JPH01140792A - 回路基板組成物 - Google Patents
回路基板組成物Info
- Publication number
- JPH01140792A JPH01140792A JP62297648A JP29764887A JPH01140792A JP H01140792 A JPH01140792 A JP H01140792A JP 62297648 A JP62297648 A JP 62297648A JP 29764887 A JP29764887 A JP 29764887A JP H01140792 A JPH01140792 A JP H01140792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide ceramic
- fiber
- whisker
- refractory filler
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野]
本発明は回路基板組成物に関するものである。
[従来の技術]
従来、厚膜回路素子用の基板としては、主にアルミナ基
板と1000℃以下の低温度での焼成を可能にした低融
点ガラスフリットを無機耐火物フィラー笠からなる低温
焼成基板との2つのタイプがある。該2つのタイプの基
板とも多層基板にすることは可能であるが、アルミナ基
板は焼成温度1500〜1600℃であるため内部の導
体材料をMo、 W等の抵抗値が高い高融点金属を使用
しなければならず、またアルミナ基板は誘電率も大きく
、高周波回路等には不適であった。
板と1000℃以下の低温度での焼成を可能にした低融
点ガラスフリットを無機耐火物フィラー笠からなる低温
焼成基板との2つのタイプがある。該2つのタイプの基
板とも多層基板にすることは可能であるが、アルミナ基
板は焼成温度1500〜1600℃であるため内部の導
体材料をMo、 W等の抵抗値が高い高融点金属を使用
しなければならず、またアルミナ基板は誘電率も大きく
、高周波回路等には不適であった。
一方、低温焼結基板は多層化した場合Cu、 Ag等の
低融点、低抵抗の導体を使用でき、しかも誘電率がアル
ミナ基板より20〜30%低いため、高周波回路に適し
ているので注目を集めている。
低融点、低抵抗の導体を使用でき、しかも誘電率がアル
ミナ基板より20〜30%低いため、高周波回路に適し
ているので注目を集めている。
しかし該低温焼成基板の強度はアルミナ基板の半分程度
しかなく、たとえば上記低温焼成基板上に電気的接続用
のビン等を立てると、該低温焼成基板のそのビンの周辺
部が破損することがしばしばあった。また、上記焼成基
板上に穴をあけビス等でケース等に取りつける場合、該
穴の周辺にクラックがはいることがあった。このため上
記した利点があるにもかかわらず、低温焼成基板は厚膜
回路素子用等の強度が必要とされるものには不適で製品
化に支障をきたしていた。
しかなく、たとえば上記低温焼成基板上に電気的接続用
のビン等を立てると、該低温焼成基板のそのビンの周辺
部が破損することがしばしばあった。また、上記焼成基
板上に穴をあけビス等でケース等に取りつける場合、該
穴の周辺にクラックがはいることがあった。このため上
記した利点があるにもかかわらず、低温焼成基板は厚膜
回路素子用等の強度が必要とされるものには不適で製品
化に支障をきたしていた。
以上の記載事項を補うものとして、低温焼成基板中に混
入させる繊維としてSiCウィスカーを使用したもの(
特開昭62−173742号公報)、石英ガラス繊維を
使用したもの(特開昭62−241391号公報)、が
提案されているが、前者はSiC中の炭素が焼成中に低
温焼成基板中に含まれているガラス中の酸素と反応して
co、 co□ガスを発生させる欠点を有しており、後
者は焼成中、石英ガラス繊維は収縮せず、それ以外の成
分は収縮するので親和性が悪くなる欠点を有していた。
入させる繊維としてSiCウィスカーを使用したもの(
特開昭62−173742号公報)、石英ガラス繊維を
使用したもの(特開昭62−241391号公報)、が
提案されているが、前者はSiC中の炭素が焼成中に低
温焼成基板中に含まれているガラス中の酸素と反応して
co、 co□ガスを発生させる欠点を有しており、後
者は焼成中、石英ガラス繊維は収縮せず、それ以外の成
分は収縮するので親和性が悪くなる欠点を有していた。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、従来知られていなかった回
路基板組成物を新規に提供することを目的とするもので
ある。
消しようとするものであり、従来知られていなかった回
