JPH01132105A

JPH01132105A - 超伝導磁性微粒子およびその用途

Info

Publication number: JPH01132105A
Application number: JP62289326A
Authority: JP
Inventors: Masakuni Okamoto; 政邦岡本; Shuji Imazeki; 周治今関; Yasushi Tomioka; 富岡　安; Munehisa Mitsuya; 三矢　宗久
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-11-18
Filing date: 1987-11-18
Publication date: 1989-05-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、超伝導磁性微粒子およびその用途に係り、特
に磁性体を超伝導体で包んだ微粒子およびこの微粒子を
積層させた磁気記録媒体、温度センサーに関する。

〔従来の技術〕

金属超微粒子の作製例、用途などについては、「［１本
の科学と技術Ｊ　　（１９８４）Ｖｏｌ、２５゜Ｎｏ、
　２２７の中の「超微粒子特集」にまとめられているが
、超伝導体と磁性体とから成る微粒子はその中に見受け
られない。

金属超微粒子を使った従来の装置は、特開昭６１−１６
０４７号及び６１−２０２４４号公報に記載されている
ように、少なくとも一種以上の遷移全屈又は少なくとも
一種以上の希土類金属である磁性体をΔＱＫ、Ｓｉ３Ｎ
４．ＭｇＦ２゜ＢｉＦ３．Ｓｉｎ、ＳｉＯ２，ＴｉＯ２
、及び”Ｃａ　２０５からなる群より選ばれた一種以上
からなる誘電体中に分散させたｇ膜であった。

上記公知例に従って作製された超伝導磁性微粒子を用い
て、本発明による磁気記録媒体を作り得る。

作製された記録媒体は、各磁性体が孤立するように磁性
体が全体的に超伝導体により覆おれた措造をしているが
、これは従来には存在しないものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来は、微粒子を作製する困望も伴ない＋Ｂ−の層から
成る微粒子が作製されているにすぎなかった。また、従
来までに知られていた転移温度が高々２０にであるよう
な超伝導体では、これより大きな磁場を印加すると超伝
導状態が破壊されるという臨界磁場ト■。は、１００〜
１００ＯＧ、超伝導領域の大きさを表す長さである。コ
ヒーレント長は約１０００人であり、磁性体を超伝導体
で囲う形状の本発明による微粒子に対して、臨界磁場は
不充分であり、コヒーレント長は大きすぎて微粒子にし
た場合に顕著なマイスナー効果を得るには不充分であっ
た。

最近、いくつか発見された、いわゆるＷＧ温超超伝導体
場合１代表的に、臨界温度９０に〜３００に、臨界磁場
ＩＩ　ｃ　ｓ　〜５００　Ｇ　、ｔｌ　Ｃ２””　１０
０Ｔ　（第２種超伝導体）、コヒーレント長〜２０人で
あり、微粒子にしても充分に超伝導体としての働きを示
すことが期待できる。

従来、情報記録媒体として、磁気ディスク、光ディスク
、光磁気ディスクなどが用いられてきている。これらの
媒体は、それぞれ、以下のような特徴を有している。

磁気ディスクは０．５μＴｎピッチ程度で高密度記録が
可能である。しかし、トラック方向は密度を上げること
ができない。また、となり合った磁性体は相互作用して
、エネルギーを下げる方向に磁気モーメントを変化させ
ることにより記録された情報の劣化が生じる。情報の寿
命はせいぜい４〜５年であるといわれている。記録に必
要な磁場の大きさは〜１５００Ｇである。

光ディスクは、磁気ディスクと比較して半怪力向の幅を
１μｍ程度に微細化することができること、および、オ
ーバーライ１〜ができないことの２点が大きく異なる。

記録密度は大きくできるが、オーバーライドができない
ことが大きな欠点である。

光磁気ディスクは、記録の密度は上記光ディスク並に、
高密度記録が可能であり、また、オーバーライドも出来
る。記録に必要な磁場は２００℃において３００Ｇ程度
という比較的低磁場に出来る。しかし、情報の多値化が
回定であること、さらに各磁性体の間に磁気的な相互作
用があること、および、材料の酸化などによる情報の劣
化が生じ、寿命は約１０年であるといわれていることな
どが欠点である。

