JPH01135331A - Ｘ線断層診断装置 - Google Patents
Ｘ線断層診断装置Info
- Publication number
- JPH01135331A JPH01135331A JP62291990A JP29199087A JPH01135331A JP H01135331 A JPH01135331 A JP H01135331A JP 62291990 A JP62291990 A JP 62291990A JP 29199087 A JP29199087 A JP 29199087A JP H01135331 A JPH01135331 A JP H01135331A
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- JP
- Japan
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- ray
- pulse
- semiconductor
- detector
- ray detector
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は１人体その他のＸ線断層撮影を行なうコンピュ
ータートモグラフィー（以下、ＣＴと略す）装置のＸ線
検出方法に関するもので、高精細度断層画像を提供する
ものである。
ータートモグラフィー（以下、ＣＴと略す）装置のＸ線
検出方法に関するもので、高精細度断層画像を提供する
ものである。
（従来の技術）
Ｘ１１ｉＡＣＴ装置は、従来のＸ線写真法と異なって、
人体等の被写体の横断面の画像を得るもので、英国ＥＭ
Ｉ社のＧ、Ｎ、 ）ｌｏｕｎｓｆｉｅｌｄらによって開
発されたものである〔文献１ ） ： Ｇ、 Ｎ、 Ｈ
ｏｕｎｓｆｉｅｌｄ ：Ｂｒ１ｔｉｓｈ Ｊ、 ｏｆ
Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ、 ｖｏｌ、４６． ｐｐ、１０１
６〜１０２２、１９７３年〕。当初は、１本のペンシル
ビームとこれに対向したＸ線測定器とを用い、これらを
対として機械的に移動させ、Ｘｉ測定器により測定した
Ｘ線の強弱で画面を構成した。このため。
人体等の被写体の横断面の画像を得るもので、英国ＥＭ
Ｉ社のＧ、Ｎ、 ）ｌｏｕｎｓｆｉｅｌｄらによって開
発されたものである〔文献１ ） ： Ｇ、 Ｎ、 Ｈ
ｏｕｎｓｆｉｅｌｄ ：Ｂｒ１ｔｉｓｈ Ｊ、 ｏｆ
Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ、 ｖｏｌ、４６． ｐｐ、１０１
６〜１０２２、１９７３年〕。当初は、１本のペンシル
ビームとこれに対向したＸ線測定器とを用い、これらを
対として機械的に移動させ、Ｘｉ測定器により測定した
Ｘ線の強弱で画面を構成した。このため。
１枚の画面を作るのに数分〜数１０秒という長時間を必
要とした。
要とした。
このため、複数個の測定器を円周上または円弧上に並べ
たものと扇状のＸ線ビームとを用い、並列測定によって
スピードを向上するものが開発された。これが現在のＣ
Ｔの標準型となっている。
たものと扇状のＸ線ビームとを用い、並列測定によって
スピードを向上するものが開発された。これが現在のＣ
Ｔの標準型となっている。
これらのＸ線測定器には、シンチレーションカウンタに
よるものと、キセノン電離箱アレイとが用いられている
〔例えば、文献２）：岩井喜典編：ＣＴスキャナ、コロ
ナ社刊〕、シンチレーションカウンタによるものの感応
部は、シンチレータ−と光電子増倍管を組み合わせたも
ので、この多数個が１列に並べられる。ｘｉｉ子１個が
シンチレータ−に入射・吸収されると、蛍光パルスを発
し、これが光電子増倍管で増幅されて１個の電気パルス
に変換される。このように、シンチレーションカウンタ
は、原理的にはＸ線量子のパルス計数ができるが、実際
のＣＴでは、このパルス計数は行なわれないで、多くの
蛍光パルスに基づいた積算光電流を直流的に測定してい
る〔例えば、文献２〕。
よるものと、キセノン電離箱アレイとが用いられている
〔例えば、文献２）：岩井喜典編：ＣＴスキャナ、コロ
ナ社刊〕、シンチレーションカウンタによるものの感応
部は、シンチレータ−と光電子増倍管を組み合わせたも