路基板組成物を新規に提供することを目的とするもので
ある。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、無機成分が、ガラス粉末30〜70重h1%と、耐
火物フィラー30〜70重量%とからなる組成物に対し
、酸化物セラミックスファイバー又は酸化物セラミック
スウィスカーを添加してなる回路基板組成物を提供する
ものである。
り、無機成分が、ガラス粉末30〜70重h1%と、耐
火物フィラー30〜70重量%とからなる組成物に対し
、酸化物セラミックスファイバー又は酸化物セラミック
スウィスカーを添加してなる回路基板組成物を提供する
ものである。
本発明において添加する酸化物セラミックスファイバー
及び酸化物セラミックスウィスカーは、多層回路基板を
繊維強化する作用を有するものであれば、特に限定され
ない。
及び酸化物セラミックスウィスカーは、多層回路基板を
繊維強化する作用を有するものであれば、特に限定され
ない。
一般には、低融点ガラスフリットの弾性率より充分大き
な弾性率を有するファイバーもしくはウィスカーが考え
られるが、非酸化物セラミックスウィスカー(SiC,
5isN4等)は、焼成時にガラスと反応し発泡現象が
発生するので好ましくはなく、酸化物であることが望ま
しい。中でも、5iOa、Al2O5,MgO,にzT
!eO+3. Zr0aのファイバーもしくはウィスカ
ーが繊維強化に効果がある。かかるファイバーもしくは
ウィスカーは、単独で使用してもよく、2種以上併用し
てもよい。
な弾性率を有するファイバーもしくはウィスカーが考え
られるが、非酸化物セラミックスウィスカー(SiC,
5isN4等)は、焼成時にガラスと反応し発泡現象が
発生するので好ましくはなく、酸化物であることが望ま
しい。中でも、5iOa、Al2O5,MgO,にzT
!eO+3. Zr0aのファイバーもしくはウィスカ
ーが繊維強化に効果がある。かかるファイバーもしくは
ウィスカーは、単独で使用してもよく、2種以上併用し
てもよい。
かかるファイバーもしくはウィスカーの添加量はガラス
粉末及び耐火物フィラーの総量である無機成分に対し、
重量で2〜15%添加するのが好ましい。添加量が2重
量%未満では、添加による効果が少なく、他方35重量
%を越えると基板の表面粗度が低下するので好ましくな
い。
粉末及び耐火物フィラーの総量である無機成分に対し、
重量で2〜15%添加するのが好ましい。添加量が2重
量%未満では、添加による効果が少なく、他方35重量
%を越えると基板の表面粗度が低下するので好ましくな
い。
一方、無機成分中のガラス粉末の含有量は、30重量%
より少ないと充分な緻密焼結層ができず、好ましくない
。一方、701遺%より多いと、表面に形成する導体と
の反”応性が大きくなり、導体の半田濡れ性を損なうの
で好ましくない。
より少ないと充分な緻密焼結層ができず、好ましくない
。一方、701遺%より多いと、表面に形成する導体と
の反”応性が大きくなり、導体の半田濡れ性を損なうの
で好ましくない。
チタン酸のカリウム(K2TiaO+ a)ウィスカー
やその他の化合物のファイバーを使用する場合の形状に
ついて表1に示した。本来、本発明に使用するファイバ
ー、ウィスカーは細くである程度長いものが望ましいが
、ファイバーでは細いものができず、ウィスカーは長い
物ができない。太いものは多層回路基板の表面が粗くな
り、ペーストの印刷ができなくなる。また、長さが20
0μm以上であると、ドクターブレード成形時に配向し
てしまい、グリーンシートの収縮率の制御が困難となる
。また平均アスペクト比が10以下の繊維では強化効果
が少ない。
やその他の化合物のファイバーを使用する場合の形状に
ついて表1に示した。本来、本発明に使用するファイバ
ー、ウィスカーは細くである程度長いものが望ましいが
、ファイバーでは細いものができず、ウィスカーは長い
物ができない。太いものは多層回路基板の表面が粗くな
り、ペーストの印刷ができなくなる。また、長さが20
0μm以上であると、ドクターブレード成形時に配向し
てしまい、グリーンシートの収縮率の制御が困難となる
。また平均アスペクト比が10以下の繊維では強化効果
が少ない。
一方、耐火物フィラーとしては、アルミナ(AIJ*l
、ジルコン(ZrSiO41、〕オオルスステライトコ
ージェライト等が単独または併用で用いることができる
が、これらフィラーは、いずれもガラスとはなじみ易く
、緻密な焼結基板が得られ、さらに入手し易いという特
徴を持っている。
、ジルコン(ZrSiO41、〕オオルスステライトコ
ージェライト等が単独または併用で用いることができる
が、これらフィラーは、いずれもガラスとはなじみ易く
、緻密な焼結基板が得られ、さらに入手し易いという特
徴を持っている。
[作用]
本発明は、回路基板組成物に酸化物セラミックスファイ
バーもしくは、酸化物セラミックスウィスカーを添加す
ることにより、基板を繊維強化する。
バーもしくは、酸化物セラミックスウィスカーを添加す
ることにより、基板を繊維強化する。
[実施例]
低融点ガラスフリットと無機耐火物フィラーと酸化物セ
ラミックスファイバーもしくは、酸化物セラミックスウ
ィスカーを所定の割合(表2に記載)になるように混合
した。
ラミックスファイバーもしくは、酸化物セラミックスウ
ィスカーを所定の割合(表2に記載)になるように混合
した。
次いで、これらに有機バインダーとして、アクリル樹脂
、可塑剤として、フタル酸ジブチル、並びに溶剤として
トルエンを添加し、混練して粘度10.000〜30.
口00cpsのスラリーを作成した。次いで、このスラ
リーを約0.2mm厚のシートにした後、70℃で約2
時間屹燥した。次いでこのシートに導体ペーストを印刷
し、4層に積層して、900℃、6時間焼成し、焼成基
板を製造した。
、可塑剤として、フタル酸ジブチル、並びに溶剤として
トルエンを添加し、混練して粘度10.000〜30.
口00cpsのスラリーを作成した。次いで、このスラ
リーを約0.2mm厚のシートにした後、70℃で約2
時間屹燥した。次いでこのシートに導体ペーストを印刷
し、4層に積層して、900℃、6時間焼成し、焼成基
板を製造した。
次に、該焼成基板を使用して第1図に示す厚膜回路素子
11を作った。第1図において1はIcチップ、2,4
.7はボンディングバット、3.8はAg−Cuロウ材
、5は焼成基板、6は内部導体、9は入出力用のビン(
I10ビン)、IOはクラック、11は厚膜回路素子で
ある。
11を作った。第1図において1はIcチップ、2,4
.7はボンディングバット、3.8はAg−Cuロウ材
、5は焼成基板、6は内部導体、9は入出力用のビン(
I10ビン)、IOはクラック、11は厚膜回路素子で
ある。
焼成基板上のボンディングバット7上にAg−Cuのロ
ウ材8を塗布し、42−アロイの 110ビン9を立て
、850℃・10分間加熱し、接着させた。この焼成基
板5について、抗折強度、破壊靭性(K Ic) 、+
10ビン9の接着強度を評価した。評価結果を表2の下
段に示した。表2から明らかな如く、本発明の組成物は
、+10ビン9の接着強度に優れた信頼性の高い回路基
板素子を製造するのに適している。なお、各特性の評価
方法は次のとおりである。抗折強度:東洋ボールドウィ
ン製強度試験機により測定した。
ウ材8を塗布し、42−アロイの 110ビン9を立て
、850℃・10分間加熱し、接着させた。この焼成基
板5について、抗折強度、破壊靭性(K Ic) 、+
10ビン9の接着強度を評価した。評価結果を表2の下
段に示した。表2から明らかな如く、本発明の組成物は
、+10ビン9の接着強度に優れた信頼性の高い回路基
板素子を製造するのに適している。なお、各特性の評価
方法は次のとおりである。抗折強度:東洋ボールドウィ
ン製強度試験機により測定した。
破壊靭性値(K Ic) : D、T、法により測定
した。
した。
(double torsion technique
) 接着強度:西進商事■製、接着強度試験機によ
り測定した。
) 接着強度:西進商事■製、接着強度試験機によ
り測定した。
[発明の効果コ
本発明による回路基板組成物は、繊維強化により、基板
強度向上の効果を有し、特に基板のKIGが著しく向上
するという効果が認められZる。
強度向上の効果を有し、特に基板のKIGが著しく向上
するという効果が認められZる。
また本発明の繊維の材質は酸素と反応しないので焼成中
の発泡もなく、緻密にでき上り、繊維をばらばらに混入
させているだけなので、焼成中の収縮成分にも親和性が
良い。
の発泡もなく、緻密にでき上り、繊維をばらばらに混入
させているだけなので、焼成中の収縮成分にも親和性が
良い。
さらには、I10ビンと基板との接着力も強固になり、
信頼性の高い、高性能な厚膜回路素子用の基板が得られ
る。
信頼性の高い、高性能な厚膜回路素子用の基板が得られ
る。
表1
Claims (3)
- (1)無機成分が、ガラス粉末30〜70重量%と、耐
火物フィラー30〜70重量%とからなる組成物に対し
、酸化物セラミックスファイバー又は酸化物セラミック
スウィスカーを添加してなる回路基板組成物。 - (2)前記酸化物セラミックスファイバーもしくは酸化
物セラミックスウィスカーは無機成分に対し、2〜35
重量%添加されている特許請求の範囲第1項記載の回路
