JPH01153968A - 電界の予め定めた方向成分を測定するためのファイバ光学センサ - Google Patents
電界の予め定めた方向成分を測定するためのファイバ光学センサInfo
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- JPH01153968A JPH01153968A JP63277561A JP27756188A JPH01153968A JP H01153968 A JPH01153968 A JP H01153968A JP 63277561 A JP63277561 A JP 63277561A JP 27756188 A JP27756188 A JP 27756188A JP H01153968 A JPH01153968 A JP H01153968A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電場の所定の方向成分を測定するための元フ
ァイバーセンサーに関し、このセンサーは圧電体、一定
の長さ区分で圧電体と固定結合しているガラス繊維及び
このガラス繊維の長さの変化を検知するための装置を包
含する。
ァイバーセンサーに関し、このセンサーは圧電体、一定
の長さ区分で圧電体と固定結合しているガラス繊維及び
このガラス繊維の長さの変化を検知するための装置を包
含する。
従来の技術
電界強度を測定するに当り、ポッケルス効果あるいはカ
ー効果のような電気光学効果が使われる。その際に特定
の物質では、屈折率が印加電界強度の１乗に比例しくポ
ッケルス効果）もしくはその２乗に比例して（カー効果
）変化するという事実が利用される。爽に、これらの物
質が一定の対称性を有する場合、電場の所定の方向成分
を測定することもできる。所！ｌＮポッケルスセンサー
はしばしば周囲の作用因子（Ｎえは湿度）に敏感に反応
する、高度な光学品質を有する筒価な単結晶物質を必要
とし、所論カーセンサーはその低い感度のために主に高
い電界強度に好適である。これらの欠点は、電界強度を
逆圧電効果によ〕測定する場合に回避することができる
。このために、電場中の圧電体の次元の変化を干渉測定
法で測定することのできるガラス繊維の長さの変化に転
換する。
ー効果のような電気光学効果が使われる。その際に特定
の物質では、屈折率が印加電界強度の１乗に比例しくポ
ッケルス効果）もしくはその２乗に比例して（カー効果
）変化するという事実が利用される。爽に、これらの物
質が一定の対称性を有する場合、電場の所定の方向成分
を測定することもできる。所！ｌＮポッケルスセンサー
はしばしば周囲の作用因子（Ｎえは湿度）に敏感に反応
する、高度な光学品質を有する筒価な単結晶物質を必要
とし、所論カーセンサーはその低い感度のために主に高
い電界強度に好適である。これらの欠点は、電界強度を
逆圧電効果によ〕測定する場合に回避することができる
。このために、電場中の圧電体の次元の変化を干渉測定
法で測定することのできるガラス繊維の長さの変化に転
換する。
これに関しては、Ｔ、ヨシノ及びその他共著”元ファイ
バー・７アブリー・ペロ干渉計とそのセンサーの利用”
（” Ｆｉｂｅｒ−ｏｐｚｉａ−Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏ
ｚ Ｉｎｚｅｒｆｅｒｏｍｅｔ＋ｅｒ ａｎｄ
ｉｚａ ５ｅｎｓｏｒＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ”、
ＺＥＥＥＪ、 ｏｆ Ｑｕａｎｔ、 Ｅｌｅｃｚｒ。
バー・７アブリー・ペロ干渉計とそのセンサーの利用”
（” Ｆｉｂｅｒ−ｏｐｚｉａ−Ｆａｂｒｙ−Ｐｅｒｏ
ｚ Ｉｎｚｅｒｆｅｒｏｍｅｔ＋ｅｒ ａｎｄ
ｉｚａ ５ｅｎｓｏｒＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ”、
