JPH01132183A - Magnetic proximity switch device - Google Patents

Magnetic proximity switch device

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JPH01132183A
JPH01132183A JP62290879A JP29087987A JPH01132183A JP H01132183 A JPH01132183 A JP H01132183A JP 62290879 A JP62290879 A JP 62290879A JP 29087987 A JP29087987 A JP 29087987A JP H01132183 A JPH01132183 A JP H01132183A
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magnetic
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straight line
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強磁性体磁気抵抗素子を用いた磁気近接スイ
ッチ装置に関するもので、さらに詳言すれば、検出能力
が優れかつ充分に小型化が可能である近接スイッチを安
価に得ることができるよう番こすることを目的とするも
のである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetic proximity switch device using a ferromagnetic magnetoresistive element. The purpose of this invention is to provide a proximity switch that can be used at a low cost.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

位置出し装置とか検出装置の主要部として利用されてい
る近接スイッチ装置としては、リードスイッチ型、高周
波発振型、静電容量型、そして光スイツチ型等がある。
Proximity switch devices used as main parts of positioning devices and detection devices include reed switch types, high frequency oscillation types, capacitance types, and optical switch types.

リードスイッチ型のものは、構造が簡単であると共に安
価であると云う利点を持っており、高周波発振型のもの
は、あらゆる金属体を極めて高い精度で検出することが
できると共に検出動作が安定していると云う利点を持っ
ており、静電容量型のものは、金属に限らずあらゆる物
体を検出することができると云う利点を持っており、そ
して光スイツチ型のものは、比較的大きな検出距離範囲
を得ることができると共に被検出物までの距離を正確に
検出することができると云う利点を持っている。
The reed switch type has the advantage of having a simple structure and low cost, while the high frequency oscillation type can detect all metal objects with extremely high accuracy and has stable detection operation. The capacitive type has the advantage of being able to detect all kinds of objects, not just metals, and the optical switch type has the advantage of being able to detect relatively large objects. This method has the advantage of being able to obtain a range of distances and accurately detecting the distance to the object to be detected.

(発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記した従来の近接スイッチ装置には、
それぞれに基本動作上の、または使用機能上の、そして
実用上の不都合を持っている。
(Problems to be Solved by the Invention) However, the above-mentioned conventional proximity switch device has
Each has its own disadvantages in terms of basic operation, functionality, and practical use.

すなわち、リードスイッチ型のものは、リードスイッチ
そのものが有接点構造体であるため、外部から作用する
振動とか衝撃に弱く、時としてチャタリングを起こすこ
とがあり、常に安定したそして正確な検出動作を得るこ
とができるとは限らないと云う不都合があった。
In other words, since the reed switch type is a contact structure, it is susceptible to external vibrations and shocks, and chattering may occur at times, ensuring stable and accurate detection operation at all times. The disadvantage was that it was not always possible to do so.

また、高周波発振型のものは、その検出動作の安定性お
よび正確性により、現在量も多数使用されているのであ
るが、高価であると共に小型化に限界があると云う不満
がある。
Further, high-frequency oscillation type devices are currently used in large numbers due to the stability and accuracy of their detection operation, but there are complaints that they are expensive and that there is a limit to miniaturization.

さらに、静電容量型のものは、スイッチ装置を構成する
ための必要構成部品数が多く、このため近接スイッチ装
置とはかなり大型とならざるを得ないと共に、かなり高
価なものとなると云う不都合がある。
Furthermore, the capacitive type requires a large number of components to configure the switch device, and therefore has the disadvantage of being considerably larger and more expensive than a proximity switch device. be.

そして、光スイツチ型のものは、ホコリ等の汚れの付着
による検出動作不能と云う動作機能上の致命的な欠点を
持っていると共に、装置全体が大型となり、価格も高い
と云う欠点を持っている。
The optical switch type has a fatal drawback in terms of its operational function: detection cannot be performed due to adhesion of dust and other contaminants, and the device as a whole is large and expensive. There is.