ので、この多数個が１列に並べられる。ｘｉｉ子１個が
シンチレータ−に入射・吸収されると、蛍光パルスを発
し、これが光電子増倍管で増幅されて１個の電気パルス
に変換される。このように、シンチレーションカウンタ
は、原理的にはＸ線量子のパルス計数ができるが、実際
のＣＴでは、このパルス計数は行なわれないで、多くの
蛍光パルスに基づいた積算光電流を直流的に測定してい
る〔例えば、文献２〕。
Ｐ、１２２）、一般に、シンチレータ−には多少の残光
があり、発光パルス幅が狭いものでも１〜０．１μｓで
ある。これをパルス計数しようとした場合、短時間に多
くのＸ線量子を取り入れるとパルスが重なってしまうし
、重ならないようにゆっくり取り入れると、１枚のＣＴ
画面を作るのに長時間を要してしまう。それゆえ、実際
のＣＴではパルス計数は行なわないで、光電流の直流測
定が行なわれてきた。
があり、発光パルス幅が狭いものでも１〜０．１μｓで
ある。これをパルス計数しようとした場合、短時間に多
くのＸ線量子を取り入れるとパルスが重なってしまうし
、重ならないようにゆっくり取り入れると、１枚のＣＴ
画面を作るのに長時間を要してしまう。それゆえ、実際
のＣＴではパルス計数は行なわないで、光電流の直流測
定が行なわれてきた。
また、キセノン電離箱アレイでは、もちろん直流測定法
によっていた。
によっていた。
（発明が解決しようとする問題点）
従来のＣＴ装置の画面の面解像度はさほど大きくなく、
普通（２５０Ｘ ２５０）画素／画面程度であり。
普通（２５０Ｘ ２５０）画素／画面程度であり。
高級機で（ｓｏｏ ｘ ５ｏｏ）画素／画面程度である
。この理由は、前述したシンチレーションカウンタアレ
イやキセノン電離箱アレイが、 １）構造上小さくならないという点と。
。この理由は、前述したシンチレーションカウンタアレ
イやキセノン電離箱アレイが、 １）構造上小さくならないという点と。
２）各測定素子の測定精度が不十分であるという点と
にある。以下、これらについて詳述する。
まず、上記１）の点について述べると、シンチレーショ
ンカウンタの放射線感応部は、シンチレータ−と光電子
増倍管より構成されており、光電子増倍管はＣＴ用とし
て特別に小さいものが作られているが、それでも直径５
〜１０閤である。また、キセノン電離箱は、Ｘ線の吸収
効率を高めるために奥行きが約３０■もあり、従って、
太さも数Ｉ以下にはできない、このように、構造上の寸
法が制約されるという問題があった。
ンカウンタの放射線感応部は、シンチレータ−と光電子
増倍管より構成されており、光電子増倍管はＣＴ用とし
て特別に小さいものが作られているが、それでも直径５
〜１０閤である。また、キセノン電離箱は、Ｘ線の吸収
効率を高めるために奥行きが約３０■もあり、従って、
太さも数Ｉ以下にはできない、このように、構造上の寸
法が制約されるという問題があった。
次に、前述２）の点について述べる。第２図は、ＣＴに
おける被検体測定の原理図である。Ｘ線１は人体２を透
過するが、その過程で減衰されながら進み、測定器３で
測定される。そして、コンピューターによる演算により
、そのＸ線の径路に沿った各画素の減衰係数μ８．μ２
．・・・・・・、μ。を康めることになる。もしここで
１画素数ｎを大きくとろうとすれば、測定器３における
測定精度を上げることが必要となる。すなわち、各μ、
における変化Δμ、は、ｎが大きくなると測定器での和
するためには、より高い精度が必要となるからである。
おける被検体測定の原理図である。Ｘ線１は人体２を透
過するが、その過程で減衰されながら進み、測定器３で
測定される。そして、コンピューターによる演算により
、そのＸ線の径路に沿った各画素の減衰係数μ８．μ２
．・・・・・・、μ。を康めることになる。もしここで
１画素数ｎを大きくとろうとすれば、測定器３における
測定精度を上げることが必要となる。すなわち、各μ、
における変化Δμ、は、ｎが大きくなると測定器での和
するためには、より高い精度が必要となるからである。
ところが、一般に言われるように、直流測定法は安定性
の点で問題があり、高精度が得られない（例えば、文献
２）、 ｐ、１２２）−直流測定法では、雑音要因や不
安定要因が大きいのである。
