JPH01130131A - ドライバー内蔵アクティブマトリクスパネル - Google Patents
ドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルInfo
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルの
構成に関する。
構成に関する。
従来の、ドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルの
、例としてはｒｓＩＤ（ニス・アイ拳デイ−）８４ダイ
ジェストＰ、３１６両角他」がある。第２図はその回路
図の例である。２１は、画素エリア、２２はＸドライバ
ー、２４はＹドライバーである。画素エリア２１は、信
号ｎｘ１、ｘ＊ ｓ Ｘ Ｍ ト走査１ａ Ｙ ｓ 、
Ｙ ＊ 、Ｙ Ｎ１及ヒソｈ ラの交点に配置された画
素ＴＦＴ３０とから成る。
、例としてはｒｓＩＤ（ニス・アイ拳デイ−）８４ダイ
ジェストＰ、３１６両角他」がある。第２図はその回路
図の例である。２１は、画素エリア、２２はＸドライバ
ー、２４はＹドライバーである。画素エリア２１は、信
号ｎｘ１、ｘ＊ ｓ Ｘ Ｍ ト走査１ａ Ｙ ｓ 、
Ｙ ＊ 、Ｙ Ｎ１及ヒソｈ ラの交点に配置された画
素ＴＦＴ３０とから成る。
画素ＴＦＴ３０には画素電極が接続され、対向電極ＶＣ
８，４との間に容量３１が存在する。８２は信号線と対
向Ｗ１極間の容量である。Ｘドライバー２２は、シフト
レジスタ２６とアナログスイッチＴＦＴ２８とから成る
。ＶＩＤは画素信号入力端子、ＣＬＸ、ＣＬＹはクロッ
ク信号、ＤＸ、ＤＹｌはドライバーの動作入力信号の端
子である。
８，４との間に容量３１が存在する。８２は信号線と対
向Ｗ１極間の容量である。Ｘドライバー２２は、シフト
レジスタ２６とアナログスイッチＴＦＴ２８とから成る
。ＶＩＤは画素信号入力端子、ＣＬＸ、ＣＬＹはクロッ
ク信号、ＤＸ、ＤＹｌはドライバーの動作入力信号の端
子である。
しかし、前述の従来技術では以下に述べるような問題点
を任する。すなわち、アクティブマトリクスパネルは、
大面積に数万〜数百万個もの能動素子を作製する必要が
あり、無欠陥のパネルを作るのは本質的に極めて難しい
という点である。特に、画面サイズの大型化、画面の高
精細化に伴い歩留まりは一層低下する。
を任する。すなわち、アクティブマトリクスパネルは、
大面積に数万〜数百万個もの能動素子を作製する必要が
あり、無欠陥のパネルを作るのは本質的に極めて難しい
という点である。特に、画面サイズの大型化、画面の高
精細化に伴い歩留まりは一層低下する。
一方、アクティブマトリクスパネルをキャラクタなどの
データ表示に用いる場合、無欠陥であることはもちろん
、すべての画素が与えられた信号に対して忠実な階調表
示をする必要がある。このようなパネルを従来技術で作
製するのはほとんど不可能である。
データ表示に用いる場合、無欠陥であることはもちろん
、すべての画素が与えられた信号に対して忠実な階調表
示をする必要がある。このようなパネルを従来技術で作
製するのはほとんど不可能である。
本発明はこのような問題点を解決するものであり、その
目的とするところは、データ表示に適した無欠陥のアク
ティブマトリクスパネルを、ドライバーを内蔵し低コス
トで高い歩留まりで作製できるようにするところにある
。
目的とするところは、データ表示に適した無欠陥のアク
ティブマトリクスパネルを、ドライバーを内蔵し低コス
トで高い歩留まりで作製できるようにするところにある
。
本発明のドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルは
以下の構成を有することを特徴とする。
以下の構成を有することを特徴とする。
Ｎ本の走査線と２Ｍ本の信号線、及びＭ×Ｎ個の画素電
極と、各画素電極の１つにドレイン電極が共通に、接続
された２つのＴＦＴを備え、前記２つのＴＦＴのゲート
電極は共通の走査線に接続され、ソース電極は隣接する
２本の信号線に接続され、奇数列目の信号線と偶数列目