そこで、本発明は、上記した従来の近接スイッチ装置の
内、最も多数使用されている高周波発振型のものを対象
として、この高周波発振型近接スイッチ装置と同等の性
能を有し、かつ高周波発振型近接スイッチ装置よりもは
るかに安価で小型化が可能である近接スイッチ装置を提
供すべ(、安価に入手可能であると共に極めて小型であ
る強磁性体磁気抵抗素子を使用して近接スイッチ装置を
構成することをその技術的課題とする。
Therefore, the present invention targets the high-frequency oscillation type, which is the most widely used type of the conventional proximity switch device described above, and has the same performance as the high-frequency oscillation type proximity switch device and a high-frequency oscillation type proximity switch device. To provide a proximity switch device that is much cheaper and can be made smaller than a proximity switch device This is the technical issue.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

以下、本発明を、本発明の一実施例を示す図面を参照し
ながら説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to drawings showing one embodiment of the present invention.

本発明の手段は、 リング形状をし、端面に磁極を位置させた第1および第
2の永久磁石2.3を、非磁性材料製のスペーサ4を介
して同軸状にかつ異なる磁極を対向させて配置した磁石
体lを有すること、この磁石体1に対し、磁石体1の中
心軸である直線Kに沿って相対変位可能に組付けられた
強磁性体磁気抵抗素子体(以下、簡単のため単にMRR
子体と記す)6を有すること、 このMR素素子体色、両磁極を結ぶ直線が直線Kに直交
する姿勢で一体的に組付けられたバイアス磁石5を有す
ること、 MR素素子体色出力端子が接続される比較器7を有する
こと、 そして磁石体1とMR素素子体色バイアス磁石5との組
合せ物に対して接近離反移動可能に設けた磁性材料製の
検出体9を有すること、 にある。
The means of the present invention includes first and second permanent magnets 2.3 having a ring shape and having magnetic poles located on the end faces, coaxially with different magnetic poles facing each other via a spacer 4 made of a non-magnetic material. A ferromagnetic magnetoresistance element (hereinafter simply referred to as MRR
This MR element body color has a bias magnet 5 integrally assembled in a posture in which a straight line connecting both magnetic poles is orthogonal to the straight line K. MR element body color output It has a comparator 7 to which the terminal is connected, and it has a detection body 9 made of a magnetic material that is movable toward and away from the combination of the magnet body 1 and the MR element body color bias magnet 5. It is in.

磁石体1に対してMR素素子体色変位可能に設けたのは
、この磁石体1に対するM、R素子体6の変位により、
磁石体1からMR素素子体色作用する磁束の作用形態を
変化させ、この磁束の作用形態の変化に従ってMR素素
子体色出力、すなわち抵抗値を変化させるためであるか
ら、MR素素子体色磁石体lに対する組付は姿勢は、そ
の両表面を直線Kに沿わせたものとなる。
The reason why the MR element body color is displaceable with respect to the magnet body 1 is because of the displacement of the M and R element bodies 6 with respect to the magnet body 1.
The purpose is to change the mode of action of the magnetic flux acting on the MR element body from the magnet 1, and change the MR element body color output, that is, the resistance value, in accordance with the change in the mode of action of this magnetic flux. When assembled to the magnet l, the orientation is such that both surfaces thereof are aligned along the straight line K.

〔作用〕[Effect]

磁石体1に対してMR素素子体色直線に上に位置するこ
と、および第1および第2の永久磁石2と3は、同軸芯
状に配置されたリング形状をしていると共に異なる磁極
を対向位置させていることとにより、第3図に示すよう
に、MR素素子体色直線に上の特定される箇所に位置さ
せると、直線Kに沿った両永久磁石2.3からの磁力の
作用が正負均等(第3図(b)参照)となり、実質的に
MR素素子体色は直線Kに沿って両永久磁石2.3から
磁力が作用していない状態となる。
The MR element body color is located above the magnet body 1, and the first and second permanent magnets 2 and 3 have ring shapes arranged coaxially and have different magnetic poles. As shown in FIG. 3, when the MR element is positioned at a specified location above the color straight line, the magnetic force from both permanent magnets 2.3 along the straight line K is reduced. The positive and negative effects are equal (see FIG. 3(b)), and the MR element body color is substantially in a state where no magnetic force is applied from both permanent magnets 2.3 along the straight line K.

