JPH01152120A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPH01152120A JPH01152120A JP30965687A JP30965687A JPH01152120A JP H01152120 A JPH01152120 A JP H01152120A JP 30965687 A JP30965687 A JP 30965687A JP 30965687 A JP30965687 A JP 30965687A JP H01152120 A JPH01152120 A JP H01152120A
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Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体封止用樹脂組成物に関するものであり
、更に詳しくは半導体を湿度より保護すること、詳しく
は水分の侵入により半導体表面のアルミ配線が腐食する
のを防止することを、目的とする封止用液状樹脂に関す
るものである。
、更に詳しくは半導体を湿度より保護すること、詳しく
は水分の侵入により半導体表面のアルミ配線が腐食する
のを防止することを、目的とする封止用液状樹脂に関す
るものである。
従来の半導体封止用液状樹脂としては、主にシリコーン
樹脂、エポキシ樹脂等が用いられてきた。
樹脂、エポキシ樹脂等が用いられてきた。
シリコーン樹脂はそれ自体の対湿性は優れているが、硬
度に乏しくこのため外圧の影響を受は易く、金線で半導
体チップと外部リードを接続している場合この金線が破
断し易いという問題がある。
度に乏しくこのため外圧の影響を受は易く、金線で半導
体チップと外部リードを接続している場合この金線が破
断し易いという問題がある。
一方、エポキシ樹脂としては、低粘度で作業性に優れる
という特徴から、主にエポキシ樹脂/酸無水物硬化剤系
が用いられてきた。しかしながら、これらの硬化物は樹
脂自体の吸水性が大きく、又界面において水の侵入を受
は易い為、半導体素子で通常行なわれているプレッシャ
ークツカーテスト(以下、PCTという)の条件(12
5℃2、3atm 100%RH)で10時間程度でア
ルミ配線の腐食が発生し、通常100時間以上を要求さ
れている点からみて、不十分であった。この要求も年々
高くなり、500時間以上を要求される素子も出始めて
いる。この不良の原因としては主に、硬化反応が完結し
ておらず、未硬化という欠陥部分を持っていることが挙
げられる。
という特徴から、主にエポキシ樹脂/酸無水物硬化剤系
が用いられてきた。しかしながら、これらの硬化物は樹
脂自体の吸水性が大きく、又界面において水の侵入を受
は易い為、半導体素子で通常行なわれているプレッシャ
ークツカーテスト(以下、PCTという)の条件(12
5℃2、3atm 100%RH)で10時間程度でア
ルミ配線の腐食が発生し、通常100時間以上を要求さ
れている点からみて、不十分であった。この要求も年々
高くなり、500時間以上を要求される素子も出始めて
いる。この不良の原因としては主に、硬化反応が完結し
ておらず、未硬化という欠陥部分を持っていることが挙
げられる。
本発明は、前述のような問題を解決すると共に、よりシ
ビアーな要求に応えることのできる樹脂材料を供給する
ことを目的としたものである。
ビアーな要求に応えることのできる樹脂材料を供給する
ことを目的としたものである。
即ち、通常のエポキシ樹脂は前述の様に吸水性が大きい
こと、又界面の密着力が不十分であること、尚且つ熱変
形温度が低いことが前述の問題の原因であり、さらにそ
の直接的な原因が未硬化という欠陥部分を持っているこ
とにあるとの知見を得て、鋭意検討した結果、本発明に
到達したものである。
こと、又界面の密着力が不十分であること、尚且つ熱変
形温度が低いことが前述の問題の原因であり、さらにそ
の直接的な原因が未硬化という欠陥部分を持っているこ
とにあるとの知見を得て、鋭意検討した結果、本発明に
到達したものである。
即ち本発明は、1分子中に2ヶ以上のエポキシ基を有す
る液状エポキシ樹脂と、p、p’の位置にアミノ基を有
する芳香族ジアミン(以下、p、 p’ −1芳香族ジ
アミンという)とを必須成分とし、該芳香族ジアミン中
のpもしくはp°以外の位置にアミノ基を有する異性体
の含有量が0.1%以下であることを特徴とする半導体
封止用樹脂組成物である。
る液状エポキシ樹脂と、p、p’の位置にアミノ基を有
