JPH01130520A - ダイヤモンド半導体の合成方法 - Google Patents
ダイヤモンド半導体の合成方法Info
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- JPH01130520A JPH01130520A JP62290409A JP29040987A JPH01130520A JP H01130520 A JPH01130520 A JP H01130520A JP 62290409 A JP62290409 A JP 62290409A JP 29040987 A JP29040987 A JP 29040987A JP H01130520 A JPH01130520 A JP H01130520A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はダイヤモンド半導体の合成方法に関し、さら
に詳しく言うと、たとえば各種保護膜。
に詳しく言うと、たとえば各種保護膜。
光学用材料、電子材料、化学工業材料などに広く利用す
ることができるダイヤモンド半導体を速い速度で効率よ
く堆積させるダイヤモンド半導体の合成方法に関する。
ることができるダイヤモンド半導体を速い速度で効率よ
く堆積させるダイヤモンド半導体の合成方法に関する。
〔従来の技術およびその問題点］
近年、ダイヤモンドの合成技術が著しい発展を遂げつつ
あり、これまでに、炭化水素をプラズマ分解して基板表
面に硬質炭素を得るプラズマＣＶＤ法、不均等化学反応
を利用して基板表面に硬質炭素膜を得る化学輸送法など
のＣＶＤ法、熱陰極ＰＩＧガン、冷陰極ＰＩＧガンある
いはスパッターガンを用いたイオン化蒸着法などの種々
の合成技術が知られるに至っている。
あり、これまでに、炭化水素をプラズマ分解して基板表
面に硬質炭素を得るプラズマＣＶＤ法、不均等化学反応
を利用して基板表面に硬質炭素膜を得る化学輸送法など
のＣＶＤ法、熱陰極ＰＩＧガン、冷陰極ＰＩＧガンある
いはスパッターガンを用いたイオン化蒸着法などの種々
の合成技術が知られるに至っている。
ところで、従来、提案されてきた方法は、原料に炭化水
素または炭化水素と水素との混合ガスを用いるものであ
り（特開昭５８−９１１００号公報、特開昭５８−１１
０４９４号公報、特開昭５８−１３５１１７号公報、特
開昭５９−６３７３２号公報、特開昭６０−１０３０９
９号公報等参照）、これらの方法はダイヤモンドの堆積
速度が遅いという問題を有していた。
素または炭化水素と水素との混合ガスを用いるものであ
り（特開昭５８−９１１００号公報、特開昭５８−１１
０４９４号公報、特開昭５８−１３５１１７号公報、特
開昭５９−６３７３２号公報、特開昭６０−１０３０９
９号公報等参照）、これらの方法はダイヤモンドの堆積
速度が遅いという問題を有していた。
そこで、ダイヤモンドの堆積速度の向上を図ることを目
的として、炭化水素と水素とからなる混合ガスに一酸化
炭素を含有させた原料ガスを用いる方法が提案されてい
る（特開昭６０−１９１０９７号公報参照）。
的として、炭化水素と水素とからなる混合ガスに一酸化
炭素を含有させた原料ガスを用いる方法が提案されてい
る（特開昭６０−１９１０９７号公報参照）。
しかしながら、前記公報に記載された方法は従来の方法
において用いられてきた原料ガスに所たに一酸化炭素を
含有させる必要があるので、原料ガスの調製が複雑化す
るとともに、その操作が煩雑であるという新たな問題を
有している。さらに、前記公報によると、炭化水素に配
合する一酸化炭素の配合含有量を１０容量％よりも多く
すると、基体表面に析出する人工ダイヤモンド中の酸素
含有量が多くなりすぎて、ダイヤモンドの。結晶構造が
損なわれるようになると言う重大な欠点がある。
において用いられてきた原料ガスに所たに一酸化炭素を
含有させる必要があるので、原料ガスの調製が複雑化す
るとともに、その操作が煩雑であるという新たな問題を
有している。さらに、前記公報によると、炭化水素に配
合する一酸化炭素の配合含有量を１０容量％よりも多く
