JPH01153732U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH01153732U JPH01153732U JP5175388U JP5175388U JPH01153732U JP H01153732 U JPH01153732 U JP H01153732U JP 5175388 U JP5175388 U JP 5175388U JP 5175388 U JP5175388 U JP 5175388U JP H01153732 U JPH01153732 U JP H01153732U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetostatic
- input
- output transducer
- delay element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
第1図は本考案に係る静磁波遅延素子の一実施
例を示す斜視図、第2図は本考案の静磁波遅延素
子による伝搬特性を示す図、第3図は第1の基板
と第2の基板の配置関係を示す図、第4〜第6図
は他の実施例を示す図、第7図は従来の静磁波遅
延素子の斜視図、第8図は従来の静磁波遅延素子
による伝搬特性を示す図である。 1……第1の基板、2……YIG薄膜、3……
第2の基板、4a……入力トランスジユーサ、4
b……出力トランスジユーサ、10……貫通孔。
例を示す斜視図、第2図は本考案の静磁波遅延素
子による伝搬特性を示す図、第3図は第1の基板
と第2の基板の配置関係を示す図、第4〜第6図
は他の実施例を示す図、第7図は従来の静磁波遅
延素子の斜視図、第8図は従来の静磁波遅延素子
による伝搬特性を示す図である。 1……第1の基板、2……YIG薄膜、3……
第2の基板、4a……入力トランスジユーサ、4
b……出力トランスジユーサ、10……貫通孔。
Claims (1)
- 一方の面にYIG薄膜が形成された第1の基板
と、一方の面に入出力トランスジユーサが形成さ
れた第2の基板からなり、前記入出力トランスジ
ユーサと前記YIG薄膜が接するように前記第1
、第2の基板が固定され、前記第1、第2の基板
の表面に対して垂直な方向から磁界を与え静磁体
積前進波を得る様にした静磁波遅延素子において
、前記第2の基板に形成された入出力トランスジ
ユーサを直列状に配置するとともに前記第1の基
板を静磁波が異なる経路を経て出力トランスジユ
ーサに伝搬する様に形成したことを特徴とする静
磁波遅延素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988051753U JPH0731607Y2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 静磁波遅延素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988051753U JPH0731607Y2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 静磁波遅延素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153732U true JPH01153732U (ja) | 1989-10-23 |
| JPH0731607Y2 JPH0731607Y2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=31277769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988051753U Expired - Lifetime JPH0731607Y2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 静磁波遅延素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731607Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165414A (en) * | 1980-04-14 | 1981-12-19 | Thomson Csf | Volume electromagnetic wave device |
| JPS57186818A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-17 | Nec Corp | Surface acoustic wave dispersion type delay line |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP1988051753U patent/JPH0731607Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165414A (en) * | 1980-04-14 | 1981-12-19 | Thomson Csf | Volume electromagnetic wave device |
| JPS57186818A (en) * | 1981-05-14 | 1982-11-17 | Nec Corp | Surface acoustic wave dispersion type delay line |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0731607Y2 (ja) | 1995-07-19 |
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