JPH01148780A - 粉粒体供給装置 - Google Patents
粉粒体供給装置Info
- Publication number
- JPH01148780A JPH01148780A JP30616787A JP30616787A JPH01148780A JP H01148780 A JPH01148780 A JP H01148780A JP 30616787 A JP30616787 A JP 30616787A JP 30616787 A JP30616787 A JP 30616787A JP H01148780 A JPH01148780 A JP H01148780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace wall
- opening
- tube
- crucible
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000002989 Euphorbia neriifolia Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/0015—Feeding of the particles in the reactor; Evacuation of the particles out of the reactor
- B01J8/003—Feeding of the particles in the reactor; Evacuation of the particles out of the reactor in a downward flow
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、単結晶引上げ装置用の粉粒体供給装置、特に
単結晶引上げ装置用のるつぼ内にシリコン多結晶を連続
的に供給し得る供給装置に関する。
単結晶引上げ装置用のるつぼ内にシリコン多結晶を連続
的に供給し得る供給装置に関する。
し従来の技術］
単結晶の引上げ装置の真空溶融炉内にるつぼが設けられ
ており、このるつぼ内でシリコン多結晶が加熱され、シ
リコン溶融液となる。単結晶の引上げに伴ってシリコン
溶融液の液面が下がらないように、シリコン多結晶がる
つぼ内に補給される。
ており、このるつぼ内でシリコン多結晶が加熱され、シ
リコン溶融液となる。単結晶の引上げに伴ってシリコン
溶融液の液面が下がらないように、シリコン多結晶がる
つぼ内に補給される。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、溶融炉は中が真空に維持されているので、大気
圧下の溶融炉の外部からシリコン多結晶を溶融炉の中に
収容されたるつぼ内に供給するのは困難である。
圧下の溶融炉の外部からシリコン多結晶を溶融炉の中に
収容されたるつぼ内に供給するのは困難である。
本発明の目的は、中が真空に保たれた溶融炉内のるつぼ
に連続的にシリコン多結晶を供給し得る単結晶の引上げ
装置用の粉粒体供給装置を提供することにある。
に連続的にシリコン多結晶を供給し得る単結晶の引上げ
装置用の粉粒体供給装置を提供することにある。
Ｅ問題点を解決するための手段］
本発明によれば、前記目的は、中が真空に保たれた炉壁
内に収容されると共に結晶成分溶融液を収容するるつぼ
にシリコン多結晶の粉粒体を供給する供給手段と、前記
供給手段を中に収容し、中と外部とを気密的に遮蔽する
′ａ蔽手段と、前記遮蔽手段の内外を連通りべく前記遮
蔽手段に設【プられた第１の間口部と、前記炉壁の内外
を連通すべく前記炉壁に設けられた第２の開口部と前記
第１の間口部とを気密的に接続する接続手段と、前記第
１の開口部を開閉すべく前記遮蔽手段に設けられた開閉
手段と、前記遮蔽手段の中の圧力を前記炉壁内の圧力以
Ｆに低下させるべく前記遮蔽手段に接続された圧力低下
手段とからなる単結晶の引上げ装置用の粉粒体供給装置
によって達成される。
内に収容されると共に結晶成分溶融液を収容するるつぼ
にシリコン多結晶の粉粒体を供給する供給手段と、前記
供給手段を中に収容し、中と外部とを気密的に遮蔽する
′ａ蔽手段と、前記遮蔽手段の内外を連通りべく前記遮
蔽手段に設【プられた第１の間口部と、前記炉壁の内外
を連通すべく前記炉壁に設けられた第２の開口部と前記
第１の間口部とを気密的に接続する接続手段と、前記第
１の開口部を開閉すべく前記遮蔽手段に設けられた開閉
手段と、前記遮蔽手段の中の圧力を前記炉壁内の圧力以
Ｆに低下させるべく前記遮蔽手段に接続された圧力低下
手段とからなる単結晶の引上げ装置用の粉粒体供給装置
によって達成される。
［作用］
本発明によれば、中が真空に保たれた炉壁内に外気及び
不純物を侵入させることなく炉壁内のるつぼにシリコン
多結晶を供給しＩＨる。
不純物を侵入させることなく炉壁内のるつぼにシリコン
多結晶を供給しＩＨる。
本発明による開閉手段はゲート弁であってもよい。
［具体例１
以下、本発明を図面に示す好ましい具体例を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