本発明の目的は、このような高温超伝導材料を磁性材料
による微粒子を形成し、微粒子のもつ磁気モーメントを
１Ａ境により制御できるようにした機能性微粒子を得る
ことにある。

また１本発明の目的は１次に示すような理想的な磁気記
録媒体等を得ることにある。すなわち。

本発明による磁気記録媒体は、基本的には、光磁気ディ
スクの手法を用いて記録再生するために。

オーバーライドも可能である。記録密度は、情報の多値
化が可能であるため、１桁以上の上昇が容易に行える。

さらに、超伝導体によるマイスナー効果のために各領域
の磁気モーメントは互いに相互作用することなく情報の
劣化も半永久的に生じない。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明による超伝導磁性微粒子を第１図を以って説明す
ると、中心に磁性体の層１．その外側に。

超伝導体のＷＪ３から成る構造をしている。この超伝導
磁性微粒子が好ましい物性をもつためには少し条件が必
要となる。まず、第１に、中心にある磁性体が有効な磁
気モーメントをもつためには。

単磁区構造であることが望まれる０代表的な磁区の幅が
１０００人であることを考えれば、磁性体の層１の直径
は１０００λ以下であることが必要となる。第２の条件
は、外側の超伝導体の層３が、マイスナー効果のために
、内部の磁場を完全にシールドすることである。例えば
、磁性体に鉄を用いた場合、磁性体表面での磁場の大き
さは２Ｔ（テスラ）程度となる。ところが、最近発見さ
れたＹ（イツトリウム）系超伝導体の場合は、下部臨弄
磁場はＨｃ１〜５００Ｇ　（ガウス）にすぎない。さら
に、微粒子にすることにより、バルクな場合と比較して
、マイスナー効果が弱くなる効果も存在する。これらの
問題点を解決するために。

磁場は距離の逆数の３乗で減衰するという効果を利用す
る。

例えば、磁性体の層１の直径が１００人であるとき、中
心から１０００人の球殻上ではであり、充分小さな磁場
となる。

そのため、磁性体の層ｌのまわりに、第２層として絶縁
体又は常伝導体の層２を備ける。この場合、９００人の
幅となる。

さらにその層の外側に超伝導体の層３を設ける。

この層は超伝導性を有し、完全なマイスナー効果を示す
必要がある。Ｙ系酸化物超伝導体の場合。

超伝導性を示すために必要なサイズであるコヒーレント
長ξは〜２０λである。また、超伝導体の表面から磁場
の侵入し得る深さを表す磁場侵入長δは、キャリアの密
度に依存するが、上記超伝導体の場合、〜１０００人と
見積もることが出来る。

微粒子にすることにより、侵入長が、バルクな場合より
大きくなる効果も考慮すれば、超伝導体の層３の厚さは
少なくとも侵入長（１０００λ）以上が必要となる。

Ｙ系酸化物超伝導体の場合、酸素の量に敏感に特性を変
えることが知られているが、そのために超伝導層の外側
に保護層４を備けることが好ましい。

保護層４として、は、非磁性、非超伝導である物質が望
まれ、例えばＡｇ等が好ましい。

本発明による磁気記録媒体は超伝導磁性微粒子を用いて
以下のようにして作製することができる。

まず、超伝導磁性微粒子を第１図に示す。図中１は磁性
層であり、直径数十λ〜１００ＯＡの大きさをもち、磁
気モーメントは磁化容易軸の方向を向いた単磁区構造を
とるものとする。例えば、鉄、パーマロイ、ニッケル、
コバルト。

Ｆｅ３０４　、　ＣｏＦｅ２０４　ｙ　ＮｉＦｅ２０４
　ｗＣｕＦｅ２０４．ＭｎＦｅ２Ｏ４，Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１
２（Ｙ　Ｉ　Ｇ　）　ｐ　Ｃｒ　Ｂ　ｒ　ｓ　ｅ　人ｕ
２ＭｎＡＱ。

Ｃｕ２ＭｎＩｎ、Ｃｕ２ＭｎＩｎ、ＭｎＡｓ、ＭｎＢ１
゜ＧｄＣＱ３などを用いる。２は絶縁体又は常伝導体層
であり１０〜１０００人の幅をもつ、３は超伝導層であ
り、マイスナー効果を示すために充分な厚さであるため
に、少なくとも磁場侵入長６〜１０００人の幅をもつも
のとする。材料は、Ｙ系酸化物超伝導体が好ましい。４
は保護層であり、３の超伝導性の劣化を防止するために
備ける。

