JPH01138611A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH01138611A JPH01138611A JP29600887A JP29600887A JPH01138611A JP H01138611 A JPH01138611 A JP H01138611A JP 29600887 A JP29600887 A JP 29600887A JP 29600887 A JP29600887 A JP 29600887A JP H01138611 A JPH01138611 A JP H01138611A
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- Japan
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- film
- magnetic
- diamond
- magnetic disk
- carbon
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 13
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 44
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気ディスクに関し、特に表面に保護被膜を有
する磁気ディスクに関するものである。
する磁気ディスクに関するものである。
［従来の技術］
磁気ディスクの占める空間的大きさをできるだけ有効に
使用するためには、情報の記録密度を可能な限り高める
ことが必要で必る。しかし、そのためには磁気ヘッドと
磁気ディスクの間隔を極力小さくしなければならない。
使用するためには、情報の記録密度を可能な限り高める
ことが必要で必る。しかし、そのためには磁気ヘッドと
磁気ディスクの間隔を極力小さくしなければならない。
その結果、磁気ヘッドと磁気ディスクの衝突や摩耗が必
然的に増加することは避けられないので、磁気ディスク
の情報を守るために保護膜を設けることが必要となる。
然的に増加することは避けられないので、磁気ディスク
の情報を守るために保護膜を設けることが必要となる。
従来の磁気ディスクではその保護膜として比較的硬度の
高い５ｉ０２薄膜が用いられ、表面の摩擦係数を小さく
するためその上に有機溶剤の潤滑層が設けられている。
高い５ｉ０２薄膜が用いられ、表面の摩擦係数を小さく
するためその上に有機溶剤の潤滑層が設けられている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記のような従来の磁気ディスクに用い
られている保護膜としての５ｉ０２と有機潤滑層の組合
わせでは、磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔が狭くなっ
た場合には磁気ヘッドに用いられている材質より保護膜
の材質の方が硬度が小さいので耐摩耗性が１ｑられなく
なる。また、表面に塗布した有機溶剤の潤滑層は液体で
あるために乾燥やヘッドとの固着等の問題点が生じやす
い等の問題点があった。
られている保護膜としての５ｉ０２と有機潤滑層の組合
わせでは、磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔が狭くなっ
た場合には磁気ヘッドに用いられている材質より保護膜
の材質の方が硬度が小さいので耐摩耗性が１ｑられなく
なる。また、表面に塗布した有機溶剤の潤滑層は液体で
あるために乾燥やヘッドとの固着等の問題点が生じやす
い等の問題点があった。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、２優れた耐摩耗性を有すると共に、
表面における摩擦が低減化された保護被膜を有する磁気
ディスクを提供することを目的とする。
になされたもので、２優れた耐摩耗性を有すると共に、
表面における摩擦が低減化された保護被膜を有する磁気
ディスクを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、少なくとも磁性膜が設けられた基板上に、ダ
イヤモンド状炭素で形成された保護被膜が設けられ、該
保護被膜の表面にはフッ素プラズマあるいはフッ素イオ
ンによる改質層が設けられてなることを特徴とする磁気
ディスクである。
イヤモンド状炭素で形成された保護被膜が設けられ、該
保護被膜の表面にはフッ素プラズマあるいはフッ素イオ
ンによる改質層が設けられてなることを特徴とする磁気
ディスクである。
本発明では保護被膜と磁性膜との密着性が悪い場合には
保護被膜と磁性膜との間にシリコン薄膜を設けることが
好ましい。
保護被膜と磁性膜との間にシリコン薄膜を設けることが
好ましい。
また、上記の保護被膜は磁性膜の全面に亘って設けられ
ていることが望ましい。
ていることが望ましい。
［作用］
ダイヤモンド状炭素膜は水素を含有したアモルファス構
造にもかかわらず、硬度がダイヤモンド結晶に近い値を
示し、ヤング率もダイヤモンド結晶の値に匹敵プる。し
かし、ダイヤモンドに近いほど表面の摩１察係数は０．
５以上とかなり大きな値となる。ダイヤモンド状炭素膜
には水素が多く含まれており、その表面にも多くの炭素
と水素結合が見られる。炭素と水素との結合は疎水性を
示し、そのために摩擦係数が大きくなっていると考えら
れる。一方、ダイヤモンド状炭素膜の極表＠層だけをフ
ッ素プラズマやフッ素イオン打ち込み等によって親水性