この状態、すなわちMR素素子体色磁石体1からの磁力
が実質的に作用していない状態から、第4図に示すよう
に、この磁石体1とMR素素子体色の組合せ物の近傍に
磁性体である検出体9が位置すると、磁石体1からの磁
束の一部がこの検出体9側に引かれて、磁石体1からM
R素素子体色作用していた磁束の作用分布が変化し、直
線Kに沿った正負何れかの方向への磁力の作用量が増大
し、この磁力の作用量の増大によりMR素素子体止出力
電圧が増減変化(第4図(b)を参照)する。すなわち
、磁石体lとMR素素子体止の組合せ物に対して、検出
体9が遠方から接近するに従って、MR素素子体止出力
は減少し、MR素素子体止検出体9との距離りが零とな
ったところでMR素素子体止出力が最小となる、第5図
の特性曲線Sで示されるような動作特性を描く。このM
R素素子体止出力電圧の増減変化を検出することにより
、検出体9が接近したことを検出できることになる。
From this state, that is, the state in which the magnetic force from the MR element color magnet body 1 is not substantially acting, as shown in FIG. When the detection body 9, which is a magnetic body, is located, a part of the magnetic flux from the magnet body 1 is drawn toward the detection body 9, and the magnetic flux from the magnet body 1 is drawn to the detection body 9 side.
The distribution of the magnetic flux that was acting on the R element body changes, and the amount of magnetic force acting in either the positive or negative direction along the straight line K increases, and this increase in the amount of magnetic force causes the MR element body to stop. The output voltage increases or decreases (see FIG. 4(b)). In other words, as the detection object 9 approaches the combination of the magnet l and the MR element holder from a distance, the MR element holder force decreases, and the distance between the MR element holder and the detection object 9 decreases. The operating characteristic is drawn as shown by the characteristic curve S in FIG. 5, in which the MR element body output becomes minimum when the value becomes zero. This M
By detecting increases and decreases in the R element output voltage, it is possible to detect that the detection object 9 has approached.

また、この検出動作とは別に、MR素素子体止対する磁
石体Iの相対移動変位に伴うMR素素子体止出力特性は
、MR素素子体止表面沿って位置すると仮想されるy軸
(MR素素子体止作用する磁力の内、このy軸に沿った
方向の磁力が増大するとMR素素子体止出力値は減少す
る)に直線Kを一致させ、このy軸すなわち直6IKに
沿って磁石体1とMR素素子体止を相対移動させると、
第6図(b)のT”曲線のようになる。すなわち、MR
素素子体止対する印加電圧を、y軸方向への磁力が増大
することにより出力が減少し、X軸方向への磁力が増大
すると出力が増大するように印加しておくと、両永久磁
石2.3からのy軸に沿って作用する磁力が正負方向に
等しくなる、磁石体1の中心O”とMR素素子体止中心
Oとが距離Δ!たけ変位した位置で最大出力値となり、
この位置からのy軸、すなわち直&91 Kに沿った変
位が大きくなるほどMR素素子体止出力電圧値は減少す
る出力特性を描く。
In addition, apart from this detection operation, the MR element body stopping force characteristic accompanying the relative movement displacement of the magnet I against the MR element body stopping surface is determined along the y-axis (MR Among the magnetic forces acting on the element body, if the magnetic force in the direction along the y-axis increases, the MR element body stopping force value decreases. When the body 1 and the MR element body holder are moved relative to each other,
It will look like the T'' curve in Figure 6(b). That is, MR
If the voltage applied to the element body stop is applied so that the output decreases as the magnetic force in the y-axis direction increases, and the output increases as the magnetic force increases in the x-axis direction, both permanent magnets 2 The maximum output value is reached at a position where the center O'' of the magnet body 1 and the center O of the MR element body are displaced by a distance Δ!, where the magnetic force acting along the y-axis from .3 becomes equal in the positive and negative directions.
An output characteristic is drawn in which the larger the displacement from this position along the y-axis, that is, along the +91K direction, the smaller the MR element end voltage value.