このような構造をした超伝導磁性微粒子は次のような特
徴をもつ。

ａ　）　Ｔ　ｃ　＞”ｒでは単なる微粒子としてふるま
う。

ｂ）Ｔｃ＜Ｔでは外部に磁気モーメントが生じる。

ｃ）Ｔｃ＞Ｔの場合Ｈｃ　ｚ　＞Ｈ＞Ｈｃ　ｔ　（Ｔ）
であれば、内部の磁気モーメントが磁場Ｈの方向を向く
。しかし超伝導はくずれない。

主に上記のような性質を有する微粒子を用いて次に示す
過程により本発明の情報記録媒体を作製する。

１）第２図に示すように、非磁性体の基板に垂直に下部
臨界磁場Ｈｃ１〜５００Ｇより大きい磁場を印加し、そ
の中に一様に上記超伝導微粒子を沈着させる。

２）必要とあれば第３図のように、上部に保護層として
非磁性膜を蒸着する。

第１の発明の特徴は、磁化容易軸の方向に単磁区構造を
とる磁性体の層を超伝導体の層で包んだ構造をしている
超伝導磁性微粒子にある。

第２の発明の特徴は、基板上に少なくとも記録膜を積層
して成る記録媒体において、記録膜として磁化容易軸の
方向に単磁区構造をとる磁性体の層を超伝導体の層で包
んだ構造をしている超伝導磁性微粒子を基板上に積層さ
せた磁気記録媒体にある。

第３の発明の特徴は、磁化軸易軸の方向に単磁区構造を
とる磁性体の層を超伝導体の層で包んだ構造をしている
超伝導磁性微粒子を積層させた層間に磁場を設けた温度
センサーにある。

磁性体は、粒径１００〜ｔｏｏｏ人であることが望まし
い。

超伝導体の層の厚さは侵入長以上であることが望ましい
。

磁性体の層と超伝導体の層の間に磁性を持たない絶縁体
又は常伝導体から成る層を設けてもよい。

超伝導体の層の外側にさらに保護層を設けてもよい。

第４の発明の特徴は、磁化容易軸の方向に甲、Ｎ＆区構
造をとる磁性体の層を超伝導体の層で包んだ構造をして
いる超伝導磁性微粒子を積層させた層間に磁場を設け、
これに光を照射する手段を設けた温度センサーにある。

〔作用〕

本発明の超伝導磁性微粒子は、超伝導転移温度以下では
磁気モーメントを持たない単なる超伝導微粒子であり、
転移温度以下では磁性微粒子となる。すなわち、温度が
転移温度を横切り、上昇すると磁気的な秩序が現われる
。一種の逆エントロピーを持つため、さまざまな、興味
ある応用が期待出来る。

本発明の磁気記録媒体は、第１１図に示すとおり、磁性
体領域２４が超伝導領域２５により完全に覆われている
ことを特徴とする。超伝導領域２５は、あらかじめマイ
スナー効果を示すのに充分なだけの厚さをとっていたの
で、磁性体領域間は完全に磁気的にシールドされ、磁気
モーメント間の相互作用はない、また、超伝導領域間は
保護被膜２７により分離されているため、原子の拡散が
無く、例えば、各領域に異なった組成を有する超伝導体
を用いることにより、転移温度の異なる領域を分離する
ことが可能となっている。最上層の保護被膜２７は、酸
化防止、外的衝撃から守るなどの役割をしている。

本発明による磁気記録媒体への情報の書き込みおよび読
み出しの基本操作は以下のように行なう。

系全体の温度を超伝導転移温度より低いＴａに設定して
おく、記録する部分に１μｍ径のパルス的なレーザー光
を照射し、温度を局所的にＴＰとする。そこに磁場Ｈを
大きさＨａ　１　（Ｔｐ）＜Ｈ＜Ｈａ　１（Ｔａ）で系に垂直
に印加することにより磁気モーメントを磁場の方向にそ
ろえる。このときレーザー光を照射されていない部分は
Ｈ＜Ｈｃ　、（Ｔ　ａ　）であるため磁場の影響を受け
ない。

