JPH01129467A - 半導体不揮発生メモリ - Google Patents
半導体不揮発生メモリInfo
- Publication number
- JPH01129467A JPH01129467A JP62289233A JP28923387A JPH01129467A JP H01129467 A JPH01129467 A JP H01129467A JP 62289233 A JP62289233 A JP 62289233A JP 28923387 A JP28923387 A JP 28923387A JP H01129467 A JPH01129467 A JP H01129467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- nonvolatile memory
- insulating film
- interlayer insulating
- semiconductor nonvolatile
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、紫外線消去型半導体不揮発性メモリに関する
。
。
本発明は、メモリセル上部に窒化膜を用い、フローティ
ングゲート上の一部の領域のみ層間絶縁膜あるいはパッ
シベーション膜に消去用の窓を設けることにより耐湿性
に優れ、しかも消去効率の高い半導体不揮発性メモリを
提供するものである。
ングゲート上の一部の領域のみ層間絶縁膜あるいはパッ
シベーション膜に消去用の窓を設けることにより耐湿性
に優れ、しかも消去効率の高い半導体不揮発性メモリを
提供するものである。
第２図に従来の紫外線消去型半導体不揮発性メモリの構
造断面図を示す。半導体基板１）の表面にソース領域１
２およびドレイン領域１３を形成し、ゲート酸化膜１４
を介して、通常ポリシリコンよりなるフローティングゲ
ート１５を設ける。更に層間絶縁膜となるリンガラス１
６（以下ＰＳＧと称す）を堆積したのちアルミ１７で配
線をし、パッシベーション膜となるＰＳＧ１８を形成し
ていた。
造断面図を示す。半導体基板１）の表面にソース領域１
２およびドレイン領域１３を形成し、ゲート酸化膜１４
を介して、通常ポリシリコンよりなるフローティングゲ
ート１５を設ける。更に層間絶縁膜となるリンガラス１
６（以下ＰＳＧと称す）を堆積したのちアルミ１７で配
線をし、パッシベーション膜となるＰＳＧ１８を形成し
ていた。
上述したように従来の紫外線消去型半導体不揮発性メモ
リは、層間絶縁膜あるいはパッシベーション膜としてＰ
ＳＧを用いていた。しかし、ＰＳＧは耐湿性が低いとい
う欠点を存していた。
リは、層間絶縁膜あるいはパッシベーション膜としてＰ
ＳＧを用いていた。しかし、ＰＳＧは耐湿性が低いとい
う欠点を存していた。
本発明の半導体不揮発性メモリは、層間絶縁膜あるいは
パッシベーション膜として、耐湿性に優れた窒化膜を用
い、しかも紫外線による消去効率を低下させないために
、フローティングゲートを覆う層間絶縁膜あるいはパッ
シベーション膜の一部の領域のみこの窒化膜を除去し、
消去用の窓を形成したことを特徴とした。
パッシベーション膜として、耐湿性に優れた窒化膜を用
い、しかも紫外線による消去効率を低下させないために
、フローティングゲートを覆う層間絶縁膜あるいはパッ
シベーション膜の一部の領域のみこの窒化膜を除去し、
消去用の窓を形成したことを特徴とした。
上記のように形成した半導体不揮発性メモリは、耐湿性
に優れ、しかも消去効率の高い半導体不揮発性メモリで
ある。
に優れ、しかも消去効率の高い半導体不揮発性メモリで
ある。
本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明による紫外線消去型半導体不揮発性メモ
リの構造断面図である。ここではＰ型半導体基板を用い
た場合について説明する。Ｐ型半導体基板１の表面にＮ
中型ソース領域２およびＮ＋型ドレイン領域３を形成し
ゲート酸化膜４上に通常ポリシリコンよりなるフローテ
ィングゲート５を設ける。さらに層間絶縁膜としてＰＳ
Ｇ６とプラズマＣＶＤ窒化膜９が設けられ、前記フロー
ティングゲート５上で消去用窓として選択的に前記ＰＳ
Ｇ６と前記プラズマＣＶＤ窒化膜９がエツチングされて
いる。アルミ配線７とパッシベーション膜としてＰＳＧ
８が設けられている。
リの構造断面図である。ここではＰ型半導体基板を用い
た場合について説明する。Ｐ型半導体基板１の表面にＮ
中型ソース領域２およびＮ＋型ドレイン領域３を形成し
ゲート酸化膜４上に通常ポリシリコンよりなるフローテ
ィングゲート５を設ける。さらに層間絶縁膜としてＰＳ
Ｇ６とプラズマＣＶＤ窒化膜９が設けられ、前記フロー
ティングゲート５上で消去用窓として選択的に前記ＰＳ
Ｇ６と前記プラズマＣＶＤ窒化膜９がエツチングされて
いる。アルミ配線７とパッシベーション膜としてＰＳＧ
８が設けられている。
本実施例においてはフローティングゲート上の消去用窓
を有した窒化膜は層間絶縁膜として用いたが層間絶縁膜
をＰＳＧで構成しパッシベーション膜を消去用窓を設け
た窒化膜で構成してもよい。
を有した窒化膜は層間絶縁膜として用いたが層間絶縁膜
をＰＳＧで構成しパッシベーション膜を消去用窓を設け
た窒化膜で構成してもよい。
さらに本実施例において窒化膜としてプラズマＣＶＤ窒
化膜を用いたが、層間絶縁膜として用いる場合には減圧
ＣＶＤ窒化膜を用いても良い。
化膜を用いたが、層間絶縁膜として用いる場合には減圧
ＣＶＤ窒化膜を用いても良い。
上記の構造をもった紫外線消去型半導体不揮発性メモリ
は層間絶縁膜とし窒化膜を用いているので耐湿性に優れ