する芳香族ジアミン(以下、p、 p’ −1芳香族ジ
アミンという)とを必須成分とし、該芳香族ジアミン中
のpもしくはp°以外の位置にアミノ基を有する異性体
の含有量が0.1%以下であることを特徴とする半導体
封止用樹脂組成物である。
出し、特願昭62−212698号に開示したが、更に
検討を進めて、通常工業的に得られるp、p’−芳香族
ジアミンの中に、アミノ基の位置がo、o’−あるいは
m、m’−である異性体が含まれ、これらの異性体はり
、9’−のものに較ベエボキシ樹脂との反応性が劣る為
、硬化反応が完結せず未硬化という欠陥部分を持つこと
を見出した。その結果、これらの異とを見出し本発明を
完成するに至ったものである。
検討を進めて、通常工業的に得られるp、p’−芳香族
ジアミンの中に、アミノ基の位置がo、o’−あるいは
m、m’−である異性体が含まれ、これらの異性体はり
、9’−のものに較ベエボキシ樹脂との反応性が劣る為
、硬化反応が完結せず未硬化という欠陥部分を持つこと
を見出した。その結果、これらの異とを見出し本発明を
完成するに至ったものである。
以下、本発明の詳細について記載する。
本発明で用いられるエポキシ樹脂は、特に限定しないが
、エポキシ基を1分子当り2ヶ以上含み、且つ室温では
液状で、粘度も1000ps以下のものが好ましい。即
ち、エポキシ基が2ケ以下であると硬化物の耐熱性が不
十分である為、本発明の主用途である半導体製品のよう
に、ヒートショックを繰り返し、且つ長時間にわたって
受けるものには適さない。ざらには前述の如<PCTの
処理温度よりも高い熱変形温度の硬化物が得られず、前
述の理由で同様に適さない。又、粘度が高すぎると封止
作業が困難になり、通常のデイスペンサー等の塗布機を
使う場合、1000ps以下であることが望ましい。
、エポキシ基を1分子当り2ヶ以上含み、且つ室温では
液状で、粘度も1000ps以下のものが好ましい。即
ち、エポキシ基が2ケ以下であると硬化物の耐熱性が不
十分である為、本発明の主用途である半導体製品のよう
に、ヒートショックを繰り返し、且つ長時間にわたって
受けるものには適さない。ざらには前述の如<PCTの
処理温度よりも高い熱変形温度の硬化物が得られず、前
述の理由で同様に適さない。又、粘度が高すぎると封止
作業が困難になり、通常のデイスペンサー等の塗布機を
使う場合、1000ps以下であることが望ましい。
芳香族ジアミンとしては、ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルエー
テル及びこれらの変成物等の芳香環を有するものが望ま
しく、これらの2種以上を混合して用いることもできる
。即ち、他の芳香環を有さないジアミン類は耐熱性に乏
しく、耐熱性が不足するという理由で本発明の目的には
適さない。又、これらの芳香族アミンの中では、ジアミ
ノジフェニルスルホンを使用した硬化物が特に高い熱変
形温度を示し、POTでも優れた結果を与える。
ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルエー
テル及びこれらの変成物等の芳香環を有するものが望ま
しく、これらの2種以上を混合して用いることもできる
。即ち、他の芳香環を有さないジアミン類は耐熱性に乏
しく、耐熱性が不足するという理由で本発明の目的には
適さない。又、これらの芳香族アミンの中では、ジアミ
ノジフェニルスルホンを使用した硬化物が特に高い熱変
形温度を示し、POTでも優れた結果を与える。
なお、本発明で用いられるエポキシ樹脂と芳香族ジアミ
ンは、いずれも塩素含有量がなるべく少ないほうが望ま
しい。塩素」があまり多いと樹脂中より抽出された塩素
イオンが半導体チップ表面のアルミ配線の腐食を引き起
こすため、塩素量は500 ppm以下であることが望
ましく、より好ましくは’+ooppm以下である。
ンは、いずれも塩素含有量がなるべく少ないほうが望ま
しい。塩素」があまり多いと樹脂中より抽出された塩素
イオンが半導体チップ表面のアルミ配線の腐食を引き起
こすため、塩素量は500 ppm以下であることが望
ましく、より好ましくは’+ooppm以下である。
又、アミノ基の位置がp、p’−のものが構造的安定で
あり、最も高い耐熱性を示し、これが100%であるこ
とが望ましいことはいうまでもない。
あり、最も高い耐熱性を示し、これが100%であるこ
とが望ましいことはいうまでもない。
しかし通矯工業的に得られるp、p’−芳香族ジアミン
中には、アミノ基の位置がpもしくはp°以外である異
性体が含まれているため、反応速度の違いから異性体部