すると、基体表面に析出する人工ダイヤモンド中の酸素
含有量が多くなりすぎて、ダイヤモンドの。結晶構造が
損なわれるようになると言う重大な欠点がある。
また、有機化合物と不純物を熱電子線で励起させてダイ
ヤモンドを得る方法（特開昭６２−１７１９９３号公報
参照）が提案されている。しかし、この方法ではダイヤ
モンド膜の堆積速度が十分でないという欠点がある。
ヤモンドを得る方法（特開昭６２−１７１９９３号公報
参照）が提案されている。しかし、この方法ではダイヤ
モンド膜の堆積速度が十分でないという欠点がある。
また、揮発性炭化水素と水素と揮発性はう素との混合物
にマイクロ波プラズマを作用させてＰ型ダイヤモンド半
導体を生成させる方法（特開昭５９−１３７３９６号公
報参照）が提案されている。
にマイクロ波プラズマを作用させてＰ型ダイヤモンド半
導体を生成させる方法（特開昭５９−１３７３９６号公
報参照）が提案されている。
しかし、この方法では揮発性炭化水素を使用しているの
で、Ｐ型ダイヤモンド半導体ＦｔＪｍの生成速度が低い
という欠点がある。
で、Ｐ型ダイヤモンド半導体ＦｔＪｍの生成速度が低い
という欠点がある。
そこで、操作が簡単で、しかも堆積速度が速くて、生産
効率に優れた。結晶構造の損なわれていないダイヤモン
ドの合成方法への要請は依然として強いのが現状である
。
効率に優れた。結晶構造の損なわれていないダイヤモン
ドの合成方法への要請は依然として強いのが現状である
。
［発明の目的］
この発明の目的は、前記要請に応え、高周波プラズマＣ
ＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、熱フィラメン）
ＣＶＤ法、化学輸送法、イオン化蒸着法、イオンビーム
蒸着法等のいずれの方法による場合であっても、堆積速
度が速く、しかも原料ガスの調製に要する操作がきわめ
て簡単で生産効率に優れた。結晶構造に乱れのないダイ
ヤモンド半導体の合成方法を提供することである。
ＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、熱フィラメン）
ＣＶＤ法、化学輸送法、イオン化蒸着法、イオンビーム
蒸着法等のいずれの方法による場合であっても、堆積速
度が速く、しかも原料ガスの調製に要する操作がきわめ
て簡単で生産効率に優れた。結晶構造に乱れのないダイ
ヤモンド半導体の合成方法を提供することである。
［前記目的を達成するための手段］
前記目的を達成するために、この発明者が鋭意検討を重
ねた結果、一酸化炭素ガスと水素ガスと不純物との混合
ガスを原料に用いた場合には、驚くべきことに、従来、
必須の原料とされていた炭化水素を用いなくてもダイヤ
モンド半導体を製造することができ、しかも、炭化水素
を用いた場合に比較して速い堆積速度で効率よくダイヤ
モンド半導体が合成できることを見い出してこの発明に
到達した。
ねた結果、一酸化炭素ガスと水素ガスと不純物との混合
ガスを原料に用いた場合には、驚くべきことに、従来、
必須の原料とされていた炭化水素を用いなくてもダイヤ
モンド半導体を製造することができ、しかも、炭化水素
を用いた場合に比較して速い堆積速度で効率よくダイヤ
モンド半導体が合成できることを見い出してこの発明に
到達した。
すなわち、この発明の概要は、一酸化炭素と水素と周期
表の第ｍｂ属元素のうちの少なくとも１種の単体および
／またはその化合物、あるいは周期表の第Ｖｂ居元素の
うちの少なくとも１種の単体および／またはその化合物
とを含有する混合ガスを励起して得られるガスを基板に
接触させることを特徴とするダイヤモンド半導体の合成
方法である。
表の第ｍｂ属元素のうちの少なくとも１種の単体および
／またはその化合物、あるいは周期表の第Ｖｂ居元素の
うちの少なくとも１種の単体および／またはその化合物
とを含有する混合ガスを励起して得られるガスを基板に
接触させることを特徴とするダイヤモンド半導体の合成
方法である。
使用に供する前記一酸化炭素としては特に制限がなく、
たとえば石炭、コークスなどと空気または水蒸気とを熱
時反応させて得られる発生炉ガスや水゛性ガスを充分に