読み出しは、温度を超伝導転移温度以下に保ったまま、
低エネルギーのレーザー光を照射し、磁気モーメントと
の相互作用による偏光面の傾きを検出する光力−効果に
よる方法を用いて磁気モーメントの向きを検出する。

〔実施例〕

実施例１゜上記超伝導磁性微粒子を第１図に示す構造とすることに
より磁気モーメントを制御することができる。中心に磁
性層、その外側に非磁性かつ非超伝導層、その外側に超
伝導層、その外側に保護層の順に形成された微粒子は例
えば以下のようにして作製することができる。第２図は
、核となる微粒子のまわりに例えば、ＲＣＯＯＨ（Ｒ：
アルキル基）のような界面活性分子をアルコール中でま
ず吸着させた様子をあられしている。第１層の核に対し
て、第２層に例えば一般式％式％）使いたい場合、上記界面活性分子は、この物質Ａと親和
性のあるものを選んでおく０次に、アルコール中で、界
面活性剤が吸着した上述の微粒子と物質Ａの分子（酸化
物など）を必要なモル比で共存させれば、物質Ａは界面
活性剤を介して微粒子上に沈着する。これに水を加えて
からアルコールと水を取り除き、生成した微粒子を乾燥
する。さらにこれを５０℃〜２００℃の温度で減圧下ま
たは酸化性雰囲気中にてｌＯ〜２０時間程度加熱する。

界面活性分子は長さ１０〜２０λ程度であるので、今１
作製している微粒子（直径〜ｔ　ｏｏ。

人）に比較して無視出来る程度である１以上の過程をｎ
回繰り返して（ｎ＋１）層からなる微粒子を作製するこ
とが出来る。

尚、上記超伝導磁性微粒子を作成するに当たっては、上
記磁性体の層の表面に界面活性分子を設けることが望ま
しい。

実施例２．　磁場センサー第３図に示す構造のデバイスを作る０図中、７と９は電
極であり、８は本発明の超伝導磁性微粒子である０箱の
温度は、超伝導転移温度以下にあるものとする。

無磁場の場合、各微粒子は単なる超伝導微粒子であるで
箱の中に一様に分布する。この場合、電極７−９間は電
気的に切断されている。

電極方向に磁場を印加した場合、磁場の大きさが下部臨
界磁場よりもきくなれば各微粒子は磁場を感じるように
なり、エネルギーを最小とするように、第４図に示よう
に糸状に整列する。あらかじめ、微粒子の濃度を調整し
ておけば第４図に示すようにＷ１極７−９間が導通状態
となる。

磁場の方向が電極方向でなければ、いくら磁場を印加し
ても電極７−９間は電気的に切断されたままである。

上部臨界磁場は〜１００Ｔであり充分大きいので、超伝
導状態は破壊されたわけではなく、第４図の場合、電極
７−９間は超伝導的な接合となっていることを注意して
おく。

以上のことから本デバイスは、磁場の方向を感じる磁場
センサーとなる。

実施例３．　磁気流体温度センサー第５図は本発明による超伝導磁性微粒子をゾルの中に溶
かした流体（超伝導磁性流体）の一応用例を示している
６図中、１１と１２は磁極であり。

それぞれＮ極、Ｓ極である。１３は超伝導磁性流体を表
わしている。

まずはじめに、全系の温度が超伝導転移温度より高い場
合を考える。このとき、流体は磁性をもち磁性流体とな
っている。１１−１２間には、あらかじめ磁場が印加さ
れているが、磁性流体はエネルギーを最小とするため１
１−１２間に集まる性質をもっている。各磁性微粒子は
磁場の方向に磁気モーメントをそろえている。ここで、
レーザー光を照射するなどの方法を用いて１４の部分の
温度を１５より大きくする。その結果、熱エネルギーの
ために、１４付近の磁性微粒子は磁気モーメントの方向
を変化させ磁場と逆方向を向くものが生じる。この微粒
子は磁場のエネルギーを損するため、エネルギーを下げ
るように１４の位置から遠ざかる。以上の機構のため、
１４の圧力が小さくなる。すなわち１５−１４間に圧力
勾配が生じる。その結果、流体は１５から１４の方向に
流れる。