、しかも消去用窓が形成されているので紫外線による消
去効率も高い０層間ＭＡ縁膜としてＣＶＤ窒化膜を用い
た場合には、コンタクト形成時にＣＶＤ窒化膜の穴あけ
をすれば工程数（マスク枚数）を増加させずに穴あけが
できる。
は層間絶縁膜とし窒化膜を用いているので耐湿性に優れ
、しかも消去用窓が形成されているので紫外線による消
去効率も高い０層間ＭＡ縁膜としてＣＶＤ窒化膜を用い
た場合には、コンタクト形成時にＣＶＤ窒化膜の穴あけ
をすれば工程数（マスク枚数）を増加させずに穴あけが
できる。
以上説明したように本発明はフローティングゲート上の
窒化膜に消去窓を設けることにより耐湿性に優れしかも
消去効率の高い紫外線消去型半導体不揮発性メモリを堤
供できる。
窒化膜に消去窓を設けることにより耐湿性に優れしかも
消去効率の高い紫外線消去型半導体不揮発性メモリを堤
供できる。
第１図は本発明の紫外線消去型半導体不揮発性メモリの
一実施例を構造を示す断面図、第２図は従来の紫外線消
去型半導体不揮発性メモリの構造を示す断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板 ２・・・Ｎ十型ソース領域 ３・・・Ｎ十型ドレイン領域 ４・・・ゲート酸化膜 ５・・・フローティングゲート ６・・・ＰＳＧ ７・・・アルミ配線 ８・・・ＰＳＧ ９・・・プラズマＣＶＤ窒化膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
一実施例を構造を示す断面図、第２図は従来の紫外線消
去型半導体不揮発性メモリの構造を示す断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板 ２・・・Ｎ十型ソース領域 ３・・・Ｎ十型ドレイン領域 ４・・・ゲート酸化膜 ５・・・フローティングゲート ６・・・ＰＳＧ ７・・・アルミ配線 ８・・・ＰＳＧ ９・・・プラズマＣＶＤ窒化膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (4)
- （１）第１導電型の半導体基板表面に設けられた逆導電
型のソース・ドレイン領域と、このソース・ドレイン領
域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられ
たフローティングゲートと、このフローティングゲート
を覆う膜からなり、この膜の一部を窒化膜で構成したこ
とを特徴とする半導体不揮発性メモリ。 - （２）フローティングゲートを覆う膜が、リンガラスと
このリンガラス上に設けた窒化膜とから成る層間絶縁膜
と、この層間絶縁膜と配線層を覆いリンガラスから成る
パッシベーション膜とから成り、前記層間絶縁膜の一部
に消去用窓を設けた特許請求の範囲第１項記載の半導体
不揮発性メモリ。 - （３）フローティングゲートを覆う膜が、リンガラスか
ら成る層間絶縁膜と、この層間絶縁膜と配線層を覆い窒
化膜から成るパッシベーション膜とから成り、前記パッ
シベーション膜の一部に消去用窓を設けた特許請求の範
囲第１項記載の半導体不揮発性メモリ。 - （４）絶縁膜窒化膜がプラズマＣＶＤ窒化膜である特許
請求の範囲第２項記載の半導体不揮発性メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289233A JPH01129467A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 半導体不揮発生メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289233A JPH01129467A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 半導体不揮発生メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129467A true JPH01129467A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17740508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62289233A Pending JPH01129467A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 半導体不揮発生メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129467A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103928466A (zh) * | 2013-01-14 | 2014-07-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Flash闪存器件 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62289233A patent/JPH01129467A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103928466A (zh) * | 2013-01-14 | 2014-07-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Flash闪存器件 |
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