JPH0115225B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0115225B2 JPH0115225B2 JP58027294A JP2729483A JPH0115225B2 JP H0115225 B2 JPH0115225 B2 JP H0115225B2 JP 58027294 A JP58027294 A JP 58027294A JP 2729483 A JP2729483 A JP 2729483A JP H0115225 B2 JPH0115225 B2 JP H0115225B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- light receiving
- level
- voltage
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はブルーミングを効果的に抑制し得る撮
像装置に関する。
像装置に関する。
（従来技術）
一般にCCD等の固体イメージセンサに於ては
ブルーミング防止の為に受光面内にオーバー・フ
ロー・ドレインを設けたり、或いは表面再結合を
利用して過剰キヤリアを消滅させるものが考えら
れている。
ブルーミング防止の為に受光面内にオーバー・フ
ロー・ドレインを設けたり、或いは表面再結合を
利用して過剰キヤリアを消滅させるものが考えら
れている。
特に後者の方法によるものでは受光面内の開口
率を犠牲にする事がないので感度が高く、又、集
積度を向上させる事ができるので水平解像度がア
ツプする、等の利点を有する。
率を犠牲にする事がないので感度が高く、又、集
積度を向上させる事ができるので水平解像度がア
ツプする、等の利点を有する。
第１図〜第３図はこのような表面再結合による
ブルーミング防止方法について説明する為の図
で、第１図は一般的なフレーム・トランスフアー
型CCDの正面図である。
ブルーミング防止方法について説明する為の図
で、第１図は一般的なフレーム・トランスフアー
型CCDの正面図である。
図中１は受光部で、感光性を有する複数の垂直
転送レジスタから成る。又、２は蓄積部で遮光さ
れた複数の垂直転送レジスタから成る。３は水平
転送レジスタであつて蓄積部２の各垂直転送レジ
スタ内の情報を同時に１ビツトシフトする事によ
りこの水平転送レジスタに取り込み、次いでレジ
スタ３を水平転送動作させる事により出力アンプ
４からビデオ信号を得る事ができる。
転送レジスタから成る。又、２は蓄積部で遮光さ
れた複数の垂直転送レジスタから成る。３は水平
転送レジスタであつて蓄積部２の各垂直転送レジ
スタ内の情報を同時に１ビツトシフトする事によ
りこの水平転送レジスタに取り込み、次いでレジ
スタ３を水平転送動作させる事により出力アンプ
４からビデオ信号を得る事ができる。
一般に、受光部１の各垂直転送レジスタ内で形
成された情報は標準テレビジヨン方式に於ける垂
直ブランキング期間内に、蓄積部２に垂直転送さ
れ、次の垂直走査期間内に水平転送レジスタ３よ
り順次１行ずつ読み出される。
成された情報は標準テレビジヨン方式に於ける垂
直ブランキング期間内に、蓄積部２に垂直転送さ
れ、次の垂直走査期間内に水平転送レジスタ３よ
り順次１行ずつ読み出される。
尚、ここで受光部１、蓄積部２、水平転送レジ
スター３は夫々２相駆動されるものとし、夫々の
転送電極をP1・P2，P3・P4，P5・P6、とし、そ
の転送クロツクをφp1・φp2，φp3・φp4，φp5・
φp6、とする。
スター３は夫々２相駆動されるものとし、夫々の
転送電極をP1・P2，P3・P4，P5・P6、とし、そ
の転送クロツクをφp1・φp2，φp3・φp4，φp5・
φp6、とする。
第２図はこのような転送電極P1〜P6下のポテ
ンシヤル・プロフイールを示す図であつて、例え
ばＰ型シリコン基板６に絶縁層５を介して設けら
れた各電極下にはイオン注入等によりポテンシヤ
ルの低い部分と高い部分とが形成されており、例
えば電極P2・P4・P6にローレベルの電圧−V1を
印加し電極P1・P3・P5にハイレベルの電圧V2を
印加した時には図中実線のようなポテンシヤルが
