JPH01153732U - - Google Patents

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JPH01153732U
JPH01153732U JP5175388U JP5175388U JPH01153732U JP H01153732 U JPH01153732 U JP H01153732U JP 5175388 U JP5175388 U JP 5175388U JP 5175388 U JP5175388 U JP 5175388U JP H01153732 U JPH01153732 U JP H01153732U
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る静磁波遅延素子の一実施
例を示す斜視図、第2図は本考案の静磁波遅延素
子による伝搬特性を示す図、第3図は第1の基板
と第2の基板の配置関係を示す図、第4〜第6図
は他の実施例を示す図、第7図は従来の静磁波遅
延素子の斜視図、第8図は従来の静磁波遅延素子
による伝搬特性を示す図である。 1……第1の基板、2……YIG薄膜、3……
第2の基板、4a……入力トランスジユーサ、4
b……出力トランスジユーサ、10……貫通孔。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一方の面にYIG薄膜が形成された第1の基板
    と、一方の面に入出力トランスジユーサが形成さ
    れた第2の基板からなり、前記入出力トランスジ
    ユーサと前記YIG薄膜が接するように前記第1
    、第2の基板が固定され、前記第1、第2の基板
    の表面に対して垂直な方向から磁界を与え静磁体
    積前進波を得る様にした静磁波遅延素子において
    、前記第2の基板に形成された入出力トランスジ
    ユーサを直列状に配置するとともに前記第1の基
    板を静磁波が異なる経路を経て出力トランスジユ
    ーサに伝搬する様に形成したことを特徴とする静
    磁波遅延素子。
JP1988051753U 1988-04-18 1988-04-18 静磁波遅延素子 Expired - Lifetime JPH0731607Y2 (ja)

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JP1988051753U JPH0731607Y2 (ja) 1988-04-18 1988-04-18 静磁波遅延素子

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JPH01153732U true JPH01153732U (ja) 1989-10-23
JPH0731607Y2 JPH0731607Y2 (ja) 1995-07-19

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56165414A (en) * 1980-04-14 1981-12-19 Thomson Csf Volume electromagnetic wave device
JPS57186818A (en) * 1981-05-14 1982-11-17 Nec Corp Surface acoustic wave dispersion type delay line

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56165414A (en) * 1980-04-14 1981-12-19 Thomson Csf Volume electromagnetic wave device
JPS57186818A (en) * 1981-05-14 1982-11-17 Nec Corp Surface acoustic wave dispersion type delay line

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JPH0731607Y2 (ja) 1995-07-19

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