円筒状のチャンバ側壁１が床２の上に固定されている。
側壁１の上端には、チャンバ筒３がボルト締めされてお
り、さらに筒３の上端には、チャンバ蓋４がボルト締め
されている。ここに、側壁１、床２、筒３及び蓋４は真
空溶融炉用の炉壁５を構成している。炉壁５の中は、炉
壁５に接続された適宜な真空ポンプ１７により真空２０
トールに保たれている。炉Ｗ５の中には円筒状石英製る
つぼ６が配冒されており、るつば６は支持台７の上に支
持されている。支持台Ｔは、さらに、るつぼ６を矢印Ｐ
の方向に回転させる回転手段８の上に載せられている。
り、さらに筒３の上端には、チャンバ蓋４がボルト締め
されている。ここに、側壁１、床２、筒３及び蓋４は真
空溶融炉用の炉壁５を構成している。炉壁５の中は、炉
壁５に接続された適宜な真空ポンプ１７により真空２０
トールに保たれている。炉Ｗ５の中には円筒状石英製る
つぼ６が配冒されており、るつば６は支持台７の上に支
持されている。支持台Ｔは、さらに、るつぼ６を矢印Ｐ
の方向に回転させる回転手段８の上に載せられている。
るつは６のまわりには、るつぼ６を包囲する環状のヒー
タ ９が設けられており、ヒータ ９が発生する熱によ
ってるつぼ６内に収容されたシリコン多結晶が溶解され
、結晶成分溶融液としてのシリコン溶融液１０となる。
タ ９が設けられており、ヒータ ９が発生する熱によ
ってるつぼ６内に収容されたシリコン多結晶が溶解され
、結晶成分溶融液としてのシリコン溶融液１０となる。
シリコン単結晶１１はワイヤ１２を介して単結晶引上げ
手段１３によって吊下げられている。引上げ手段１３は
、単結晶１１を単結晶１１の下端が溶融液１０の液面に
接して固液界面を形成しつつ溶融液１０の固化に応じて
単結晶１１を矢印Ｑの方向に回転させ且つ引上げる。
手段１３によって吊下げられている。引上げ手段１３は
、単結晶１１を単結晶１１の下端が溶融液１０の液面に
接して固液界面を形成しつつ溶融液１０の固化に応じて
単結晶１１を矢印Ｑの方向に回転させ且つ引上げる。
筒３には、るつぼ６の上方の位置において、炉壁５の内
外を連通ずるための開口部１４が設けられており、間口
部１４には、間口部７４を開閉するためのゲート弁１５
が設けられている。また、ゲート弁１５に隣接して後述
する接続手段１６が開口部１４に設けられている。
外を連通ずるための開口部１４が設けられており、間口
部１４には、間口部７４を開閉するためのゲート弁１５
が設けられている。また、ゲート弁１５に隣接して後述
する接続手段１６が開口部１４に設けられている。
次に、シリコン多結晶の粉粒体の連続供給装置１９につ
いて説明する。
いて説明する。
ホッパ２０の中には１００ミクロンから３ミリメートル
の範囲の粒度分布を有するシリコン多結晶の粉粒体２１
が収容されている。ホッパ２０の出口部２２は管２３に
よって延長されており、管２３は、はぼ水平に配設され
た口径３０ミリメートルの管２４の一端に遊びを持って
挿入されている。管２４の他端は縦方向に配設された管
２５の一端の中に遊びを持って挿入されている。管２５
の他端はるつぼ６の上方に位置する。管２４は、ぞの−
喘より他端が下になるように適宜に傾斜してもよい。ま
た、管２４に代えて樋を用いてもよい。ホッパ２０、管
２３．２４は本発明の装置による供給手段を構成する。
の範囲の粒度分布を有するシリコン多結晶の粉粒体２１
が収容されている。ホッパ２０の出口部２２は管２３に
よって延長されており、管２３は、はぼ水平に配設され
た口径３０ミリメートルの管２４の一端に遊びを持って
挿入されている。管２４の他端は縦方向に配設された管
２５の一端の中に遊びを持って挿入されている。管２５
の他端はるつぼ６の上方に位置する。管２４は、ぞの−
喘より他端が下になるように適宜に傾斜してもよい。ま
た、管２４に代えて樋を用いてもよい。ホッパ２０、管
２３．２４は本発明の装置による供給手段を構成する。
ホッパ２０、管２３、管２４及び管２５は、中と外部と
を気密的に遮蔽する覆い２６．２７．２８の中に収容さ
れている。覆い２７と覆い２８とは接続手段４４によっ
て気密的に接続されている。覆い２６．２７は本発明の
装置による′ａ蔽平手段構成する。ホッパ２０の中に粉
粒体２１を補給するのを容易とするために、ホッパ２０
の上端間口部に面する位置において覆い２６に取りはず
し自在の気密蓋４６が設けられている。
を気密的に遮蔽する覆い２６．２７．２８の中に収容さ
れている。覆い２７と覆い２８とは接続手段４４によっ
て気密的に接続されている。覆い２６．２７は本発明の
装置による′ａ蔽平手段構成する。ホッパ２０の中に粉
粒体２１を補給するのを容易とするために、ホッパ２０
の上端間口部に面する位置において覆い２６に取りはず
し自在の気密蓋４６が設けられている。
覆い２８．２７．２８は、適宜な支持部材を介して夫々
ホッパ２０、管２４、管２５を支持している。覆い２６
は、後述する振動付与手段２９を介して支持ユニット３
０の上に支持されており、ユニット３０には、ユニット
３０が床２の上を容易に移動し得るように適宜な数のロ
ーラ１８が設けられている。
