性表
面波装置１における上記欠陥のメカニズムについて、上
記文献では「弾性表面波によって生ずる基板表面の歪が
、表面上に形成されたＡＪ電極薄膜に内部応力を発生さ
せ、応力が閾値を越えた部分でＡＪ結晶粒界移動が起こ
シ、ボイド及びヒロックスが生ずる０内部応力による粒
界移動は、アイトリプルイー、トランザクシロン、パー
ツ・ハイプリッズ・アンド・パッケージング、巻ＰＨＰ
−７，ｐｐ、 １３４〜１３８． （１９７１年９月）
（ＩＩＥＥＩ。
線を用いる場合もある・ 一方、近年、弾性表面波装置の応用範囲が拡がシ、大電
力を伝送する弾性表面波フィルタや大振幅の表面波波動
が定在波として存在する弾性表面波共像器が用いられる
ようになった。しかし、上記のような弾性表面改装室に
おいては、その送受波電極や反射器の微細なＡｌ電極指
において、電子通信学会論文誌、１９８４年３月、巻Ｊ
６７−Ｃ１第３号、第２７８〜２８５頁に江畑等によっ
て述べられている様に、上記した半導体集積回路のＡｌ
配線電極に生ずるエレクトロマイグレーシ目ンによる場
合と同様の欠陥が発生し、共振器では共振周波数の経時
変化、大電力を伝送する弾性表面波フィルタでは短絡、
断線による出力停止などの故障が頻発していた・弾性表
面波装置１における上記欠陥のメカニズムについて、上
記文献では「弾性表面波によって生ずる基板表面の歪が
、表面上に形成されたＡＪ電極薄膜に内部応力を発生さ
せ、応力が閾値を越えた部分でＡＪ結晶粒界移動が起こ
シ、ボイド及びヒロックスが生ずる０内部応力による粒
界移動は、アイトリプルイー、トランザクシロン、パー
ツ・ハイプリッズ・アンド・パッケージング、巻ＰＨＰ
−７，ｐｐ、 １３４〜１３８． （１９７１年９月）
（ＩＩＥＥＩ。
Ｔｒａｎｓ、 Ｐａｒｔｓ、 Ｈｙｂｒｉｄｓ ａｎｄ
Ｐａａｋｇ、 ）に示される集積回路の・・・温度サ
イクルにおける場合と同じメカニズムと考えられる。」
旨を述べている０上記第１の文献では、この様なＡｌ
マイグレーシｌンによる欠陥対策として、半導体集積回
路で用いられる微量（１〜４重量％）の銅（Ｃｕ）を添
加する方法を述べ、そのマイグレーシロン抑圧に対する
有効性を述べている。
Ｐａａｋｇ、 ）に示される集積回路の・・・温度サ
イクルにおける場合と同じメカニズムと考えられる。」
旨を述べている０上記第１の文献では、この様なＡｌ
マイグレーシｌンによる欠陥対策として、半導体集積回
路で用いられる微量（１〜４重量％）の銅（Ｃｕ）を添
加する方法を述べ、そのマイグレーシロン抑圧に対する
有効性を述べている。
従来は、耐電力性、デバイスとしての損失、微細加工に
対する適性、量産性のすべての点で満足できる技術はな
かった。
対する適性、量産性のすべての点で満足できる技術はな
かった。
例えばＣｕを添加したＡ１系合金の場合は、第一にｓｏ
ｏｉｍｚ程度の高周波な弾性表面波装置では、伝送電力
、或いは振幅が変化しなくても、表面波歪が大きくなる
ので、大電力動作時には十分な寿命が保証で巷ないと云
う問題があった・第二に膜の硬度が大きくな）易く、ワ
イヤボンディングの歩留夛の低下、更に微細電槽を高精
度に形成する塩素系ガスプラズマを用いた反応性スパッ
タによるドライエツチングに行った場合、 Ｃｕの塩化
物の沸点が高いためにエツチングが難しく、オーバエッ
チを多く必要とし、電極幅が細くなってしまう。またＣ
ｕ塩化物が残留することもあって電極腐食が発生し易い
等の欠点があった。
ｏｉｍｚ程度の高周波な弾性表面波装置では、伝送電力
、或いは振幅が変化しなくても、表面波歪が大きくなる
ので、大電力動作時には十分な寿命が保証で巷ないと云
う問題があった・第二に膜の硬度が大きくな）易く、ワ
イヤボンディングの歩留夛の低下、更に微細電槽を高精
度に形成する塩素系ガスプラズマを用いた反応性スパッ
タによるドライエツチングに行った場合、 Ｃｕの塩化
物の沸点が高いためにエツチングが難しく、オーバエッ
チを多く必要とし、電極幅が細くなってしまう。またＣ
ｕ塩化物が残留することもあって電極腐食が発生し易い
等の欠点があった。
本発明は、耐電力性、デバイスとしての損失、微細加工
に対する適性、量産性の全ての条件を満足させる電極を
備えた弾性表面波装置を提供することを目的とする。