の信号線をそれぞれ独立に駆動できる内蔵ドライバーを
備えている。
極と、各画素電極の１つにドレイン電極が共通に、接続
された２つのＴＦＴを備え、前記２つのＴＦＴのゲート
電極は共通の走査線に接続され、ソース電極は隣接する
２本の信号線に接続され、奇数列目の信号線と偶数列目
の信号線をそれぞれ独立に駆動できる内蔵ドライバーを
備えている。
本発明の上記の構成を用いたドライバー内蔵アクティブ
マトリクスパネルは、画素ＴＦＴと信号線に冗長性を持
たせてあり、各画素の２つのＴＦＴのうちどちらかが正
常であれば正規の信号を与えることができる。一方、こ
れらの２つのＴＦＴには、内蔵ドライバーを用いて異な
る信号を与えることができ、電気的、光学的に簡単に不
良ＴＦＴのアドレスを検出することができる。
マトリクスパネルは、画素ＴＦＴと信号線に冗長性を持
たせてあり、各画素の２つのＴＦＴのうちどちらかが正
常であれば正規の信号を与えることができる。一方、こ
れらの２つのＴＦＴには、内蔵ドライバーを用いて異な
る信号を与えることができ、電気的、光学的に簡単に不
良ＴＦＴのアドレスを検出することができる。
第１図は、本発明の１実施例を示すドライバー内蔵アク
ティブマトリクスパネルの回路図の例である。ドライバ
ー内蔵アクティブマトリクスパネルは、画素エリア１と
Ｘドライバー２．３及びＹドライバー４とから成ってい
る。本実施例においては信号線と画素ＴＦＴに冗長性が
あり、画素エリア１は、２Ｍ本の信号線とＮ本の走査線
及びＭ×Ｎ個の画素電極と、各画素電極の１つにドレイ
／電極が共通に接続された２つの画素ＴＦＴ １０とか
ら成り、この画素ＴＦＴのゲート電極は共通の走査線に
、ソース電極は隣接する２本の信号線に接続されている
。１１は画素電極と対向電極Ｖ。。間との間の液晶の容
量であり、１２．１３は信号線と、ＶｃｏＭとの間の液
晶の容量である。
ティブマトリクスパネルの回路図の例である。ドライバ
ー内蔵アクティブマトリクスパネルは、画素エリア１と
Ｘドライバー２．３及びＹドライバー４とから成ってい
る。本実施例においては信号線と画素ＴＦＴに冗長性が
あり、画素エリア１は、２Ｍ本の信号線とＮ本の走査線
及びＭ×Ｎ個の画素電極と、各画素電極の１つにドレイ
／電極が共通に接続された２つの画素ＴＦＴ １０とか
ら成り、この画素ＴＦＴのゲート電極は共通の走査線に
、ソース電極は隣接する２本の信号線に接続されている
。１１は画素電極と対向電極Ｖ。。間との間の液晶の容
量であり、１２．１３は信号線と、ＶｃｏＭとの間の液
晶の容量である。
信号の、保持特性を改善するため、これらの容量に並列
に、容量を付加することもある。奇数列目の信号ｎ Ｘ
、ｎ 、Ｘｓ ａ １ＸＭ ｗはＸドライバー２で、偶
数列目の信号線Ｘｔｂ％Ｘ、ｈ、ＸＨｈはＸドライバー
３で、走査線Ｙ１、Ｙｌ、ＹＮは全て、Ｙドライバー４
で駆動する。Ｘドライバー２．３はシフトレジスタ６．
７とアナログスイッチＴＦＴアレイ８．９とから成る。
に、容量を付加することもある。奇数列目の信号ｎ Ｘ
、ｎ 、Ｘｓ ａ １ＸＭ ｗはＸドライバー２で、偶
数列目の信号線Ｘｔｂ％Ｘ、ｈ、ＸＨｈはＸドライバー
３で、走査線Ｙ１、Ｙｌ、ＹＮは全て、Ｙドライバー４
で駆動する。Ｘドライバー２．３はシフトレジスタ６．
７とアナログスイッチＴＦＴアレイ８．９とから成る。
このアナログスイッチのかわりにラッチ回路を設けて線
順次ドライバーとすることもできる。ＣＬｘａｓ ＣＬ
ｘｂはシフトレジスタ６．７のクロック入力端子、ＤＸ
ａｘＤＸｂはシフトレジスタ６．７のスタート信号入力
端子、ＶＩＤａｌＶＩＤｂは画像信号入力端子である。
順次ドライバーとすることもできる。ＣＬｘａｓ ＣＬ
ｘｂはシフトレジスタ６．７のクロック入力端子、ＤＸ
ａｘＤＸｂはシフトレジスタ６．７のスタート信号入力
端子、ＶＩＤａｌＶＩＤｂは画像信号入力端子である。
Ｙドライバーはシフトレジスタで、ＣＬＹはクロック、
ＤＹはスタート信号の入力端子である。
ＤＹはスタート信号の入力端子である。
本実施例においては１つの画素に２つのＴＦＴを備えて