ホッパ２０、管２４、管２５を支持している。覆い２６
は、後述する振動付与手段２９を介して支持ユニット３
０の上に支持されており、ユニット３０には、ユニット
３０が床２の上を容易に移動し得るように適宜な数のロ
ーラ１８が設けられている。
振動付与手段２９は、電磁的に振動を発生する手段であ
り、ホッパ２０から管２４の一端に落下した粉粒体２１
が管２４の他端に搬送されるように覆い２７及び管２４
を揺り動かす。手段２９による管２４の振動は、水平方
向に沿った振幅がＯ〜１．５ミリメートルの範囲で、垂
直方向に沿った振幅がＯ〜０．５−ミリメートルの範囲
で、周期は共に５Ｑｌｌｚである。
り、ホッパ２０から管２４の一端に落下した粉粒体２１
が管２４の他端に搬送されるように覆い２７及び管２４
を揺り動かす。手段２９による管２４の振動は、水平方
向に沿った振幅がＯ〜１．５ミリメートルの範囲で、垂
直方向に沿った振幅がＯ〜０．５−ミリメートルの範囲
で、周期は共に５Ｑｌｌｚである。
管２４の振幅をこのように変化させることによって、管
２４の粉粒体２１の搬送用を０〜２００００ｍ３７分の
範囲で調整する。管２４の途中に粉粒体２１の搬送用を
積算的に計測する手段が設けられてもよい。
２４の粉粒体２１の搬送用を０〜２００００ｍ３７分の
範囲で調整する。管２４の途中に粉粒体２１の搬送用を
積算的に計測する手段が設けられてもよい。
覆い２７の撮動を許容するために、覆い２７は、−端が
ステンレス製ベロー３１を介して覆い２６に気密的に連
結されており、他端にステンレス製べ［１−３２が設け
られている。また、前）本の通り、管２４は一端が管２
３を遊びを持って収容し、他端が管２５に遊びを持って
挿入されているので、管２４の振動は許容される。
ステンレス製ベロー３１を介して覆い２６に気密的に連
結されており、他端にステンレス製べ［１−３２が設け
られている。また、前）本の通り、管２４は一端が管２
３を遊びを持って収容し、他端が管２５に遊びを持って
挿入されているので、管２４の振動は許容される。
覆い２８は、ステンレス製ベロー３３を介して接続手段
１６に気密的に連結されている。一方、覆い２８は、管
２５を、融液１０の液面の高さに応じて通常±３０ミリ
メートル、最大±１００ミリメートルの範囲で上下方向
Ｒに移動自在であると同時に、融液１０の液面への粉粒
体２１の落下位置を変更し得るように、点Ｔを中心とし
て、図示の方向Ｓ及び方向Ｓに垂直な方向に旋回自在に
支持しており、棒３４を介して管２５に連結された取っ
手３５によって、管２５の他端を炉壁５の中に入れ■−
１つ炉壁５の中から出し得、かつ管２５の他端を点Ｔを
中心として旋回させ１ｒ４る。覆い２８の棒３４が貫通
する部分には、棒３４を遊びを持って貫通させ、かつ取
っ手３５を摺動自在に支持する蓋３６が没（プられてお
り、覆い２８の気密性を保持するために、棒３４を収容
し且つ一端が取っ手３５に他端が蓋３６に気密的に接続
されたステンレス製のべ０−３７が設けられている。
１６に気密的に連結されている。一方、覆い２８は、管
２５を、融液１０の液面の高さに応じて通常±３０ミリ
メートル、最大±１００ミリメートルの範囲で上下方向
Ｒに移動自在であると同時に、融液１０の液面への粉粒
体２１の落下位置を変更し得るように、点Ｔを中心とし
て、図示の方向Ｓ及び方向Ｓに垂直な方向に旋回自在に
支持しており、棒３４を介して管２５に連結された取っ
手３５によって、管２５の他端を炉壁５の中に入れ■−
１つ炉壁５の中から出し得、かつ管２５の他端を点Ｔを
中心として旋回させ１ｒ４る。覆い２８の棒３４が貫通
する部分には、棒３４を遊びを持って貫通させ、かつ取
っ手３５を摺動自在に支持する蓋３６が没（プられてお
り、覆い２８の気密性を保持するために、棒３４を収容
し且つ一端が取っ手３５に他端が蓋３６に気密的に接続
されたステンレス製のべ０−３７が設けられている。
覆い２７の管２４の他端に面する位置に設けられた開口
部には、覆い２６．２７の内外を連通し且つ閉鎖するの
を選択的に行なう開閉手段としてのゲート弁４０が設け
られている。ゲート弁４０は覆い２７の開口部に設けら
れた接続手段４４によって覆い２８に接続される。
部には、覆い２６．２７の内外を連通し且つ閉鎖するの
を選択的に行なう開閉手段としてのゲート弁４０が設け
られている。ゲート弁４０は覆い２７の開口部に設けら
れた接続手段４４によって覆い２８に接続される。
ユニット３０には、適宜な配管を介して覆い２６゜２７
の所定部位に接続さ２れ１ζ真空圧２０トール以下の真
空ポンプ４５が設けられている。
の所定部位に接続さ２れ１ζ真空圧２０トール以下の真
空ポンプ４５が設けられている。
管２４に面する位置において、覆い２７には熱を容易に
通過させ得る石英製の板４１が気密的に設けられており
、板４１の上には、管２４内を搬送される粉粒体２１を
加熱するヒータ４２が設けられている。
通過させ得る石英製の板４１が気密的に設けられており
、板４１の上には、管２４内を搬送される粉粒体２１を
加熱するヒータ４２が設けられている。
以１；、本発明の装置の１具体例の作動について説明す
る。
る。