ＺＥＥＥＪ、 ｏｆ Ｑｕａｎｔ、 Ｅｌｅｃｚｒ。
ＱＵ−１８１６２４（１９８２）：ｌに記載されている
。そこには、圧電セラミックス（ｐｚＩｒと略称）製の
円板の囲シに光ファイバ一番ファプリーパぺ口干渉計を
巻きつけかつその円板に変流を印加することが提案され
ている。ＰＺＴの周次 期的な７元変化が光ファイバー・７アブリー・ペロ干渉
計に囲まれ７’Ｃ元の周期的強度変化をもたらす。
。そこには、圧電セラミックス（ｐｚＩｒと略称）製の
円板の囲シに光ファイバ一番ファプリーパぺ口干渉計を
巻きつけかつその円板に変流を印加することが提案され
ている。ＰＺＴの周次 期的な７元変化が光ファイバー・７アブリー・ペロ干渉
計に囲まれ７’Ｃ元の周期的強度変化をもたらす。
他の文献二″圧電１合体コーチングを使用する、寛楊に
敏感な元ファイバー（ＥｌｅｃｉｒｉｃＦｉｅｌｄ ５
ｅｎｓｉｔｉｖｅ ０ｐｃｉｃａｌ Ｆｉｂｒｅ Ｕｓ
ｉｎｇＰｉｅ７．ｏｅｌｅｃｅｒｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｃｏａｃｉｎｇ ） ’ ［Ｌ、 Ｊ。
敏感な元ファイバー（ＥｌｅｃｉｒｉｃＦｉｅｌｄ ５
ｅｎｓｉｔｉｖｅ ０ｐｃｉｃａｌ Ｆｉｂｒｅ Ｕｓ
ｉｎｇＰｉｅ７．ｏｅｌｅｃｅｒｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｃｏａｃｉｎｇ ） ’ ［Ｌ、 Ｊ。
Ｄｏｎａｌｄａ及びその他共著、 ” Ｅｌｅｃｚｒ、
Ｌｅｎｔ、 ”１８巻、３２７頁（１９８２年）〕で
は、圧電重合体で被嶺され九ガラス繊維及びマツハ・ツ
エンダ−干渉計を、電界強度を測定するのに使用する測
定装置が開示されている。
Ｌｅｎｔ、 ”１８巻、３２７頁（１９８２年）〕で
は、圧電重合体で被嶺され九ガラス繊維及びマツハ・ツ
エンダ−干渉計を、電界強度を測定するのに使用する測
定装置が開示されている。
公知のすべての圧電センサーは、電場の方向が知られて
いる場合には電界強度を測定する。
いる場合には電界強度を測定する。
しかし該センサーは、電場の強度もその方向も測定しよ
うとする場合には使用することができない。
うとする場合には使用することができない。
発明が解決しようとする課題
本発明の課題は、圧電体、圧電体と固定結合しているガ
ラス繊維の一定の長さ区分及びガラス繊維の長さの変化
を検知する装置を包含するＷ場の所定の方向成分を測定
するための元ファイバーセンサーを開示することであり
、このセンサーは、センサーを通して自由に予め決める
ことのできる方向に存在する、電場の方向取分だけを正
確に測定する。
ラス繊維の一定の長さ区分及びガラス繊維の長さの変化
を検知する装置を包含するＷ場の所定の方向成分を測定
するための元ファイバーセンサーを開示することであり
、このセンサーは、センサーを通して自由に予め決める
ことのできる方向に存在する、電場の方向取分だけを正
確に測定する。
課題を解決するための手段
本発明によれば、その解決法は、圧電体が結晶群ｃ２
ｐ ｃ２ｖ ｔ ｃ３ ｐ ｃ３ｖ ｔ Ｄ３１ Ｄ３
ｈ ＊ Ｃ４＊Ｃ６、Ｃ∽、 Ｃ４ｖ ＃ Ｃ６ｖ 、
Ｃ−ｖ 、 Ｔ 、 Ｔｄ 、 ８４ 。
ｐ ｃ２ｖ ｔ ｃ３ ｐ ｃ３ｖ ｔ Ｄ３１ Ｄ３
ｈ ＊ Ｃ４＊Ｃ６、Ｃ∽、 Ｃ４ｖ ＃ Ｃ６ｖ 、
Ｃ−ｖ 、 Ｔ 、 Ｔｄ 、 ８４ 。
Ｄ２ 、 Ｄ２ｄ 、 Ｄ４ 、 Ｄ６ 、 Ｄ″′の
１つであり、かつ一方では圧電体の結晶配向が所定の方
向成分に対して及び他方ではガラス繊維の一定の長さ区
分が結晶配向に対して、前記の所定の方向成分に対して
垂直方向である電場成分がガラス繊維の長さの変化を惹
起しないように選択されているという点にある。
１つであり、かつ一方では圧電体の結晶配向が所定の方
向成分に対して及び他方ではガラス繊維の一定の長さ区
分が結晶配向に対して、前記の所定の方向成分に対して
