JPH01129990A - 微細パターン金メッキ装置 - Google Patents
微細パターン金メッキ装置Info
- Publication number
- JPH01129990A JPH01129990A JP28662187A JP28662187A JPH01129990A JP H01129990 A JPH01129990 A JP H01129990A JP 28662187 A JP28662187 A JP 28662187A JP 28662187 A JP28662187 A JP 28662187A JP H01129990 A JPH01129990 A JP H01129990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- plating
- filter
- fine pattern
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェハ上にバンプ等を金メッキにより形成する微細パタ
ーン金メッキ液中に関し、 金メッキ液中の金の析出自体を制限可能とし、良質の金
メッキを形成するとすることを目的とし、金メッキ液を
循環させる循環系と、メッキ槽とよりなり、被メッキ体
に微細パターンの金メッキを行なう微細パターン金メッ
キ装置において、上記循環系に、金が析出する核となり
つる大きさの微粒子までを濾過するフィルタ装置を備え
て構成する。
ーン金メッキ液中に関し、 金メッキ液中の金の析出自体を制限可能とし、良質の金
メッキを形成するとすることを目的とし、金メッキ液を
循環させる循環系と、メッキ槽とよりなり、被メッキ体
に微細パターンの金メッキを行なう微細パターン金メッ
キ装置において、上記循環系に、金が析出する核となり
つる大きさの微粒子までを濾過するフィルタ装置を備え
て構成する。
本発明はウェハ上にバンプ等を金メッキにより形成する
微細パターン金メツ4装置に関する。
微細パターン金メツ4装置に関する。
近年TAB方式の接続が多く採用されつつある。
このためには、ウェハ上に微細で且つ良質のバンプが形
成されている必要がある。
成されている必要がある。
一般にバンプは第4図に示すように金メッキにより形成
される。
される。
同図中(A)は金メッキ前の状態である。1はシリコン
ウェハ、2はアルミニウム製パッド、3はPSG層、4
はバリアメタル、5はフォトレジスト、6は窟である。
ウェハ、2はアルミニウム製パッド、3はPSG層、4
はバリアメタル、5はフォトレジスト、6は窟である。
窓6に露出しているバリアメタル4に金が被着積層して
金メッキされる。
金メッキされる。
フォトレジスト5を剥離させると、同図(B)に示すよ
うに金バンブ7が形成される。金バンブ7のサイズは5
0μllX100μmで厚さが30μmと微細である。
うに金バンブ7が形成される。金バンブ7のサイズは5
0μllX100μmで厚さが30μmと微細である。
メッキ液としてはフォトレジスト5へのアタックの少な
いノンシアン系のもの、例えば亜硫酸金ナトリウムNa
3 (Au (SO3))2の水溶液を使用している。
いノンシアン系のもの、例えば亜硫酸金ナトリウムNa
3 (Au (SO3))2の水溶液を使用している。
この亜硫酸金ナトリウム溶液は非常に不安定であり、金
が析出し易い。金が析出すると金粒子8が第4図<8)
に示すように金バンプ7内にとり込まれ、金バンブ7の
材質が不均一となり、TAB接続の信頼性が低下してし
まう。
が析出し易い。金が析出すると金粒子8が第4図<8)
に示すように金バンプ7内にとり込まれ、金バンブ7の
材質が不均一となり、TAB接続の信頼性が低下してし
まう。
従って、微細パターン金メッキ′i装置にはこれに対す
る対策がとられている必要がある。
る対策がとられている必要がある。
従来の微細パターン金メッキ液中は、メッキ液の循環系
中にフiルタを設けた構成としである。
中にフiルタを設けた構成としである。
このフィルタは孔径が、例えば約25μmのものであっ
た。
た。
メッキ液が循環する過程で、径が25μm以上の金粒子
はフィルタにより捕捉されるが、これ以下のサイズの金
粒子はフィルタにより捕捉されずに、フィルタを通過し
てしまう。
はフィルタにより捕捉されるが、これ以下のサイズの金
粒子はフィルタにより捕捉されずに、フィルタを通過し
てしまう。
従って、このフィルタを通過した金粒子が第4図(B)
に示すように金バンブ7内にとり込まれてしまい、良質
の金バンブを形成することが困難であるという問題点が
あった。
に示すように金バンブ7内にとり込まれてしまい、良質
の金バンブを形成することが困難であるという問題点が
あった。
本発明は金メッキ液中の金の析出自体を制限可法とする
ことのできるy!細パターン金メッキ装置を提供するこ
とを目的とする。
ことのできるy!細パターン金メッキ装置を提供するこ
とを目的とする。
本発明は、金メッキ液を循環させる循環系と、メッキ槽
とよりなり、被メッキ体に微細パターンの金メッキを行
なう微細パターン金メッキ装置において、上記循環系に
、金が析出する核となりつる大きさの微粒子までを濾過