に対する適性、量産性の全ての条件を満足させる電極を
備えた弾性表面波装置を提供することを目的とする。
上記問題点を解決するために本発明においては、弾性表
面波基板上で弾性表面波を発生、伝搬または反射する電
極の少なくとも一部を、Ｚｎを添加したＡｌ薄１［Ｋよ
シ形成させることにした。ＡＪ薄膜材へのＺｎ添加量は
（Ｌｌ〜５重量％とした。
面波基板上で弾性表面波を発生、伝搬または反射する電
極の少なくとも一部を、Ｚｎを添加したＡｌ薄１［Ｋよ
シ形成させることにした。ＡＪ薄膜材へのＺｎ添加量は
（Ｌｌ〜５重量％とした。
また、Ｚｎを添加したＡｌ薄膜をスパッタ法によシ形成
すると緻密な信頼性の高い電極が得られた〇〔作用〕 Ｚｎを添加したＡ１系合金薄膜では、膜抵抗率がＣｕ添
加の場合に比べて多少低いため、弾性表面波フィルタ、
弾性表面波共振器としての損失が小さく、またたの塩化
物や弗化物の沸点が低く、電極形成作業時に塩化物や弗
化物の残留が無いため、電極腐食が発生せず、ドライエ
ツチングによる過度のオーバエッチが避けられ、電極幅
の細シが極めて少なくなる０更に、Ｃｕ添加の場合に比
べ硬度が大きくならず、ワイヤボンディングの歩留シも
向上する。
すると緻密な信頼性の高い電極が得られた〇〔作用〕 Ｚｎを添加したＡ１系合金薄膜では、膜抵抗率がＣｕ添
加の場合に比べて多少低いため、弾性表面波フィルタ、
弾性表面波共振器としての損失が小さく、またたの塩化
物や弗化物の沸点が低く、電極形成作業時に塩化物や弗
化物の残留が無いため、電極腐食が発生せず、ドライエ
ツチングによる過度のオーバエッチが避けられ、電極幅
の細シが極めて少なくなる０更に、Ｃｕ添加の場合に比
べ硬度が大きくならず、ワイヤボンディングの歩留シも
向上する。
しかもＤＣマグネトロンスパッタ法を適用し、Ｚｎ添加
Ａ！！合金系薄膜で高周波弾性表面波装置の送受波電極
を形成したところ、優れた耐電力性が確認できた０これ
は、Ｚｎ添加ＡＪ系合金薄膜では、Ａｌ原子が其の自己
拡散を抑えられ応力に対して動き難くなシ、電極膜の静
的応力が小さく、弾性表面波によシ高周波応力が加えら
れる膜の場合でも、全応力が小さくなっていることによ
ると考えられる０またＡｊ’原子の自己拡散が抑えられ
るため電流によるエレクトロマイグレーシロンに対する
耐性も大きくなると考えられ、大電流を流す電極等に適
用した結果、優れた結果を得ることが出来た。
Ａ！！合金系薄膜で高周波弾性表面波装置の送受波電極
を形成したところ、優れた耐電力性が確認できた０これ
は、Ｚｎ添加ＡＪ系合金薄膜では、Ａｌ原子が其の自己
拡散を抑えられ応力に対して動き難くなシ、電極膜の静
的応力が小さく、弾性表面波によシ高周波応力が加えら
れる膜の場合でも、全応力が小さくなっていることによ
ると考えられる０またＡｊ’原子の自己拡散が抑えられ
るため電流によるエレクトロマイグレーシロンに対する
耐性も大きくなると考えられ、大電流を流す電極等に適
用した結果、優れた結果を得ることが出来た。
以下、本発明を１面を用いて更に詳しく説明する・第１
図（５Ｌ）は本発明の一夾施例（弾性表面波２開口共振
器）の平面図、第１図（ｂ）は図（Ｌ）中のＡ−Ａ’線
断面図を示す。１は弾性表面波基板で８丁カット水晶基
板を用い、この基板面上に１組の送受波電極２．２′が
開口１０００μｍ５２８対で互いに弾性表面波を送受す
るように設けられてお夛、ポンディングパッド５．５’
ｌ接続されている０ポンプイングツ（ラド３，３′は、
直径２５ 、ｃｇｍのＡ１線またはＡｕ＋ｉｉよシなる
ボンディングワイヤで、カンパッケージステム７の入出
力ピン４，４′と電気的に岸続されている。
図（５Ｌ）は本発明の一夾施例（弾性表面波２開口共振
器）の平面図、第１図（ｂ）は図（Ｌ）中のＡ−Ａ’線
断面図を示す。１は弾性表面波基板で８丁カット水晶基
板を用い、この基板面上に１組の送受波電極２．２′が
開口１０００μｍ５２８対で互いに弾性表面波を送受す
るように設けられてお夛、ポンディングパッド５．５’
ｌ接続されている０ポンプイングツ（ラド３，３′は、
直径２５ 、ｃｇｍのＡ１線またはＡｕ＋ｉｉよシなる
ボンディングワイヤで、カンパッケージステム７の入出
力ピン４，４′と電気的に岸続されている。