分が未反応のまま取り残される結果、PCTによりその
部分から水分の侵入を受ける。
中には、アミノ基の位置がpもしくはp°以外である異
性体が含まれているため、反応速度の違いから異性体部
分が未反応のまま取り残される結果、PCTによりその
部分から水分の侵入を受ける。
その異性体の含有量は0.1%以下でおることが望まし
い。即ち、通常は数%含まれる異性体の含有量を減らし
ながら、PCTによる不良発生時間との関係を調べた結
果、0.1%近辺から著しく不良発生時間が延びること
が判明した為である。
い。即ち、通常は数%含まれる異性体の含有量を減らし
ながら、PCTによる不良発生時間との関係を調べた結
果、0.1%近辺から著しく不良発生時間が延びること
が判明した為である。
り半導体のAI配線のの腐食による不良の発生時間がP
CTで800時間以上、中でもジアミン成分としてジア
ミノジフェニルスルホンを用いた場合には1200時間
以上とすることも可能となり、半導体製品の信頼性が著
しく向上できる。最近のエレクトロニクス幕界のニーズ
は、従来のトランスファーモールドタイプの樹脂ばかり
でなく、液状樹脂の要求が益々大きくなって来ている。
CTで800時間以上、中でもジアミン成分としてジア
ミノジフェニルスルホンを用いた場合には1200時間
以上とすることも可能となり、半導体製品の信頼性が著
しく向上できる。最近のエレクトロニクス幕界のニーズ
は、従来のトランスファーモールドタイプの樹脂ばかり
でなく、液状樹脂の要求が益々大きくなって来ている。
それはトランスファーモールドタイプの樹脂に比べ、半
導体製品の小型化、軽量化、低コスト化が実現し易いこ
とに加え、今後大いに発展が望まれるテープキャリア、
ビングリッドアレイ用の封止には、その製法上液状樹脂
が要望されていることによるもので、本発明はそのよう
な要望に合致した価値の高いものである。
導体製品の小型化、軽量化、低コスト化が実現し易いこ
とに加え、今後大いに発展が望まれるテープキャリア、
ビングリッドアレイ用の封止には、その製法上液状樹脂
が要望されていることによるもので、本発明はそのよう
な要望に合致した価値の高いものである。
〔実施例1〕
異性体の含有量が1.2%のp、p’−ジアミノジフェ
ニルメタン(以下、DDMと記す)(活性水素当量50
)を精製して、異性体含有量が0゜2%、0.1%およ
び200 ppmのDDMを調製した。この4種類のD
DM各100部に、それぞれ液状のビスフェノールA型
エポキシ樹脂(当量190)250部を加え、更にシリ
カ粉末(平均粒径20μm>380部を加え、30分攪
拌後、最後に3本ロールを通して均質な液状樹脂を得た
。
ニルメタン(以下、DDMと記す)(活性水素当量50
)を精製して、異性体含有量が0゜2%、0.1%およ
び200 ppmのDDMを調製した。この4種類のD
DM各100部に、それぞれ液状のビスフェノールA型
エポキシ樹脂(当量190)250部を加え、更にシリ
カ粉末(平均粒径20μm>380部を加え、30分攪
拌後、最後に3本ロールを通して均質な液状樹脂を得た
。
これを模擬素子にドロッピングし、第1表に示した条件
に従って加熱硬化させた。これを125’C2,3at
m 100%R)−1の条件でPCT処理し、アルミ腐
食の発生時間(アルミ配線の導通を電気線間/線巾が5
μm15μmのクシ形パターンにAIを蒸着したチップ
を基板に接着し、25μm金線でボンディングしたもの
である。
に従って加熱硬化させた。これを125’C2,3at
m 100%R)−1の条件でPCT処理し、アルミ腐
食の発生時間(アルミ配線の導通を電気線間/線巾が5
μm15μmのクシ形パターンにAIを蒸着したチップ
を基板に接着し、25μm金線でボンディングしたもの
である。
〔実施例2〕
異性体の含有量が1.3%のp、p’−ジアミノジフェ
ニルスルホン(以下、DDSと記す) (活性水素当量
65部)を精製して異性体含有量が0゜2%、0.1%
及び190ppmのDDSを調製した。この4種類のD
DS各130部にそれぞれ液状のビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂(当量190)280部を加え、更にシリカ
粉末(平均粒径20μTrt)410部を加え、30分
攪拌後、最後に3本ロールを通して均質な液状樹脂を得
た。
ニルスルホン(以下、DDSと記す) (活性水素当量
65部)を精製して異性体含有量が0゜2%、0.1%
及び190ppmのDDSを調製した。この4種類のD
