JPH01129960A - 水素吸蔵合金薄膜の製造方法 - Google Patents
水素吸蔵合金薄膜の製造方法Info
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- JPH01129960A JPH01129960A JP28880687A JP28880687A JPH01129960A JP H01129960 A JPH01129960 A JP H01129960A JP 28880687 A JP28880687 A JP 28880687A JP 28880687 A JP28880687 A JP 28880687A JP H01129960 A JPH01129960 A JP H01129960A
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- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 40
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
げ）産業上の利用分野
本発明は、高純度の水素を精製する装置等で用いらｎる
水素吸蔵台金薄膜の製造方法に関する。
水素吸蔵台金薄膜の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
半導体の還元工程等で大敵に使用さｎる高純度水素は、
例えば銀・パラジクム合金膜透過法を利用した水素精製
装置によ、て製造さｎている。
例えば銀・パラジクム合金膜透過法を利用した水素精製
装置によ、て製造さｎている。
しかし、この装置ａ！は銀・パラジウム合金が高価であ
ること、＃製時に４００℃以上の高温が必要であること
と云う欠点がある。
ること、＃製時に４００℃以上の高温が必要であること
と云う欠点がある。
そこで、銀・バラジクム蕾金に代る安価な水素吸蔵合金
を用いることが考えらｎ、更に形状加工を容易にするた
め、水素Ｎ展のゾロヤス速度七上げるために０．１〜３
０μｍ程度の厚さの水素吸蔵台金薄膜が要望さｎた。
を用いることが考えらｎ、更に形状加工を容易にするた
め、水素Ｎ展のゾロヤス速度七上げるために０．１〜３
０μｍ程度の厚さの水素吸蔵台金薄膜が要望さｎた。
そして、現状にあっては、特開昭６２−１９１４０２号
公報で示すＬうに、多孔性基板上にスパッタ法或いは蒸
着法で約３０ｐｍ程皮の水素吸蔵合金層１）！４ｔｆ′
Ｆ、戊している。
公報で示すＬうに、多孔性基板上にスパッタ法或いは蒸
着法で約３０ｐｍ程皮の水素吸蔵合金層１）！４ｔｆ′
Ｆ、戊している。
ｃ／９ 発明が解決しようとする問題点しかし、斯る
薄膜は多孔性基板と云う担持体を有しているので、形状
加工が容易ではなく、水素透過性も悪く、平坦性が悪い
ので、膜厚が不均一となってピンホール金発生し易い。
薄膜は多孔性基板と云う担持体を有しているので、形状
加工が容易ではなく、水素透過性も悪く、平坦性が悪い
ので、膜厚が不均一となってピンホール金発生し易い。
不発明は、加工性ｒ良好にすると共に水素透過性を維持
でき、更にピンホールの発生を抑えた水素吸蔵台金薄膜
の製造方法？提供するものである。
でき、更にピンホールの発生を抑えた水素吸蔵台金薄膜
の製造方法？提供するものである。
に）問題点で＃決するための手段
不発明による解決手段は、基板の平坦面上に、耐酸化性
及び水素透過性の良好な呆ｆ！膜２均一に形成し、次い
でこの保護膜上に水素吸蔵台金層を均一に形成し、久い
てこの水素吸蔵合金層に上記保護膜を形成して両保護膜
間に水素吸蔵合金層を配置し、この後に上記基板ｒ溶解
除去して成る構成である。
及び水素透過性の良好な呆ｆ！膜２均一に形成し、次い
でこの保護膜上に水素吸蔵台金層を均一に形成し、久い
てこの水素吸蔵合金層に上記保護膜を形成して両保護膜
間に水素吸蔵合金層を配置し、この後に上記基板ｒ溶解
除去して成る構成である。
（ホ）作用
平坦な基板上に呆４鴫水票戎蔵台俊層、保護膜の順に均
一な厚さで形成し、基板を溶解除去すると、床敲映に侠
まｎた水素吸蔵台金が薄膜状態で形成される。こｎは、
徂？＃体が無いことから加工しや丁く、水素透過性も良
好となる。更に合金層及び保護腋を平坦な基板に利用し
て均一に形成していることから、凹凸によるピンホール
の発生が少く、とｎに呆−族が刀Ｕえらｎでいるのでめ
るから、溶解時及び溶解後に於ける酸化を防止すること
かできている。
一な厚さで形成し、基板を溶解除去すると、床敲映に侠
まｎた水素吸蔵台金が薄膜状態で形成される。こｎは、
徂？＃体が無いことから加工しや丁く、水素透過性も良
好となる。更に合金層及び保護腋を平坦な基板に利用し
て均一に形成していることから、凹凸によるピンホール
の発生が少く、とｎに呆−族が刀Ｕえらｎでいるのでめ
るから、溶解時及び溶解後に於ける酸化を防止すること
かできている。
（へ）実施例
第１図に基づいて説明すると、５０μｍ厚の亜鉛板であ
る基板１の上面は切削、研磨等の処理で平坦面２として
６シ、この平坦＃！１２上には耐酸性、水素透過性で秀
ｎた銀・パラジウム合金（銀３０ａｔｎｎ＊）ｋＭｉ４
膜３として０．１μｍの厚さで均一に形成する。好まし
い形成方法としては、スパッタ法、イオンブレーティン
グ法、蒸着法が掲げられる。
る基板１の上面は切削、研磨等の処理で平坦面２として
６シ、この平坦＃！１２上には耐酸性、水素透過性で秀
ｎた銀・パラジウム合金（銀３０ａｔｎｎ＊）ｋＭｉ４
膜３として０．１μｍの厚さで均一に形成する。好まし
い形成方法としては、スパッタ法、イオンブレーティン
グ法、蒸着法が掲げられる。
次に、斯る保護＄３を約１００Ａ程度ドライエツチング
し、この後に保護膜３上にクンタンニッケル合金（Ｌａ
Ｎｉｓ）ｇ小素吸蔵合金Ｍ４として５６０μｍの厚さで
均一に形成する。形成方法は上述と同じ。
し、この後に保護膜３上にクンタンニッケル合金（Ｌａ
Ｎｉｓ）ｇ小素吸蔵合金Ｍ４として５６０μｍの厚さで
均一に形成する。形成方法は上述と同じ。
仄に、水素吸蔵合金層４ｔ−約ｌｏｏ ＡｓＢｔドライ
エツチングし、この後に水素吸蔵合金層４よに上述と同
じ銀・パラジウム含金を床岐展５として０、１ ｐ Ｍ
ｌの厚さで均一に形成する。形成方法は上述と同じ。
エツチングし、この後に水素吸蔵合金層４よに上述と同
じ銀・パラジウム含金を床岐展５として０、１ ｐ Ｍ
ｌの厚さで均一に形成する。形成方法は上述と同じ。
そして、基板１−１希塩酸水溶液（５５Ｎ）でｇ解除去
し、順に水洗し、アセトン洗浄し、乾燥する。
し、順に水洗し、アセトン洗浄し、乾燥する。
かくして、ｅｆ：、護膜３．５の間に水素吸蔵台金１ｍ
４を配した水素吸蔵台違薄膜６が得らｎた。この薄膜