の点で問題があり、高精度が得られない（例えば、文献
２）、 ｐ、１２２）−直流測定法では、雑音要因や不
安定要因が大きいのである。
半導体Ｘ線検出器は、ＣＴスキャナーに用いられたこと
もなく、また、用いられようともしなかった。前述のシ
ンチレーションカウンタやキセノン電離箱は、それぞれ
Ｘ線検出素子として自己増倍作用を有している。前者は
、二次電子増倍管がｌＯＳ〜１０６倍の増倍効果を有し
、キセノン電離箱もガス増倍作用を有している。
もなく、また、用いられようともしなかった。前述のシ
ンチレーションカウンタやキセノン電離箱は、それぞれ
Ｘ線検出素子として自己増倍作用を有している。前者は
、二次電子増倍管がｌＯＳ〜１０６倍の増倍効果を有し
、キセノン電離箱もガス増倍作用を有している。
従って、Ｘ線量子による出力電流は大きい、しかし、半
導体Ｘ線検出器は、素子自体に増倍作用を有していない
ため、出力電流は小さい、Ｘ＠量子による出力電流を直
流増幅しようとしても、ＳＺＮ比の点で全く不可能であ
り、従来、検討から除外されていた。
導体Ｘ線検出器は、素子自体に増倍作用を有していない
ため、出力電流は小さい、Ｘ＠量子による出力電流を直
流増幅しようとしても、ＳＺＮ比の点で全く不可能であ
り、従来、検討から除外されていた。
本発明は、短時間で測定ができ、小形でかつ効率のよい
半導体Ｘ線断層診断装置を提供することを目的とするも
のである。
半導体Ｘ線断層診断装置を提供することを目的とするも
のである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するため、多数個のＸ線測
定器を線状に並べたアレイを有し、Ｘ線管より発したフ
ァン状ビームを被写体を介して上記測定器アレイに照射
してそのＸ線量を測定し、この照射測定を一定角度方向
毎に繰り返してそれら測定値から被写体の横断面の画像
を得るＸ線断層診断装置において、Ｘ線測定器として半
導体Ｘ線検出器アレイを用い、この検出器の各素子毎に
パルス増幅器とパルスカウンタとを配し、これらの組を
円弧状または円周状に並べ、上記検出器で検知したＸ線
量子のパルス信号を並列に同時係数し、各素子およびそ
の回路系によって得た係数パルス数に基づいて被写体の
断層画像を構成するものである。
定器を線状に並べたアレイを有し、Ｘ線管より発したフ
ァン状ビームを被写体を介して上記測定器アレイに照射
してそのＸ線量を測定し、この照射測定を一定角度方向
毎に繰り返してそれら測定値から被写体の横断面の画像
を得るＸ線断層診断装置において、Ｘ線測定器として半
導体Ｘ線検出器アレイを用い、この検出器の各素子毎に
パルス増幅器とパルスカウンタとを配し、これらの組を
円弧状または円周状に並べ、上記検出器で検知したＸ線
量子のパルス信号を並列に同時係数し、各素子およびそ
の回路系によって得た係数パルス数に基づいて被写体の
断層画像を構成するものである。
（作 用）
半導体Ｘ線検出器は、吸収した１個のＸ線量子を１個の
電気信号パルスに変換するので、理論的に最高のＸ線感
度を有している。また、パルス計数法は、直流法に比し
て高い精度を有しており、前述のｒ’、、’ｊＭ点の解
決が可能になった。
電気信号パルスに変換するので、理論的に最高のＸ線感
度を有している。また、パルス計数法は、直流法に比し
て高い精度を有しており、前述のｒ’、、’ｊＭ点の解
決が可能になった。
（実施例）
第１図は１本発明のＸ線断層診断装置の主要部の構成を
示す図である。ＸＭ管球４より発生したＸ線は、スリッ
トによって扇状のビーム１として成形される。被写体を
透過した後、半導体Ｘ線検出器の各索子３に吸収される
。この素子材料としては、テルル化カドミウム（ＣｄＴ
ｅ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）が用いられる。こ
れらの単結晶を０．１〜０．５ｗｏ立方の小さな立方体
に切断し、対向した面に電極を付け、これに高電界が印
加される。この結晶にＸ線量子１個が入射すると、光電
効果によって高速二次電子１個を放射し、そのｘｉｓ量
子は吸収される。高速二次電子は結晶中を走り、その飛
程沿いに多くの電子・正孔対を励起し、数１０μｍ走っ
た後に止まる。結晶中には高電界が印加されており、励