形成され、電極P1・P3・P5にローレベル電圧V1
を印加し、電極P2・P4・P6にハイレベル電圧V2
を印加した場合には図中破線のようなポテンシヤ
ルが形成される。
ンシヤル・プロフイールを示す図であつて、例え
ばＰ型シリコン基板６に絶縁層５を介して設けら
れた各電極下にはイオン注入等によりポテンシヤ
ルの低い部分と高い部分とが形成されており、例
えば電極P2・P4・P6にローレベルの電圧−V1を
印加し電極P1・P3・P5にハイレベルの電圧V2を
印加した時には図中実線のようなポテンシヤルが
形成され、電極P1・P3・P5にローレベル電圧V1
を印加し、電極P2・P4・P6にハイレベル電圧V2
を印加した場合には図中破線のようなポテンシヤ
ルが形成される。
従つて電極P1・P3・P5と電極P2・P4・P6とに
交番電圧を互いに逆位相で印加する事によりキヤ
リアは一方向（図では右方向）に順次転送されて
いく。
交番電圧を互いに逆位相で印加する事によりキヤ
リアは一方向（図では右方向）に順次転送されて
いく。
又、図中一点鎖線は電極に大きな正の電圧V3
を印加した場合のポテンシヤルを示し、このポテ
ンシヤルのウエルは反転状態となる為、所定量以
上の過剰なキヤリアは多数キヤリアと再結合し消
滅してしまう。
を印加した場合のポテンシヤルを示し、このポテ
ンシヤルのウエルは反転状態となる為、所定量以
上の過剰なキヤリアは多数キヤリアと再結合し消
滅してしまう。
第３図はこのような電極電圧と内部のポテンシ
ヤルの形状を半導体基板６の厚さ方向について示
した図で、図のように電極電圧V3に対してはポ
テンシヤル・ウエルは浅くなり過剰キヤリアは絶
縁層との界面に於て多数キヤリアと再結合する第
２の状態となる。
ヤルの形状を半導体基板６の厚さ方向について示
した図で、図のように電極電圧V3に対してはポ
テンシヤル・ウエルは浅くなり過剰キヤリアは絶
縁層との界面に於て多数キヤリアと再結合する第
２の状態となる。
一方、電極電圧−V1に於ては第１の状態とし
てのアキユムレーシヨン状態となり、界面周辺に
多数キヤリアが集まり易くなり、例えば不図示の
チヤネル・ストツパー領域からこの多数キヤリア
が供給される。
てのアキユムレーシヨン状態となり、界面周辺に
多数キヤリアが集まり易くなり、例えば不図示の
チヤネル・ストツパー領域からこの多数キヤリア
が供給される。
従つて例えば電極P2に電圧−V1を印加する事
によつてバリアを形成した状態で、電極P1に電
圧−V1とV3とを交互に印加する事により、電極
P1下に蓄積される少数キヤリアは所定量以下に
制限される。
によつてバリアを形成した状態で、電極P1に電
圧−V1とV3とを交互に印加する事により、電極
P1下に蓄積される少数キヤリアは所定量以下に
制限される。
しかし、反面過剰なキヤリアを効果的に消滅さ
せる為には、蓄積期間中に半導体基板内にアキユ
ムレーシヨン状態と反転状態とを交互に、しかも
高速で形成してやらなくてはならない為、電力消
費が大きいという問題が有る。又、このようなパ
ルス制御を高速で行なうとこのパルスに起因する
ノイズが信号に混入するという問題もある。
せる為には、蓄積期間中に半導体基板内にアキユ
ムレーシヨン状態と反転状態とを交互に、しかも
高速で形成してやらなくてはならない為、電力消
費が大きいという問題が有る。又、このようなパ
ルス制御を高速で行なうとこのパルスに起因する
ノイズが信号に混入するという問題もある。
又、このようなパルスにより暗電流むらが発生
し易いという問題がある。
し易いという問題がある。
（目的）
本発明はこのような従来技術の欠点を解消し得
る撮像装置を提供する事を目的としている。
る撮像装置を提供する事を目的としている。
又、ブルーミングを効果的に防止し得ると共に
節電効果の高い撮像装置を提供する事を目的とし
ている。
節電効果の高い撮像装置を提供する事を目的とし
ている。
（実施例）
以下実施例に基づき本発明を説明する。
第４図は本発明の撮像装置の第１実施例を示す
ブロツク図である。図中７に示した光学系および
その光路中に配置された絞り８を通して入射した
被写体からの光は例えば第１図示のようなCCD