精製したものを用いることができる。
たとえば石炭、コークスなどと空気または水蒸気とを熱
時反応させて得られる発生炉ガスや水゛性ガスを充分に
精製したものを用いることができる。
使用に供する前記水素について特に制限がなく、たとえ
ば石油類のガス化、天然ガス、水性ガスなどの変成、水
の電解、鉄と水草気との反応、石炭の完全ガス化などに
より得られるものを充分に精製したものを用いることが
できる。
ば石油類のガス化、天然ガス、水性ガスなどの変成、水
の電解、鉄と水草気との反応、石炭の完全ガス化などに
より得られるものを充分に精製したものを用いることが
できる。
この発明では、基板に生成するダイヤモンド中に不純物
をドーピングすることによりダイヤモンド半導体が形成
される。
をドーピングすることによりダイヤモンド半導体が形成
される。
前記不純物としては、周期表のｍｂ属元素および周期Ｖ
ｂ属元素のうちの少なくとも１種の単体および／または
その化合物を用いることができる。
ｂ属元素のうちの少なくとも１種の単体および／または
その化合物を用いることができる。
周期表のｍｂ属元素としてはホウ素、アルミニウム、ガ
リウム、インジウム、タリウムなどを挙げることができ
１周期表のＶｂ属元素としては窒素、リン、ヒ素、アン
チモン、ビスマスなどを挙げることができる。
リウム、インジウム、タリウムなどを挙げることができ
１周期表のＶｂ属元素としては窒素、リン、ヒ素、アン
チモン、ビスマスなどを挙げることができる。
周期表のｍｂ属元素およびＶｂ属元素の化合物としては
ハロゲン化物、水素化物、水酸化物、酸化物、炭化物又
は窒化物を挙げることができる。
ハロゲン化物、水素化物、水酸化物、酸化物、炭化物又
は窒化物を挙げることができる。
周期表のｍｂ属元素および周期Ｖｂ属元素の単体および
その化合物の具体例としては、Ｂ、Ａｎ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｕ、８２ Ｈ６、ＢａＨ＋ｏ、ＣＨ３ＢＣＣ１０（Ｃ
Ｉ（３） ２ Ａ交Ｃ１、［（ＣＨ３）ＡｆＬＢｒ２］
２、 ［（ＣＨ３）３ Ａ文Ｊ２．ＧａｚＨｂ、ＣＣＨ３）３
Ｇａ、（ＣＨ３）２ Ｇａ Ｂ１０、（ＣＨ３）３１
１１、（ＣＨ３）３ Ｔ１．Ｎ２ 。
その化合物の具体例としては、Ｂ、Ａｎ、Ｇａ、Ｉｎ、
Ｔｕ、８２ Ｈ６、ＢａＨ＋ｏ、ＣＨ３ＢＣＣ１０（Ｃ
Ｉ（３） ２ Ａ交Ｃ１、［（ＣＨ３）ＡｆＬＢｒ２］
２、 ［（ＣＨ３）３ Ａ文Ｊ２．ＧａｚＨｂ、ＣＣＨ３）３
Ｇａ、（ＣＨ３）２ Ｇａ Ｂ１０、（ＣＨ３）３１
１１、（ＣＨ３）３ Ｔ１．Ｎ２ 。
Ｐ、Ａｓ１．Ｂｉ 、Ｓｂ、ＮＨ３，ＰＨ３゜Ａｓ Ｈ
３、Ｎ２ Ｈａ 、 ＣＨ３Ａｓ Ｂｒ２、ＣＨ３Ａｓ
Ｈ２、（ＣＨ３）３ Ａｓ、（ＣＨ３）・３ Ｂｉ
、Ｓｂ Ｈｉ、ＣｌＣＨ２Ｓｂ、Ｃ交２ 、ＣＨ３Ｓｂ
Ｈ２、（ＣＦＩ ）３ Ｓｂなどが挙げられる。
３、Ｎ２ Ｈａ 、 ＣＨ３Ａｓ Ｂｒ２、ＣＨ３Ａｓ
Ｈ２、（ＣＨ３）３ Ａｓ、（ＣＨ３）・３ Ｂｉ
、Ｓｂ Ｈｉ、ＣｌＣＨ２Ｓｂ、Ｃ交２ 、ＣＨ３Ｓｂ
Ｈ２、（ＣＦＩ ）３ Ｓｂなどが挙げられる。
この発明においては、周期表のｍｂ属元素の単体および
その化合物を一種単独で使用しても良いし、二種以上を
併用しても良い、同様に１周期表のＶｂ属元素の単体お
よびその化合物を一種単独で使用しても良いし、二種以
北を併用しても良い。
その化合物を一種単独で使用しても良いし、二種以上を
併用しても良い、同様に１周期表のＶｂ属元素の単体お
よびその化合物を一種単独で使用しても良いし、二種以
北を併用しても良い。
周期表のｍｂ属元素および／またはその化合物を使用す
ると、ｐ型半導体であるダイヤモンド薄膜が得られ、周
期表のＶｂ属元素および／またはその化合物を使用する
とｎ型の半導体であるダイヤモンド薄膜が得られる。
ると、ｐ型半導体であるダイヤモンド薄膜が得られ、周
期表のＶｂ属元素および／またはその化合物を使用する
とｎ型の半導体であるダイヤモンド薄膜が得られる。
一酸化炭素と水素と前記不純物とを含有する混合ガスを
励起して得られるガスを基板に接触させる際に、たとえ