垂直方向である電場成分がガラス繊維の長さの変化を惹
起しないように選択されているという点にある。
本発明の特に好適な実施形は、円板形、プレート珍又は
中空円筒形の圧電体を使用することである。
中空円筒形の圧電体を使用することである。
優れた実施形により、圧電体はＰＶＤＦ （ポリ４化ビ
ニリデン）、ＰＺＴ（圧電セラミックス）、ニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯ３） 又はα−石英より成る。
ニリデン）、ＰＺＴ（圧電セラミックス）、ニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯ３） 又はα−石英より成る。
ガラス繊維を一定の長さ区分で圧電体と、圧電体の次元
の変化によりガラス繊維の長１ができるだけ大きく変化
するようＫＩＭ合すると優れている。
の変化によりガラス繊維の長１ができるだけ大きく変化
するようＫＩＭ合すると優れている。
多数の優れた実施形が請求項２〜９から明らかである。
実施例
第１の実施例において、円板形の圧電体を備えた元ファ
イバーセンサーについて詳説する。
イバーセンサーについて詳説する。
第１図には電場の１つの方向成分を測定する１ｃめの本
発明による装置が図示されている。レーザ１によシコヒ
ーレント元を発生させる。元をマツハ・ツエンダ−干渉
計に代六されるように第１元波分割器２ａによシ２つの
部分光波に分割する。第１部分元波を偏光される第１ガ
ラス繊維５ａ中に連結導入しかつ第２部分元波は第２ガ
ラス繊維５ｂ中に連結する。第１ガラス繊維５ａは元フ
ァイバーセンサーとして機能する。それは一定の長さ区
分で圧電体４と固定結合している。第２ガラス繊維５ｂ
は診照元路として機能する。光波分割器２ｂ中で両方の
部分光波がコヒーレントにムね合わされかつ検知器３中
に送られる。
発明による装置が図示されている。レーザ１によシコヒ
ーレント元を発生させる。元をマツハ・ツエンダ−干渉
計に代六されるように第１元波分割器２ａによシ２つの
部分光波に分割する。第１部分元波を偏光される第１ガ
ラス繊維５ａ中に連結導入しかつ第２部分元波は第２ガ
ラス繊維５ｂ中に連結する。第１ガラス繊維５ａは元フ
ァイバーセンサーとして機能する。それは一定の長さ区
分で圧電体４と固定結合している。第２ガラス繊維５ｂ
は診照元路として機能する。光波分割器２ｂ中で両方の
部分光波がコヒーレントにムね合わされかつ検知器３中
に送られる。
例えば、交番電界強さＥを圧電体４に作用させると、逆
圧電効果によりガラス繊維５ａの長さの周期的変化が生
じる。その長さの変化はガラス繊維５ａ中を導通する部
分光波の位相のずれをもたらす。その結果、光波分割器
２ｂから出る元の強さが変化し、それが最終的に検知器
３中で測定される。記載の方向の電場では位相のずれは
電界強度に正比例するので、測定された強度から直ちに
電界強度が明らかである。
圧電効果によりガラス繊維５ａの長さの周期的変化が生
じる。その長さの変化はガラス繊維５ａ中を導通する部
分光波の位相のずれをもたらす。その結果、光波分割器
２ｂから出る元の強さが変化し、それが最終的に検知器
３中で測定される。記載の方向の電場では位相のずれは
電界強度に正比例するので、測定された強度から直ちに
電界強度が明らかである。
第２図は実際の光ファイバーセンサーを衣わす。圧電体
４は円板形を有する。ガラス繊維５ａは一定の長さ区分
で、機械的な前緊張下に円板の周面６に固定され【いる
。ガラス繊維５ａが円板の周面に数回（この例では２回
）巻き付けられていると優れている。このようにして、
位相のずれに対する円板の同局変化の作用が数倍にもな
る。
４は円板形を有する。ガラス繊維５ａは一定の長さ区分
で、機械的な前緊張下に円板の周面６に固定され【いる
。ガラス繊維５ａが円板の周面に数回（この例では２回