の層に改質することによって摩擦係数は０．０５以下と
することができる。本発明ではダイヤモンド状炭素膜の
表面にフッ素プラズマかフッ素イオンによる改質層を極
薄く形成することによって、耐摩耗性と潤滑性を併せも
たせているので高性能の磁気ディスクが得られることに
なる。
造にもかかわらず、硬度がダイヤモンド結晶に近い値を
示し、ヤング率もダイヤモンド結晶の値に匹敵プる。し
かし、ダイヤモンドに近いほど表面の摩１察係数は０．
５以上とかなり大きな値となる。ダイヤモンド状炭素膜
には水素が多く含まれており、その表面にも多くの炭素
と水素結合が見られる。炭素と水素との結合は疎水性を
示し、そのために摩擦係数が大きくなっていると考えら
れる。一方、ダイヤモンド状炭素膜の極表＠層だけをフ
ッ素プラズマやフッ素イオン打ち込み等によって親水性
の層に改質することによって摩擦係数は０．０５以下と
することができる。本発明ではダイヤモンド状炭素膜の
表面にフッ素プラズマかフッ素イオンによる改質層を極
薄く形成することによって、耐摩耗性と潤滑性を併せも
たせているので高性能の磁気ディスクが得られることに
なる。
また、磁性膜上にシリコン薄膜を設けると磁性膜と炭素
膜との密着強度が飛躍的に向上するので、どんな磁性膜
上でも上記炭素膜を保護被膜として形成することができ
、炭素膜自身の性質を有効に利用できる。
膜との密着強度が飛躍的に向上するので、どんな磁性膜
上でも上記炭素膜を保護被膜として形成することができ
、炭素膜自身の性質を有効に利用できる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。表面にＮｉ
Ｐ膜１２およびＣｏ、 Ｃｏ−Ｃｒ等の磁性膜１３を順
次形成したＮ基板１１上に、スパッタ、真空蒸着あるい
はクラスターイオンビーム等によって１００Å以下のシ
リコン薄膜１４を炭素膜と磁性膜との密着性を高めるた
めに形成する。以上の基板を真空槽内の平行平板電極の
負電極上に設置する。まず、真空槽内を１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度にした後、メタンカスと水素ガスを導入
する。メタンと水素の混合比は０．１〜５％の範囲で、
圧力を０．１〜１０Ｔｏｒｒに調節する。その後、真空
槽内の平行平板電極間に２５０〜３５０Ｖ程度の放電電
圧、０．１〜’ｌ ｍＡ／ ｃｔｎ”程度の放電電流を
印加してＤＣグロー放電を生じさせる。１分はどプラズ
マを発生させて約２００人のダイヤモンド状炭素薄膜１
５を形成する。この時点では表面のビッカース硬度は１
００００Ｋｇ／ ＃ｎ２程度あるが、動摩擦係数を測定
すると０．５以上の大きな値となっている。次に、ダイ
ヤモンド状炭素薄膜１５が形成された基板をそのままに
し、フッ素ガスを導入してＤＣグロー放電を発生させる
。このとき形成される表面改質層１６の厚さは数１０Ａ
である。以上のようにして得られた膜表面の動摩擦係数
を測定したところ０．０５以下であった。裏面にも以上
と同じプロセスによって保護被膜を形成した。
Ｐ膜１２およびＣｏ、 Ｃｏ−Ｃｒ等の磁性膜１３を順
次形成したＮ基板１１上に、スパッタ、真空蒸着あるい
はクラスターイオンビーム等によって１００Å以下のシ
リコン薄膜１４を炭素膜と磁性膜との密着性を高めるた
めに形成する。以上の基板を真空槽内の平行平板電極の
負電極上に設置する。まず、真空槽内を１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度にした後、メタンカスと水素ガスを導入
する。メタンと水素の混合比は０．１〜５％の範囲で、
圧力を０．１〜１０Ｔｏｒｒに調節する。その後、真空
槽内の平行平板電極間に２５０〜３５０Ｖ程度の放電電
圧、０．１〜’ｌ ｍＡ／ ｃｔｎ”程度の放電電流を
印加してＤＣグロー放電を生じさせる。１分はどプラズ
マを発生させて約２００人のダイヤモンド状炭素薄膜１
５を形成する。この時点では表面のビッカース硬度は１
００００Ｋｇ／ ＃ｎ２程度あるが、動摩擦係数を測定
すると０．５以上の大きな値となっている。次に、ダイ
ヤモンド状炭素薄膜１５が形成された基板をそのままに
し、フッ素ガスを導入してＤＣグロー放電を発生させる
。このとき形成される表面改質層１６の厚さは数１０Ａ
である。以上のようにして得られた膜表面の動摩擦係数
を測定したところ０．０５以下であった。裏面にも以上
と同じプロセスによって保護被膜を形成した。
以上のような方式で形成した磁気ディスクの表面で１５
９程度の荷重をかけたセラミックＡ１３０３−ＴｉＣ製
の磁気ヘッドの接触−浮上の繰返し試験（いわゆるｃｏ
ｎｔａｃｔ−ｓｔａｒｔ−ｓｔｏｐ試験）を行ったとこ
ろ、１Ｏ万回以上でも表面に傷は見られなかった。
９程度の荷重をかけたセラミックＡ１３０３−ＴｉＣ製
の磁気ヘッドの接触−浮上の繰返し試験（いわゆるｃｏ
ｎｔａｃｔ−ｓｔａｒｔ−ｓｔｏｐ試験）を行ったとこ
ろ、１Ｏ万回以上でも表面に傷は見られなかった。
以上の実施例では炭素膜をＤＣグロー放電ＣＶＤによっ
て合成したが、同じガスを用いたＲＦプラズマＣＶＤや
イオンブレーティング、イオンビームスパッタ等によっ
てもほぼ同様な膜が得られた。また、本実施例ではＤＣ
グロー放電における電極は平行平板構造であるが、アノ
ードとカソード電極が対向していない構造においても同
様な結果が得られる。
て合成したが、同じガスを用いたＲＦプラズマＣＶＤや
イオンブレーティング、イオンビームスパッタ等によっ
てもほぼ同様な膜が得られた。また、本実施例ではＤＣ
グロー放電における電極は平行平板構造であるが、アノ
ードとカソード電極が対向していない構造においても同
様な結果が得られる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の磁気ディスクは保護被膜
として耐摩耗性に優れたダイヤモンド状炭素膜が用いら
れていると共に、その表面にはフッ素による改質層が設
けられ、表面の摩擦係数か大幅に低減化されているので
、磁性膜を十分に保護し、かつ表面での摩擦をできるだ
け小さくすることができ、高性能の磁気ディスクが提供
できる。
として耐摩耗性に優れたダイヤモンド状炭素膜が用いら
れていると共に、その表面にはフッ素による改質層が設
けられ、表面の摩擦係数か大幅に低減化されているので
、磁性膜を十分に保護し、かつ表面での摩擦をできるだ
け小さくすることができ、高性能の磁気ディスクが提供
できる。
また磁性膜と炭素膜との間にシリコン膜を設けると、両
者の密着性が良くなるので、このことを利用すると必ら
ゆる磁性膜上に上記炭素膜を形成することができる。
者の密着性が良くなるので、このことを利用すると必ら
ゆる磁性膜上に上記炭素膜を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１１・・・Ｍ基板 １２・・・ＮｉＰ膜１
３・・・磁性膜 １４・・・シリコン簿膜
１５・・・ダイヤモンド状炭素薄膜 １６・・・表面改質層
３・・・磁性膜 １４・・・シリコン簿膜
１５・・・ダイヤモンド状炭素薄膜 １６・・・表面改質層
Claims (2)
- （１）少なくとも磁性膜が設けられた基板上に、ダイヤ
モンド状炭素で形成された保護被膜が設けられ、該保護
被膜の表面にはフッ素プラズマあるいはフッ素イオンに
よる改質層が設けられてなることを特徴とする磁気ディ
スク。 - （２）磁性膜と保護被膜との間にシリコン薄膜が設けら
れている特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29600887A JPH01138611A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29600887A JPH01138611A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138611A true JPH01138611A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17827936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29600887A Pending JPH01138611A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138611A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422654U (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-25 | ||
| US6534131B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-03-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for treating carbon film, carbon film and component with carbon film |
| JP2008006659A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 樹脂加工用部材 |
| US9333570B2 (en) | 2006-09-27 | 2016-05-10 | Caterpillar Inc. | Reversible bolt-on piercing tip |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378328A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP29600887A patent/JPH01138611A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378328A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422654U (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-25 | ||
| US6534131B1 (en) * | 1999-06-18 | 2003-03-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for treating carbon film, carbon film and component with carbon film |
| JP2008006659A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 樹脂加工用部材 |
| US9333570B2 (en) | 2006-09-27 | 2016-05-10 | Caterpillar Inc. | Reversible bolt-on piercing tip |
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