JPH01135475A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

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Publication number
JPH01135475A
JPH01135475A JP62293441A JP29344187A JPH01135475A JP H01135475 A JPH01135475 A JP H01135475A JP 62293441 A JP62293441 A JP 62293441A JP 29344187 A JP29344187 A JP 29344187A JP H01135475 A JPH01135475 A JP H01135475A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
plate
wafer
surface plate
polishing liquid
Prior art date
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Pending
Application number
JP62293441A
Other languages
English (en)
Inventor
Kentaro Sakamoto
坂本 憲太郎
Kazuo Fujie
藤江 和男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
Japan Silicon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp, Japan Silicon Co Ltd filed Critical Mitsubishi Metal Corp
Priority to JP62293441A priority Critical patent/JPH01135475A/ja
Publication of JPH01135475A publication Critical patent/JPH01135475A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、半導体ウェーハ等の被研磨材の表面を研磨
する研磨装置に関するものである。
「従来の技術」 シリコンやGaAs等の半導体デバイスの高集積化とパ
ターンサイズの極小化に伴い、半導体ウェーハ(以下単
に「ウェーハ」という)は高精度の平面度が要求されて
いる。そこで、ウェー71の表面研磨工程であるボリシ
ングにおいても高精度の平面度を得ろことが必要である
。
ところで、従来、このようなウェーハの研磨装置として
は、第3図に示すようなものが知られている。
第3図において、符号1は定盤であり、2はキャリアプ
レート、3はキャリアプレート2の上部に装着された加
圧盤、4は研磨液供給管である。
定盤1は、平面視して円形の回転板であり、その上面に
は研磨面が装着されて研磨面1aが形成されている。こ
の定盤!は図示しない駆動装置と連結されており、軸線
0を中心として回転可能となっている。この定盤lの中
心部上方には、砥粒とアルカリ液とを混合したスラリー
状の研磨液を定盤1の研磨面1aの中心部に供給する研
摩液供給管4が設けられている。
キャリアプレート2は、ステンレス闘等の金属、セラミ
ックスあるいはガラスからなる円板であり、その両面が
研磨されて平担な面とされている。このキャリアプレー
ト2の片面には、第4図に示すように、1枚以上複数枚
(この図では4枚)のつ工−ハ5.5・・・が平面視し
て周方向に等間隔な位置に固定されている。このウェー
ハ5をキャリアプレート2に固定する方法としては、ウ
ェーハ5の片面にワックスを塗布することによりウェー
ハ5をキ量リアプレー1・2の片面に貼着するワックス
法と、真空吸着、水貼り等の方法により接着 ゛するワ
ックスレス法とがある。これらの方法によりウェーハ4
が片面に固定されたキャリアプレート2は、そのウェー
ハ5が固定されている面を下方に向けた状態で定盤Iに
載置されている。
定盤1上に載置されているキャリアプレート2は、1つ
の定盤1上に1つ以上複数個(図では1のみ示す)が配
置されている。これらのキャリアプレート2,2・・・
は、平面視して周方向に等間隔に位置している。このキ
ャリアプレート2は、その上部が加圧盤3の内平面と密
看している。
加圧盤3は、図示しない昇降装置と自在接手によって、
上昇下降可能でかつ回転自在となっている。
上記のような研磨装置を用いてウェーハ5を研磨4°ろ
には、まず、空気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて
(デッドウェイト方式でもよい)、加圧盤3を下方に抑
圧することにより、ウェーハ5を定盤1の研磨面1aに
抑圧する。この状態で、定盤!の研磨面!aの中心部に
研磨液供給管4がら研磨液を供給しながら、定盤!を軸
線0を中心として第3図において矢印方向に回転させる
。この場合、キャリアプレート2に固定された各つ工−