ｔた上記１組の送受波電極２．２１の両側には７５０本
の金属ストリップからなる反射器５，５′が設けられ、
２開口弾性表面波共振器を構成している。上記送受波電
極２．２’、反射器５．５′の電極の膜厚は、１１μｍ
で、共振周波数は６９７ＭＨｓｓ ｅ Ｑ峙４０００と
なっておシ、電極材料は、１載、チのＺｎを添加したＡ
／系合金であ、９、ＤＣマグネトロンスパッタ法により
該基板１に蒸着形成された後、ホトエツチング婦よシバ
ターン形成され良ものである。なお、該送受波電極２．
２１、反射器５．５′を形成した基板１は導電性接着剤
６によシＴＯ−５カンパッケージステム７と接着されて
いる。
の金属ストリップからなる反射器５，５′が設けられ、
２開口弾性表面波共振器を構成している。上記送受波電
極２．２’、反射器５．５′の電極の膜厚は、１１μｍ
で、共振周波数は６９７ＭＨｓｓ ｅ Ｑ峙４０００と
なっておシ、電極材料は、１載、チのＺｎを添加したＡ
／系合金であ、９、ＤＣマグネトロンスパッタ法により
該基板１に蒸着形成された後、ホトエツチング婦よシバ
ターン形成され良ものである。なお、該送受波電極２．
２１、反射器５．５′を形成した基板１は導電性接着剤
６によシＴＯ−５カンパッケージステム７と接着されて
いる。
本実施例およびＦｉＢ蒸着によ＃）Ｃｕ添加量を変えて
作成した弾性表面波共振器につき加速劣化試験を行った
結果を第２図に示す。加速劣化試験の条件は、周囲温度
１２０℃、入力電力５０〜１００ｍＷである＠同図で、
横軸には弾性表面波共振器に蓄えられるエネルギー、縦
軸には劣化時間Ｔ Ｆ （Ｔｉｍｅｔｏ Ｆａｉｌｕｒ
ｅ）を示している０なお、この場合のＴＦは共振周波数
が試験開始時点から、±５０ＫＨｚ変化した時間を以て
示した。第２図に示す如く、本発明に係る１ｗｔ、％Ｚ
ｎ添加Ａｌ電極を用いた実施例は、α７ ｗｔ、％Ｃｕ
添加ＡｌをＥＢ蒸着した電極を用いた弾性表面波２開器
に対し、同一エネルギーで劣化時間は約４倍となシ、耐
電力性が大幅に向上している。
作成した弾性表面波共振器につき加速劣化試験を行った
結果を第２図に示す。加速劣化試験の条件は、周囲温度
１２０℃、入力電力５０〜１００ｍＷである＠同図で、
横軸には弾性表面波共振器に蓄えられるエネルギー、縦
軸には劣化時間Ｔ Ｆ （Ｔｉｍｅｔｏ Ｆａｉｌｕｒ
ｅ）を示している０なお、この場合のＴＦは共振周波数
が試験開始時点から、±５０ＫＨｚ変化した時間を以て
示した。第２図に示す如く、本発明に係る１ｗｔ、％Ｚ
ｎ添加Ａｌ電極を用いた実施例は、α７ ｗｔ、％Ｃｕ
添加ＡｌをＥＢ蒸着した電極を用いた弾性表面波２開器
に対し、同一エネルギーで劣化時間は約４倍となシ、耐
電力性が大幅に向上している。
また本発明に係るＺｎｎ添加金合金１１μｍ厚の膜抵抗
率を四端子法によ）測定した０第５図に示すように、Ｚ
ｎ添加の場合の膜抵抗率は、添加量２重量％、１重ｔ％
で、夫々、４１２μΩ−Ｃｍａ＆７８μΩ−ａｍであり
、従来のＣｕ添加の場合よシ若干低くなっていることは
明らかであ）、第４図に示す弾性表面波共振器の周波数
特性においては、従来のものに比べ損失が１５ ｄＢ向
上し九〇また、本発明に係るｚｎ添加Ａｌ系合金薄膜電
極のためのＺｎ添加量は、α１重量−以下では効果が認
められず、逆に添加量を多くして行くと、膜の硬度、歪
が増大し始め、膜抵抗率の増加に伴い弾性表面波装置の
デバイス特性が劣化し、第５図に示すように、耐電力性
も飽和するから、Ｚｎ添加量の上限は５重量％である・ 上記実施例では、金属膜ストリップによる反射器を用い
た２開口弾性表面波共振器の場合について説明したが、
本発明はそれに限定されることなく、１開口弾性表面波
共振器、入力側から出力側へ大電力を伝送する自動車電
話分波器用等の弾性表面波フィルタにおいても同様に有
効である。また弾性表面波基板もＳＴカット水晶に限定
されず、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等各種基板、カッ
ト面方位であっても有効で、レーリー波のみならず擬似
表面波、ｓｓｎｗ、バルク波振動を用いるものにも有効
であるＯ なお、本発明に係るＺｎ添加Ａｌ系合金薄膜ｔｉｌｔ”
