JPH01152120A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物

Info

Publication number
JPH01152120A
JPH01152120A JP30965687A JP30965687A JPH01152120A JP H01152120 A JPH01152120 A JP H01152120A JP 30965687 A JP30965687 A JP 30965687A JP 30965687 A JP30965687 A JP 30965687A JP H01152120 A JPH01152120 A JP H01152120A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aromatic diamine
resin
resin composition
epoxy resin
aromatic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP30965687A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0610248B2 (ja
Inventor
Toshinaga Endo
遠藤 歳永
Yasuo Matsui
松井 泰雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP62309656A priority Critical patent/JPH0610248B2/ja
Publication of JPH01152120A publication Critical patent/JPH01152120A/ja
Publication of JPH0610248B2 publication Critical patent/JPH0610248B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体封止用樹脂組成物に関するものであり
、更に詳しくは半導体を湿度より保護すること、詳しく
は水分の侵入により半導体表面のアルミ配線が腐食する
のを防止することを、目的とする封止用液状樹脂に関す
るものである。
〔従来技術〕
従来の半導体封止用液状樹脂としては、主にシリコーン
樹脂、エポキシ樹脂等が用いられてきた。
シリコーン樹脂はそれ自体の対湿性は優れているが、硬
度に乏しくこのため外圧の影響を受は易く、金線で半導
体チップと外部リードを接続している場合この金線が破
断し易いという問題がある。
一方、エポキシ樹脂としては、低粘度で作業性に優れる
という特徴から、主にエポキシ樹脂/酸無水物硬化剤系
が用いられてきた。しかしながら、これらの硬化物は樹
脂自体の吸水性が大きく、又界面において水の侵入を受
は易い為、半導体素子で通常行なわれているプレッシャ
ークツカーテスト(以下、PCTという)の条件(12
5℃2、3atm 100%RH)で10時間程度でア
ルミ配線の腐食が発生し、通常100時間以上を要求さ
れている点からみて、不十分であった。この要求も年々
高くなり、500時間以上を要求される素子も出始めて
いる。この不良の原因としては主に、硬化反応が完結し
ておらず、未硬化という欠陥部分を持っていることが挙
げられる。
〔発明の目的〕
本発明は、前述のような問題を解決すると共に、よりシ
ビアーな要求に応えることのできる樹脂材料を供給する
ことを目的としたものである。
即ち、通常のエポキシ樹脂は前述の様に吸水性が大きい
こと、又界面の密着力が不十分であること、尚且つ熱変
形温度が低いことが前述の問題の原因であり、さらにそ
の直接的な原因が未硬化という欠陥部分を持っているこ
とにあるとの知見を得て、鋭意検討した結果、本発明に
到達したものである。
〔発明の構成〕
即ち本発明は、1分子中に2ヶ以上のエポキシ基を有す
る液状エポキシ樹脂と、p、p’の位置にアミノ基を有
する芳香族ジアミン(以下、p、 p’ −1芳香族ジ
アミンという)とを必須成分とし、該芳香族ジアミン中
のpもしくはp°以外の位置にアミノ基を有する異性体
の含有量が0.1%以下であることを特徴とする半導体
封止用樹脂組成物である。
出し、特願昭62−212698号に開示したが、更に
検討を進めて、通常工業的に得られるp、p’−芳香族
ジアミンの中に、アミノ基の位置がo、o’−あるいは
m、m’−である異性体が含まれ、これらの異性体はり
、9’−のものに較ベエボキシ樹脂との反応性が劣る為
、硬化反応が完結せず未硬化という欠陥部分を持つこと
を見出した。その結果、これらの異とを見出し本発明を
完成するに至ったものである。
以下、本発明の詳細について記載する。
本発明で用いられるエポキシ樹脂は、特に限定しないが
、エポキシ基を1分子当り2ヶ以上含み、且つ室温では
液状で、粘度も1000ps以下のものが好ましい。即
ち、エポキシ基が2ケ以下であると硬化物の耐熱性が不
十分である為、本発明の主用途である半導体製品のよう
に、ヒートショックを繰り返し、且つ長時間にわたって
受けるものには適さない。ざらには前述の如<PCTの
処理温度よりも高い熱変形温度の硬化物が得られず、前
述の理由で同様に適さない。又、粘度が高すぎると封止
作業が困難になり、通常のデイスペンサー等の塗布機を
使う場合、1000ps以下であることが望ましい。
芳香族ジアミンとしては、ジアミノジフェニルメタン、
ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルエー
テル及びこれらの変成物等の芳香環を有するものが望ま
しく、これらの2種以上を混合して用いることもできる
。即ち、他の芳香環を有さないジアミン類は耐熱性に乏
しく、耐熱性が不足するという理由で本発明の目的には
適さない。又、これらの芳香族アミンの中では、ジアミ
ノジフェニルスルホンを使用した硬化物が特に高い熱変
形温度を示し、POTでも優れた結果を与える。
なお、本発明で用いられるエポキシ樹脂と芳香族ジアミ
ンは、いずれも塩素含有量がなるべく少ないほうが望ま
しい。塩素」があまり多いと樹脂中より抽出された塩素
イオンが半導体チップ表面のアルミ配線の腐食を引き起
こすため、塩素量は500 ppm以下であることが望
ましく、より好ましくは’+ooppm以下である。
又、アミノ基の位置がp、p’−のものが構造的安定で
あり、最も高い耐熱性を示し、これが100%であるこ
とが望ましいことはいうまでもない。
しかし通矯工業的に得られるp、p’−芳香族ジアミン
中には、アミノ基の位置がpもしくはp°以外である異
性体が含まれているため、反応速度の違いから異性体部
分が未反応のまま取り残される結果、PCTによりその
部分から水分の侵入を受ける。
その異性体の含有量は0.1%以下でおることが望まし
い。即ち、通常は数%含まれる異性体の含有量を減らし
ながら、PCTによる不良発生時間との関係を調べた結
果、0.1%近辺から著しく不良発生時間が延びること
が判明した為である。
り半導体のAI配線のの腐食による不良の発生時間がP
CTで800時間以上、中でもジアミン成分としてジア
ミノジフェニルスルホンを用いた場合には1200時間
以上とすることも可能となり、半導体製品の信頼性が著
しく向上できる。最近のエレクトロニクス幕界のニーズ
は、従来のトランスファーモールドタイプの樹脂ばかり
でなく、液状樹脂の要求が益々大きくなって来ている。
それはトランスファーモールドタイプの樹脂に比べ、半
導体製品の小型化、軽量化、低コスト化が実現し易いこ
とに加え、今後大いに発展が望まれるテープキャリア、
ビングリッドアレイ用の封止には、その製法上液状樹脂
が要望されていることによるもので、本発明はそのよう
な要望に合致した価値の高いものである。
〔実施例1〕 異性体の含有量が1.2%のp、p’−ジアミノジフェ
ニルメタン(以下、DDMと記す)(活性水素当量50
)を精製して、異性体含有量が0゜2%、0.1%およ
び200 ppmのDDMを調製した。この4種類のD
DM各100部に、それぞれ液状のビスフェノールA型
エポキシ樹脂(当量190)250部を加え、更にシリ
カ粉末(平均粒径20μm>380部を加え、30分攪
拌後、最後に3本ロールを通して均質な液状樹脂を得た
これを模擬素子にドロッピングし、第1表に示した条件
に従って加熱硬化させた。これを125’C2,3at
m 100%R)−1の条件でPCT処理し、アルミ腐
食の発生時間(アルミ配線の導通を電気線間/線巾が5
μm15μmのクシ形パターンにAIを蒸着したチップ
を基板に接着し、25μm金線でボンディングしたもの
である。
〔実施例2〕 異性体の含有量が1.3%のp、p’−ジアミノジフェ
ニルスルホン(以下、DDSと記す) (活性水素当量
65部)を精製して異性体含有量が0゜2%、0.1%
及び190ppmのDDSを調製した。この4種類のD
DS各130部にそれぞれ液状のビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂(当量190)280部を加え、更にシリカ
粉末(平均粒径20μTrt)410部を加え、30分
攪拌後、最後に3本ロールを通して均質な液状樹脂を得
た。
これを実施例19模擬素子にドロッピングし、第1表に
示した条件に従って加熱硬化させ、実施例1と同一条件
でPCT処理し、アルミ腐食の発生時間を調べた。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)1分子中に2ケ以上のエポキシ基を有する液状エ
    ポキシ樹脂と、p、p′の位置にアミノ基を有する芳香
    族ジアミンとを必須成分とし、該芳香族ジアミン中のp
    もしくはp′以外の位置にアミノ基を有する異性体の含
    有量が0.1%以下であることを特徴とする半導体封止
    用樹脂組成物。
  2. (2)液状エポキシ樹脂および芳香族ジアミンが、共に
    塩素含有量が500ppm以下であることを特徴とする
    、特許請求の範囲第1項記載の半導体封止用樹脂組成物
JP62309656A 1987-12-09 1987-12-09 半導体封止用樹脂組成物 Expired - Lifetime JPH0610248B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62309656A JPH0610248B2 (ja) 1987-12-09 1987-12-09 半導体封止用樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62309656A JPH0610248B2 (ja) 1987-12-09 1987-12-09 半導体封止用樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01152120A true JPH01152120A (ja) 1989-06-14
JPH0610248B2 JPH0610248B2 (ja) 1994-02-09