するフィルタ装置を備えてなる構成としたものである。
とよりなり、被メッキ体に微細パターンの金メッキを行
なう微細パターン金メッキ装置において、上記循環系に
、金が析出する核となりつる大きさの微粒子までを濾過
するフィルタ装置を備えてなる構成としたものである。
上記フィルタ5A首を備えたことにより、金が析出する
核となりつる大きさの微粒子は全て金メッキ液より除去
され、金の析出自体が制限される。
核となりつる大きさの微粒子は全て金メッキ液より除去
され、金の析出自体が制限される。
第1図は本発明の微細パターン金メッキ装置の一実施例
を示す。
を示す。
図中、10はメッキ槽、11はメッキ液である亜硫酸金
ナトリウム溶液である。12は被メッキ体であり、具体
的には第4図(A)に示す構造である。13はアノード
である。
ナトリウム溶液である。12は被メッキ体であり、具体
的には第4図(A)に示す構造である。13はアノード
である。
14は循環系であり、配管15.16と、ポンプ17と
よりなり、上記溶液11が矢印Aで示すように循環され
る。
よりなり、上記溶液11が矢印Aで示すように循環され
る。
18は本発明の要部をなすフィルタであり、配管15の
途中に設けである。
途中に設けである。
フィルタ18は孔径が0.2μmのものである。
これにより、上記溶液11中のサイズが0.2μm以上
の粒子はフィルタ18により捕捉されて濾過される。
の粒子はフィルタ18により捕捉されて濾過される。
従って、後述するように金が析出する核となる粒子がフ
ィルタ18により捕捉され、金の析出自体が起こらない
。
ィルタ18により捕捉され、金の析出自体が起こらない
。
この結果、第2図に示すように、金粒子の取り込みの無
い良質の金バンブ19が形成される。
い良質の金バンブ19が形成される。
この金バンプ19に対する丁AB接続も高信頼性を有す
る。
る。
次に、上記のフィルタ18を使用した根拠について説明
する。
する。
第3図(A)は、上記溶液11の原液の1cc中の微粒
子の数及びそのサイズ別の内分けを示し、同図(B)は
、メッキを行なった後の上記溶液11の1cc中の微粒
子の数及びそのサイズ別の内分けを示す。w1@が個数
である。なおメッキは、循環系よりフィルタを取外した
状態で行なった。
子の数及びそのサイズ別の内分けを示し、同図(B)は
、メッキを行なった後の上記溶液11の1cc中の微粒
子の数及びそのサイズ別の内分けを示す。w1@が個数
である。なおメッキは、循環系よりフィルタを取外した
状態で行なった。
20.20aは径が0.5〜0.6μm (Dサイズ(
1)微粒子の数、21.21aは系が0.6〜0.7μ
−のサイズの微粒子の数、22.22aは径が0.7〜
1.1μmのサイズの微粒子の数、23.23aは径が
0.1μm以上の微粒子の数を示す。
1)微粒子の数、21.21aは系が0.6〜0.7μ
−のサイズの微粒子の数、22.22aは径が0.7〜
1.1μmのサイズの微粒子の数、23.23aは径が
0.1μm以上の微粒子の数を示す。
なお、微粒子の個数は、レーザを利用したパーティクル
カウンタで実際に4数した結果である。
カウンタで実際に4数した結果である。
第3図より以下のことが分かる。
■ 微粒子の数はメッキ前は13.555個であったの
に対し、メッキ後は16.6751[1に増えている。
に対し、メッキ後は16.6751[1に増えている。
これは、ウェハ等よりのゴミの混入によるものと考えら
れる。
れる。
■ また内分けをみると、符号23a、22aが増えて
おり、符号21a、20aが減っている。
おり、符号21a、20aが減っている。
符号23aが増えている理由は、符号22で示す微粒子
が核となって金が析出し、符号22で示す微粒子の一部
が矢印30で丞すように移ったためであると考えられる
。
が核となって金が析出し、符号22で示す微粒子の一部
が矢印30で丞すように移ったためであると考えられる
。
同じく、符号22aが増えている理由も、符号21で示
す微粒子が核となって金が析出し、符号21で示す微粒
子の一部が矢印31で示すように移ったためであると考
えられる。
す微粒子が核となって金が析出し、符号21で示す微粒
子の一部が矢印31で示すように移ったためであると考
えられる。
符号20aが減っている理由は、符号20で示す微粒子
が核となって金が析出し、符号20で示す微粒子の一部
が矢印32で示すように符号21a内に移ったこと、及
び径が0.5μmより小さい微粒子は核となり1qず、
この核に対しては金の析出が無いためであると考えられ
る。
が核となって金が析出し、符号20で示す微粒子の一部
が矢印32で示すように符号21a内に移ったこと、及
び径が0.5μmより小さい微粒子は核となり1qず、
この核に対しては金の析出が無いためであると考えられ
る。
上記のフィルタ18を使用したのは、上記の径が0.5
μ蹟より小さい微粒子は全析出の核とならないという推
論に基づくものである。
μ蹟より小さい微粒子は全析出の核とならないという推
論に基づくものである。
また、本発明者は、上記のフィルタ18を使用して実験
を行なった結果、金粒子のとり込みのない第2図に示す
金バンブ19を形成できたことを確認した。