）巻き付けられていると優れている。このようにして、
位相のずれに対する円板の同局変化の作用が数倍にもな
る。
本発明の要旨は、圧電体の形状、ガラス繊維５ａを圧電
体４に固定する方法及び［１体を構成する材料の結晶群
及び結晶配向であり、それらを、逆圧電効果による電場
の１つの方向成分だけが圧電体軸に平行であるガラス繊
維５ａに作用し得るように相互に整合させることである
。
体４に固定する方法及び［１体を構成する材料の結晶群
及び結晶配向であり、それらを、逆圧電効果による電場
の１つの方向成分だけが圧電体軸に平行であるガラス繊
維５ａに作用し得るように相互に整合させることである
。
この圧電体軸に対して垂直である電場の方向成分はガラ
ス繊維５ａの長さを変更し得ない。
ス繊維５ａの長さを変更し得ない。
公知のようにして、結晶の配向を説明することのできる
直交座標吊金結晶に関係づけることができる。第２図で
は、選択した結晶の配向け３つの直交軸ａ１ 、ａ２．
ａ３により表わ６れる。軸ａ３は円板の法殊に対して平
行である。
直交座標吊金結晶に関係づけることができる。第２図で
は、選択した結晶の配向け３つの直交軸ａ１ 、ａ２．
ａ３により表わ６れる。軸ａ３は円板の法殊に対して平
行である。
それ故、ａ１ｔａ２の両方の軸は、円板の主要面に平行
である面に存在する。この面にかけるそれらの配向は任
意である。ここでは、圧電軸板 りは円ＶＯ法線に対して平行である。
である面に存在する。この面にかけるそれらの配向は任
意である。ここでは、圧電軸板 りは円ＶＯ法線に対して平行である。
ｋｌに、どの結晶群が円板形の圧電体に好適であシかつ
結晶配向をその都度どのように選択すべきかが記載され
ている。結晶群の記載に当ってシエー７フリースもしく
は国際付記法上適用する。各結晶群に対しては、どの結
晶軸（Ｘ軸／Ｙ軸／２＠）が軸ａ６であるかが記載され
ている。結晶軸の表記は、Ｊ、Ｆ、ニュー（Ｎｙｅ）著
、１結晶の物性（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｉｉ
ｅｓ ｏｆＣｒｙｓｔａｌｓ ）″（０ｘｆｏｒｄ Ｕ
ｎｉｖｅｒｓｉｚｙ Ｐｒｅｓｓ出版、１９６７年）中
に記載されているような協約に相当する。
結晶配向をその都度どのように選択すべきかが記載され
ている。結晶群の記載に当ってシエー７フリースもしく
は国際付記法上適用する。各結晶群に対しては、どの結
晶軸（Ｘ軸／Ｙ軸／２＠）が軸ａ６であるかが記載され
ている。結晶軸の表記は、Ｊ、Ｆ、ニュー（Ｎｙｅ）著
、１結晶の物性（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｉｉ
ｅｓ ｏｆＣｒｙｓｔａｌｓ ）″（０ｘｆｏｒｄ Ｕ
ｎｉｖｅｒｓｉｚｙ Ｐｒｅｓｓ出版、１９６７年）中
に記載されているような協約に相当する。
宍■
結晶群 軸ａ６の 軸ａ３が相応する（シ
エーンフリース 回転数 結晶軸〔国際〕） Ｃ２ｖ ｒ２ｍｍ〕 ２ Ｃ４ｖ ［４ｍｍ〕 ４ ｃ４ Ｃ４） ４ ｃ３ ［”３”ｌ ３Ｃ３ｖ ［３
ｍ〕３ Ｚ−軸 ｃ６ Ｃ６：ｌ ６Ｃ６ｖ （６ｍ
ｍ） ６ Ｃω 〔ω〕 ■ Ｃ∽ｖ ［町閲〕 ψ Ｃ２（２） ２ Ｄ３ｈ ［６２ｍ〕２ ｙ−軸Ｄ３ （：３
２） ２ Ｘ−ａ第３図は、光ファ
イバーセンサーの機能を説明する図である。場のベクト
ルＥを有する電場が元ファイバーセンサーの位置で、図
示されている方向に作用しかつ圧電体の軸りと角度αを
なすものとする。ベクトルＥは圧電体の軸りに平行な方
向成分ｇｈとそれに対して垂直な方向成分Ｅ８に分解さ
れる。光ファイバーセンサーは、方向成分ｇｈだけが逆
圧電効果によシ円板の円周の変化をもたらすので、その
方向成分だけを”感知（ａ；ｅｈｅｎ ）”する。従っ
て、圧電体の軸ｈ１即ち円板の法線の配向が、電場のど
の方向成分を測定するかを決定する。