この変位量lの変化によるMR素素子体止出力値の変化
と、前記した磁石体1とMR素素子体止の組合せ物に対
する検出体9の接近雛反による距離りの変化によるMR
素素子体止出力値の変化とは全く等しい(第5図と第6
図(b)とでは、出力電圧の極性を逆にしている)ので
、予め変位量lを設定してMR素素子体止出力値を一定
値に設定し、この状態から検出体9の接近によるMR素
素子体止出力の低下を知ることにより、検出体9の検出
を達成できることになる。
MR due to a change in the MR element body stop force value due to a change in the amount of displacement l, and a change in distance due to the approach and reversal of the detection body 9 to the combination of the magnet body 1 and the MR element body stop described above.
The change in the element end output value is exactly the same (Figures 5 and 6).
(The polarity of the output voltage is reversed in Fig. By knowing the decrease in the stopping power of the MR element, detection of the detection object 9 can be achieved.

しかしながら、第3図に示した、磁石体1とMR素素子
体止の組合せだけでは、MR素素子体止X軸方向への磁
力作用させることができず、このためMR素素子体止最
大出力値を零(V)以上とすることができないため、M
R素素子体止出力電圧値の増減変化を比較器7で検出す
ることができないのであるが、MR素素子体止は予めバ
イアス磁石5が一体的に組付けられており、このバイア
ス磁石5によりMR素素子体止対してX軸方向の一定の
磁力が常に作用しているので、MR素素子体止y軸に沿
って作用する磁力が実質的に零となっている状態では、
第6図(b)のT曲線で示すように、バイアス磁石5か
らの作用磁力による出力値VBを出力することになる。
However, the combination of the magnet body 1 and the MR element body stop shown in FIG. 3 alone cannot cause the magnetic force to act in the MR element body stop X-axis direction, and therefore the MR element body stop maximum output Since the value cannot be greater than zero (V), M
Although the comparator 7 cannot detect increases or decreases in the output voltage value of the R element element, the bias magnet 5 is integrally assembled in the MR element body in advance. Since a constant magnetic force in the X-axis direction always acts on the MR element body stop, when the magnetic force acting along the y-axis on the MR element body stop is substantially zero,
As shown by the T curve in FIG. 6(b), an output value VB is output due to the acting magnetic force from the bias magnet 5.

それゆえ、変位量lを設定固定することによりMR素素
子体止出力値v6を予め設定すると共に、このMR素素
子体止接続された比較器7のしきい値v7を、この出力
値v6よりも小さい値に設定しておくことにより、この
状態から、磁石体1とMR素素子体止の組合せ物に対し
て検出体9を接近させると、前記した説明のように、M
R素素子体止対する磁石体1からのy軸方向に沿った磁
束の作用量が増大し、もってMR素素子体止出力値が出
力値v6から低下し始める。検出体9が成る一定の接近
距離まで接近すると、MR素素子体止出力値が比較器7
のしきい値v7よりも小さくなり、このため比較器7は
その出力のレベルを変化させ、この比較器7の出力レベ
ルの変化により検出体9の接近を検知することになる。
Therefore, by setting and fixing the displacement amount l, the MR element body output value v6 is set in advance, and the threshold value v7 of the comparator 7 connected to this MR element body is set from this output value v6. By setting M to a small value, when the detection object 9 approaches the combination of the magnet body 1 and the MR element body stop from this state, the M
The amount of action of the magnetic flux along the y-axis direction from the magnet 1 on the R element body increases, and the MR element body stop output value begins to decrease from the output value v6. When the detecting object 9 approaches a certain distance, the output value of the MR element is detected by the comparator 7.
Therefore, the comparator 7 changes its output level, and the approach of the detection object 9 is detected by this change in the output level of the comparator 7.