ば最初に周期表のｍｂ属元素および／またはその化合物
を使用し、次いで１周期表のＶｂ属元素および／または
その化合物を使用するとｐｎ接合型の半導体を形成する
ことができる。
励起して得られるガスを基板に接触させる際に、たとえ
ば最初に周期表のｍｂ属元素および／またはその化合物
を使用し、次いで１周期表のＶｂ属元素および／または
その化合物を使用するとｐｎ接合型の半導体を形成する
ことができる。
この発明の方法においては、原料ガスとして一酸化炭素
と前記水素と前記不純物とを励起して得られるガスを、
基板に接触させることにより基板上にダイヤモンドを堆
積させる。
と前記水素と前記不純物とを励起して得られるガスを、
基板に接触させることにより基板上にダイヤモンドを堆
積させる。
その場合、前記一酸化炭素と水素とのモル比（ＣＯ／Ｈ
２）は、通常、０．１モル％以上であり、好ましくは０
．２モル％以上である。
２）は、通常、０．１モル％以上であり、好ましくは０
．２モル％以上である。
前記一酸化炭素の含有量が、ＣＯ／Ｈ２モル比で０．１
モル％よりも少ないとダイヤモンドが生成しなかったり
、ダイヤモンドがたとえ生成してもその堆積速度が著し
く小さいことがある。
モル％よりも少ないとダイヤモンドが生成しなかったり
、ダイヤモンドがたとえ生成してもその堆積速度が著し
く小さいことがある。
前記不純物の混合比は、目的とする半導体特性および反
応条件によって種々変化し得るので特に限定することが
できないが１、一般的には、不純物／−一酸化炭素原子
比）で１０−８〜１０−１、好ましくは１０−’ Ｎ１
０脣である。
応条件によって種々変化し得るので特に限定することが
できないが１、一般的には、不純物／−一酸化炭素原子
比）で１０−８〜１０−１、好ましくは１０−’ Ｎ１
０脣である。
前記基板には、特に制限がなく、たとえば人工あるいは
天然の焼結したダイヤモンド、シリコン、アルミニウム
、チタン、タングステン、モリブデン、コバルトおよび
クロムなどの金属、これらの酸化物、窒化物および炭化
物、これらの合金、Ａｌ２０３−Ｆｅ系、Ｔｉｅ−Ｎｉ
系、ＴｉＣ−Ｇａ系およびＢａＣ−Ｆｅ系等のサーメッ
トならびに各種セラミックスからなるもののいずれをも
使用することができる。
天然の焼結したダイヤモンド、シリコン、アルミニウム
、チタン、タングステン、モリブデン、コバルトおよび
クロムなどの金属、これらの酸化物、窒化物および炭化
物、これらの合金、Ａｌ２０３−Ｆｅ系、Ｔｉｅ−Ｎｉ
系、ＴｉＣ−Ｇａ系およびＢａＣ−Ｆｅ系等のサーメッ
トならびに各種セラミックスからなるもののいずれをも
使用することができる。
前記原料ガスを励起して励起状態の炭素を含有する前記
原料ガスを得る活性化手段としては、たとえば熱電子放
射材（熱フィラメント）、直流によるプラズマ放電、高
周波によるプラズマ放電、マイクロ波によるプラズマ放
電などの従来より公知の方法を用いることができる。
原料ガスを得る活性化手段としては、たとえば熱電子放
射材（熱フィラメント）、直流によるプラズマ放電、高
周波によるプラズマ放電、マイクロ波によるプラズマ放
電などの従来より公知の方法を用いることができる。
前記プラズマ放電を用いる場合には、前記水素は高周波
またはマイクロ波の照射によって原子状水素を形成し、
前記熱フィラメントを用いる場合には、前記水素は熱ま
たは放電により原子状水素を形成する。
またはマイクロ波の照射によって原子状水素を形成し、
前記熱フィラメントを用いる場合には、前記水素は熱ま
たは放電により原子状水素を形成する。
この原子状水素は、ダイヤモンドの析出と同時に析出す
る黒鉛構造の炭素を除去する作用を有する。
る黒鉛構造の炭素を除去する作用を有する。
この発明の方法においては、前記原料ガスのキャリヤー
として、不活性ガスを用いることもできる。
として、不活性ガスを用いることもできる。
不活性ガスの具体例としては、アルゴンガス、ネオンガ
ス、ヘリウムガス、キセノンガスなどが挙げられる。
ス、ヘリウムガス、キセノンガスなどが挙げられる。
これらは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組合