起された電子は陽極に、また正孔は陰極に向けて走る。
示す図である。ＸＭ管球４より発生したＸ線は、スリッ
トによって扇状のビーム１として成形される。被写体を
透過した後、半導体Ｘ線検出器の各索子３に吸収される
。この素子材料としては、テルル化カドミウム（ＣｄＴ
ｅ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）が用いられる。こ
れらの単結晶を０．１〜０．５ｗｏ立方の小さな立方体
に切断し、対向した面に電極を付け、これに高電界が印
加される。この結晶にＸ線量子１個が入射すると、光電
効果によって高速二次電子１個を放射し、そのｘｉｓ量
子は吸収される。高速二次電子は結晶中を走り、その飛
程沿いに多くの電子・正孔対を励起し、数１０μｍ走っ
た後に止まる。結晶中には高電界が印加されており、励
起された電子は陽極に、また正孔は陰極に向けて走る。
これら電子正孔の走行によって、外部回路には１個の電
気信号パルスが生じる。
気信号パルスが生じる。
このように、半導体Ｘ線検出器の各素子に１個のＸ線量
子が吸収されて１個の電気信号パルスを得る。
子が吸収されて１個の電気信号パルスを得る。
この電気信号パルスは不規則的に生じる。なぜなら、Ｘ
線量子の入射吸収は確率的であり、規則的には生じない
からである。この際のＸ線強度は。
線量子の入射吸収は確率的であり、規則的には生じない
からである。この際のＸ線強度は。
検出信号パルス数として認識される。第３図は、このよ
うな検出信号パルスの観測実施例である。
うな検出信号パルスの観測実施例である。
パルス間隔、波高ともに不規則に生じている。−般に、
電子工学においてはデジタルコード信号が用いられ、あ
る一定の物理量に対して１個のパルスが与えられる。逆
に、パルス１個というのは明確に有意な量である。とこ
ろが、上述のｘｉ量子に対応した１個のパルス信号は、
１に対応したＸ線の量が確率的に存在するという意味が
あるのみであって、電子工学的なデジタル量としての１
とは異なる。ＣＴ装置においては、その画像構成に際し
て、デジタル量としてのパルス信号を扱い。
電子工学においてはデジタルコード信号が用いられ、あ
る一定の物理量に対して１個のパルスが与えられる。逆
に、パルス１個というのは明確に有意な量である。とこ
ろが、上述のｘｉ量子に対応した１個のパルス信号は、
１に対応したＸ線の量が確率的に存在するという意味が
あるのみであって、電子工学的なデジタル量としての１
とは異なる。ＣＴ装置においては、その画像構成に際し
て、デジタル量としてのパルス信号を扱い。
演算処理することが必要となるので、上述の確率的なパ
ルス信号を電子工学的なデジタル量に変換することが必
要になる。
ルス信号を電子工学的なデジタル量に変換することが必
要になる。
言うまでもなく、Ｘ線の強度が大きくなればパルス数が
増大するわけであるが、その確からしさは向上する。す
なわち、ｎなる観測を行なったときに、その確からしさ
はｎｆｖ”ｉｒの範囲に存在する６例えば、ｎ＝１００
の場合、その点のＸ１１Ａｉｋは１００＋ｖＴＱＴ、す
なわち９０から１１０の間に存在する。
増大するわけであるが、その確からしさは向上する。す
なわち、ｎなる観測を行なったときに、その確からしさ
はｎｆｖ”ｉｒの範囲に存在する６例えば、ｎ＝１００
の場合、その点のＸ１１Ａｉｋは１００＋ｖＴＱＴ、す
なわち９０から１１０の間に存在する。
これは１０％の誤差であるので、この１００カウントは
一応信頼できるＸ線の最小の単位量としてこれを１デジ
ツト、すなわち１００カウントを１デジツトとするので
ある。もちろん、１０００カウントを１デジツトとして
もよく、１デジツトの約束（信頼度）を決めて変換する
のである。このように変換された新しい量をもって１画
像演算を行なうことになる。
一応信頼できるＸ線の最小の単位量としてこれを１デジ
ツト、すなわち１００カウントを１デジツトとするので
ある。もちろん、１０００カウントを１デジツトとして
もよく、１デジツトの約束（信頼度）を決めて変換する
のである。このように変換された新しい量をもって１画
像演算を行なうことになる。
画素約１０００ Ｘ １０００のＸ線ＣＴ装置の設計実
施例を述べる。ＣＴ装置は、１画面の撮影時間として、