を行なった結果、金粒子のとり込みのない第2図に示す
金バンブ19を形成できたことを確認した。
なお、フィルタ18としては、孔径が0.2μIのもの
に限るものではなく、孔径が0.5μ■以下のもの、即
ち、全析出の核となり得るサイズの微粒子を濾過できる
ものであればよい。
に限るものではなく、孔径が0.5μ■以下のもの、即
ち、全析出の核となり得るサイズの微粒子を濾過できる
ものであればよい。
また、金の析出が起こらないため、金が析出した場合に
比べて、上記溶液11中の金イオン濃度の低下が抑制さ
れる。このことによっても、金メッキが良好に行なわれ
、良質な金バンプが形成できる。
比べて、上記溶液11中の金イオン濃度の低下が抑制さ
れる。このことによっても、金メッキが良好に行なわれ
、良質な金バンプが形成できる。
また、本発明は、上記の金バンブの形成に限らず、例え
ば金の微細な配線パターンを形成する場合にも適用でき
る。
ば金の微細な配線パターンを形成する場合にも適用でき
る。
以上説明した様に、本発明によれば、金が析出する核と
なりうる大きさの微粒子は全て金メッキ液より除去され
るため、金メッキ液中での金の析出自体が防止出来る。
なりうる大きさの微粒子は全て金メッキ液より除去され
るため、金メッキ液中での金の析出自体が防止出来る。
これにより、金粒子のとり込みのない良質の金メッキに
よる微細パターンを形成出来る。
よる微細パターンを形成出来る。
第1図は本発明の微細パターン金メッキ装置の一実施例
を示す図、 第2図は第1図の装置により形成された金バンプを示す
図、 第3図は金メッキ前と金メッキ後とにおける金メッキ液
中の微粒子の数を微粒子のサイズに分けて示す図、 第4図(A)、(B)は夫々金メッキによる金バンブの
形成を説明する図である。 図において、 10はメッキ槽、 11は弁硫酸金ナトリウム溶液、 12は被メッキ体、 14は循環系、 18は孔径が0.2μmのフィルタ、 19は金粒子のとり込みのない金バンプを示す。 )■ 図 嶌2図 (+νcc) 颯3二 食メ・六+=J:’z会/(ソ2゛すM多−くt吻9す
る図消4図
を示す図、 第2図は第1図の装置により形成された金バンプを示す
図、 第3図は金メッキ前と金メッキ後とにおける金メッキ液
中の微粒子の数を微粒子のサイズに分けて示す図、 第4図(A)、(B)は夫々金メッキによる金バンブの
形成を説明する図である。 図において、 10はメッキ槽、 11は弁硫酸金ナトリウム溶液、 12は被メッキ体、 14は循環系、 18は孔径が0.2μmのフィルタ、 19は金粒子のとり込みのない金バンプを示す。 )■ 図 嶌2図 (+νcc) 颯3二 食メ・六+=J:’z会/(ソ2゛すM多−くt吻9す
る図消4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金メッキ液(11)を循環させる循環系(14)と、
メッキ槽(10)とよりなり、被メッキ体(12)に微
細パターン(7)の金メッキを行なう微細パターン金メ
ッキ装置において、 上記循環系(14)に、金が析出する核となりうる大き
さの微粒子を濾過するフィルタ装置(18)を備えてな
ることを特徴とする微細パターン金メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28662187A JPH01129990A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 微細パターン金メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28662187A JPH01129990A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 微細パターン金メッキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129990A true JPH01129990A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17706778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28662187A Pending JPH01129990A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 微細パターン金メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108265318A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 上海移宇科技股份有限公司 | 一种用于制备柔性电池负极粉体的方法和装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253399A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | メツキ液浄化装置 |