ハ5と定盤Iの研磨面jaとの接触面における相対速度
は定盤Iの輔1fAOから離れるに従って大きくなるた
め、キャリアプレート2に固定されたウェーハ5のうち
、定盤1の研磨面1aと定盤】の外a111において接
触しているウェーハ5にはより大きい相対速度か与えら
れ、キャリアプレート2は加圧盤3とともに第3図にお
いて矢印方向に回転させられる。また、定盤2の研磨面
1aの中心部に供給された研磨液は、定盤Iの研磨面1
aのつれ回り力により、定盤lの研磨面1aとともに回
転しつつ、定盤!の研磨面Ia上を半径方向外方に流れ
、ウェーハ5の下面に供給される。このようにして、ウ
ェーハ5の下面が定盤Iの研磨面Ia上で擦られ研磨液
によってメカノケミカル研1紡される。
[発明が解決しようとする問題点J ところで、従来のこのような研磨装置にあっては、研磨
液供給管4が定盤1の中心部上方に設けられ、定盤1の
研磨面1aの中心部に研磨液が供?今されるので、キャ
リアプレート2に固定されたウェーハ5において、キャ
リアプレート2の外側部のウェーハ5の下面には研磨液
が供給されるが、キャリアプレート2の内側部のウェー
ハ5の下面にはあまり研磨液が供給されない。このよう
にウェーハ5の下面への研磨液の供給が不均一なため、
ウェーハ5の下面が均一に研磨されず所要の平面度が得
られないという問題があった。
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、その目的
とずろところは、ウェーハの下面に均一に研磨液を供給
することができ、したかつてウェーハの下面を均一に研
磨ずろことができる研磨装置を提供することにある。
「問題点を解決するための手段」 上記[I的を達成するために、この発明の研磨装置は、
定盤に、この定盤の研磨面に研磨液を供給する研磨液供
給孔を、この研磨液供給孔の研磨液供給口を上記定盤の
研磨面に開口して複数設けた乙のである。
U実施例」 以下、この発明の研磨装置の一実施例を第1図および第
2図に基づいて説明する。
なお、第1図および第2図において、第3図および第4
図と同一構成要素には同一符号を付しである。
定盤6は、平面視して円形の回転板であり、その上面に
は研磨面が装着されて研磨面6aが形成されている。こ
の定盤6の中央部には縦方向の導液孔7が形成されてお
り、この導液孔7の上部は半径方向に十字状に分岐され
て4個の研磨液供給孔8とされ、さらに研磨液供給孔8
の先端部は直角に上方に曲げられて、その先端は定盤6
の研磨面6aの外周部に開口した研磨液供給口9とされ
ている。これら4個の研磨液供給口9から定盤6の中心
までの距離は、キャリアプレート2の中心。
から定盤6の中心までの距離より少し長くなっている。
また、導液孔7の土壁にも縦方向に研磨液供給孔9が形
成されており、その上端は定盤6の研磨面6aに開口し
た研磨液供給口9とされている。この研磨液供給口9は
定盤6の中心部に位置されている。導液孔7は、図示し
ない研磨液供給源に図示しないポンプを介して接続され
ている。
この定盤6は図示しない駆動装置と連結されており、軸
線Oを中心として回転可能となっている。
その他の措成は従来の研磨装置と同様の溝成となってい
る。
上記のような研磨装置を用いてウェーハ5を研磨するに
は、まず、空気圧シリンダ、油圧シリンダ等を用いて(
デッドウェイト方式でもよい)、加圧盤3を下方に抑圧
することにより、ウェーハ5を定盤6の研磨面6aに抑
圧する。この状態で、定盤6の研磨面6aに研磨液を供
給しながら、定盤6を軸線0を中心として第1図におい
て矢印方向に回転さU゛ろ。この場合、従来と同様に、
キャリアプレー1・2は加圧盤3ととらに第1図におい
て矢印方向に回転さけられる。このようにして、ウェー
ハ5の下面が定盤lの研磨面la上で擦られ研磨液によ
ってメカノケミカル研磨される。
ここで、研磨液は次のようにして定盤6の研磨面6aに
供給されろ。ずなイつち、研磨液供給源からポンプによ
って導液孔7に供給された研磨液は、研磨液供給孔8.
8・・・を通って、定盤6の中心部に形成されている研
磨液供給口9と定盤6の外周部に平面視して周方向に等
間隔な位置に形成されている4個の研磨液供給口9から
、定盤6の研磨面6aに供給される。そして、定盤6の
中心部の研磨液供給口9から定盤6の研磨面6aに供給
された研磨液は、定盤6の研磨面6aのつれ回り力によ
り、定盤6の研磨面6aとともに回転しつつ、定盤6の
研磨面6a上を半径方向外方に流れ、ウェーハ5の下面
に供給される。また、定盤6の外周部の研磨液供給口9
は軸線0を中心にして回転するため、キャリアプレート
2が回転しながら研磨液供給口9の上方にきたときに、
キャリアプレート9に固定されている4枚のウェーハ5
の下面に順次研磨液が供給される。
上記の研磨装置にあっては、定盤6の中心部に形成され
た研磨液供給口9の他に、外周部に形成された研磨液供
給口9から研磨液が供給されるので、キャリアプレート
2の内側部のウェーハ5の下面にも研磨液がいきわたり
ウェーハ5の下面全体に均一に供給されるため、ウェー
ハ5の下面を均一に研磨することができ、したかって所
要の平面度を得ることができる。