できるだけ短いものが望まれ、１〜１０ｓ／画面で設計
することが必要である。第２図において、Ｘ線検出器の
各素子３および回路系５として１０００チヤンネルとす
ると、従来のものより高解像力を有する画面となる。回
転曝射もｘｏｏｏｉテップとする。
施例を述べる。ＣＴ装置は、１画面の撮影時間として、
できるだけ短いものが望まれ、１〜１０ｓ／画面で設計
することが必要である。第２図において、Ｘ線検出器の
各素子３および回路系５として１０００チヤンネルとす
ると、従来のものより高解像力を有する画面となる。回
転曝射もｘｏｏｏｉテップとする。
このような設計条件を設定すると、１回の曝射時間は１
〜１０肥となる。高精度の測定データを得るためには、
前述したように、１回の曝射測定で１０’〜１０′カウ
ントを取り込むことが必要になるが、このためには、３
Ｘ１０’〜１０’ｃｐｓのパルス計数率が必要となる。
〜１０肥となる。高精度の測定データを得るためには、
前述したように、１回の曝射測定で１０’〜１０′カウ
ントを取り込むことが必要になるが、このためには、３
Ｘ１０’〜１０’ｃｐｓのパルス計数率が必要となる。
この値は非常に大きいものであるが、本発明にかかるＣ
ｄＴｅおよびＧａＡｓを用いた半導体Ｘ線検出器では実
現できた。この場合、パルス幅は１００〜０．３ｎｓで
あることが必要である。第４図は、パルス幅とパルスの
重なりの関係を説明する図である。同図（イ）のパルス
は重畳はないが、パルス幅の長くなった同図（ロ）では
パルスの重なりを生じている。Ｘ＠量子が２個入射吸収
されても、パルスは１個しか発生することができないた
め、誤差を生じることになる。パルス計数率が３×１０
’ 〜１０’ｃｐｓの場合、パルス幅は１００〜０．３
ｎｓであれば重なる率は少ない。
ｄＴｅおよびＧａＡｓを用いた半導体Ｘ線検出器では実
現できた。この場合、パルス幅は１００〜０．３ｎｓで
あることが必要である。第４図は、パルス幅とパルスの
重なりの関係を説明する図である。同図（イ）のパルス
は重畳はないが、パルス幅の長くなった同図（ロ）では
パルスの重なりを生じている。Ｘ＠量子が２個入射吸収
されても、パルスは１個しか発生することができないた
め、誤差を生じることになる。パルス計数率が３×１０
’ 〜１０’ｃｐｓの場合、パルス幅は１００〜０．３
ｎｓであれば重なる率は少ない。
第５図は、このような特性を可能ならしめた半導体結晶
６と、初段パルス増幅器としての電界効果トランジスタ
８を含むアレイの構造図である。
６と、初段パルス増幅器としての電界効果トランジスタ
８を含むアレイの構造図である。
細長い単結晶６の上下に電極７を取り付けた例である。
周波数特性を高域まで延ばすために、単結晶６の電極間
隔、すなわち結晶の厚さは小さい方がよい。ＣｄＴｅで
は０．５ｍｍ以下、ＧａＡｓでは２ｍｍ以下をとる。こ
れにより、電子・正孔対の走行時間は短くなる。また、
浮遊容量を小さくするため、単結晶６と初段増幅器８と
の配線の長さは、できるだけ短くすることが必要である
。すなわち、結晶と初段増幅器とは極力接近させて配置
し、細いリード線で結線する。これらの構造により、パ
ルス幅の狭い出力パルスを得ることができる。
隔、すなわち結晶の厚さは小さい方がよい。ＣｄＴｅで
は０．５ｍｍ以下、ＧａＡｓでは２ｍｍ以下をとる。こ
れにより、電子・正孔対の走行時間は短くなる。また、
浮遊容量を小さくするため、単結晶６と初段増幅器８と
の配線の長さは、できるだけ短くすることが必要である
。すなわち、結晶と初段増幅器とは極力接近させて配置
し、細いリード線で結線する。これらの構造により、パ
ルス幅の狭い出力パルスを得ることができる。
第６図は、 ＣｄＴｅ半導体Ｘ線検出器によ′る２４”
Ａｍの６０ ｋ ｅＶγ線の測定実施例である。様々な
波高のパルスが不規則に観測される。この中に波高値の
低いものが眼にとまる。これは、６０ ｋ ｅＶγ線が
物体や素子自体で散乱されて生じた散乱線のパルスであ
る。実際の画像測定では、この低波高のパルスは画像デ
ータを含んでいないので、除去する方がよい。これは、
ディスクリミネータ−回路により波高弁別し、ディスク
リミネイトレベルより波高値の大きいもののみ選ぶよう
にすることで実現できる。
Ａｍの６０ ｋ ｅＶγ線の測定実施例である。様々な