いるため、どちらか一方のＴＦＴが不良であっても他の
ＴＦＴが正常であれば、不良ＴＦＴをレーザトリミング
等を用いて切断して修正できる。修正した画素には正規
の信号が与えられるため、本実施例ではキャラクタなど
のデータ表示にも対応できる無欠陥のアクティブマトリ
クスパネルを高い歩留まりで作製できる。一方、不良部
分のアドレスを検出する場合、本実施例においては信号
線に冗長性を有しかつ奇数列目と偶数列目の信号線を独
立に駆動できるため、電気的あるいは光学的に簡単に検
出できる。以下、その具体的な方法について説明する。
いるため、どちらか一方のＴＦＴが不良であっても他の
ＴＦＴが正常であれば、不良ＴＦＴをレーザトリミング
等を用いて切断して修正できる。修正した画素には正規
の信号が与えられるため、本実施例ではキャラクタなど
のデータ表示にも対応できる無欠陥のアクティブマトリ
クスパネルを高い歩留まりで作製できる。一方、不良部
分のアドレスを検出する場合、本実施例においては信号
線に冗長性を有しかつ奇数列目と偶数列目の信号線を独
立に駆動できるため、電気的あるいは光学的に簡単に検
出できる。以下、その具体的な方法について説明する。
第１の方法は、電気的に検出する方法である。
一般にＴＦＴの不良にはシｑ−トとオープンの２つのモ
ードがあるが、後者については特に修正する必要はない
ので、前者の検出方法について述べる。第３図（ａ）は
ＴＦＴのゲート−ソース間及びゲート・ドレイン間のシ
ョートを検出する方法である。この図のように走査線を
順次選択し、画像信号入力端子ＶＩＤａ、ＶＩＤｂにそ
れぞれ電流計−を接続して、信号線を順次選択していけ
ばショートしているアドレスを簡単に求めることができ
る。２つのＴＦＴのどちらがショートしているかは、検
出された電流値の大きさで判別する。なお、全アドレス
についてこの測定を行なうのはかなり時間を要するため
、まず全ての走査線と信号線を同時に選択し、もしリー
ク電流が検出されれば、走査線を１本ずつ順次選択し、
リーク電流が再び検出された走査線でＹドライバーの動
作を止め、信号線を１本ずつ選択しアドレスを求めると
いった方法が効率的である。第３図（ｂ）はＴＦＴのソ
ース・ドレイン間のシ２−トを検出する方法で、２つの
ＴＦＴの直列抵抗を求めている。もし、どちらかのＴＦ
Ｔのソース自ドレイン間がショートしていれば、この抵
抗は約半分となる。ただし、２つのＴＦＴのどちらが不
良かはとの伏態では判断できないため、外観検査か画素
電極に直接プロービングして調べる必要がある０通常は
、ソース慟ドレイ／間のショートは平面図なパターン不
良がおもなので外観検査で対応がつくことが多い。第３
図（Ｃ）はＴＦＴの不良ではなく、信号線間のショート
を求める方法である。本実施例のように信号線に冗長性
を持たせる場合、画素電極間の２本の信号線がショート
するような事も起こり得る。そのような不良はこの図の
ように隣接する２本の信号線を順次選択し、それらの信
号線間のリーク電流を検出することで可能になる。この
場合、電気的にＹ側のアドレスを求める−のは不可能だ
が、パターン不良がおもなｍｌ因なので外観検査で１９
所を求めて修正することができる。
ードがあるが、後者については特に修正する必要はない
ので、前者の検出方法について述べる。第３図（ａ）は
ＴＦＴのゲート−ソース間及びゲート・ドレイン間のシ
ョートを検出する方法である。この図のように走査線を
順次選択し、画像信号入力端子ＶＩＤａ、ＶＩＤｂにそ
れぞれ電流計−を接続して、信号線を順次選択していけ
ばショートしているアドレスを簡単に求めることができ
る。２つのＴＦＴのどちらがショートしているかは、検
出された電流値の大きさで判別する。なお、全アドレス
についてこの測定を行なうのはかなり時間を要するため
、まず全ての走査線と信号線を同時に選択し、もしリー
ク電流が検出されれば、走査線を１本ずつ順次選択し、
リーク電流が再び検出された走査線でＹドライバーの動
作を止め、信号線を１本ずつ選択しアドレスを求めると
いった方法が効率的である。第３図（ｂ）はＴＦＴのソ
ース・ドレイン間のシ２−トを検出する方法で、２つの