次に、系の温度が超伝導転移温度より低い場合を考える
。このとき、流体は単に、超伝導微粒子を含む流体であ
る。１１−１２間に印加された磁場の大きさをあらかじ
め下部臨界磁場よりも小さくとっておけば、この磁場は
流体に何の影響も及ぼさない。そこで、前の場合と同様
に１４の部分の温度を上昇させて超伝導転移温度よりも
大きくなるようにする。すると、超伝導が破壊されるた
め１４の部分に磁気モーメントを持った磁性微粒子が集
まる。しかしこの場合は左右の圧力勾配が等しいために
流体に流れは生じない。（第６図）以上をまとめると、
系の温度が転移温度よりも大きいと、流体に流れる力が
生じ、小さいと流れる力が消滅する。この原理を用いる
と、本デバイスは温度に対するセンサーとして機能する
。

超伝導体は酸素濃度を調節することにより転移温度を変
化させることが出来る。これより、上記デバイスは各温
度におけるセンサーとなり得る。

実施例４．　磁気記録媒体第７図に示すように、本発明による超伝導磁性微粒子を
磁場中で非磁性基板１６（円板）の上に積層せしめる。

磁場の強さを第１臨界磁場以上とすることにより微粒子
の磁性体は磁場を感じ、第７図の場合、磁化の方向が垂
直上向きにそろうようになる。このようにして作製され
た第８図に示される磁気ディスクを磁気記録媒体として
使うことができる。情報は磁化の上向き、下向きで識別
する。情報の書き込みは、普段、臨界温度Ｔｃ以下の温
度の中に置かれている基板に、レーザー光（スポット径
〜Ｉμｍ）を照射し、外部から磁場（上向き又は下向き
）を印加することにより行われる。情報の取り出しは、
単側光のレーザー光による光力−効果を利用する。すな
わち、読み書きの原理は、現在、光磁気ディスクに使わ
れているものと同じ方法を用いる。本、磁気ディスクの
特徴は、第８図に示されるように各磁性体領域がまわり
から完全に超伝導体に覆われている構造のため、磁化さ
れた領域は、外部からの磁場の摂動を受けることがない
点にある。もう一つの特徴はレーザー光照射による温度
上昇を小さくすることができるため、レーザー光のエネ
ルギー、さらに書き込みの際の磁場の大きさが双方とも
光磁気ディスクの場合より小さくて良いという点にある
。

実施例５゜光量変化による温度センサー（超伝導磁性流体）まず、
臨界温度ＴＣ以上の場合を考える。このとき、超伝導磁
性微粒子は単なる磁性微粒子である。これにより作られ
る磁性流体は、その磁性体部が導電性を示すために、そ
の形状に依存したレイリー散乱を示す１例えば、磁場を
印加した場合。

微粒子クラスターの形状は磁場の方向に伸び形状に異方
性があられれる。そこに光を照射すると、散乱に異方性
が生じ、磁場の方向に偏光した光はよく散乱され、垂直
な方向に偏光した光はその散乱は押さえられる。この２
方向に於ける散乱の割合は約２：１である。

次に、臨界温度以下の場合を考える。このとき内部磁場
は超伝導体で完全にシールドされているから超伝導磁性
微粒子は単なる超伝導微粒子である。ゆえに、磁場を印
加しても、微粒子の形状は変化しない。偏光にも依存す
ることなく等方的な散乱を示す。

以上の性質を利用すれば、光量変化による温度センサー
を第９図のようにして構成することが出来る。

光源は、単個光レーザー光、又は、偏光板を通して嘔偏
光にしたものを用いる。磁場は、偏光と同じ方向に印加
する。出力光は、第１０図に示すように、温度に対して
図のように変化する。この光量の変化を読み取り、温度
センサーとすることが出来る。

実施例６゜超伝導磁性微粒子に対する公知例に従い、界面活性剤を
用いて作製する。磁性体として、磁性体２９、磁性体３
１．２種類を考える。磁気モーメントは２９よりも３１
が大きいものとする。例えば２９として鉄、３１として
コバルトとする。これらの物質の保磁力は直径５０λに
対して、それぞれ２００Ｇ、４００Ｇ程度である。これ
らの磁性体を覆う超伝導体は、やはり２種類考え、磁性
体２９を覆う超伝導体３０の転移温度より磁性体３１を
覆う超伝導体３２の転移温度を高く設定する。これは、
例えばＹ系酸化物超伝導体の場合、酸素の組成比を変え
ることで可能である。