波高のパルスが不規則に観測される。この中に波高値の
低いものが眼にとまる。これは、６０ ｋ ｅＶγ線が
物体や素子自体で散乱されて生じた散乱線のパルスであ
る。実際の画像測定では、この低波高のパルスは画像デ
ータを含んでいないので、除去する方がよい。これは、
ディスクリミネータ−回路により波高弁別し、ディスク
リミネイトレベルより波高値の大きいもののみ選ぶよう
にすることで実現できる。
（発明の効果）
以上述べてきたように１本発明によれば、半導体Ｘｉ検
出器を用いたので、従来よりも画素数が多くて面解像度
の良好なＸ線ＣＴ装置を実現することができた。
出器を用いたので、従来よりも画素数が多くて面解像度
の良好なＸ線ＣＴ装置を実現することができた。
また１本発明によれば、半導体Ｘ線検出器を用いたので
、測定時間が短時間で、しかも小形のＸ線ＣＴ装置を実
現することができた。
、測定時間が短時間で、しかも小形のＸ線ＣＴ装置を実
現することができた。
第１図は本発明の一実施例のＸ線断層診断装置を示す図
、第２図はＸ線ＣＴの原理を説明する図、第３図は半導
体Ｘ線検出器におけるＸ線パルスの観測例を示す図、第
４図は時間分解能の優れたパルスとそうでないパルスの
例を示す図、第５図は半導体Ｘ線検出器アレイの構造の
一実施例を示す図、第６図は半導体Ｘ線検出器でＩｉｌ
！測されるＸ線による多くのパルスの観測例を示す図で
ある。 １・・・Ｘ線ビーム、 ２・・・人体、 ３・・・半導
体Ｘ線検出器の各素子、 ４・・・Ｘ線管球、５・・・
パルス増幅・計数回路系。 第１図 １ °Ｘ牒ビ°−ム ３°°°牛隼（参Ｘ嶽
積弘鳥り各章Ｊ４・・・Ｘ 後管ブ手 ５°
°゛パｙし人増暢・↓ヤ朕Ｕ路禾５０１ ”°゛ λ
７１期ハシレ入）−幅Ｌシ５０２ ・・・ パル又櫓＠
Ｊ屯 ５０３・・・ ン＼゛しス計＆旧隆 第２図 第３図 □時閉 第４図 時閉 第５図 第６図 □叫閾
、第２図はＸ線ＣＴの原理を説明する図、第３図は半導
体Ｘ線検出器におけるＸ線パルスの観測例を示す図、第
４図は時間分解能の優れたパルスとそうでないパルスの
例を示す図、第５図は半導体Ｘ線検出器アレイの構造の
一実施例を示す図、第６図は半導体Ｘ線検出器でＩｉｌ
！測されるＸ線による多くのパルスの観測例を示す図で
ある。 １・・・Ｘ線ビーム、 ２・・・人体、 ３・・・半導
体Ｘ線検出器の各素子、 ４・・・Ｘ線管球、５・・・
パルス増幅・計数回路系。 第１図 １ °Ｘ牒ビ°−ム ３°°°牛隼（参Ｘ嶽
積弘鳥り各章Ｊ４・・・Ｘ 後管ブ手 ５°
°゛パｙし人増暢・↓ヤ朕Ｕ路禾５０１ ”°゛ λ
７１期ハシレ入）−幅Ｌシ５０２ ・・・ パル又櫓＠
Ｊ屯 ５０３・・・ ン＼゛しス計＆旧隆 第２図 第３図 □時閉 第４図 時閉 第５図 第６図 □叫閾
Claims (5)
- （１）多数個のＸ線測定器を線状に並べたアレイを有し
、Ｘ線管より発したファン状ビームを被写体を介して上
記測定器アレイに照射してそのＸ線量を測定し、この照
射測定を一定角度方向毎に繰り返してそれら測定値から
被写体の横断面の画像を得るＸ線断層診断装置において
、Ｘ線測定器として半導体Ｘ線検出器アレイを用い、こ
の検出器の各素子毎にパルス増幅器とパルスカウンタと
を配し、これらの組を円弧状または円周状に並べ、上記
検出器で検知したＸ線量子のパルス信号を並列に同時係
数し、各素子およびその回路系によって得た係数パルス
数に基づいて被写体の断層画像を構成することを特徴と
するＸ線断層診断装置。 - （２）上記半導体Ｘ線検出器の各素子とその回路系で計
数したＸ線量子数がある一定値に達した場合に、これを
１ビットのバイナリーデジタルコードデータに変換し、
これら一連のコードデータの演算によって断層像を得る
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のＸ線
断層診断装置。 - （３）半導体Ｘ線検出器の各素子の出力パルスを、波高
弁別器を通じて一定値以下の低波高パルスを除去するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のＸ線断
層診断装置。 - （４）半導体Ｘ線検出器の各素子の出力パルスのパルス
幅が０．３ｎｓから１００ｎｓの範囲で、その計数率が