６は、担持体が無く、平坦性及び可撓性を有するもので
あり、瑳厚も均一と成、ている。
４を配した水素吸蔵台違薄膜６が得らｎた。この薄膜
６は、担持体が無く、平坦性及び可撓性を有するもので
あり、瑳厚も均一と成、ている。
ドライエラをングは、腺よ、層上に生じる酸化膜Ｖｌ−
除去しているのであり、スパッタ法等を採用できる。
除去しているのであり、スパッタ法等を採用できる。
基板ｌは、アルミニューム（ＡＪ）％ポリフ二二しンオ
キシド等の銅島性高分子材料を採用できるし、水素吸蔵
合金層４も既に知らｎた他の材料（希土類・ニッケル＆
会金、ｔタニワム基合衾、マグネシクム・ニッケル基台
金等）を採用できる。
キシド等の銅島性高分子材料を採用できるし、水素吸蔵
合金層４も既に知らｎた他の材料（希土類・ニッケル＆
会金、ｔタニワム基合衾、マグネシクム・ニッケル基台
金等）を採用できる。
因みに１水素吸蔵含釡薄膜の不発明方法採用例と従来方
法採用例との特性比較をｖｃ表に示す。
法採用例との特性比較をｖｃ表に示す。
秦水素吸７ＩＬ台金層として厚さ５０μｍでＬａＮｉ５
を用いた。
を用いた。
※水素透過試験の条件は、１５０℃、ｌ久側水索圧力１
ａｔｍａｂ１２次側水素圧力ＯＢｔｍａｂである。
ａｔｍａｂ１２次側水素圧力ＯＢｔｍａｂである。
（）Ｊ発明の効果
本発明に威゛ｎば、晶板忙溶解除去したので、水素吸蔵
台盆博膜の加工性が同上すると共に水素透過性が良好と
なり、＊系吸賊台ｇｌＬ層を床−課で挾み且つ映、麺を
均一にしたので、溶解時及び離解後の飯化を防ぎ、ピン
ホールの発生を迎えることができるものである。
台盆博膜の加工性が同上すると共に水素透過性が良好と
なり、＊系吸賊台ｇｌＬ層を床−課で挾み且つ映、麺を
均一にしたので、溶解時及び離解後の飯化を防ぎ、ピン
ホールの発生を迎えることができるものである。
第１図Ｕ】切Ｑ９に）（ホ）は本発明方法ｔｊ社に示す
断面図である。 １・・・基板、２・・・平担面、３．５・・・床＃！ｉ
１編、６・・・水巣吸ＩＲ菅釡淋展。
断面図である。 １・・・基板、２・・・平担面、３．５・・・床＃！ｉ
１編、６・・・水巣吸ＩＲ菅釡淋展。
Claims (1)
- （１）基板の平坦面上に、耐酸化性及び水素透過性の良
好な保護膜を均一に形成し、次いでこの保護膜上に水素
吸蔵合金層を均一に形成し、次いでこの水素吸蔵合金層
に上記保護膜鋼を形成して両保護膜間に水素吸蔵合金層
を配置し、この後に上記基板を溶解除去して成る水素吸
蔵合金薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28880687A JPH01129960A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 水素吸蔵合金薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28880687A JPH01129960A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 水素吸蔵合金薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129960A true JPH01129960A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17734974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28880687A Pending JPH01129960A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 水素吸蔵合金薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129960A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027315A1 (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Motorola, Inc. | Improved metal hydride hydrogen storage electrodes |
| CN109680254A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-04-26 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种镁铝合金载氢薄膜材料及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57137465A (en) * | 1981-01-16 | 1982-08-25 | Heraeus Gmbh W C | Manufacture of multilayer |
| JPS60100664A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水素貯蔵用材料 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28880687A patent/JPH01129960A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57137465A (en) * | 1981-01-16 | 1982-08-25 | Heraeus Gmbh W C | Manufacture of multilayer |
| JPS60100664A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水素貯蔵用材料 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027315A1 (en) * | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Motorola, Inc. | Improved metal hydride hydrogen storage electrodes |
| CN109680254A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-04-26 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种镁铝合金载氢薄膜材料及其制备方法 |
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