等の撮像素子１０上に結像するとともにビームス
プリツタ９および偏向鏡１３を介して測光用受光
素子１４に入射する。
ブロツク図である。図中７に示した光学系および
その光路中に配置された絞り８を通して入射した
被写体からの光は例えば第１図示のようなCCD
等の撮像素子１０上に結像するとともにビームス
プリツタ９および偏向鏡１３を介して測光用受光
素子１４に入射する。
受光素子１４、演算増幅器２７、抵抗２６は公
知の光電変換回路を形成する。また演算増幅器２
７の出力に接続された抵抗２８および抵抗２９、
演算増幅器３１および基準電圧源３０は演算増幅
器２７からの出力を基準電圧源３０と比較反転増
幅する反転増幅器を形成し、その出力はオアゲー
ト２２の入力の１つに接続されるとともに、絞り
を駆動する為の駆動コイル３２に接続される。絞
り駆動コイル３２は演算増幅器３１により正電圧
が印加された時絞り８を開き、負電圧が印加され
た時絞り８を閉じるよう駆動する。撮像素子１０
の出力は輝度分離回路１１に接続され、更に積分
回路１２とピークホールド回路１８に接続され
る。積分回路１２の出力はコンパレータ１６の反
転入力に接続され、コンパレータ１６の非反転入
力は基準電圧源１７に、又、その出力はアンドゲ
ート２１の１つの入力に接続される。尚、積分回
路は平滑回路であつても平均値回路であつてもロ
ーパスフイルタであつても良い。ピークホールド
回路１８の出力はコンパレータ１９の反転入力に
接続され、コンパレータ１９の非反転入力は基準
電圧源２０に接続され、その出力はアンドゲート
２１の他の入力に接続される。アンドゲート２１
の出力はオアゲート２２の他の入力に接続され
る。オアゲート２２の出力はスイツチ回路３６の
制御端子に接続される。ピークホールド回路１８
の出力はスイツチ回路３６を介して電圧制御発振
器２４に接続され、電圧制御発振器２４の出力は
CCD１０の駆動パルスを形成する為のドライバ
ー３４に接続される。３５はクロツクジエネレー
ターであつてCCD１０を駆動する為の各種パル
スのタイミング信号を出力する。
知の光電変換回路を形成する。また演算増幅器２
７の出力に接続された抵抗２８および抵抗２９、
演算増幅器３１および基準電圧源３０は演算増幅
器２７からの出力を基準電圧源３０と比較反転増
幅する反転増幅器を形成し、その出力はオアゲー
ト２２の入力の１つに接続されるとともに、絞り
を駆動する為の駆動コイル３２に接続される。絞
り駆動コイル３２は演算増幅器３１により正電圧
が印加された時絞り８を開き、負電圧が印加され
た時絞り８を閉じるよう駆動する。撮像素子１０
の出力は輝度分離回路１１に接続され、更に積分
回路１２とピークホールド回路１８に接続され
る。積分回路１２の出力はコンパレータ１６の反
転入力に接続され、コンパレータ１６の非反転入
力は基準電圧源１７に、又、その出力はアンドゲ
ート２１の１つの入力に接続される。尚、積分回
路は平滑回路であつても平均値回路であつてもロ
ーパスフイルタであつても良い。ピークホールド
回路１８の出力はコンパレータ１９の反転入力に
接続され、コンパレータ１９の非反転入力は基準
電圧源２０に接続され、その出力はアンドゲート
２１の他の入力に接続される。アンドゲート２１
の出力はオアゲート２２の他の入力に接続され
る。オアゲート２２の出力はスイツチ回路３６の
制御端子に接続される。ピークホールド回路１８
の出力はスイツチ回路３６を介して電圧制御発振
器２４に接続され、電圧制御発振器２４の出力は
CCD１０の駆動パルスを形成する為のドライバ
ー３４に接続される。３５はクロツクジエネレー
ターであつてCCD１０を駆動する為の各種パル
スのタイミング信号を出力する。
前記ドライバー３４はこのタイミング信号に基
づきパルスφp1〜φp6を出力する。
づきパルスφp1〜φp6を出力する。
尚、前記電圧制御発振器２４の出力に基づき、
ドライバー３４は第３図に於ける電圧−V1と＋
V3との間で変化する交番パルスφABを形成し、こ
れをCCDに供給する。
ドライバー３４は第３図に於ける電圧−V1と＋
V3との間で変化する交番パルスφABを形成し、こ
れをCCDに供給する。
３７はスイツチ回路３６のｂ側に接続された設