Ｄ Ｃ−ｒグネトロンスバッタ法によ多形成した装置
は、］ＩＢ蒸着法によシミ極を形成したものに比べ、同
一エネルギーにおいて、約１．２倍の耐電力性を有する
ことが確認された。
率を四端子法によ）測定した０第５図に示すように、Ｚ
ｎ添加の場合の膜抵抗率は、添加量２重量％、１重ｔ％
で、夫々、４１２μΩ−Ｃｍａ＆７８μΩ−ａｍであり
、従来のＣｕ添加の場合よシ若干低くなっていることは
明らかであ）、第４図に示す弾性表面波共振器の周波数
特性においては、従来のものに比べ損失が１５ ｄＢ向
上し九〇また、本発明に係るｚｎ添加Ａｌ系合金薄膜電
極のためのＺｎ添加量は、α１重量−以下では効果が認
められず、逆に添加量を多くして行くと、膜の硬度、歪
が増大し始め、膜抵抗率の増加に伴い弾性表面波装置の
デバイス特性が劣化し、第５図に示すように、耐電力性
も飽和するから、Ｚｎ添加量の上限は５重量％である・ 上記実施例では、金属膜ストリップによる反射器を用い
た２開口弾性表面波共振器の場合について説明したが、
本発明はそれに限定されることなく、１開口弾性表面波
共振器、入力側から出力側へ大電力を伝送する自動車電
話分波器用等の弾性表面波フィルタにおいても同様に有
効である。また弾性表面波基板もＳＴカット水晶に限定
されず、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等各種基板、カッ
ト面方位であっても有効で、レーリー波のみならず擬似
表面波、ｓｓｎｗ、バルク波振動を用いるものにも有効
であるＯ なお、本発明に係るＺｎ添加Ａｌ系合金薄膜ｔｉｌｔ”
Ｄ Ｃ−ｒグネトロンスバッタ法によ多形成した装置
は、］ＩＢ蒸着法によシミ極を形成したものに比べ、同
一エネルギーにおいて、約１．２倍の耐電力性を有する
ことが確認された。
以上説明したように本発明によれば、弾性表面波装置の
損失の増大を招かずに、微細電極の形成その他の製造歩
留シが向上し、従来のＣｕ添加Ａ１系合金をＢＢ蒸着し
た電極を用いた装置に比し耐電力性が４倍以上の高信頼
性の装置が得られる０
損失の増大を招かずに、微細電極の形成その他の製造歩
留シが向上し、従来のＣｕ添加Ａ１系合金をＢＢ蒸着し
た電極を用いた装置に比し耐電力性が４倍以上の高信頼
性の装置が得られる０
第１図（ａ）は本発明の一実施例（弾性表面波２開口共
振器）の平面図、第１図（１））は図（ａ）中のＡ−Ａ
’線断面図、第２図は本発明の実施例と従来例に対する
耐電力性加速劣化試験結果を示す図、第３図は電極薄膜
用Ａ／に対するＺｎ又は（ｕ添加濃度と抵抗率の関係を
示す区、第４図は本発明実施例２開口共蚤器と従来例の
損失周波数特性図、第５図は電極薄膜用Ａｌに対する添
加物濃度と装置劣化時間との関係を示す図である。 １・・・弾性表面波基板、２．２２・・・送受波電極、
３゜３ζ・・ポンディングパッド、４．４’・・・入出
力ビン、５．５′・・・弾性表面波反射器、７・・・Ｔ
Ｏ−５カンパツケージステム・
振器）の平面図、第１図（１））は図（ａ）中のＡ−Ａ
’線断面図、第２図は本発明の実施例と従来例に対する
耐電力性加速劣化試験結果を示す図、第３図は電極薄膜
用Ａ／に対するＺｎ又は（ｕ添加濃度と抵抗率の関係を
示す区、第４図は本発明実施例２開口共蚤器と従来例の
損失周波数特性図、第５図は電極薄膜用Ａｌに対する添
加物濃度と装置劣化時間との関係を示す図である。 １・・・弾性表面波基板、２．２２・・・送受波電極、
３゜３ζ・・ポンディングパッド、４．４’・・・入出
力ビン、５．５′・・・弾性表面波反射器、７・・・Ｔ
Ｏ−５カンパツケージステム・
Claims (3)
- １．弾性表面波基板上に、少なくとも１個の送受波電極
を有し、該送受波電極を含め、弾性表面波を発生、伝搬
または反射する電極の少なくとも一部が、Ｚｎを添加し
たＡｌ薄膜よりなることを特徴とする弾性表面波装置。 - ２．Ｚｎを添加したＡｌ薄膜をスパッタ法により形成し
た電極を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の弾性表面波装置。 - ３．Ａｌに対するＺｎ添加量を０．１〜５重量％とした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面
波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28533787A JPH01128607A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28533787A JPH01128607A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128607A true JPH01128607A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17690245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28533787A Pending JPH01128607A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128607A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340509A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | バルク波装置 |
| US6316860B1 (en) | 1997-09-22 | 2001-11-13 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device, and its fabrication process |
| US6903488B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | SAW device and manufacturing method |
| US7352114B2 (en) | 2003-07-17 | 2008-04-01 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device, surface acoustic wave duplexer, and method of manufacturing surface acoustic wave element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410716A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Toko Inc | Manufacture of piezoelectric transducer |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28533787A patent/JPH01128607A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6410716A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | Toko Inc | Manufacture of piezoelectric transducer |
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| US7467447B2 (en) | 2001-09-21 | 2008-12-23 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a SAW device |
| US7352114B2 (en) | 2003-07-17 | 2008-04-01 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device, surface acoustic wave duplexer, and method of manufacturing surface acoustic wave element |
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