わせて用いてもよい。
わせて用いてもよい。
この発明の方法においては、以下の条件下に反応が進行
して、基板上にダイヤモンド半導体が析出する。
して、基板上にダイヤモンド半導体が析出する。
すなわち、前記基板の表面の温度は、前記原料ガスの励
起手段、基板の冷却によって異なるので、−概に決定す
ることはできないが、たとえばプラズマＣＶＤ法を用い
る場合には１通常、４００℃〜１４００℃、好ましくは
４５０℃〜１２００℃である。
起手段、基板の冷却によって異なるので、−概に決定す
ることはできないが、たとえばプラズマＣＶＤ法を用い
る場合には１通常、４００℃〜１４００℃、好ましくは
４５０℃〜１２００℃である。
この温度が４００℃より低い場合には、ダイヤモンドの
堆積速度が遅くなったり、励起状態の炭素が生成しない
ことがある。一方、１４００℃より高い場合には、基板
上に堆積したダイヤモンドがエツチングにより削られて
しまい、堆積速度の向上が見られないことがある。
堆積速度が遅くなったり、励起状態の炭素が生成しない
ことがある。一方、１４００℃より高い場合には、基板
上に堆積したダイヤモンドがエツチングにより削られて
しまい、堆積速度の向上が見られないことがある。
反応圧力は１通常、 ＩＬ３〜１０３ ｔｏｒｒ、好ま
しくは１〜８００ ｔｏｒｒである。
しくは１〜８００ ｔｏｒｒである。
反応圧力が１０１ｔｏｒｒよりも低い場合には、ダイヤ
モンドの堆積速度が遅くなったり、ダイヤモンドが析出
しなくなったりする。一方、１０３ｔａｒｔよ・ り高
くしてもそれに相当する効果は得られない。
モンドの堆積速度が遅くなったり、ダイヤモンドが析出
しなくなったりする。一方、１０３ｔａｒｔよ・ り高
くしてもそれに相当する効果は得られない。
この発明の方法により得ることのできるダイヤモンドは
、その不純物の故に半導体になる。このダイヤモンド半
導体は、５００℃以上の高温に耐え、放射線にも強く、
しかも電子や正孔の移動速度も半導体として一般に使用
されているシリコンよりも大きいから、スーパーコンピ
ューター、自動車のエンジンルーム内での制御、高温度
下で作動するロボットの制御、電力関連のル制御、大量
の放射線を浴びる原子力関連装置や宇宙機器へ応用され
る。
、その不純物の故に半導体になる。このダイヤモンド半
導体は、５００℃以上の高温に耐え、放射線にも強く、
しかも電子や正孔の移動速度も半導体として一般に使用
されているシリコンよりも大きいから、スーパーコンピ
ューター、自動車のエンジンルーム内での制御、高温度
下で作動するロボットの制御、電力関連のル制御、大量
の放射線を浴びる原子力関連装置や宇宙機器へ応用され
る。
［実施例１
この発明の実施例および比較例を示し、この発明につい
てさらに具体的に説明する。
てさらに具体的に説明する。
（実施例１）
周波数２．４５ＧＨｚ 、＋７）マイクロ波電源を使用
し、ノ＾板温度９００℃、圧力５０ｔｏｒｒノ条件下に
出力を５００Ｗに設定した。
し、ノ＾板温度９００℃、圧力５０ｔｏｒｒノ条件下に
出力を５００Ｗに設定した。
次に、この反応室内に一酸化炭素を！１５ｓｅｃｍ、水
素を流１８１ｓｃｃ■、Ｂ２１（６を流量（水素重訳１
２０ｐｐｍボンベ） １４ｓａｃ履で導入して、マイク
ロ波プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンドの合成を１時
間行って、前記温度に制御した基板上に厚み５ＩＬｍの
膜を得た。なお、基板にはシリコンウェハを用いた。
素を流１８１ｓｃｃ■、Ｂ２１（６を流量（水素重訳１
２０ｐｐｍボンベ） １４ｓａｃ履で導入して、マイク
ロ波プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンドの合成を１時
間行って、前記温度に制御した基板上に厚み５ＩＬｍの
膜を得た。なお、基板にはシリコンウェハを用いた。
得られたダイヤモンド膜は室温で１０３０・Ｃ薦程度の
比抵抗値を示した。また、Ｘ線回折、ラマン散乱スペク
トルの測定から、この膜がダイヤモンド膜であることを