定値回路であつて、オア・ゲート２２からハイレ
ベルが出力されている間、スイツチ回路３６の接
点がｂ側に切換わり、電圧制御発振器２４の入力
端に所定の設定値V0が入力される。設定値は、
例えば０（volt）であつて、発振器２４は0volt入
力に対しては発振周波数がゼロ、即ち発振を停止
するよう構成されている。
定値回路であつて、オア・ゲート２２からハイレ
ベルが出力されている間、スイツチ回路３６の接
点がｂ側に切換わり、電圧制御発振器２４の入力
端に所定の設定値V0が入力される。設定値は、
例えば０（volt）であつて、発振器２４は0volt入
力に対しては発振周波数がゼロ、即ち発振を停止
するよう構成されている。
次に第４図示構成の動作につき説明する。受光
素子１４に入る光量が適正値に比較して小さい場
合光電変換回路出力は低電圧となり反転増幅器３
１の出力は正の高い電圧となる。従つて絞り駆動
コイル３２には正の電圧が印加され絞りは開く方
向に駆動される。一方、受光素子１４への入射光
量が適正値に比較して大きい場合上と逆の動作が
行なわれ、絞り駆動コイル３２には絞りを閉じる
方向に電流が流れ、入射光量を少なくしようとす
る。
素子１４に入る光量が適正値に比較して小さい場
合光電変換回路出力は低電圧となり反転増幅器３
１の出力は正の高い電圧となる。従つて絞り駆動
コイル３２には正の電圧が印加され絞りは開く方
向に駆動される。一方、受光素子１４への入射光
量が適正値に比較して大きい場合上と逆の動作が
行なわれ、絞り駆動コイル３２には絞りを閉じる
方向に電流が流れ、入射光量を少なくしようとす
る。
一方、撮像素子１０上に結像した被写体像は光
電変換され電荷情報が形成される。その出力から
輝度成分が輝度分離回路１１により分離され、積
分回路１２によつて積分される事により被写体の
平均的輝度レベルを検出する。
電変換され電荷情報が形成される。その出力から
輝度成分が輝度分離回路１１により分離され、積
分回路１２によつて積分される事により被写体の
平均的輝度レベルを検出する。
コンパレータ１６はこのレベルを所定の基準レ
ベルと比較し、積分回路１２の出力が所定のレベ
ルより低いとコンパレーター１６からはハイレベ
ル信号が出力される。
ベルと比較し、積分回路１２の出力が所定のレベ
ルより低いとコンパレーター１６からはハイレベ
ル信号が出力される。
即ち被写体の平均的輝度レベルが或る程度より
低くなるとコンパレータからはハイレベルが得ら
れる。
低くなるとコンパレータからはハイレベルが得ら
れる。
一方輝度分離回路１２の出力はピークホールド
回路１８に接続され輝度信号中のピークが検出さ
れる。コンパレーター１９はこの検出されたピー
クを基準電圧源２０の電圧と比較し、ピークレベ
ルの方が低い場合はハイレベルを出力する。コン
パレータ１６，１９の出力がともにハイレベル、
即ち被写体の平均輝度が低くしかも最高輝度も低
い場合に於てのみアンドゲート２１はハイレベル
を出力しオアゲート２２の出力もハイレベルとな
つてスイツチ３６がｂ側に切換わり、電圧制御発
振回路２４の発振を停止させる。
回路１８に接続され輝度信号中のピークが検出さ
れる。コンパレーター１９はこの検出されたピー
クを基準電圧源２０の電圧と比較し、ピークレベ
ルの方が低い場合はハイレベルを出力する。コン
パレータ１６，１９の出力がともにハイレベル、
即ち被写体の平均輝度が低くしかも最高輝度も低
い場合に於てのみアンドゲート２１はハイレベル
を出力しオアゲート２２の出力もハイレベルとな
つてスイツチ３６がｂ側に切換わり、電圧制御発
振回路２４の発振を停止させる。
尚、積分回路１２やピークホールド回路１８の
出力は撮像素子１０の出力走査時間だけの遅れが
ありさらに絞り動作の遅れが加わるので、例えば
絞りが絞られ過ぎて受光素子１４に入射する光が
弱過ぎる場合すなわち絞り駆動コイル３２に正電
圧が加わり開成方向に駆動されている場合はオア
ゲート２２の入力がハイレベルとなるからオアゲ
ート２２の出力がハイレベルとなりやはり前述の
ように発振器２４の発振は停止する。
出力は撮像素子１０の出力走査時間だけの遅れが
ありさらに絞り動作の遅れが加わるので、例えば
