JPH01132976A - 半導体レーザ検査方法及びその検査装置 - Google Patents
半導体レーザ検査方法及びその検査装置Info
- Publication number
- JPH01132976A JPH01132976A JP29131987A JP29131987A JPH01132976A JP H01132976 A JPH01132976 A JP H01132976A JP 29131987 A JP29131987 A JP 29131987A JP 29131987 A JP29131987 A JP 29131987A JP H01132976 A JPH01132976 A JP H01132976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- measured
- emitted
- semiconductor laser
- lights
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザの検査方法および検査装置（こ
関するものである。
関するものである。
第２図は従来の半導体レーザをチップバーの状態で測定
する装置の測定部を示した斜視図であり、図に於いて、
’Ｑ）は被検査素子であるチップバー、（２）はレーザ
出射光、（３）はレーザ光の発光点、（４）は被検査対
象チップに電流を注入するプローブ、（５）はレーザ光
の光出力を検知する光出力検知器、（６）はレーザ光の
発振波長を測定する為の光ファイバー、（７）は被検査
素子（１）を固定する検査用の治具である。
する装置の測定部を示した斜視図であり、図に於いて、
’Ｑ）は被検査素子であるチップバー、（２）はレーザ
出射光、（３）はレーザ光の発光点、（４）は被検査対
象チップに電流を注入するプローブ、（５）はレーザ光
の光出力を検知する光出力検知器、（６）はレーザ光の
発振波長を測定する為の光ファイバー、（７）は被検査
素子（１）を固定する検査用の治具である。
次に動作：こついて説明する。検査用治具に真空吸着等
で固定された被検査屑子（１）に電流注入用プローブ（
４ンにて電流を注入し、その出射光を光検知（計（５）
で受光し光出力を測定する。その際、注入、は流と光出
力の関係を調べ、所定の光出力を得る為の注入電流値、
印加１ｕ圧等を得る。次に、第２図中矢印Ｃで示した様
に、測定用光出力検知器（５）と光ファイバ（６）の位
置を移動させ光ファイバ（６）より光を分光器等に導き
、被検査素子（１）の発振光波長を得るものである。
で固定された被検査屑子（１）に電流注入用プローブ（
４ンにて電流を注入し、その出射光を光検知（計（５）
で受光し光出力を測定する。その際、注入、は流と光出
力の関係を調べ、所定の光出力を得る為の注入電流値、
印加１ｕ圧等を得る。次に、第２図中矢印Ｃで示した様
に、測定用光出力検知器（５）と光ファイバ（６）の位
置を移動させ光ファイバ（６）より光を分光器等に導き
、被検査素子（１）の発振光波長を得るものである。
従来の装置及び検査方法は以上のように構成されていた
ので、光検知器（５）で測定を行った後、光ファイバ（
６）に光を入射させる為に測定部の位置を移動させる必
要があるため、測定部の移動時間が装置のタクトタイム
を増大させるなどの問題点があった。
ので、光検知器（５）で測定を行った後、光ファイバ（
６）に光を入射させる為に測定部の位置を移動させる必
要があるため、測定部の移動時間が装置のタクトタイム
を増大させるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、短時間でより多くの被検査素子の特性を測定出
来る半導体レーザ検査方法及び半導体レーザ検査装置を
得ることを目的とする。
もので、短時間でより多くの被検査素子の特性を測定出
来る半導体レーザ検査方法及び半導体レーザ検査装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ検査方法及び検査装置は半
導体レーザチップの前後２つの共振器端面より出射され
る光を同時に被測定光として使うようにしたものである
。
導体レーザチップの前後２つの共振器端面より出射され
る光を同時に被測定光として使うようにしたものである
。
〔作用〕
この発明に於ける半導体レーザ検査方法及び横裂装置は
被測定水子の２つの共振器面より出射される光を同時に
被測定光として取扱う。
被測定水子の２つの共振器面より出射される光を同時に
被測定光として取扱う。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図に於いて、（１）は彼検査ＬＤチップバー、（２
）は出射レーザ光、（３）はレーザチップ発光点、（４
）は１π流注入用プローブ、（５）は光出力検知器、（
６）は波長測定用光ファイバ、（７）は被検査ＬＤチッ
プバー（１）と固定する検査用治具である。
）は出射レーザ光、（３）はレーザチップ発光点、（４
）は１π流注入用プローブ、（５）は光出力検知器、（
６）は波長測定用光ファイバ、（７）は被検査ＬＤチッ
プバー（１）と固定する検査用治具である。
検査用治具（７）に真空吸着等で固定された被検査索子
０）に１１カε注入用プローブ（４）にて！！流を注入
し、その出射光を、光出力検知器（５）で受光し光出力
を測定する。その際、光出力検知器（５）で受光する光
が出射される被検査素子（１）の共振器端面とその相対
する共振器端面より出射されるレーザ光を、同時に光フ
ァイバ（６）にて受光し、分光器等に導き、上記被測定
素子（１）の発振波長を測定する。
０）に１１カε注入用プローブ（４）にて！！流を注入
し、その出射光を、光出力検知器（５）で受光し光出力
を測定する。その際、光出力検知器（５）で受光する光
が出射される被検査素子（１）の共振器端面とその相対
する共振器端面より出射されるレーザ光を、同時に光フ
ァイバ（６）にて受光し、分光器等に導き、上記被測定
素子（１）の発振波長を測定する。
なお、上記の実施例では光ファイバ（６）にて波長測定
を行うものを示したが、光ファイバ（６）の位置に固体
影像素子等を設け、出射ビーム形状を測定するようにし
てもよい。
を行うものを示したが、光ファイバ（６）の位置に固体
影像素子等を設け、出射ビーム形状を測定するようにし
てもよい。
以とのようにこの発明によれば、被測定素子の２つの共
振器端面より出射される光を同時に被測定として扱うよ
うにしたので、制御機能を大幅に拡張しないで、限られ
た時間内でより多くの皿類の測定を行うことが出来る効
果がある。
振器端面より出射される光を同時に被測定として扱うよ
うにしたので、制御機能を大幅に拡張しないで、限られ
た時間内でより多くの皿類の測定を行うことが出来る効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例である半導体レーザ検査値
はを示す斜視図、第２図は従来の半導体レーザ検査装置
を示す斜視図である。 図において、（１）は被検査素子であるレーザチップ、
（２）は出射レーザ光、（３）は発光点、（４）は電流
注入用プローブ、（５）は光出力検知器、（６）は波長
測定用光ファイバ、（７）は検査用治具である。 なお、図中、同一または相当部分を示す。