、ホール定数の測定からこのダイヤモンド膜がｐＪ！！
半導体であることを確認した。
比抵抗値を示した。また、Ｘ線回折、ラマン散乱スペク
トルの測定から、この膜がダイヤモンド膜であることを
、ホール定数の測定からこのダイヤモンド膜がｐＪ！！
半導体であることを確認した。
（比較例１）
前記実施例１において、一酸化炭素に代えて。
メタンガスを用いたほかは前記実施例１と同様にしてダ
イヤモンドの合成を行なった。
イヤモンドの合成を行なった。
その結果、厚み１．０４ｍのダイヤモンドおよびダイヤ
モンド状炭素しか形成しなかった。
モンド状炭素しか形成しなかった。
（実施例２）
前記実施例１において、基板として天然ダイヤモンド（
１００）を用い、基板温度８００℃、圧力４０ｔｏｒｒ
、一酸化炭素の流Ｑ１０ｇｃｃｍ、水！（７）流ｔ」８
０５ＣＣｍ、ＰＨ３（７）流量（水素希釈９８．７ｐｐ
ｍボンベ） １０ＳＣＣ１１の条件下に１時間反応を行
なってダイヤモンドを合成したところ、基板上に厚み７
μｍの膜状の堆積物を得た。
１００）を用い、基板温度８００℃、圧力４０ｔｏｒｒ
、一酸化炭素の流Ｑ１０ｇｃｃｍ、水！（７）流ｔ」８
０５ＣＣｍ、ＰＨ３（７）流量（水素希釈９８．７ｐｐ
ｍボンベ） １０ＳＣＣ１１の条件下に１時間反応を行
なってダイヤモンドを合成したところ、基板上に厚み７
μｍの膜状の堆積物を得た。
得られた堆積物は室温で１０６Ω・ｃｒａ程度の比抵抗
値を示した。また、Ｘ線回折、ラマン散乱スペクトルお
よびホール定数の測定から、この膜がｎ型ダイヤモンド
半導体であることを確認した。
値を示した。また、Ｘ線回折、ラマン散乱スペクトルお
よびホール定数の測定から、この膜がｎ型ダイヤモンド
半導体であることを確認した。
（比較例２）
前記実施例２において、一酸化炭素に代えてメタンガス
を用いたほかは前記実施例２と同様にしてダイヤモンド
の合成を行なった。
を用いたほかは前記実施例２と同様にしてダイヤモンド
の合成を行なった。
その結果、ダイヤモンドライクカーボンとグラファイト
が主体に合成され、ｎ型ダイヤモンド半導体が形成され
ていなかった。
が主体に合成され、ｎ型ダイヤモンド半導体が形成され
ていなかった。
［発明の効果１
この発明によると、
（１） 高周波プラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズ
マＣＶＤ法、熱フイラメントＣＶＤ法、化学輸送法、イ
オン化蒸看法、イオンビーム蒸着法等のいずれの方法に
よる場合であっても、一酸化炭素と水素と特定の不純物
との混合ガスを原料として、速い埋植速度でダイヤモン
ド半導体を合成することができる、 （２） 炭化水素を用いる場合のように、原料ガスの
調製が複雑化したり、操作が煩雑になったりすることが
なく、 （３）シかも、生産効率に優れる、 （０ダイヤモンドの結晶構造に乱れがない等の効果を有
する工業的に有利なダイヤモンド半導体の合成方法を提
供することができる。
マＣＶＤ法、熱フイラメントＣＶＤ法、化学輸送法、イ
オン化蒸看法、イオンビーム蒸着法等のいずれの方法に
よる場合であっても、一酸化炭素と水素と特定の不純物
との混合ガスを原料として、速い埋植速度でダイヤモン
ド半導体を合成することができる、 （２） 炭化水素を用いる場合のように、原料ガスの
調製が複雑化したり、操作が煩雑になったりすることが
なく、 （３）シかも、生産効率に優れる、 （０ダイヤモンドの結晶構造に乱れがない等の効果を有
する工業的に有利なダイヤモンド半導体の合成方法を提
供することができる。
特許出願人 出光石油化学株式会社
代理人 弁理士 福相 直樹
手続補正書
・−＝＋ −＋ ”ｌ ｒ・ ′−
ど −） ′■ 事件の表示 と１５２、、−
１７昭和６２年１１月１７日提出の特許願 ２ 発明の名称 ダイヤモンド半導体の合成方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の白玉丁目１番１号名
称 出光石油化学株式会社 代表者 水郷 睦 ４ 代理人 住所 東京都新宿区西新宿八丁目９番５号５