絞りが絞られ過ぎて受光素子１４に入射する光が
弱過ぎる場合すなわち絞り駆動コイル３２に正電
圧が加わり開成方向に駆動されている場合はオア
ゲート２２の入力がハイレベルとなるからオアゲ
ート２２の出力がハイレベルとなりやはり前述の
ように発振器２４の発振は停止する。
尚、この発振が停止した状態では撮像素子１０
は第１図示のパルスφp1〜φp6によつて通常の周
期的な駆動が行なわれる。
は第１図示のパルスφp1〜φp6によつて通常の周
期的な駆動が行なわれる。
さらにピークホールド回路１８の出力は電圧制
御発振器２４に入力され、ピーク値に応じてピー
ク値が大きい程高い周波数のパルス列を発生する
ので撮像素子１０にはそれに応じたパルスφABが
供給される。
御発振器２４に入力され、ピーク値に応じてピー
ク値が大きい程高い周波数のパルス列を発生する
ので撮像素子１０にはそれに応じたパルスφABが
供給される。
尚、本実施例では不図示の電源を入れると、パ
ルスφp1〜φp6は通常の標準テレビジヨン方式に
従つた周期で常時供給されるように為されてお
り、しかもそのパルス電圧は第３図に於ける−
V1＋V2との間で変化するように為されている。
ルスφp1〜φp6は通常の標準テレビジヨン方式に
従つた周期で常時供給されるように為されてお
り、しかもそのパルス電圧は第３図に於ける−
V1＋V2との間で変化するように為されている。
又、パルスφABはこのパルスφp1〜φp6に重畳し
て撮像素子の転送電極に供給されている。
て撮像素子の転送電極に供給されている。
又、ドライバー３４により撮像素子１０の受光
部１内の電荷情報を蓄積部２に垂直転送している
間は前記パルスφABは０レベルになるよう制御さ
れる。従つてφABが垂直転送の妨げとなる事はな
い。
部１内の電荷情報を蓄積部２に垂直転送している
間は前記パルスφABは０レベルになるよう制御さ
れる。従つてφABが垂直転送の妨げとなる事はな
い。
このように本発明の実施例によれば被写体像を
撮像手段により電荷情報に変換し、この電荷情報
を読み出す事により輝度信号を得、この輝度信号
のピークレベルに応じて電荷の再結合パルスの周
波数を制御するようにしているので再結合の為に
必要な電力を有効に利用する事ができる。
撮像手段により電荷情報に変換し、この電荷情報
を読み出す事により輝度信号を得、この輝度信号
のピークレベルに応じて電荷の再結合パルスの周
波数を制御するようにしているので再結合の為に
必要な電力を有効に利用する事ができる。
又、本実施例では輝度信号の平均レベルが所定
レベルよりも小さく、しかも輝度信号のピークレ
ベルが所定レベルより小さい場合には再結合の為
のパルスφABの形成をストツプしているので不要
な電力の消費を効果的に削減する事ができる。
レベルよりも小さく、しかも輝度信号のピークレ
ベルが所定レベルより小さい場合には再結合の為
のパルスφABの形成をストツプしているので不要
な電力の消費を効果的に削減する事ができる。
更に又撮像手段とは別の測光素子の測光出力が
所定レベルより小さい場合にはやはりパルスφAB
を停止しているので、例えば明るい被写体から急
に暗い被写体に画面を切換える等した場合でも応
答性良く不必要なパルスφABを省略できる。
所定レベルより小さい場合にはやはりパルスφAB
を停止しているので、例えば明るい被写体から急
に暗い被写体に画面を切換える等した場合でも応
答性良く不必要なパルスφABを省略できる。
尚、本実施例ではピークホールド回路１８の出
力、即ち輝度信号のピーク値に応じて電圧制御発
振器（VCO）２４の発振周波数を変えているが、
第２の実施例として第５図に示す如く、第４図の
積分回路１２の出力レベルに応じてVCO２４の
発振周波数を制御するようにしても良い。その場
合回路１２の出力の増大に応じてVCO２４の周
波数が高くなるようにすれば良い。
力、即ち輝度信号のピーク値に応じて電圧制御発
振器（VCO）２４の発振周波数を変えているが、
第２の実施例として第５図に示す如く、第４図の
積分回路１２の出力レベルに応じてVCO２４の
発振周波数を制御するようにしても良い。その場
合回路１２の出力の増大に応じてVCO２４の周
波数が高くなるようにすれば良い。