Family

ID=17995679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62309656A Expired - Lifetime JPH0610248B2 (ja) 1987-12-09 1987-12-09 半導体封止用樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0610248B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019526657A (ja) * 2017-03-22 2019-09-19 エルジー・ケム・リミテッド 半導体パッケージ用樹脂組成物とこれを用いたプリプレグおよび金属箔積層板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5170300A (ja) * 1974-11-07 1976-06-17 Ciba Geigy
JPS6144919A (ja) * 1984-07-30 1986-03-04 シエル・インターナシヨネイル・リサーチ・マーチヤツピイ・ベー・ウイ ポリエポキシド、アミンおよびスルホニウム塩からなる硬化性組成物
JPS627721A (ja) * 1985-07-05 1987-01-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止材料
JPS6225116A (ja) * 1986-07-17 1987-02-03 Agency Of Ind Science & Technol 新規ポリグリシジルエ−テルから得られる樹脂

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5170300A (ja) * 1974-11-07 1976-06-17 Ciba Geigy
JPS6144919A (ja) * 1984-07-30 1986-03-04 シエル・インターナシヨネイル・リサーチ・マーチヤツピイ・ベー・ウイ ポリエポキシド、アミンおよびスルホニウム塩からなる硬化性組成物
JPS627721A (ja) * 1985-07-05 1987-01-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止材料
JPS6225116A (ja) * 1986-07-17 1987-02-03 Agency Of Ind Science & Technol 新規ポリグリシジルエ−テルから得られる樹脂

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019526657A (ja) * 2017-03-22 2019-09-19 エルジー・ケム・リミテッド 半導体パッケージ用樹脂組成物とこれを用いたプリプレグおよび金属箔積層板
US11214677B2 (en) 2017-03-22 2022-01-04 Lg Chem, Ltd. Resin composition for semiconductor package, prepreg and metal clad laminate using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0610248B2 (ja) 1994-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5681203B2 (ja) 強化エポキシ樹脂配合物
JP5558118B2 (ja) マイクロカプセル型エポキシ樹脂用硬化剤、及びそれを含むマスターバッチ型エポキシ樹脂用硬化剤組成物
TW201023310A (en) Semiconductor device and resin composition used for semiconductor device
JPH0450223A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4067916B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物
JPH01152120A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
DE112020001490T5 (de) Harzzusammensetzung zum einkapseln und halbleitervorrichtung
JPH0948839A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料
JPH0536867A (ja) 半導体装置
JP2849004B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPH09255764A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物硬化体およびそれを用いた光半導体装置
JPS61168618A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS63258918A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPS61203160A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS63161014A (ja) 導電性樹脂ペ−スト
JPS5994442A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3915938B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂の製造方法及び半導体封止材料
JPS63161015A (ja) 導電性樹脂ペ−スト
JPS6395221A (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物
JPS63132435A (ja) 半導体素子
JPH03174434A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH039920A (ja) 低粘度エポキシ樹脂組成物
JPH01153767A (ja) 導電性樹脂ペースト
JPS627721A (ja) 半導体封止材料
JPS6134052A (ja) 封止用一液性エポキシ樹脂組成物