このようにして作製された２種類の超伝導磁性微粒子を
用い上記の方法で第１１図に示されたような磁気記録媒
体を作る。

２種類の超伝導磁性微粒子を等量用意し、これらを基板
に垂直に下向きに下部臨界磁場Ｈｃ１〜５００Ｇより大
きな磁場を印加−しながら非磁性の基板上に沈着させる
。

必要とあれば、樹脂などから成る保護膜を上部に塗布す
る。

作製された情報記録媒体は、第１１図に示す構造をして
いるが、局部的には第１２図のようになっている。各超
伝導体３０．３２の超伝導転移温度をＴＡ、ＴＢとする
。（ＴＡ＜ＴＢ）。系の温度をＴｄくＴＡとすることに
より、各磁気モーメントが下向きにそろって初期化され
た情報記録媒体を得る。

情報の書き込みは次のようにして行なう。パルス的なレ
ーザー光（径１μｍ弱）を照射することにより、゛その
領域の温度Ｔｗを調整できるが、この操作と、基板に垂
直に上向きの磁場ＨＷ（Ｈｗ＜Ｈｃ’ｚ　Ａ　（Ｔｗ）
Ｏｒ　Ｈａ　２Ｒ（Ｔｗ））を印加することを同時に行
なう。このようにすることにより゛、１　）　Ｔ　Ａ　＜’Ｔ　ｗ　＜　Ｔ　Ｂのとき、磁性
体Ａは磁場を感じ、上を向く磁性体Ｂは変化なく、下向き２　）　Ｔ　Ａ　＜　Ｔ　Ｂ＜　Ｔ　ｗのとき磁性体Ａ
、Ｂとも磁場を感じ上を向く。

３）ＴＷ＜ＴＡ＜Ｔｅのとき磁性体Ａ、Ｂとも磁場を感じることなく下を向いている
。

このようにして１つのスポットに３つの状態を記録でき
る。

また、再生は次のようにして行う。

温度は超伝導転移温度以下としておく。光磁気ディスク
の場合と同様に光力−効果を利用する。

情報を得たい部分に１例えば波長８２００λの単個光の
レーザー光を照射し、その散乱光の偏光角度の変化を見
る。偏光をみるアナライザーの分解能は現状で０．ピ弱
である。上記の３つの場合の記録に対して、それぞれ第
１３図、第１４図。

第１５図に示すスペクトルを得る。このようにして、３
つの情報を区別して検出することができる。

勿論、状態第１４図と第１５図を区別して２値メモリと
してこの系を用いることができることば言うまでもない
。

〔発明の効果〕

本発明による超伝導磁性超微粒子は、微粒子のもつ磁気
モーメントを制御出来る効果がある。とくに、超伝導転
移温度以下では磁気モーメントを持たない単なる超伝導
微粒子であり、転移温度以上では磁性微粒子となる。す
なわち、温度が上昇し転移温度を越えると、それまでの
無秩序な系から磁気的な秩序を持った系となり、さらに
温度が上昇すれば、また無秩序な系になるといったよう
な温度特性を有し、負性エントロピーを示すという特徴
がある。

また、超伝導磁性微粒子の磁化曲線はヒステリシスを示
さない特徴をもつ。

本発明による磁気記録媒体は、超伝導磁性微粒子を用い
るため作製が容易である。

また、記録密度は従来の光磁気ディスクの場合と同程度
であるが、１つのスポットに２値を越える情報を与える
ことが出来るので、実効的な記録密度は格段に大きくで
きる。例えば、ｎ種類の超伝導磁性微粒子を用いる場合
、１つのスポットは（ｎ＋１）値を持つことができるの
で、記録密度はＱｏｇ　（ｎ＋１）／（ｌｏｇ２　（倍
）となる。