或いは又、第３の実施例としての第６図に示す
如く、受光素子１４、オペアンプ２７、対数圧縮
用のダイオード２６０を図のように接続する事に
よつて受光素子への入射光量に応じた対数圧縮値
を出力し、この出力値をVCO２４に入力する事
によりパルスφABの周波数を、受光素子１４の入
射光量の対数に応じて制御するようにしても良
い。
如く、受光素子１４、オペアンプ２７、対数圧縮
用のダイオード２６０を図のように接続する事に
よつて受光素子への入射光量に応じた対数圧縮値
を出力し、この出力値をVCO２４に入力する事
によりパルスφABの周波数を、受光素子１４の入
射光量の対数に応じて制御するようにしても良
い。
勿論第１、第２実施例と同様入射光量の増大に
応じてφABの周波数が高くなるよう制御する。
応じてφABの周波数が高くなるよう制御する。
又、受光素子１４はTTL光を測光するもので
あつても、外部測光をするものであつても良い。
あつても、外部測光をするものであつても良い。
尚、第１〜第３実施例ではVCO２４の発振周
波数制御は連続的に行なつても良いし、何段階か
に分けて段階的に周波数を変化させるようにして
も良い。
波数制御は連続的に行なつても良いし、何段階か
に分けて段階的に周波数を変化させるようにして
も良い。
このように第２、第３実施例にのような構成に
すれば構成はより簡単になる。
すれば構成はより簡単になる。
第７図は本発明の第４の実施例を示す図で、本
実施例では第４図示の発振器２４の代わりに一定
周波数の再結合用のパルスφABをドライバー３４
によつて形成させる為の発振器３８を設け、第４
図示のコンパレーター３１の出力がハイレベルの
間はこの発振器３８を停止させるようにしたもの
である。
実施例では第４図示の発振器２４の代わりに一定
周波数の再結合用のパルスφABをドライバー３４
によつて形成させる為の発振器３８を設け、第４
図示のコンパレーター３１の出力がハイレベルの
間はこの発振器３８を停止させるようにしたもの
である。
この場合にも図には示してないがコンパレータ
３１には第４図示の受光素子１４の出力が入力し
ており、この受光素子１４は外部測光をするもの
であつても良い。
３１には第４図示の受光素子１４の出力が入力し
ており、この受光素子１４は外部測光をするもの
であつても良い。
第８図は本発明の第５実施例を示す図で本実施
例では第４実施例の発振器３８のON・OFFを第
４図示のコンパレーター１６によつて行なうよう
にし、コンパレータ１６がハイレベルを出力する
間発振器３８をOFFするようにしたものである。
例では第４実施例の発振器３８のON・OFFを第
４図示のコンパレーター１６によつて行なうよう
にし、コンパレータ１６がハイレベルを出力する
間発振器３８をOFFするようにしたものである。
第９図は第６実施例を示す図で第８図の発振器
３８を第４図示のコンパレーター１９の出力がハ
イレベルの間発振器３８をOFFするようにした
ものである。
３８を第４図示のコンパレーター１９の出力がハ
イレベルの間発振器３８をOFFするようにした
ものである。
このように第７〜第９図示実施例では、受光素
子出力が所定レベルより低い場合、輝度信号の平
均値が所定レベルより低い場合、輝度信号のピー
ク値が所定レベルより低い場合のいずれか１つの
場合にパルスφABの発振がOFFするので節電効果
が高く、又回路構成も簡単である。
子出力が所定レベルより低い場合、輝度信号の平
均値が所定レベルより低い場合、輝度信号のピー
ク値が所定レベルより低い場合のいずれか１つの
場合にパルスφABの発振がOFFするので節電効果
が高く、又回路構成も簡単である。
（効果）
以上説明した如く本発明によれば被写体の輝度
の状態（例えば受光素子の出力レベル、輝度信号
の平均レベル、輝度信号のピーク値等）に応じて
再結合用パルスの発振周波数をゼロを含む所定の
範囲で制御しているので再結合用パルスの形成に
伴なう電力を有効に節約でき、しかもブルーミン
グが発生しにくいという効果を有する。即ち、輝
度レベル又はその一部のピークが高くなるに従つ
てパルスφABの周波数が高くなるので過剰電荷の
再結合速度がそれに応じて速くなり、過剰電荷を