エーンフリース 回転数 結晶軸〔国際〕） Ｃ２ｖ ｒ２ｍｍ〕 ２ Ｃ４ｖ ［４ｍｍ〕 ４ ｃ４ Ｃ４） ４ ｃ３ ［”３”ｌ ３Ｃ３ｖ ［３
ｍ〕３ Ｚ−軸 ｃ６ Ｃ６：ｌ ６Ｃ６ｖ （６ｍ
ｍ） ６ Ｃω 〔ω〕 ■ Ｃ∽ｖ ［町閲〕 ψ Ｃ２（２） ２ Ｄ３ｈ ［６２ｍ〕２ ｙ−軸Ｄ３ （：３
２） ２ Ｘ−ａ第３図は、光ファ
イバーセンサーの機能を説明する図である。場のベクト
ルＥを有する電場が元ファイバーセンサーの位置で、図
示されている方向に作用しかつ圧電体の軸りと角度αを
なすものとする。ベクトルＥは圧電体の軸りに平行な方
向成分ｇｈとそれに対して垂直な方向成分Ｅ８に分解さ
れる。光ファイバーセンサーは、方向成分ｇｈだけが逆
圧電効果によシ円板の円周の変化をもたらすので、その
方向成分だけを”感知（ａ；ｅｈｅｎ ）”する。従っ
て、圧電体の軸ｈ１即ち円板の法線の配向が、電場のど
の方向成分を測定するかを決定する。
圧電体４が、電気分極しかつ機械的に延伸したＰｖＤＦ
（ポリ弗化ビニリデン、結晶群Ｃ２ｖ ）、α−石英
（結晶群Ｄ３）、圧電セラミックス（ＰＺＴ 、結晶群
Ｃ”ｖ ）又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３＊結晶
群Ｃ３ｖ結晶上Ｃ３ｖと優れている。
（ポリ弗化ビニリデン、結晶群Ｃ２ｖ ）、α−石英
（結晶群Ｄ３）、圧電セラミックス（ＰＺＴ 、結晶群
Ｃ”ｖ ）又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３＊結晶
群Ｃ３ｖ結晶上Ｃ３ｖと優れている。
好適な実施例では、円板は直径約１０玉及び厚さ１〜３
ｙｍ を有する。圧電体が例えばＰＶＤＦ、によシ成
りかつＰＶＤＦが結晶学のＹ軸に延伸されかつ結晶学の
２−軸に分極する場合、電場１ｖ／αは約０．０３１の
円周の変化を惹起する。ガラス繊維で円板の周辺を１０
回巻き付けると、波長６３０ ｎｍで約４−１０−’
ｒａｄの位相のずれが生じる。
ｙｍ を有する。圧電体が例えばＰＶＤＦ、によシ成
りかつＰＶＤＦが結晶学のＹ軸に延伸されかつ結晶学の
２−軸に分極する場合、電場１ｖ／αは約０．０３１の
円周の変化を惹起する。ガラス繊維で円板の周辺を１０
回巻き付けると、波長６３０ ｎｍで約４−１０−’
ｒａｄの位相のずれが生じる。
次に、光ファイバーセンサーの他の優れた構成を記載す
る。第２の実施例ではプレート形の圧電体４を備えた光
ファイバーセンサーｔ−記載する、 第４図が相応する光ファイバーセンサーを示す。圧電体
４は長方形のプレート形を有する。ガラス繊維５ａはプ
レートの主要面Ｔ上で縦方向に直線で固定されている。
る。第２の実施例ではプレート形の圧電体４を備えた光
ファイバーセンサーｔ−記載する、 第４図が相応する光ファイバーセンサーを示す。圧電体
４は長方形のプレート形を有する。ガラス繊維５ａはプ
レートの主要面Ｔ上で縦方向に直線で固定されている。
ガラス繊維５ａを固定するためにプレートに例えはまり
直ぐな溝が設けられていてよく、この害中にガラス繊維
を置きかつ接着剤で目止めする。この場合にも結晶配向
は６つの軸ａ１ 、ａ２．ａ３で衣わされている。圧電
体軸りは、一定の長さ区分のガラス繊維５ａがプレート
と結合しているその直線の方向に、即ちガラス繊維５ａ
に対して平行に、この場合にはプレートの縦方向に存在
する。
直ぐな溝が設けられていてよく、この害中にガラス繊維
を置きかつ接着剤で目止めする。この場合にも結晶配向
は６つの軸ａ１ 、ａ２．ａ３で衣わされている。圧電
体軸りは、一定の長さ区分のガラス繊維５ａがプレート
と結合しているその直線の方向に、即ちガラス繊維５ａ
に対して平行に、この場合にはプレートの縦方向に存在
する。
異なる結晶群に対して圧電体４の結晶配向をどのように
選択すべきかもｉｆから明らかである。軸ａ１及びａ２
は両方とも圧電体軸りに対して垂直であるが、それ以外