弁１５が閉鎖された状態で、炉壁５内で単結晶１１の引
上げが行なわれる。一方、供給装置１９は、弁４０が閉
鎖された状態でポンプ４５の作動によって覆い２６．２
７内は真空圧２０トール以下に保持されている。ユニッ
ト３０を床２の適宜な位置に設けられたストッパ４３に
当接するまで炉壁５に接近させ、覆い２６．２７が接続
手段４４によって覆い２８にに接続される。ここに、覆
い２８及び管２５等は通常炉壁５に接続されたままであ
る。その後、弁１５及び弁４０が開放され、ポンプ４５
は停止する。炉壁５内及び覆い２Ｊ ２７．２８内はポ
ンプ１７によって２０トールに保持される。
上げが行なわれる。一方、供給装置１９は、弁４０が閉
鎖された状態でポンプ４５の作動によって覆い２６．２
７内は真空圧２０トール以下に保持されている。ユニッ
ト３０を床２の適宜な位置に設けられたストッパ４３に
当接するまで炉壁５に接近させ、覆い２６．２７が接続
手段４４によって覆い２８にに接続される。ここに、覆
い２８及び管２５等は通常炉壁５に接続されたままであ
る。その後、弁１５及び弁４０が開放され、ポンプ４５
は停止する。炉壁５内及び覆い２Ｊ ２７．２８内はポ
ンプ１７によって２０トールに保持される。
取っ手３５の操作によって、管２５の他端が炉壁５内に
挿入され、Ｌ［つ所望の位置に移動される。手段２９に
よって管２５に所望量の撮動が加えられ、ホッパ２０か
らの粉粒体２１が管２４内を所望量搬送される。このよ
うにるつぼ６内に粉粒体２１が連続的に供給されながら
単結晶１１が引上げられる。
挿入され、Ｌ［つ所望の位置に移動される。手段２９に
よって管２５に所望量の撮動が加えられ、ホッパ２０か
らの粉粒体２１が管２４内を所望量搬送される。このよ
うにるつぼ６内に粉粒体２１が連続的に供給されながら
単結晶１１が引上げられる。
単結晶１１の引上げ完了後、ユニット３０を管２４の他
端が弁４０を越えるまで後退さｕｌかつ取っ手３５の操
作によって管２４の他端を弁１５の上まで引上げ状態で
弁１５及び弁４０を閉鎖させる。次に、接続手段４４を
解除し、覆い２７を覆い２８からはずｌ、、ユニット３
０をさらに後退さける。この後、覆い２６，２７、ホッ
パ２０、管２４、手段２９等を載せたユニット３０は、
他の真空溶融炉に粉粒体２１を供給すべく接近してもよ
い。これにより、１台の供給装置１って複数台の真空溶
融炉に交互に粉粒体２１を供給し得る。
端が弁４０を越えるまで後退さｕｌかつ取っ手３５の操
作によって管２４の他端を弁１５の上まで引上げ状態で
弁１５及び弁４０を閉鎖させる。次に、接続手段４４を
解除し、覆い２７を覆い２８からはずｌ、、ユニット３
０をさらに後退さける。この後、覆い２６，２７、ホッ
パ２０、管２４、手段２９等を載せたユニット３０は、
他の真空溶融炉に粉粒体２１を供給すべく接近してもよ
い。これにより、１台の供給装置１って複数台の真空溶
融炉に交互に粉粒体２１を供給し得る。
［本発明の効果］
本発明によれば、中が真空に保たれた炉壁内に外気及び
不純物を侵入させることなく炉壁内のるつぼにシリコン
多結晶を供給し得る。
不純物を侵入させることなく炉壁内のるつぼにシリコン
多結晶を供給し得る。
図は、本発明の装置の１具体例の概略縦断面図である。
５・・・・・・炉壁、６・・・・・・るつぼ、１０・・
・・・・シリコン溶融液、１１・・・・・・シリコン単
結晶、２０・・・・・・ホッパ、２１・・・・・・シリ
コン多結晶の粉粒体、２３，２４．２５・・・・・・管
、４５・・・・・・真空ポンプ。
・・・・シリコン溶融液、１１・・・・・・シリコン単
結晶、２０・・・・・・ホッパ、２１・・・・・・シリ
コン多結晶の粉粒体、２３，２４．２５・・・・・・管
、４５・・・・・・真空ポンプ。
Claims (2)
- （１）中が真空に保たれた炉壁内に収容されると共に結
晶成分溶融液を収容するるつぼにシリコン多結晶の粉粒
体を供給する供給手段と、前記供給手段を中に収容し、
中と外部とを気密的に遮蔽する遮蔽手段と、前記遮蔽手
段の内外を連通すベく前記遮蔽手段に設けられた第１の
間口部と、前記炉壁の内外を連通すベく前記炉壁に設け
られた第２の開口部と前記第１の開口部とを気密的に接
続する接続手段と、前記第１の開口部を開閉すべく前記
遮蔽手段に設けられた開閉手段と、前記遮蔽手段の中の
圧力を前記炉壁内の圧力以下に低下させるべく前記遮蔽
手段に接続された圧力低下手段とからなる単結晶の引上
げ装置用の粉粒体供給装置。 - （２）前記開閉手段がゲート弁からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306167A JP2617197B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 粉粒体供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306167A JP2617197B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 粉粒体供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01148780A true JPH01148780A (ja) | 1989-06-12 |