また、各磁性体は超伝導体により全体的に覆われている
ため、各磁性体領域間の磁気的な相互作用が起こらず、
情報の劣化はない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の超伝導磁性微粒子の構造を示した断面
図、第２図は製造過程の一例を示した断面図、第３図は
実施例２の無磁場の場合の模式図、第４図は磁場が印加
された場合の模式図、第５図は実施例３の温度が転移温
度以上の場合の模式図、第６図は転移温度以下の場合の
模式図、第７図は非磁性基板上に本発明の超伝導磁性微
粒子が積層していく過程を表現した図、第８図は本発明
の磁気記録媒体の断面図、第９図は光量による温度セン
サー装置の概略図、第１０図は温度−光量曲線図、第１
１図は本発明の超伝導磁気記録機の断面図、第１２図は
２種類の超伝導磁性微粒子から成る磁気記録媒体の部分
断面図、第１３図ないし第１５図は実施例６の場合分け
１）ないし３）の各々の場合の光力−効果による偏光面
のスペクトルを表わす線図である。ｌ・・・磁性体の層、２・・・絶縁体又は常伝導体の層
、３・・・超伝導体の層、４・・・保護層、５・・・核
、６・・・界面活性分子、７・・・電極、８・・・超伝
導磁性微粒子、９・・・７と反対の極の電極、１０・・
・磁場、ｌｌ・・・Ｎ極、１２・・・Ｓ極、１３・・・
超伝導磁性流体。１４・・・管中（右側）、１５・・・管中（左側）。１６・・・非磁性基板、１７・・・磁性体、１８・・・
光源、１９・・・偏光板、２１・・・超伝導磁性流体、
２３・・・光量計、２４・・・磁性体領域、２５・・・
超伝導領域、２８・・・保護領域。第７図第２同第４目第夕目第を目／ざ３ら　ノρ止り＝Ａ及第７２目、、、／Ｔ／。第７３国第７４図

Claims

【特許請求の範囲】

１．磁化容易軸の方向に単磁区構造をとる磁性体の層を
超伝導体の層で包んだ構造をしていることを特徴とする
超伝導磁性微粒子。
２．磁性体は、粒径１００〜１０００Åであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の超伝導磁性微粒子
。
３．超伝導体の層の厚さが侵入長以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の超伝導
磁性微粒子。
４．磁性体の層と超伝導体の層の間に磁性を持たない絶
縁体又は常伝導体から成る層を設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の超伝
導磁性微粒子。
５．超伝導体の層の外側にさらに保護層を設けたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに
記載の超伝導磁性微粒子。
６．基板上に少なくとも記録膜を積層して成る記録媒体
において、記録膜として磁化容易軸の方向に単磁区構造
をとる磁性体の層を超伝導体の層で包んだ構造をしてい
る超伝導磁性微粒子を基板上に積層させたことを特徴と
する磁気記録媒体。
７．磁性体は、粒径１００〜１０００Åであることを特
徴とする特許請求の範囲第６項記載の磁気記録媒体。
８．超伝導体の層の厚さが侵入長以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第６項または第７項記載の磁気記
録媒体。
９．磁性体の周と超伝導体の層の間に磁性を持たない絶
縁体又は常伝導体から成る層を設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第６項〜第８項のいずれかに記載の磁気
記録媒体。
１０．超伝導体の層の外側にさらに保護層を設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第６項〜第９項のいずれか
に記載の磁気記録媒体。
１１．磁化容易軸の方向に単磁区構造をとる磁性体の層
を超伝導体の層で包んだ構造をしている超伝導磁性微粒
子を積層させた層間に磁場を設けたことを特徴とする温
度センサー。
１２．磁性体は、粒径１００〜１０００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１１項記載の温度センサー
。
１３．超伝導体の層の厚さが侵入長以上であることを特
徴とする特許請求の範囲第１１項または第１２項記載の
温度センサー。
１４．磁性体の層と超伝導体の層の間に磁性を持たない
絶縁体又は常伝導体から成る層を設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１１項〜第１３項のいずれかに記載
の温度センサー。
１５．超伝導体の層の外側にさらに保護層を設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１１項〜第１４項のいず
れかに記載の温度センサー。
１６．磁化容易軸の方向に単磁区構造をとる磁性体の層
を超伝導体の層で包んだ構造をしている超伝導磁性微粒
子を積層させた層間に磁場を設け、これに光を照射する
手段を設けたことを特徴とする温度センサー。