は任意の配向を有する。それ故、前記の条件（ｆｆｌｌ
）を満たしさえすれば、圧電体は他の長方形を有してい
てもよい。
選択すべきかもｉｆから明らかである。軸ａ１及びａ２
は両方とも圧電体軸りに対して垂直であるが、それ以外
は任意の配向を有する。それ故、前記の条件（ｆｆｌｌ
）を満たしさえすれば、圧電体は他の長方形を有してい
てもよい。
第５図は、圧電体４が中空円筒として構成されている第
４図と勢価の構成ｔ−ｉわす。ガラス繊維５ａは中空円
筒中で例えば接着剤で固定されている。
４図と勢価の構成ｔ−ｉわす。ガラス繊維５ａは中空円
筒中で例えば接着剤で固定されている。
第３の実施例では、圧電体４が同様にプレートの形状を
有するが、プレートの法線に平行である電場の方向成分
を測定する元ファイバーセンサーｆ：記載する。
有するが、プレートの法線に平行である電場の方向成分
を測定する元ファイバーセンサーｆ：記載する。
第６ａ〜Ｃ図はこの種の元ファイバーセンサーの６つの
実施例を示す。外面的には第４図に図示したものとは異
なっていない。それ故、同じ部材は同じ番号を有する。
実施例を示す。外面的には第４図に図示したものとは異
なっていない。それ故、同じ部材は同じ番号を有する。
それらはそれぞれ結晶配向によって異なってかシ、３つ
の組になっている直交軸ａ１ 、ａ２．ａ３により衣わ
されている。圧電体軸りは既に記載したようにプレート
の主要面に対して常に垂直、即ちプレート法線に対して
平行である。
の組になっている直交軸ａ１ 、ａ２．ａ３により衣わ
されている。圧電体軸りは既に記載したようにプレート
の主要面に対して常に垂直、即ちプレート法線に対して
平行である。
第６ａ図において軸ａ３は結晶学の２−軸又はＹ−軸（
結晶群に応じて）である。他の２つのＮａ１及びａ２は
プレートの主要面に平行な面に存在する。その配向は任
意である。嵌Ｍには、この実施形が好適である結晶群が
挙げられている。結晶群Ｃ２が、軸ａ３が結晶Ｙ−軸に
相当する唯一のものであることを注目すべきである。
結晶群に応じて）である。他の２つのＮａ１及びａ２は
プレートの主要面に平行な面に存在する。その配向は任
意である。嵌Ｍには、この実施形が好適である結晶群が
挙げられている。結晶群Ｃ２が、軸ａ３が結晶Ｙ−軸に
相当する唯一のものであることを注目すべきである。
衣■
結晶群 軸ａ３の 軸ａ３が相当する（シ
エーンフリース 回転数 結晶軸〔国際〕） Ｃ２ｖ ［２ｍｍ） ２ Ｃ４ｖ ［４ｍｍ） ４ Ｃ４［４） ４ Ｃ６〔６〕 ６ ｚ−軸Ｃ６ｖ ［
６ｍｍ〕６ ＣａｏＣａｏ：ｌａ。
エーンフリース 回転数 結晶軸〔国際〕） Ｃ２ｖ ［２ｍｍ） ２ Ｃ４ｖ ［４ｍｍ） ４ Ｃ４［４） ４ Ｃ６〔６〕 ６ ｚ−軸Ｃ６ｖ ［
６ｍｍ〕６ ＣａｏＣａｏ：ｌａ。
Ｃｏｏｖ ［ａｏｍｍ］ ｃ。
従来の実施例では、唯１つの結晶軸がその方向において
決まっていた。以下、それぞれ２つの軸方向を有してお
シ、即ち圧電体軸りに平行な結晶軸及びガラス繊維５ａ
に対して正確に一定の方向のｔＡ２ｏ結晶軸である。
決まっていた。以下、それぞれ２つの軸方向を有してお
シ、即ち圧電体軸りに平行な結晶軸及びガラス繊維５ａ
に対して正確に一定の方向のｔＡ２ｏ結晶軸である。
第６ｂ図及び第６Ｃ図には結晶群Ｄ２１ Ｄ２ｄ ＃Ｔ
、 Ｔｄ 、 Ｄ４ 、 Ｄ６ （シエーン７リース
の記号〕に好適な拠施形が図示されている。これらの結
晶群では、ガラス繊維５ａの方向がａｌとａ２の２つの
軸がなす角度を２等分する方向に向いている必要がある
。ｋｌは前記の結晶群に好適表結晶配向を記載したもの
である。
、 Ｔｄ 、 Ｄ４ 、 Ｄ６ （シエーン７リース
の記号〕に好適な拠施形が図示されている。これらの結
晶群では、ガラス繊維５ａの方向がａｌとａ２の２つの
軸がなす角度を２等分する方向に向いている必要がある
。ｋｌは前記の結晶群に好適表結晶配向を記載したもの