効率良く消滅できるようになるものである。
の状態（例えば受光素子の出力レベル、輝度信号
の平均レベル、輝度信号のピーク値等）に応じて
再結合用パルスの発振周波数をゼロを含む所定の
範囲で制御しているので再結合用パルスの形成に
伴なう電力を有効に節約でき、しかもブルーミン
グが発生しにくいという効果を有する。即ち、輝
度レベル又はその一部のピークが高くなるに従つ
てパルスφABの周波数が高くなるので過剰電荷の
再結合速度がそれに応じて速くなり、過剰電荷を
効率良く消滅できるようになるものである。
第１図は本発明に適用可能な撮像素子の例を示
す図、第２図はそのポテンシヤルプロフイールを
示す図、第３図は撮像素子の厚さ方向についての
ポテンシヤル状態図、第４図は本発明の第１実施
例図、第５図は本発明の第２実施例図、第６図は
本発明の第３実施例図、第７図は本発明の第４実
施例図、第８図は本発明の第５実施例図、第９図
は本発明の第６実施例図である。 １……受光部、５……絶縁層、６……半導体基
板、２４……電圧制御発振器、３８……発振器。
す図、第２図はそのポテンシヤルプロフイールを
示す図、第３図は撮像素子の厚さ方向についての
ポテンシヤル状態図、第４図は本発明の第１実施
例図、第５図は本発明の第２実施例図、第６図は
本発明の第３実施例図、第７図は本発明の第４実
施例図、第８図は本発明の第５実施例図、第９図
は本発明の第６実施例図である。 １……受光部、５……絶縁層、６……半導体基
板、２４……電圧制御発振器、３８……発振器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学像を電荷情報に変換するための複数の受
光部を有する撮像手段と、前記各受光部内の前記
電荷情報の少なくとも一部を他の極性の電荷と繰
り返し再結合するための周期的信号を前記各受光
部内の電極に印加する信号供給手段と、前記撮像
手段に入射する前記光学像の明るさに対応する検
出信号を形成する検出手段と、該検出手段により
形成された前記検出信号に応じて前記信号供給手
段による前記周期的信号の周波数を可変制御する
制御手段と、を有する撮像装置。 ２ 前記制御手段は、前記光学像の明るさが所定
のレベルより低いときには前記信号供給手段によ
る周期的信号の供給を停止させることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の撮像装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027294A JPS59153385A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 撮像装置 |
| US06/580,954 US4622596A (en) | 1983-02-21 | 1984-02-16 | Image pickup apparatus |
| DE19843405808 DE3405808A1 (de) | 1983-02-21 | 1984-02-17 | Bildaufnahme-einrichtung |
| US07/208,810 US4868680A (en) | 1983-02-21 | 1988-06-22 | Image pickup apparatus |
| US07/311,354 US4901154A (en) | 1983-02-21 | 1989-02-16 | Image pickup apparatus with coordinated clear and shutter functions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027294A JPS59153385A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153385A JPS59153385A (ja) | 1984-09-01 |
| JPH0115225B2 true JPH0115225B2 (ja) | 1989-03-16 |
Family
