JPH01131059A - 炭化珪素質炉芯管の製造方法 - Google Patents
炭化珪素質炉芯管の製造方法Info
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- JPH01131059A JPH01131059A JP62289769A JP28976987A JPH01131059A JP H01131059 A JPH01131059 A JP H01131059A JP 62289769 A JP62289769 A JP 62289769A JP 28976987 A JP28976987 A JP 28976987A JP H01131059 A JPH01131059 A JP H01131059A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体デバイスの製造に用いられる炭化珪素質
炉芯管の製造方法に関する。
炉芯管の製造方法に関する。
半導体デバイスを製造するにあたっては、多くの熱処理
が行なわれる。これらの熱処理工程は、半導体ウェハを
加熱炉の炉芯管内に装入し、所定の雰囲気や反応ガスの
存在下で、外部に設けられた加熱体によって半導体ウェ
ハを加熱するものである。
が行なわれる。これらの熱処理工程は、半導体ウェハを
加熱炉の炉芯管内に装入し、所定の雰囲気や反応ガスの
存在下で、外部に設けられた加熱体によって半導体ウェ
ハを加熱するものである。
従来、炉芯管としては石英ガラス製のものが用いられて
いた。しかし、石英ガラス製炉芯管は耐熱性に劣り、長
時間使用すると変形を起すという問題がある。
いた。しかし、石英ガラス製炉芯管は耐熱性に劣り、長
時間使用すると変形を起すという問題がある。
そこで、近年、耐熱性に優れた炭化珪素質の炉芯管が使
用されるようになってきている。
用されるようになってきている。
従来、炭化珪素質の炉芯管は例えば以下のような方法に
より製造されている。すなわち、炭化珪素粉末に適当な
バインダ、添加剤を加えて炉芯管の形状に成形した後、
焼成する方法、あるいは炭化珪素粉末及び炭素粉末に適
当なバインダを加えて炉芯管の形状に成形した後、溶融
シリコンを含浸させる方法が用いられている。
より製造されている。すなわち、炭化珪素粉末に適当な
バインダ、添加剤を加えて炉芯管の形状に成形した後、
焼成する方法、あるいは炭化珪素粉末及び炭素粉末に適
当なバインダを加えて炉芯管の形状に成形した後、溶融
シリコンを含浸させる方法が用いられている。
ところで、半導体ウェハを熱処理する場合、半導体デバ
イスの歩留りを向」ニさせるために炉芯管内の温度分布
をできるだけ均一にすることが要求され、半導体ウェハ
の大口径化に伴ってこの要求は益々強くなっている。こ
のためには、炉芯管の熱伝導性を良好にすることが望ま
しく、肉厚の薄い炉芯管が要望されている。
イスの歩留りを向」ニさせるために炉芯管内の温度分布
をできるだけ均一にすることが要求され、半導体ウェハ
の大口径化に伴ってこの要求は益々強くなっている。こ
のためには、炉芯管の熱伝導性を良好にすることが望ま
しく、肉厚の薄い炉芯管が要望されている。
しかし、上述した従来の方法で肉厚の薄い炭化珪素質炉
芯管を製造しようとすると、いずれの場合も炉芯管の機
械的強度の点で問題が生じる。
芯管を製造しようとすると、いずれの場合も炉芯管の機
械的強度の点で問題が生じる。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、肉厚が薄く、しかも十分な機械的強度を有する炭化
珪素質炉芯管を製造し得る方法を提供することを目的と
する。
り、肉厚が薄く、しかも十分な機械的強度を有する炭化
珪素質炉芯管を製造し得る方法を提供することを目的と
する。
本発明の炭化珪素質炉芯管の製造方法は、炭化珪素繊維
を炭化珪素の粉末又はウィスカーを分散させた樹脂に浸
漬した後、この炭化珪素繊維を巻いて管状に成形し、こ
の成形体に溶融シリコンを含浸させることを特徴とする
ものである。
を炭化珪素の粉末又はウィスカーを分散させた樹脂に浸
漬した後、この炭化珪素繊維を巻いて管状に成形し、こ
の成形体に溶融シリコンを含浸させることを特徴とする
ものである。
なお、本発明において用いられる樹脂としては例えばフ
ェノール樹脂のような熱硬化性樹脂を挙げることができ
る。
ェノール樹脂のような熱硬化性樹脂を挙げることができ
る。
本発明方法によれば、繊維径の非常に細い炭化珪素繊維
の表面に炭化珪素の粉末又はウィスカーが分散した樹脂
が付着した状ＩＥｊで、これを巻いて成形することによ
り肉厚の薄い炉芯管形状の成形体が得られ、更に溶融シ
リコンと樹脂との反応により新たに炭化珪素が生成する
。そして、炭化珪素繊維が高強度を有し、新たに生成す
る炭化珪素も予め付着している炭化珪素の粉末又はウィ
スカーによって補強Ｓれるので、製造された炉芯管は十
分な強度を有する。このような肉厚の薄い炉芯管は熱伝
導性が良好であるため、半導体ウェハの熱処理に使用し
た場合に内部の温度分布が均一になる。
の表面に炭化珪素の粉末又はウィスカーが分散した樹脂
が付着した状ＩＥｊで、これを巻いて成形することによ
り肉厚の薄い炉芯管形状の成形体が得られ、更に溶融シ
リコンと樹脂との反応により新たに炭化珪素が生成する
。そして、炭化珪素繊維が高強度を有し、新たに生成す
る炭化珪素も予め付着している炭化珪素の粉末又はウィ
スカーによって補強Ｓれるので、製造された炉芯管は十
分な強度を有する。このような肉厚の薄い炉芯管は熱伝
導性が良好であるため、半導体ウェハの熱処理に使用し
た場合に内部の温度分布が均一になる。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、繊維径２０ＩＬｍの炭化珪素繊維を炭化珪素粉末
を分散ごせたフェノール樹脂（炭化珪素粉末の含有量は
３０重量％）に浸漬した後、この炭化珪素繊維を巻いて
内径３００ｍｍ、長さ３０００ｍｍの炉芯管の形状に成