である。
氏Ｉ
結晶群 軸ａ３が相当 ガラス繊維の方
向（シエーンフリース する結晶軸 ８４ ［４］ Ｚ−軸 結晶
Ｘ−軸結晶 Ｙ−軸 Ｄ３ ［３２） ｐ２ａ （４２ｍ〕 結晶群Ｄ２ ＃ Ｄ２ｄ 、 Ｔ 、 ’Ｉ’ｄの場合
は軸ａ３は結晶学のＸ−帽、Ｙ−軸又は２−軸の１つに
相当し得る。例えば、軸ａ３が結晶Ｘ−軸である場合、
ガラス繊維は結晶学のＸ−軸とＹ−軸がなす角度を２等
分する方向Ｗｙｚ又はＷ −ｙ ｒ、に位置する。角度
を２等分するＷｙｚ ｉｊ正のＹ−軸と正のｚ−和との
間に位置する角度２等分方向であり、かつ角度を２等分
するＷ−ｙｚは負のＹ−軸と正のｚ−軸との間に位置す
る方向である。
向（シエーンフリース する結晶軸 ８４ ［４］ Ｚ−軸 結晶
Ｘ−軸結晶 Ｙ−軸 Ｄ３ ［３２） ｐ２ａ （４２ｍ〕 結晶群Ｄ２ ＃ Ｄ２ｄ 、 Ｔ 、 ’Ｉ’ｄの場合
は軸ａ３は結晶学のＸ−帽、Ｙ−軸又は２−軸の１つに
相当し得る。例えば、軸ａ３が結晶Ｘ−軸である場合、
ガラス繊維は結晶学のＸ−軸とＹ−軸がなす角度を２等
分する方向Ｗｙｚ又はＷ −ｙ ｒ、に位置する。角度
を２等分するＷｙｚ ｉｊ正のＹ−軸と正のｚ−和との
間に位置する角度２等分方向であり、かつ角度を２等分
するＷ−ｙｚは負のＹ−軸と正のｚ−軸との間に位置す
る方向である。
ＷｙｚとＷ−ｙｚとは相互に垂直である。角度を２等分
するＷｒ、ｘ 、 ’？１−ｚｘ 、 Ｗｘｙ 、 Ｗ
−ｒｙも同様の意味である。
するＷｒ、ｘ 、 ’？１−ｚｘ 、 Ｗｘｙ 、 Ｗ
−ｒｙも同様の意味である。
結晶群Ｄ４ 、 Ｄ６は結晶群Ｄ２ 、 Ｄ２ｄ 、
’Ｉ’ 、 Ｔｄとは、第３の変形、即ち結晶２−軸が
軸ａ３に相当しかつガラス繊維が角度ｔ−２等分する方
向Ｗｘｙ 、 Ｗ −ｘｙ ＩＩＣ存在するという変形
が存在しないという点で異なっている。
’Ｉ’ 、 Ｔｄとは、第３の変形、即ち結晶２−軸が
軸ａ３に相当しかつガラス繊維が角度ｔ−２等分する方
向Ｗｘｙ 、 Ｗ −ｘｙ ＩＩＣ存在するという変形
が存在しないという点で異なっている。
第６ｄ図には、結晶群Ｄ！ｌ 、 Ｄ３ｈに好適な結晶
配向が図示されている。ここではｈａｉはガラス繊維５
ａに平行である。軸ａ３は結晶Ｘ−軸でありかつｍａ１
ｔ′ｉ紹晶Ｙ−軸である（衣Ｉ参照）。
配向が図示されている。ここではｈａｉはガラス繊維５
ａに平行である。軸ａ３は結晶Ｘ−軸でありかつｍａ１
ｔ′ｉ紹晶Ｙ−軸である（衣Ｉ参照）。
最後に、第６ｅ図には結晶群Ｓ４に好適な結晶配向が図
示されている。軸ａ６は結晶２−軸である。ガラス繊維
は結晶Ｘ−軸（第６ｄ図）又は結晶Ｙ−軸（第６ｅ図）
の方向である。
示されている。軸ａ６は結晶２−軸である。ガラス繊維
は結晶Ｘ−軸（第６ｄ図）又は結晶Ｙ−軸（第６ｅ図）
の方向である。
他の実験により、ガラス繊維５ａに対して平行な電場の
方向成分を測定する第２の実施形に関しては結晶群Ｔ及
びＴ（ｉも好適であることが明らかになった。
方向成分を測定する第２の実施形に関しては結晶群Ｔ及
びＴ（ｉも好適であることが明らかになった。
この事実を明らかにするために、前記の戎■を次の２つ
の新しい表■及び■に代える。
の新しい表■及び■に代える。
記載の仕方において次の新しい氏は前記の我とは、結晶
の根拠とした座標系（結晶Ｘ−軸、Ｙ−軸、２−軸）で
はなくて、可能な限シ直接対称軸（回転軸）を記載する
という点で異なっている。
の根拠とした座標系（結晶Ｘ−軸、Ｙ−軸、２−軸）で
はなくて、可能な限シ直接対称軸（回転軸）を記載する
という点で異なっている。
表■
結晶群 円板法線に対して平
行（シエーン７リース〔国際〕） な回転軸Ｃ２（
２） ２回軸Ｃ２ｖ〔２ｍｍ〕
２ 〃Ｃ３［３］
３ 〃Ｃ３ｖ［３ｍ：］
３ ｌＩＤ３ ［３
２） ２ ”Ｄ３ｈ［
６２ｍ） ２ がＣ４［
４］ ４ ＮＣ６〔
６〕 、 ６ 〃Ｃω 〔
ω〕 ψ 〃Ｃ４ｖ［４
