JPH01137629A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents

電子ビーム露光方法

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JPH01137629A
JPH01137629A JP62297266A JP29726687A JPH01137629A JP H01137629 A JPH01137629 A JP H01137629A JP 62297266 A JP62297266 A JP 62297266A JP 29726687 A JP29726687 A JP 29726687A JP H01137629 A JPH01137629 A JP H01137629A
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JP
Japan
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electron beam
sample
lens
resist
pulse
Prior art date
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Pending
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JP62297266A
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English (en)
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Hiroaki Kudo
裕章 工藤
Haruhisa Takiguchi
治久 瀧口
Chitose Sakane
坂根　千登勢
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Optoelectronics Technology Research Laboratory
Original Assignee
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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Publication date
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    • F25D21/12—Removing frost by hot-fluid circulating system separate from the refrigerant system
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は回折格子やフレネルレンズ等の断面形状が複雑
な形状を有するホログラム光学素子を能率良く作製する
ための電子ビーム露光方法に関する。
〈発明の技術的背景とその問題点〉 従来、エシエレット形回折格子或はフレネルレンズを作
製する場合、第２図に示す如く被加工物ＩＩ上のレジス
ト！２をその断面が鋸歯状となるようにパターニングす
る必要がある。このためレジスト１２を電子ビームで露
光する際、レジスト１２に与えるドーズ量を鋸歯形状に
変化させることが要求され、これを実現するため高ドー
ズを与える部分には複数回の多重露光を行っていた。
しかしながらこのような従来の方法では、多重露光を必
要とすることから、１枚の回折格子或は１個のフレネル
レンズを露光するために数十時間を要し、スループット
が極めて低いものであっｌ≧さらにシステムの長時間安
定性が直ちに作製精度に影響を及ぼすと云う問題があっ
た。
〈発明の目的〉 本発明の目的は、回折格子やフレネルレンズ等の１ピツ
チを多重露光することなく露光処理をすることができ、
これらの作製精度及びスループットの向上を計り得る電
子ビーム露光方法を提供することにある。
〈発明の概要〉 本発明は、電子ビームの照射位置と照射量を１点毎に指
定することにより被加工物上のレジストにドツト状に露
光させることで上記目的を達成したことを特徴とするも
のである。
〈発明の効果〉 本発明によれば、従来の多重露光を行う方法に比べ数十
分の１の時間で回折格子やフレネルレンズを描画するこ
とができ、スループットの大幅な向上を計り得る。しか
も露光時間が短かくて済むのでシステムの長時間安定性
が多少悪くても高精度な露光を行い得る。このため、回
折格子や７レネルレンズの作製に多大なる効果を発揮す
る。
〈実施例〉 第１図は本発明の１実施例の説明に供する電子ビーム露
光装置のブロック図である。電子ビームは、試料ｌ上に
コンデンサーレンズ２で絞うれておす、電子ビームの輝
度はコンデンサーレンズ２の励磁により可変である。ま
た、電子ビームが照射される位置は電子ビーム走査用コ
イル３で定めらシ砧電子ビームをパルス的に付与して試
料１上のレジストを感光させるには、電子ビーム偏向電
極４により、ブランキング状態では、電子ビームは照射
されず、アンブランキングパルスが入力される間で電子
ビームが試料上に照射されるように制御して行なう。
レジストパターンを描画する手順はまず、制御用コンピ
ューターで、描画位置と照射量を計算し、このデータを
メモリーに貯えておく、電子ビームの、走査コイル３に
よる偏向範囲により、電子ビーム径が、０．１μｍの場
合、描画範囲はＩＷｎ角となる、照射位置データは、位
置指定精度としてＸＹ各方向［１６ピツト（ｂｉｔ）照
射量データとして１６ｂｉｔとすると、描画（全エリア
照射）に必要なデータ数は、描画ドツト数が（１０，０
ＯＯＸ１０．０００）　　ドツトより、約５００メガバ
イト（Ｍｂｉｔｅ）となる。
メモリーに一時貯えられたデータは制御用コンピュータ
ーでインターフェースを介して、電子ビーム描画装置に
送られる。データの送られるタイミングは例えば第３図
に示したように、電子ビームの走査位置ＸＹを与えるデ
ータと照射量りを与えるコンデンサーレンズ２の励磁の
データが確定した後、長さｔ１秒の書き込み信号パルス
が送られ電子ビーム走査用コイル３およびコンデンサー
レンズ２を準備し、続いて、長さｔ２秒のアンブランキ
ング信号が電子ビーム偏向電極４に加えられ、１つの点
の照射が終了する。上記２つの信号を電子ビーム描画装
置に送るタイミングｔ４　　ｔ５は、インターフェース
により適当に制御される。
以上の手順を繰り返すことにより、全領域を描画するこ
とができる。１点を照射するのに必要な時間はｔ３秒で
あるので、分解能０．１μｍで１−の領域を描画すると
、全照射時間は＋　０８Ｘ　ｔ　３秒となる。本実施例
ではｔ３＝５４μ５ｅｃ（マイクロ秒）としたので、全
描画時間は５４００　ｓｅｃであった。
また、このレジストを現像することにより、必要なホロ
グラムパターンが得られる。また適当な基板上エツチン
グ液との組み合わせを用い、このレジストをマスクとし
て基板をエツチングすることにより、基板上にホログラ
ムパターンを印刻すすることも可能である。また、例え
ば、反応性イオンビームエツチング法等のレジストの厚
さに比例した深さにエツチングできるエツチング法を用
いることによりフレネルレンズ等のより複雑な断面形状
を有するホログラム光学素子の作製も可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１実施例の説明に供する電子ビーム露
光装置のブロック図である。第２図はエシエレノト型回
折格子を作製するためのレジストパターンを示す斜視図
である。第３図は照射位置データ、照射量データ、書き
込み信号パルス、アンブランキング信号゛パルスの関係
を表わす説明図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、被加工物上の電子ビームレジストに電子ビームを照
    射して該レジストを露光する電子ビーム露光方法におい
    て、電子ビームの照射位置を１点毎にパルス的に任意の
    位置に移動させドット状に露光することを特徴とする電
    子ビーム露光方法。 ２、ビーム強度を１点毎に可変する特許請求の範囲第１
    項記載の電子ビーム露光方法。
JP62297266A 1987-11-24 1987-11-24 電子ビーム露光方法 Pending JPH01137629A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006113429A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Toppan Printing Co Ltd レリーフパターンの作製方法およびレリーフパターン
US7321245B2 (en) 2003-03-26 2008-01-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Pipelined AD converter capable of switching current driving capabilities

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7321245B2 (en) 2003-03-26 2008-01-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Pipelined AD converter capable of switching current driving capabilities
JP2006113429A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Toppan Printing Co Ltd レリーフパターンの作製方法およびレリーフパターン

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