補正命令の日付 なし；自発 ６ 補正により増加する発明の数 ０７ 補正の対
象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄８ 補正
の内容 （１） 明細書の第９ページ第１０行目に記載の「天
然の焼結したダイヤモンド」を「天然のダイヤモンド又
は焼結したダイヤモンド」に補正する。
ど −） ′■ 事件の表示 と１５２、、−
１７昭和６２年１１月１７日提出の特許願 ２ 発明の名称 ダイヤモンド半導体の合成方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の白玉丁目１番１号名
称 出光石油化学株式会社 代表者 水郷 睦 ４ 代理人 住所 東京都新宿区西新宿八丁目９番５号５
補正命令の日付 なし；自発 ６ 補正により増加する発明の数 ０７ 補正の対
象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄８ 補正
の内容 （１） 明細書の第９ページ第１０行目に記載の「天
然の焼結したダイヤモンド」を「天然のダイヤモンド又
は焼結したダイヤモンド」に補正する。
以上
Claims (1)
- （１）一酸化炭素と水素と周期表の第IIIｂ属元素のう
ちの少なくとも１種の単体および／またはその化合物、
あるいは周期表の第Ｖｂ属元素のうちの少なくとも１種
の単体および／またはその化合物とを含有する混合ガス
を励起して得られるガスを基板に接触させることを特徴
とするダイヤモンド半導体の合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290409A JPH01130520A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | ダイヤモンド半導体の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290409A JPH01130520A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | ダイヤモンド半導体の合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130520A true JPH01130520A (ja) | 1989-05-23 |
| JPH0573328B2 JPH0573328B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=17755644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290409A Granted JPH01130520A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | ダイヤモンド半導体の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130520A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60191097A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-28 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62290409A patent/JPH01130520A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60191097A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-28 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573328B2 (ja) | 1993-10-14 |
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