形した。この成形体の表面には樹脂がほぼ均一に付着し
ていた。次に、この成形体に熱処理を施して樹脂を硬化
させた。更に、この成形体に１５００℃の溶融シリコン
を含浸させた。
を分散ごせたフェノール樹脂（炭化珪素粉末の含有量は
３０重量％）に浸漬した後、この炭化珪素繊維を巻いて
内径３００ｍｍ、長さ３０００ｍｍの炉芯管の形状に成
形した。この成形体の表面には樹脂がほぼ均一に付着し
ていた。次に、この成形体に熱処理を施して樹脂を硬化
させた。更に、この成形体に１５００℃の溶融シリコン
を含浸させた。
製造された炭化珪素質炉芯管は、肉厚３．５ｍｍで、強
度が５００ Ｍ Ｐ ａであった。また、拡散炉内で１
０００℃の熱処理に使用した場合、内部の温度分布は±
０．１°Ｃであり良好な均一性を示した。
度が５００ Ｍ Ｐ ａであった。また、拡散炉内で１
０００℃の熱処理に使用した場合、内部の温度分布は±
０．１°Ｃであり良好な均一性を示した。
これに対して、従来の方法により製造され、実際に使用
されている炭化珪素質炉芯管は、肉厚７．０ｍｍで、強
度が３００ＭＰａであり、また拡散炉内で１０００℃の
熱処理に使用した場合、内部の温度分布は±０．２°Ｃ
で温度分布が不均一であった。
されている炭化珪素質炉芯管は、肉厚７．０ｍｍで、強
度が３００ＭＰａであり、また拡散炉内で１０００℃の
熱処理に使用した場合、内部の温度分布は±０．２°Ｃ
で温度分布が不均一であった。
以」二詳述したように本発明方法によれば、肉厚が薄く
、しかも十分な機械的強度を有する炭化珪素質炉芯管を
製造でき、ひいては使用時の内部の温度分布を均一化し
て半導体デバイスの歩留りを向上できる等顕著な効果を
奏するものである。
、しかも十分な機械的強度を有する炭化珪素質炉芯管を
製造でき、ひいては使用時の内部の温度分布を均一化し
て半導体デバイスの歩留りを向上できる等顕著な効果を
奏するものである。
出願人代理人 弁理士 鈴社武彦
Claims (2)
- （１）炭化珪素繊維を炭化珪素の粉末又はウィスカーを
分散させた樹脂に浸漬した後、この炭化珪素繊維を巻い
て管状に成形し、この成形体に溶融シリコンを含浸させ
ることを特徴とする炭化珪素質炉芯管の製造方法。 - （２）樹脂が熱硬化性樹脂であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の炭化珪素質炉芯管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289769A JPH01131059A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 炭化珪素質炉芯管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289769A JPH01131059A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 炭化珪素質炉芯管の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01131059A true JPH01131059A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17747525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62289769A Pending JPH01131059A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 炭化珪素質炉芯管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01131059A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54112909A (en) * | 1978-02-24 | 1979-09-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Silicon carbide composite material |
| JPS61197472A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-01 | 工業技術院長 | 炭化ケイ素繊維強化炭化ケイ素複合体の製造方法 |
| JPS627669A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-14 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体製造用部材 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62289769A patent/JPH01131059A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54112909A (en) * | 1978-02-24 | 1979-09-04 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Silicon carbide composite material |
| JPS61197472A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-01 | 工業技術院長 | 炭化ケイ素繊維強化炭化ケイ素複合体の製造方法 |
| JPS627669A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-14 | 東芝セラミツクス株式会社 | 半導体製造用部材 |
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