また、通常、定盤6は冷却液により冷却されているが、
上記+M成の場合、研磨液を冷却液として使用すること
ができる利点がある。
なお、キャリアプレート2の数が4個の場合は、研磨液
供給口9の数は定盤6の中心部に1個と外周部に4個の
計5個が好ましい。さらに、ウェーハ5の直径か100
〜125n+n+の場合、研磨液供給口9の穴径は5〜
15mmより好ましくは8〜!OmrrIが好適である
。
また、キャリアプレート2の数を5個にする場合は、研
磨液供給口9の数は定l(iの中心部に1個と外周部に
5個の計6個にするのが好ましい。
研磨液供給孔8の穴形状は円である必要はなく、他の形
状たとえば四角でし三角でもよい。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明の研磨!A置では、定盤
に設けられた複数の研磨液供給口から研磨液が供給され
るので、キャリアプレートの内側部のウェーハの下面に
も研磨液がいきわたりウェーハの下面全体に均一に供給
されるため、ウェーハの下面を均一に研磨することがで
き、したがって所要の平面度を得ることができる。
また、研磨液を定盤の冷却液として使用することができ
ろ利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はこの発明の研石装置の一実施例を
示す図であって、第1図は断面図、第2図は第1図の平
面図であり、第3図および第4図は従来の研磨装置を示
す図であって、第3図は断面図、第4図はウェーハが固
定されたキャリアプレートの下面図である。 2・・・・・・キャリアプレート、5・・・・・・ウェ
ーハ(技研磨材)、6・・・・・・定盤、6a・・・・
・・研磨面、8・・・・・・研磨液供給孔。9・・・・
・・研磨液供給口。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 下面に被研磨材が固定されたキャリアプレートを、上面
    が研磨面となっている定盤に押圧した状態で、上記定盤
    を回転運動させて上記被研磨材表面と上記定盤の研磨面
    との間に相対運動を与えつつ、上記定盤の研磨面に研磨
    液を供給して、被研磨材表面を研磨する研磨装置におい
    て、上記定盤に、同定盤の研磨面に研磨液を供給する研
    磨液供給孔を、同研磨液供給孔の研磨液供給口を上記定
    盤の研磨面に開口して複数設けたことを特徴とする研磨
    装置。
JP62293441A 1987-11-20 1987-11-20 研磨装置 Pending JPH01135475A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62293441A JPH01135475A (ja) 1987-11-20 1987-11-20 研磨装置

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JP62293441A JPH01135475A (ja) 1987-11-20 1987-11-20 研磨装置

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JPH01135475A true JPH01135475A (ja) 1989-05-29

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ID=17794805

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JP62293441A Pending JPH01135475A (ja) 1987-11-20 1987-11-20 研磨装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6095904A (en) * 1993-08-06 2000-08-01 Intel Corporation Orbital motion chemical-mechanical polishing method and apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6321560B2 (ja) * 1981-03-26 1988-05-07 Takenaka Komuten Co

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6321560B2 (ja) * 1981-03-26 1988-05-07 Takenaka Komuten Co

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6095904A (en) * 1993-08-06 2000-08-01 Intel Corporation Orbital motion chemical-mechanical polishing method and apparatus

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