| JP2617197B2 JP2617197B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=17953849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62306167A Expired - Fee Related JP2617197B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 粉粒体供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617197B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323286A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-31 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶育成装置 |
| JPH0337183A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-18 | Nkk Corp | 粒状シリコン原料供給装置 |
| US5855232A (en) * | 1996-02-27 | 1999-01-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Automatic metering/supplying apparatus for granular substances |
| EP2072645A2 (en) | 2007-12-19 | 2009-06-24 | Schott AG | Method for producing a monocrystalline or polycrystalline semiconductor material |
| DE102007061704A1 (de) | 2007-12-19 | 2009-09-10 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines ein- oder polykristallinen Materials |
| DE102008022882A1 (de) | 2008-05-08 | 2009-11-05 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Kristallisieren eines Halbleitermaterials, inbesondere von Silizium |
| JP2012189244A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sinfonia Technology Co Ltd | 被処理物投入装置用のパイプユニット及びこのパイプユニットに用いるパイプ |
| JP2012189243A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sinfonia Technology Co Ltd | 被処理物投入装置 |
| JP2013083389A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sinfonia Technology Co Ltd | 被処理物投入装置 |
| CN103597127A (zh) * | 2011-04-20 | 2014-02-19 | Gt高级锆石有限责任公司 | 用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统 |
| CN106705679A (zh) * | 2017-02-13 | 2017-05-24 | 上海交通大学 | 在线加料装置 |
| JP2018039690A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社Sumco | 融液導入管及びこれを用いたシリコン単結晶の製造装置 |
| US10202704B2 (en) | 2011-04-20 | 2019-02-12 | Gtat Ip Holding Llc | Side feed system for Czochralski growth of silicon ingots |
| CN113135443A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-07-20 | 广州柏创机电设备有限公司 | 一种自动加料器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688896A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-18 | Fujitsu Ltd | Growth of single crystal |