このように本発明装置による検出体9の検出動作は、一
定値に設定された比較器7のしきい値v7に対する検出
体9によるMR素素子体止出力値の変化によって達成さ
れるものであり、検出体9によるMR素素子体止出力値
の変化は、検出体9の変位に従って一定の線形に沿って
変化するものであるので、予め設定されるしきい値v7
と出力値v6と差を適当に設定変更することにより、検
出すべき検出体9の位置、すなわち検出距離りを自由に
設定変更できることになる。
As described above, the detection operation of the detection object 9 by the apparatus of the present invention is achieved by changing the output value of the MR element body of the detection object 9 with respect to the threshold value v7 of the comparator 7 set to a constant value. , since the change in the MR element body output value due to the detection body 9 changes along a certain linear line according to the displacement of the detection body 9, the preset threshold value v7
By appropriately setting and changing the difference between the output value v6 and the output value v6, the position of the detection object 9 to be detected, that is, the detection distance can be freely changed.

また、極めて小さいMR素子体6および比較器7と、小
型化が充分可能である磁石体1と、そしてバイアス磁石
5とにより構成されるので、全体を極めて小型にするこ
とができると共に、構成部品点数が少ないので組立製造
が容易であり、かつ各構成部品の何れもが安価なもので
あるので、装置全体を安価に製作することかできる。
In addition, since it is composed of an extremely small MR element body 6 and a comparator 7, a magnet body 1 that can be sufficiently miniaturized, and a bias magnet 5, the whole can be made extremely compact, and the components Since the number of parts is small, it is easy to assemble and manufacture, and since each component is inexpensive, the entire device can be manufactured at low cost.

〔実施例〕〔Example〕

第1図および第2回図示実施例の場合、磁石体1は、第
1の永久磁石2に対して第2の永久磁石3を磁力の大き
いものとし、もってMR素子体6に作用するy軸に沿っ
た正負方向の磁力の作用量が等しくなる直線Kに沿った
位置が第1の永久磁石2に大きく偏るようにしている。
In the case of the embodiment shown in FIG. 1 and the second example, the magnet body 1 has a second permanent magnet 3 having a larger magnetic force than the first permanent magnet 2, and thus acts on the MR element body 6 on the y-axis. The position along the straight line K where the amount of action of the magnetic force in the positive and negative directions along the line K becomes equal is largely biased towards the first permanent magnet 2.

また、MR素子体6の電源8に対する接続は、MR素子
体6に外部磁力が作用していない状態における出力値、
すなわち不平衡電圧が0〔v〕となるように設定されて
いる。このように、MR素子体6の不平衡電圧を0〔v
〕を設定することにより、バイアス磁石5による出力電
圧値VBの設定が容易となると共に正確に設定できる。
Furthermore, the connection of the MR element body 6 to the power supply 8 is such that the output value in a state where no external magnetic force is acting on the MR element body 6,
That is, the unbalanced voltage is set to be 0 [v]. In this way, the unbalanced voltage of the MR element body 6 is reduced to 0 [v
] By setting the output voltage value VB of the bias magnet 5, the output voltage value VB can be set easily and accurately.

第6図に示した実施例において、比較器7のしきい値v
7は0〔■〕に設定されているので、磁石体1に対する
MR素子体6の直線Kに沿った位置設定は、この位置設
定によるMR素子体6の出力値v6が出力値VBよりも
小さいが、しきい値v7よりも大きい値となるように達
成される。
In the embodiment shown in FIG. 6, the threshold value v of the comparator 7
7 is set to 0 [■], the position setting of the MR element body 6 along the straight line K with respect to the magnet body 1 is such that the output value v6 of the MR element body 6 due to this position setting is smaller than the output value VB. is achieved such that the value is greater than the threshold value v7.

このMR素子体6の出力値v6の設定に際して、磁石体
lに対するMR素子体6の変位位置を、第6図(b)の
点a付近に設定すると、検出体9のわずかな影響により
MR素子体6の出力値がしきい値v7よりも低い値とな
るので、距離りが大きい状態で検出体9を検出すること
ができ、反対に特性曲線Tの頂点付近に対応する点す付
近に設定すると、検出体9の磁気的影響が大きくないと
MR素子体6の出力値をしきい値v7よりも低い値にす
ることができないので、検出体9がMR素子体6に充分
に接近しなければ、すなわち距離りが小さくならなけれ
ば検出体9を検出することができないので、検出範囲を
小さくすることができる。
When setting the output value v6 of the MR element body 6, if the displacement position of the MR element body 6 with respect to the magnet l is set near point a in FIG. 6(b), the MR element Since the output value of the object 6 is lower than the threshold value v7, the object 9 can be detected at a large distance. Then, unless the magnetic influence of the detecting body 9 is large, the output value of the MR element body 6 cannot be made lower than the threshold value v7, so the detecting body 9 must be sufficiently close to the MR element body 6. In other words, since the detection object 9 cannot be detected unless the distance becomes small, the detection range can be made small.