ＴＦＴの直列抵抗を求めている。もし、どちらかのＴＦ
Ｔのソース自ドレイン間がショートしていれば、この抵
抗は約半分となる。ただし、２つのＴＦＴのどちらが不
良かはとの伏態では判断できないため、外観検査か画素
電極に直接プロービングして調べる必要がある０通常は
、ソース慟ドレイ／間のショートは平面図なパターン不
良がおもなので外観検査で対応がつくことが多い。第３
図（Ｃ）はＴＦＴの不良ではなく、信号線間のショート
を求める方法である。本実施例のように信号線に冗長性
を持たせる場合、画素電極間の２本の信号線がショート
するような事も起こり得る。そのような不良はこの図の
ように隣接する２本の信号線を順次選択し、それらの信
号線間のリーク電流を検出することで可能になる。この
場合、電気的にＹ側のアドレスを求める−のは不可能だ
が、パターン不良がおもなｍｌ因なので外観検査で１９
所を求めて修正することができる。
第２の方法は光学的に検出する方法である。この検査は
液晶を封入した後行なう。この方法は簡単で、Ｘドライ
バー２のみを使って画像を表示した場合を甲、Ｘドライ
バー３のみを使゛つて画一を表示した場合を乙とすると
、甲と乙を比・較して不良ＴＦＴのアドレスを求めると
いう方法である。
液晶を封入した後行なう。この方法は簡単で、Ｘドライ
バー２のみを使って画像を表示した場合を甲、Ｘドライ
バー３のみを使゛つて画一を表示した場合を乙とすると
、甲と乙を比・較して不良ＴＦＴのアドレスを求めると
いう方法である。
アクティブマトリクス基板の断面図を第４図に示す。４
０は絶縁基板、４１はゲート電極、４２はゲート絶縁膜
、４３はチャネル部、４４．４５はそれぞれソース・ド
レイン電極、４６は層間絶縁膜、４７は信号線、４８は
画素電極である。内蔵ドライバーを構成するＴＦＴも同
じ構造で、画素ＴＦＴと同時に作製する。
０は絶縁基板、４１はゲート電極、４２はゲート絶縁膜
、４３はチャネル部、４４．４５はそれぞれソース・ド
レイン電極、４６は層間絶縁膜、４７は信号線、４８は
画素電極である。内蔵ドライバーを構成するＴＦＴも同
じ構造で、画素ＴＦＴと同時に作製する。
以上述べたように、本溌明のドライバー内蔵アクティブ
マトリクスパネルは、画素ＴＦＴと信号線に冗長性を持
たせてあり、各画素の２つのＴＦＴのうちどちらかが正
常であれば正規の信号を与えることができ２゜一方、こ
れらの２つのＴＦＴには、内蔵ｐライ５バーを用いて異
なる信号を与えることができ、電気的、光学的に而単に
、不良ＴＦＴのアドレスを求めることができる。従って
、内蔵ドライバーを用いて不良部分を検出し、レーザー
トリミング等によって修正すれば、データ表示に適′シ
た無欠陥のアクティブ４トリクスパネルを高い歩留まり
４作製できる。特に高精細な・・ネルにおいては、通常
のプローブカード等を用いた検査方法ではこのような検
査は不可能だが、本発明はよればドライバーの動作が可
能な限り非常に高精細のパネルにも対応できる。しかも
検査に要する時間も短くてすみ、コストアップにはなら
ない。また、ドライバー内蔵であるからパネルは小型軽
量で製造コストも安い。
マトリクスパネルは、画素ＴＦＴと信号線に冗長性を持
たせてあり、各画素の２つのＴＦＴのうちどちらかが正
常であれば正規の信号を与えることができ２゜一方、こ
れらの２つのＴＦＴには、内蔵ｐライ５バーを用いて異
なる信号を与えることができ、電気的、光学的に而単に
、不良ＴＦＴのアドレスを求めることができる。従って
、内蔵ドライバーを用いて不良部分を検出し、レーザー
トリミング等によって修正すれば、データ表示に適′シ
た無欠陥のアクティブ４トリクスパネルを高い歩留まり
４作製できる。特に高精細な・・ネルにおいては、通常
のプローブカード等を用いた検査方法ではこのような検
査は不可能だが、本発明はよればドライバーの動作が可
能な限り非常に高精細のパネルにも対応できる。しかも
検査に要する時間も短くてすみ、コストアップにはなら
ない。また、ドライバー内蔵であるからパネルは小型軽
量で製造コストも安い。
第１図はドライバー内蔵アクティブマトリクスパネルの