| JPS62260791A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP62306167A patent/JP2617197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688896A (en) * | 1979-12-22 | 1981-07-18 | Fujitsu Ltd | Growth of single crystal |
| JPS62260791A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上装置 |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323286A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-31 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶育成装置 |
| JPH0337183A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-18 | Nkk Corp | 粒状シリコン原料供給装置 |
| US5855232A (en) * | 1996-02-27 | 1999-01-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Automatic metering/supplying apparatus for granular substances |
| EP2072645A2 (en) | 2007-12-19 | 2009-06-24 | Schott AG | Method for producing a monocrystalline or polycrystalline semiconductor material |
| DE102007061704A1 (de) | 2007-12-19 | 2009-09-10 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines ein- oder polykristallinen Materials |
| US8101019B2 (en) | 2007-12-19 | 2012-01-24 | Schott Ag | Method for producing a monocrystalline or polycrystalline semiconductor material |
| DE102008022882A1 (de) | 2008-05-08 | 2009-11-05 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Kristallisieren eines Halbleitermaterials, inbesondere von Silizium |
| JP2012189244A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sinfonia Technology Co Ltd | 被処理物投入装置用のパイプユニット及びこのパイプユニットに用いるパイプ |
| JP2012189243A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sinfonia Technology Co Ltd | 被処理物投入装置 |
| CN103597127A (zh) * | 2011-04-20 | 2014-02-19 | Gt高级锆石有限责任公司 | 用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统 |
| JP2014512330A (ja) * | 2011-04-20 | 2014-05-22 | ジーティー アドヴァンスト シーズィー， エルエルシー | シリコンインゴットのチョクラルスキー成長用の側方供給装置 |
| KR20140097972A (ko) * | 2011-04-20 | 2014-08-07 | 지티 어드밴스드 씨제트 엘엘씨 | 실리콘 잉곳의 초크랄스키 성장을 위한 측면공급장치 |
| EP2699716A4 (en) * | 2011-04-20 | 2014-09-03 | Gt Advanced Cz Llc | SIDE FEEDING SYSTEM FOR CZOCHRALSKI BREEDING OF SILICONE BLOCKS |
| US10202704B2 (en) | 2011-04-20 | 2019-02-12 | Gtat Ip Holding Llc | Side feed system for Czochralski growth of silicon ingots |