| JPS6236529B2 (ja) * | 1980-04-10 | 1987-08-07 | Tokyo Shibaura Electric Co |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28662187A patent/JPH01129990A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236529B2 (ja) * | 1980-04-10 | 1987-08-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS61253399A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | メツキ液浄化装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108265318A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 上海移宇科技股份有限公司 | 一种用于制备柔性电池负极粉体的方法和装置 |
| CN108265318B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-12-20 | 上海移宇科技股份有限公司 | 一种用于制备柔性电池负极粉体的方法和装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60018553T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur abscheidung und polierung der oberfläche einer halbleiterscheibe | |
| CN104025724B (zh) | 在非传导表面上形成传导图像的方法 | |
| JP2004308006A (ja) | 電気めっき組成物および方法 | |
| TWI877346B (zh) | 製造玻璃物件以提供經由形成金屬氧化物層而增進金屬對玻璃基板之黏合的方法,以及包括金屬氧化物層之諸如玻璃插入物之玻璃物件 | |
| TW518700B (en) | Chip structure with bumps and the manufacturing method thereof | |
| EP0358276A1 (en) | Method of manufacturing a metal matrix | |
| US3862018A (en) | Rigidizing process for screens with aluminum frames | |
| JPH01129990A (ja) | 微細パターン金メッキ装置 | |
| TWI881981B (zh) | 無電鍍敷的前處理方法及無電鍍敷的前處理液 | |
| JPH0261073A (ja) | 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法 | |
| JPH0253945B2 (ja) | ||
| JP2001203109A (ja) | 平面コイルおよびその製造方法ならびにトランス | |
| DE102019207313A1 (de) | Apparat zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| JPS59185770A (ja) | 化学ニツケルめつき浴の廃液からニツケルを回収する方法 | |
| JPH0513421A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JP2003096573A (ja) | 無電解めっき皮膜の形成方法 | |
| NL8702219A (nl) | Werkwijze voor het lokaal aanbrengen van metaal op een oppervlak van een substraat. | |
| US4167240A (en) | Method of treating an electroplating solution comprising ions of gold and cyanide prior to electroplating and thermocompression bonding | |
| JP6364599B1 (ja) | 微細パターンニッケル薄膜とその製造方法 | |
| CN113322452B (zh) | 化学镀金属的加工方法及具有化学镀金属的结构 | |
| JPS6024380A (ja) | パラジウム活性化液 | |
| KR101022006B1 (ko) | 알루미늄 징케이트 처리액 조성물 및 그를 이용한 징케이트처리방법 | |
| JPS58190025A (ja) | 拡散シリコンウエハの無電解メツキ方法 | |
| JP2654715B2 (ja) | 無電解錫及び錫・鉛合金めっき浴並びにめっき方法 | |
| CN121443112A (zh) | 一种电镀钯重布线层-化镀镍金凸块结构及制作方法 |