回路図。 第２図は従来のドライバー内蔵アクティブマトリクスパ
ネルの回路図。 第３図（ａ、）、（ｂ゛）、（ｃ）は不良部分の検出方
法を示す図。 第４図はアクティブマトリクス基板の断面図。 １．２１・・・画素エリア ２．２２・・・Ｘドライバー ４．２４・・・Ｙドライバー ６．７．２６・・・シフトレジスタ ８．９．２８・・・アナログスイッチＴＦＴ１０．３０
・・・画素ＴＦＴ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 ”； 、−： ＄２図 （し） （ご）
回路図。 第２図は従来のドライバー内蔵アクティブマトリクスパ
ネルの回路図。 第３図（ａ、）、（ｂ゛）、（ｃ）は不良部分の検出方
法を示す図。 第４図はアクティブマトリクス基板の断面図。 １．２１・・・画素エリア ２．２２・・・Ｘドライバー ４．２４・・・Ｙドライバー ６．７．２６・・・シフトレジスタ ８．９．２８・・・アナログスイッチＴＦＴ１０．３０
・・・画素ＴＦＴ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 ”； 、−： ＄２図 （し） （ご）
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に、複数のデータ線群、走査線群、及
び前記データ線及び走査線の少なくとも一方を駆動する
ためのドライバーを備え、前記データ線及び走査線の交
点に設けられた薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略記）
アレイによって画素電極を駆動し液晶を駆動して成るド
ライバー内蔵アクティブマトリクスパネルにおいて、以
下の構成を有することを特徴とするドライバー内蔵アク
ティブマトリクスパネル。 Ｎ本の走査線と２Ｍ本の信号線、及びＭ×Ｎ個の画素電
極と、各画素電極の１つにドレイン電極が、共通に接続
された２つのＴＦＴを備え、前記の２つのＴＦＴのゲー
ト電極は共通の走査線に接続され、ソース電極は隣接す
る２本の信号線に接続され、奇数列目の信号線と偶数列
目の信号線をそれぞれ独立に駆動できる内蔵ドライバー
を備えている。 - （２）前記画素ＴＦＴ及び内蔵ドライバーを構成するＴ
ＦＴはポリシリコン薄膜を用いて形成されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のドライバー内蔵アク
ティブマトリクスパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288650A JPH01130131A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ドライバー内蔵アクティブマトリクスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288650A JPH01130131A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ドライバー内蔵アクティブマトリクスパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130131A true JPH01130131A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17732911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62288650A Pending JPH01130131A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ドライバー内蔵アクティブマトリクスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130131A (ja) |
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