DS各130部にそれぞれ液状のビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂(当量190)280部を加え、更にシリカ
粉末(平均粒径20μTrt)410部を加え、30分
攪拌後、最後に3本ロールを通して均質な液状樹脂を得
た。
これを実施例19模擬素子にドロッピングし、第1表に
示した条件に従って加熱硬化させ、実施例1と同一条件
でPCT処理し、アルミ腐食の発生時間を調べた。
示した条件に従って加熱硬化させ、実施例1と同一条件
でPCT処理し、アルミ腐食の発生時間を調べた。
Claims (2)
- (1)1分子中に2ケ以上のエポキシ基を有する液状エ
ポキシ樹脂と、p、p′の位置にアミノ基を有する芳香
族ジアミンとを必須成分とし、該芳香族ジアミン中のp
もしくはp′以外の位置にアミノ基を有する異性体の含
有量が0.1%以下であることを特徴とする半導体封止
用樹脂組成物。 - (2)液状エポキシ樹脂および芳香族ジアミンが、共に
塩素含有量が500ppm以下であることを特徴とする
、特許請求の範囲第1項記載の半導体封止用樹脂組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309656A JPH0610248B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309656A JPH0610248B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152120A true JPH01152120A (ja) | 1989-06-14 |
| JPH0610248B2 JPH0610248B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=17995679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62309656A Expired - Lifetime JPH0610248B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610248B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019526657A (ja) * | 2017-03-22 | 2019-09-19 | エルジー・ケム・リミテッド | 半導体パッケージ用樹脂組成物とこれを用いたプリプレグおよび金属箔積層板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5170300A (ja) * | 1974-11-07 | 1976-06-17 | Ciba Geigy | |
| JPS6144919A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-03-04 | シエル・インターナシヨネイル・リサーチ・マーチヤツピイ・ベー・ウイ | ポリエポキシド、アミンおよびスルホニウム塩からなる硬化性組成物 |
| JPS627721A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止材料 |
| JPS6225116A (ja) * | 1986-07-17 | 1987-02-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 新規ポリグリシジルエ−テルから得られる樹脂 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62309656A patent/JPH0610248B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US11214677B2 (en) | 2017-03-22 | 2022-01-04 | Lg Chem, Ltd. | Resin composition for semiconductor package, prepreg and metal clad laminate using the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610248B2 (ja) | 1994-02-09 |
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