基板組成物。 - (3)前記酸化物セラミックスファイバーもしくは酸化
物セラミックスウィスカーは、Al_2O_3,ZrO
_2,SiO_2,MgO,K_2Ti_5O_1_3
から選ばれた少なくとも1者である特許請求の範囲第1
項又は第2項記載の回路基板組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297648A JPH01140792A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 回路基板組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297648A JPH01140792A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 回路基板組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140792A true JPH01140792A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17849306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297648A Pending JPH01140792A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 回路基板組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140792A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312886A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Hitachi Ltd | セラミック積層回路基板及びその製造方法並びに前記基板の用途 |
| JPH0234574A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-05 | Fine Ceramic Center | セラミツクス質複合材料及びその製造方法 |
| JPH03245596A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-01 | Nec Corp | 多層セラミック配線基板 |
| JP2002193691A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Kyocera Corp | 低誘電率セラミック焼結体及びその製造方法、並びにそれを用いた配線基板 |
| JP2006253227A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Tdk Corp | セラミック多層基板及びセラミック多層基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62297648A patent/JPH01140792A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312886A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Hitachi Ltd | セラミック積層回路基板及びその製造方法並びに前記基板の用途 |
| JPH0234574A (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-05 | Fine Ceramic Center | セラミツクス質複合材料及びその製造方法 |
| JPH03245596A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-01 | Nec Corp | 多層セラミック配線基板 |
| JP2002193691A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Kyocera Corp | 低誘電率セラミック焼結体及びその製造方法、並びにそれを用いた配線基板 |
| JP2006253227A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Tdk Corp | セラミック多層基板及びセラミック多層基板の製造方法 |
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