ID=12217064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58027294A Granted JPS59153385A (ja) | 1983-02-21 | 1983-02-21 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59153385A (ja) |
-
1983
- 1983-02-21 JP JP58027294A patent/JPS59153385A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59153385A (ja) | 1984-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4901154A (en) | Image pickup apparatus with coordinated clear and shutter functions | |
| US4845566A (en) | Solid-state image pickup apparatus having controllable means for eliminating surplus charge | |
| JPH0399589A (ja) | 固体カメラ | |
| US5057926A (en) | Driving method for discharging overflow charges in a solid state imaging device | |
| JPH07112252B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5659359A (en) | Image sensing system with electronic shutter and equal field exposure times in frame readout mode | |
| JPH022793A (ja) | ２次元ｃｃｄ撮像素子の駆動方法 | |
| JPH0115225B2 (ja) | ||
| EP0712236B1 (en) | Timing signal generator for a solid state imaging device having an electronic shutter | |
| EP0568216A1 (en) | Solid-state imaging apparatus | |
| US8098315B2 (en) | Solid state imaging apparatus, solid state imaging device driving method and camera | |
| JPH0134506B2 (ja) | ||
| US7683957B2 (en) | Image sensing apparatus for stable clamping operation and draining unnecessary charges | |
| JPH02194779A (ja) | 撮像装置 | |
| JP2802946B2 (ja) | スチルビデオカメラ | |
| JPH10210370A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0134505B2 (ja) | ||
| JP2770367B2 (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JP3134585B2 (ja) | 電子アイリス制御回路とそれを有するカメラ | |
| JPS63232684A (ja) | 撮像装置 | |
| JPS6359278A (ja) | 団体撮像装置 | |
| JPH0134507B2 (ja) | ||
| JP2002165135A (ja) | 固体撮像素子及びその駆動方法 | |
| JPH02274184A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPS63193776A (ja) | 撮像装置 |