最大で３メガｃｐｓから１０００メガｃｐｓの範囲であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のＸ
線断層診断装置。 - （５）半導体Ｘ線検出器の各素子の材料が、テルル化カ
ドミウム（ＣｄＴｅ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のＸ
線断層診断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291990A JPH01135331A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | Ｘ線断層診断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291990A JPH01135331A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | Ｘ線断層診断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01135331A true JPH01135331A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17776089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291990A Pending JPH01135331A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | Ｘ線断層診断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01135331A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001318155A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | 放射線検出器、およびｘ線ｃｔ装置 |
| JP2008268235A (ja) * | 2008-08-11 | 2008-11-06 | Ulvac Japan Ltd | 二次電子増倍素子を使用した測定方法及び二次電子増倍素子を使用した装置 |
| JP2020111044A (ja) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | リアルタイム付加製造プロセス検査 |
| JP2022013739A (ja) * | 2020-07-02 | 2022-01-18 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | Ｘ線ｃｔ装置及び方法 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62291990A patent/JPH01135331A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001318155A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | 放射線検出器、およびｘ線ｃｔ装置 |
| JP2008268235A (ja) * | 2008-08-11 | 2008-11-06 | Ulvac Japan Ltd | 二次電子増倍素子を使用した測定方法及び二次電子増倍素子を使用した装置 |
| JP2020111044A (ja) * | 2019-01-09 | 2020-07-27 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | リアルタイム付加製造プロセス検査 |
| JP2022013739A (ja) * | 2020-07-02 | 2022-01-18 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | Ｘ線ｃｔ装置及び方法 |
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