| CN112680786A (zh) * | 2011-04-20 | 2021-04-20 | Gtat Ip控股有限责任公司 | 用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统 |
| JP2013083389A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sinfonia Technology Co Ltd | 被処理物投入装置 |
| JP2018039690A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社Sumco | 融液導入管及びこれを用いたシリコン単結晶の製造装置 |
| US10415150B2 (en) | 2016-09-06 | 2019-09-17 | Sumco Corporation | Apparatus for manufacturing silicon single crystal and melt inlet pipe of the same |
| CN106705679A (zh) * | 2017-02-13 | 2017-05-24 | 上海交通大学 | 在线加料装置 |
| CN113135443A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-07-20 | 广州柏创机电设备有限公司 | 一种自动加料器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2617197B2 (ja) | 1997-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01148780A (ja) | 粉粒体供給装置 | |
| US4036595A (en) | Continuous crystal growing furnace | |
| JP6097276B2 (ja) | シリコンインゴットのチョクラルスキー成長用の側方供給装置 | |
| US3998686A (en) | Sapphire growth from the melt using porous alumina raw batch material | |
| US4454096A (en) | Crystal growth furnace recharge | |
| JP3115335B2 (ja) | 融液補給装置 | |
| JP2003532611A (ja) | シリコン結晶成長処理に砒素不純物を供給する装置およびその方法 | |
| US6402840B1 (en) | Crystal growth employing embedded purification chamber | |
| US3701636A (en) | Crystal growing apparatus | |
| JPH01153590A (ja) | 真空窯内で単結晶を引き上げる際に溶融るつぼに溶融材料を連続的に供給するための装置 | |
| US3582287A (en) | Seed pulling apparatus having diagonal feed and gas doping | |
| US3189415A (en) | Device for crucible-free zone melting | |
| JPH06205960A (ja) | 粒状物質の供給装置 | |
| KR20150131044A (ko) | 흑연 핫 구역에 사용하기 위한 부품을 사용하는 노 | |
| JPH09194289A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH0323286A (ja) | 単結晶育成装置 | |
| JPS60226493A (ja) | 分子ジエツトエピタキシヤル成長用装置 | |
| JP3564830B2 (ja) | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| CN207435581U (zh) | 一种物料供给装置以及晶体生长系统 | |
| JPS5933552B2 (ja) | 結晶成長装置 | |
| JPH0523580Y2 (ja) | ||
| JP2000211989A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| CN210048876U (zh) | 柴可拉斯基生长装置转换配件 | |
| JP2533686B2 (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| WO1986006109A1 (en) | Method and apparatus for growing single crystal bodies |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |