JPH01140124A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
- Publication number
- JPH01140124A JPH01140124A JP62297553A JP29755387A JPH01140124A JP H01140124 A JPH01140124 A JP H01140124A JP 62297553 A JP62297553 A JP 62297553A JP 29755387 A JP29755387 A JP 29755387A JP H01140124 A JPH01140124 A JP H01140124A
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- JP
- Japan
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- mode
- diffraction grating
- optical waveguide
- vapor
- relief type
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1326—Liquid crystal optical waveguides or liquid crystal cells specially adapted for gating or modulating between optical waveguides
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学装置に係り、特に波長選択と、TE−T
Mモモ−選択を同時に行なうことを特徴とする光学装置
に関する。
Mモモ−選択を同時に行なうことを特徴とする光学装置
に関する。
従来、イオン交換ガラス導波路上に、方解石を装荷する
ことにより、TEモードと7Mモードを選択する例が、
アプライド・オプテイクス、13巻(1,974年)第
1753頁から第1754頁(^ppHed Opむ
ics voJ、 1 3 (1974) p
p1753−ρρ1754)において論じられている6
〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、異方性光学結晶の光学軸と、光導波路
方向の相対位置により、TE−TMモード選択性が決ま
り、T E −T Mモード選択性を、任意に切り換え
ることができなかった。さらに、波長選択性を有する素
子との組合せは1作製が困難であった。
ことにより、TEモードと7Mモードを選択する例が、
アプライド・オプテイクス、13巻(1,974年)第
1753頁から第1754頁(^ppHed Opむ
ics voJ、 1 3 (1974) p
p1753−ρρ1754)において論じられている6
〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、異方性光学結晶の光学軸と、光導波路
方向の相対位置により、TE−TMモード選択性が決ま
り、T E −T Mモード選択性を、任意に切り換え
ることができなかった。さらに、波長選択性を有する素
子との組合せは1作製が困難であった。
本発明は、上記従来技術の有する問題点を解決し、波長
選択性を有し、さらにTE−7Mモードを任意に選択で
きる光学装置を提供することにある。
選択性を有し、さらにTE−7Mモードを任意に選択で
きる光学装置を提供することにある。
上記目的は、光導波路表面に周期的構成部分を設け、そ
の表面に液晶等の異方性光学効果を示す物質を形成する
ことにより、達成される。
の表面に液晶等の異方性光学効果を示す物質を形成する
ことにより、達成される。
光導波路表面に、サブミクロンオーダの周期を有する例
えばレリーフ型回折格子を作製し、その上に液晶を塗布
することにより、液晶が第2図(a)のように配向する
。さらにこの液晶をガラスではさんで、電界を印加する
と、第3図(b)のように配向性が変化する。液晶は、
第4図に示すような光学的異方性を有するe nep
nOは、それぞれの方向に対する屈折率であり、ne>
noである。そこで、先導波路の屈折率nx@no<n
s(n eとすることにより、電界を印加した場合TE
モードを選択的に導波し、7Mモードは液晶中に導波し
て散乱する。逆に、電界を印加しない場合は、7Mモー
ドを選択的に導波し、TEモードは液晶中に導波して散
乱する。
えばレリーフ型回折格子を作製し、その上に液晶を塗布
することにより、液晶が第2図(a)のように配向する
。さらにこの液晶をガラスではさんで、電界を印加する
と、第3図(b)のように配向性が変化する。液晶は、
第4図に示すような光学的異方性を有するe nep
nOは、それぞれの方向に対する屈折率であり、ne>
noである。そこで、先導波路の屈折率nx@no<n
s(n eとすることにより、電界を印加した場合TE
モードを選択的に導波し、7Mモードは液晶中に導波し
て散乱する。逆に、電界を印加しない場合は、7Mモー
ドを選択的に導波し、TEモードは液晶中に導波して散
乱する。
このようにして、波長選択性を有し、さらにTE−7M
モードを任意に選択することができる光導波路を作製す
ることができる。
モードを任意に選択することができる光導波路を作製す
ることができる。
以下、本発明の第1の実施例を第1図により説明する。
裏面をAQ無蒸着たガラス基板3(波長633Nmの光
に対する屈折率1.512)の表面に、イオン交換法に
より、光導波路1(屈折率1.526)を形成する。次
に、表面にホトレジストを塗布し、ベーク後、干渉露光
法により、レジストの回折格子パターンを形成する。こ
れをマスクにして、ドライエツチングにより、先導波路
表面に、周期が0.2μmで深さが0.1μmのレリー
フ型回折格子を形成する。次に、3〜5μmのスペーサ
を設けて、レリーフ型回折格子表面に、ネマティック液
晶2(nII=1.629.no=1.501)を流し
込んだ後、表面をAQ無蒸着たガラス板5ではさみこん
だ、これにより、〜0.6μmの波長の光を選択的に透
過し、さらにTE−7Mモードを任意に切り変えること
ができる光導波路を作製することができた0選択波長は
1回折格子の周期を変えることにより、任意に選ぶこと
ができる0次に1本発明の第2の実施例を第2図により
説明する。第2の実施例では、ガラス基板3の一部に段
差を設け、その部分に、半導体レーザをハイブリッドに
はめこんだ点が、第1の実施例と異なる。半導体レーザ
は、下部クラッド層11上に、活性M9.上部クラッド
層10を積層した後、p(IIIffi極12およびN
側電極13を上下に設けたファブリペロ−タイプのレー
ザである。
に対する屈折率1.512)の表面に、イオン交換法に
より、光導波路1(屈折率1.526)を形成する。次
に、表面にホトレジストを塗布し、ベーク後、干渉露光
法により、レジストの回折格子パターンを形成する。こ
れをマスクにして、ドライエツチングにより、先導波路
表面に、周期が0.2μmで深さが0.1μmのレリー
フ型回折格子を形成する。次に、3〜5μmのスペーサ
を設けて、レリーフ型回折格子表面に、ネマティック液
晶2(nII=1.629.no=1.501)を流し
込んだ後、表面をAQ無蒸着たガラス板5ではさみこん
だ、これにより、〜0.6μmの波長の光を選択的に透
過し、さらにTE−7Mモードを任意に切り変えること
ができる光導波路を作製することができた0選択波長は
1回折格子の周期を変えることにより、任意に選ぶこと
ができる0次に1本発明の第2の実施例を第2図により
説明する。第2の実施例では、ガラス基板3の一部に段
差を設け、その部分に、半導体レーザをハイブリッドに
はめこんだ点が、第1の実施例と異なる。半導体レーザ
は、下部クラッド層11上に、活性M9.上部クラッド
層10を積層した後、p(IIIffi極12およびN
側電極13を上下に設けたファブリペロ−タイプのレー
ザである。
半導体レーザからの光は、導波路を通過することにより
、回折格子の周期で決まる特定の波長が選択され、さら
に、導波路部分に電界を印加することにより、TEモー
ドが、印加しないことにより、7Mモードが選択されて
、導波路右側から出力される。このようにして、TE−
7Mモードを任意に選択でき、さらに波長純度のすぐれ
た。ハイブリッド型半導体レーザを得ることができた。
、回折格子の周期で決まる特定の波長が選択され、さら
に、導波路部分に電界を印加することにより、TEモー
ドが、印加しないことにより、7Mモードが選択されて
、導波路右側から出力される。このようにして、TE−
7Mモードを任意に選択でき、さらに波長純度のすぐれ
た。ハイブリッド型半導体レーザを得ることができた。
次に1本発明の第3の実施例を第5図により説明する。
第3の実施例では、ガラス板5(屈折率1.512)の
下層に、上部導波路(屈折率1.650)を設けた点が
、第1の実施例と異なる。これにより、7Mモードの光
を、光導波路1の左端から入射すると、電界をかけない
場合、光は光導波路1の右端から出射し、電界をかけた
場合、上部光尊波路14の右端から出射する。このよう
に、電界の有無により光の出射位置を基板の深さ方向に
変化させることができる光スィッチを作製することがで
きた。
下層に、上部導波路(屈折率1.650)を設けた点が
、第1の実施例と異なる。これにより、7Mモードの光
を、光導波路1の左端から入射すると、電界をかけない
場合、光は光導波路1の右端から出射し、電界をかけた
場合、上部光尊波路14の右端から出射する。このよう
に、電界の有無により光の出射位置を基板の深さ方向に
変化させることができる光スィッチを作製することがで
きた。
本発明によれば、波長選択性を有し、さらに。
T E−’r Mモードを任意に切り換えることができ
る先導波路を容易に作製することができる。
る先導波路を容易に作製することができる。
第1図は、本発明の第1の実施例を示す図、第2図は本
発明の第2の実施例を示す図、第3図及び第4図は、本
発明の詳細な説明図、第5図は。 本発明の第3の実施例を示す図である。 1・・・光導波路、2・・・液晶、3・・・ガラス基板
、4・・・下部電極、5・・・ガラス板、6・・・上部
電極、7・・・電源、8・・・スイッチ、9・・・活性
層、1o・・・上部クラッド層、11・・・下部クラッ
ド層、12・・・I)側@極、】3・・・p側電極、1
4・・・上部導波路。
発明の第2の実施例を示す図、第3図及び第4図は、本
発明の詳細な説明図、第5図は。 本発明の第3の実施例を示す図である。 1・・・光導波路、2・・・液晶、3・・・ガラス基板
、4・・・下部電極、5・・・ガラス板、6・・・上部
電極、7・・・電源、8・・・スイッチ、9・・・活性
層、1o・・・上部クラッド層、11・・・下部クラッ
ド層、12・・・I)側@極、】3・・・p側電極、1
4・・・上部導波路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光を導波するための導波領域が、周期的な凹凸を有
する第1の部分と、この第1の部分に接して形成されか
つ異方性光学効果を有する第2の部分とを有することを
特徴とする光学装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載の光学装置において、
前記第2の部分は液晶により形成されることを特徴とす
る光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297553A JP2650931B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297553A JP2650931B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140124A true JPH01140124A (ja) | 1989-06-01 |
| JP2650931B2 JP2650931B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=17848037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297553A Expired - Lifetime JP2650931B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2650931B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0387354A4 (en) * | 1988-08-05 | 1991-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light deflecting element |
| JP2000188418A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-07-04 | Sony Corp | 光電子集積回路装置 |
| FR2826133A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-20 | Nemoptic | Dispositif electrooptique, formant notamment commutateur, a base de cristaux liquides |
| CN116047821A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-05-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种基于液晶包层平板波导的主动式偏振转换器 |
| JP2025515399A (ja) * | 2022-05-10 | 2025-05-14 | 三菱電機株式会社 | 再構成可能波長選択スプリッタ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164305A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical fiber dispersively delayed equalizer and its production |
| JPS5952219A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 液晶光素子用電極 |
| JPS59109026A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光変調器 |
| JPS59126336A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Tokyo Inst Of Technol | 光遅延等化器 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62297553A patent/JP2650931B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164305A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical fiber dispersively delayed equalizer and its production |
| JPS5952219A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 液晶光素子用電極 |
| JPS59109026A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光変調器 |
| JPS59126336A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-20 | Tokyo Inst Of Technol | 光遅延等化器 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0387354A4 (en) * | 1988-08-05 | 1991-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light deflecting element |
| US5193130A (en) * | 1988-08-05 | 1993-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light deflecting device |
| JP2000188418A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-07-04 | Sony Corp | 光電子集積回路装置 |
| FR2826133A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-20 | Nemoptic | Dispositif electrooptique, formant notamment commutateur, a base de cristaux liquides |
| WO2002103443A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Nemoptic | Dispositif electrooptique, formant notamment commutateur, a base de cristaux liquides |
| US6959124B2 (en) | 2001-06-15 | 2005-10-25 | Nemoptic | Liquid crystal-based electro-optical device forming, in particular, a switch |
| JP2025515399A (ja) * | 2022-05-10 | 2025-05-14 | 三菱電機株式会社 | 再構成可能波長選択スプリッタ |
| CN116047821A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-05-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种基于液晶包层平板波导的主动式偏振转换器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2650931B2 (ja) | 1997-09-10 |
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