例えば、磁石体2を内径4胴、外径7mm、厚さ1胴の
リング形状体で、表面磁力が100ガウスとし、磁石体
3を内径4 m+n、外径7mm、厚さ3.5mmのリ
ング形状体で、表面磁力が400ガウスとし、バイアス
磁石5を両磁極を結ぶ直線に沿った方向の幅および奥行
き幅を2.5mm、厚さ幅を1 mmの直方体状で、表
面磁力が100ガウスとし、比較器7のしきい値v7を
OmVに設定した状態で、変位INと検出距離との関係
は、変位量lが1.5Mで検出距離が3 mm、変位1
ffiが1.7 mmで検出距離が3.5mm、変位量
!が1.8Mで検出距離が4Mとなり、精度の高い検出
能力を得ることができた。
For example, the magnet 2 is a ring-shaped body with an inner diameter of 4, an outer diameter of 7 mm, and a thickness of 1 with a surface magnetic force of 100 Gauss, and the magnet 3 is a ring with an inner diameter of 4 m+n, an outer diameter of 7 mm, and a thickness of 3.5 mm. The bias magnet 5 has a rectangular parallelepiped shape with a width and depth of 2.5 mm along the straight line connecting both magnetic poles, a thickness of 1 mm, and a surface magnetic force of 100 Gauss. With the threshold value v7 of the comparator 7 set to OmV, the relationship between displacement IN and detection distance is as follows: displacement l is 1.5M, detection distance is 3 mm, displacement 1
ffi is 1.7 mm, detection distance is 3.5 mm, and displacement! was 1.8M and the detection distance was 4M, achieving highly accurate detection capability.