はを示す斜視図、第２図は従来の半導体レーザ検査装置
を示す斜視図である。 図において、（１）は被検査素子であるレーザチップ、
（２）は出射レーザ光、（３）は発光点、（４）は電流
注入用プローブ、（５）は光出力検知器、（６）は波長
測定用光ファイバ、（７）は検査用治具である。 なお、図中、同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体レーザをチップ状態あるいはチップがバー
状に連なつた状態でその特性を検査する際に、半導体レ
ーザチップの前後、２つの共振器端面より出射される光
を同時に被測定光として取扱うことを特徴とする半導体
レーザ検査方法。 - （２）半導体レーザをチップ状態あるいは、チップがバ
ー状に連なつた状態でその特性を検査する検査装置に於
いて、その特性を検査する際に、半導体レーザチップの
前後２つの共振器端面より出射される光を同時に被測定
光として取扱うことを特徴とする半導体レーザ検査装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29131987A JPH01132976A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体レーザ検査方法及びその検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29131987A JPH01132976A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体レーザ検査方法及びその検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132976A true JPH01132976A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17767366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29131987A Pending JPH01132976A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 半導体レーザ検査方法及びその検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01132976A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003177075A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光増幅器の特性選別方法およびその装置 |
| CN110646720A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 旺矽科技股份有限公司 | 用于垂直式共振腔面射型镭射晶粒的点测方法 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP29131987A patent/JPH01132976A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003177075A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光増幅器の特性選別方法およびその装置 |
| CN110646720A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 旺矽科技股份有限公司 | 用于垂直式共振腔面射型镭射晶粒的点测方法 |
| CN110646720B (zh) * | 2018-06-26 | 2021-06-22 | 旺矽科技股份有限公司 | 用于垂直式共振腔面射型镭射晶粒的点测方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gilgen et al. | Submillimeter optical reflectometry | |
| CN107132029B (zh) | 一种同时测量高反射/高透射光学元件的反射率、透过率、散射损耗和吸收损耗的方法 | |
| US20050128469A1 (en) | Semiconductor array tester | |
| EP2579021A1 (en) | Laser based cavity enhanced optical absorption gas analyzer with laser feedback optimization | |
| KR100598247B1 (ko) | 펄스 발진형 고체 레이저 장치 및 레이저 가공 장치 | |
| JPH04276531A (ja) | 光ファイバ式温度分布測定装置 | |
| WO2018072660A1 (zh) | 太赫兹时域反射系统 | |
| TW202028733A (zh) | 檢查裝置 | |
| KR20210029136A (ko) | 온도 측정 센서, 온도 측정 시스템, 및 온도 측정 방법 | |
| CN104792501B (zh) | 一种光腔衰荡高反射率测量的数据处理方法 | |
| CN107991061A (zh) | 高功率光纤激光器qbh光缆光束质量检测系统及其检测方法 | |
| US20230048446A1 (en) | Optical testing apparatus | |
| JPH01132976A (ja) | 半導体レーザ検査方法及びその検査装置 | |
| JP2635732B2 (ja) | 光ファイバセンシング方式 | |
| CN108318800A (zh) | 一种GaN基半导体激光芯片检测装置与方法 | |
| CN102216727A (zh) | 用于通过干涉法光学测量对象厚度的方法、测量配置以及设备 | |
| CN115560953A (zh) | 一种半导体激光器的测试系统和测试方法 | |
| CN114088810B (zh) | 一种干涉激光超声无损检测方法及系统 | |
| Rovati et al. | A system for the inspection and quality control of glass slabs | |
| JP2002246352A (ja) | Ｃｍｐ終点検出装置、ｃｍｐ終点検出方法、及びｃｍｐ研磨面モニタ方法 | |
| TWI820585B (zh) | 連接裝置及集光基板 | |
| JPS646834A (en) | Instrument for measuring light emission spectrum | |
| JP4713769B2 (ja) | 半導体レーザの高周波重畳動作検査装置 | |
| Kueng et al. | Laser linewidth determination in the sub-Megahertz range using a Brillouin fibre laser | |
| JP2002005627A (ja) | 実装部品の高さ測定方法及び測定装置、電子部品又は光部品の製造方法及び光部品 |