[発明の効果] 以上の説明から明らかなごとく、本発明は、接近する検
出体の正確で確実な検出動作機能を充分に発揮すること
ができ、また装置全体を極めて小型にすることができる
と共に、極めて安価に製造することができ、さらに検出
体の検出したい距離を容易にかつ広範囲にそして正確に
設定できる等多くの優れた効果を発揮するものである。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description, the present invention can fully exhibit the accurate and reliable detection function of an approaching detection object, and can make the entire device extremely compact. , can be manufactured at extremely low cost, and also exhibits many excellent effects such as being able to easily and accurately set the distance at which the object to be detected is to be detected over a wide range.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明装置の一実施例の構成を示す電気結線
要領をも示した断面図である。 第2図は、磁石体とMR素子体とバイアス磁石との組合
せ物の構成の基本例を示すもので、第2図(a)は正面
図、第2図(b)は側面図、第2図(C)は側断面図で
ある。 第3図(a)は、磁石体のMR素子体に対する磁力の作
用形態を示す説明図、第3図(b)はMR素子体に作用
する磁力の方向と大小関係を示す説明図である。 第4図(a)は、磁石体のMR素子体に対する磁力の作
用に対する検出体の影響を説明するための説明図、第4
図(b)はMR素子体に作用する磁力の方向と大小関係
を示す説明図である。 第5図は、第4図に示した検出体によるMR素子体に対
する磁力の作用形態の変化特性を示す特性線図である。 第6図は、第1図に示した実施例の動作特性を説明する
ためのもので、第6図(a)は磁石体に対するMR素子
体の変位形態を示す説明図、第6図(b)は検出動作特
性を示す説明図である。 符号の説明 1;磁石体、2;第1の永久磁石、3;第2の永久磁石
、4;スペーサ、5;バイアス磁石、6;強磁性体磁気
抵抗素子体(MR素子体)、7;比較器、8;電源、K
;直線、l;変位量、L;距離、■6;出力値、VB、
出力値、■7;しきい値、0.0゛ ;中心。 出願人  株式会社 日本オートメーション2タレン勿 1−・−石噛Uシイ1   2−−一調51のl違1λ
ジ 3−・−舅;2の、不文74−一−ス、べ・−・フ
・   5−−−ノぐイアス不畝石6−s叶p不 7−
儲枝各 8−・型理(C) ;チシ、傅 アシ4勿 曹 ンy−−メξイ」L、1戸
FIG. 1 is a sectional view showing the configuration of an embodiment of the device of the present invention and also showing the electrical connection procedure. Figure 2 shows a basic example of the configuration of a combination of a magnet body, an MR element body, and a bias magnet. Figure 2 (a) is a front view, Figure 2 (b) is a side view, and Figure (C) is a side sectional view. FIG. 3(a) is an explanatory diagram showing how the magnetic force of the magnet body acts on the MR element body, and FIG. 3(b) is an explanatory diagram showing the direction and magnitude relationship of the magnetic force acting on the MR element body. FIG. 4(a) is an explanatory diagram for explaining the influence of the detection body on the action of the magnetic force of the magnet body on the MR element body;
Figure (b) is an explanatory diagram showing the direction and magnitude relationship of the magnetic force acting on the MR element body. FIG. 5 is a characteristic diagram showing a change in the form of action of the magnetic force on the MR element body by the detecting body shown in FIG. 4. 6 is for explaining the operating characteristics of the embodiment shown in FIG. 1, FIG. 6(a) is an explanatory diagram showing the displacement form of the MR element body with respect to the magnet body, ) is an explanatory diagram showing detection operation characteristics. Explanation of symbols 1; magnet body, 2; first permanent magnet, 3; second permanent magnet, 4; spacer, 5; bias magnet, 6; ferromagnetic magnetoresistive element body (MR element body), 7; Comparator, 8; power supply, K
; Straight line, l; Displacement, L; Distance, ■6; Output value, VB,
Output value, ■7; Threshold, 0.0゛; Center. Applicant: Nippon Automation Co., Ltd. 2 Talen Maku 1--Ishigami Ushii 1 2--Itcho 51 l difference 1λ
Ji 3-・-father-in-law; 2, unwritten 74-1-s, be--fu 5-----noguiasu unridged stone 6-s leaf p not 7-
Each branch 8-・Mold (C); Chishi, Fuashi 4 Muso n y--Meξi" L, 1 door

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  リング形状をし端面に磁極を位置させた第1および第
2の永久磁石(2)、(3)を、非磁性材料製のスペー
サ(4)を介して同軸状にかつ異なる磁極を対向させて
配置した磁石体(1)と、該磁石体(1)に対し、該磁
石体(1)の中心軸である直線(K)に沿って相対変位
可能に組付けられた強磁性体磁気抵抗素子体(6)と、
該強磁性体磁気抵抗素子体(6)に両磁極を結ぶ直線が
前記直線(K)に直交する姿勢で一体的に組付けられた
バイアス磁石(5)と、前記強磁性体磁気抵抗素子体(
6)の出力端子が接続される比較器(7)と、前記磁石
体(1)と強磁性体磁気抵抗素子体(6)とバイアス磁
石(5)との組合せ物に対して接近離反移動可能に設け
た磁性材料製の検出体(9)とから成る磁気近接スイッ
チ装置。
First and second permanent magnets (2) and (3), which are ring-shaped and have magnetic poles located on their end faces, are arranged coaxially with different magnetic poles facing each other with a spacer (4) made of a non-magnetic material interposed therebetween. The arranged magnet (1) and the ferromagnetic magnetoresistive element assembled to the magnet (1) so as to be relatively displaceable along the straight line (K) which is the central axis of the magnet (1). body (6) and
a bias magnet (5) integrally assembled to the ferromagnetic magnetoresistive element body (6) with a straight line connecting both magnetic poles perpendicular to the straight line (K); and the ferromagnetic magnetoresistive element body (
The comparator (7) to which the output terminal of 6) is connected, and the combination of the magnet (1), the ferromagnetic magnetoresistive element (6), and the bias magnet (5) can be moved toward and away from the comparator (7). A magnetic proximity switch device comprising a detecting body (9) made of a magnetic material and provided in the magnetic material.
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