ｍｍ〕 ４ ”Ｃ６ｖ ［
６ｍｍ〕６ ” Ｃｏｏｖ ［ｏｏｍｍ〕
ψ 〃表■は結晶群Ｔ 、 ’Ｉ’ｄについて付記した
表■に相当する。該衣は、ガラス繊維に対して平行であ
るかもしくはプレートの縦方向に位置する電場成分を測
定する実施形に好適である結晶群會明らかにする（第４
因、第５図）。ガラス繊維に平行な回転軸の配向だけが
決定しておシ、他の回転軸の配向は任意である。
行（シエーン７リース〔国際〕） な回転軸Ｃ２（
２） ２回軸Ｃ２ｖ〔２ｍｍ〕
２ 〃Ｃ３［３］
３ 〃Ｃ３ｖ［３ｍ：］
３ ｌＩＤ３ ［３
２） ２ ”Ｄ３ｈ［
６２ｍ） ２ がＣ４［
４］ ４ ＮＣ６〔
６〕 、 ６ 〃Ｃω 〔
ω〕 ψ 〃Ｃ４ｖ［４
ｍｍ〕 ４ ”Ｃ６ｖ ［
６ｍｍ〕６ ” Ｃｏｏｖ ［ｏｏｍｍ〕
ψ 〃表■は結晶群Ｔ 、 ’Ｉ’ｄについて付記した
表■に相当する。該衣は、ガラス繊維に対して平行であ
るかもしくはプレートの縦方向に位置する電場成分を測
定する実施形に好適である結晶群會明らかにする（第４
因、第５図）。ガラス繊維に平行な回転軸の配向だけが
決定しておシ、他の回転軸の配向は任意である。
衣■
結晶群 ガラス繊維に対して
平行（シエーンフリース〔国際〕） な回転軸Ｃ２
［２） ２回軸Ｃ２ｖ ［２ｍ
ｍ：） ２ ”Ｃ３［３
］ ５ ＃’Ｃ３ｖ
（３ｍ〕 ３ ”Ｄ３
［３２］ ２ ”ｐ
３ｈ Ｃ６ｍ〕２ 〃 Ｃ４［４］ ４ 〃
Ｃ６〔６〕６ＩＩ Ｃｏ ［（Ｘ）］
（Ｘ）
ｌ−Ｃ４ｖ［”４ｍｍ１ ４
＃Ｃ６ｖ ［６ｍｍ）
６ ”Ｃｃｎｖ Ｉ″００ｍ１ｌｌ〕６０ ＩＩ
Ｔ 〔２３〕 ６ 〃ｒ
ｄ （４３ｍ 〕
３ ”結晶群Ｄ３（例えば石英）の圧電体含
有する円板形センサー（第２図）の例により本発明を再
度鰺脱する。
平行（シエーンフリース〔国際〕） な回転軸Ｃ２
［２） ２回軸Ｃ２ｖ ［２ｍ
ｍ：） ２ ”Ｃ３［３
］ ５ ＃’Ｃ３ｖ
（３ｍ〕 ３ ”Ｄ３
［３２］ ２ ”ｐ
３ｈ Ｃ６ｍ〕２ 〃 Ｃ４［４］ ４ 〃
Ｃ６〔６〕６ＩＩ Ｃｏ ［（Ｘ）］
（Ｘ）
ｌ−Ｃ４ｖ［”４ｍｍ１ ４
＃Ｃ６ｖ ［６ｍｍ）
６ ”Ｃｃｎｖ Ｉ″００ｍ１ｌｌ〕６０ ＩＩ
Ｔ 〔２３〕 ６ 〃ｒ
ｄ （４３ｍ 〕
３ ”結晶群Ｄ３（例えば石英）の圧電体含
有する円板形センサー（第２図）の例により本発明を再
度鰺脱する。
は
圧電効果による伸ひ率の行列〆この場合公知である（例
えばＪ、 Ｆ、 二ニー奈照）。
えばＪ、 Ｆ、 二ニー奈照）。
ｄｘｘ −ｄｌｌ Ｏｄ１４ ０ ００
０ ０ ０ −０１４ −２（１１、ｏ
ｏ ｏｏ ｏ。
０ ０ ０ −０１４ −２（１１、ｏ
ｏ ｏｏ ｏ。
それ故、結晶Ｘ−軸（２回軸）の方向の電場はＸ−軸方
向の縦方向の伸び、Ｙ−軸方向の横方向の伸び及びＸ−
軸を中心とする（縦方向の）剪断（即ちＹ−Ｚ−面にお
ける剪断）を生成するＯ 結晶Ｙ−軸方向における電場はＹ−１１１と２−軸を中
心とする剪断を惹起する。
向の縦方向の伸び、Ｙ−軸方向の横方向の伸び及びＸ−
軸を中心とする（縦方向の）剪断（即ちＹ−Ｚ−面にお
ける剪断）を生成するＯ 結晶Ｙ−軸方向における電場はＹ−１１１と２−軸を中
心とする剪断を惹起する。
結晶２−軸（３回軸）の方向における電場は伸びを生成
しない。
しない。
専ら、円板法線に対して平行な方向成分を検知するため
には、結晶Ｘ−軸が円板法線に平行でなければならない
。円板法線に平行である、発生を場の成分によシ惹起さ
れる横方向の伸ひが円板の円周の変化、それ故ガラス繊
維の長さの変化に対する唯一の可能なｔ場作用因子であ
る。Ｙ−軸に沿つ′Ｃ１１Ｅ場が発生する剪断は円板の
円周に対して作用しない。
には、結晶Ｘ−軸が円板法線に平行でなければならない
。円板法線に平行である、発生を場の成分によシ惹起さ
れる横方向の伸ひが円板の円周の変化、それ故ガラス繊
維の長さの変化に対する唯一の可能なｔ場作用因子であ
る。Ｙ−軸に沿つ′Ｃ１１Ｅ場が発生する剪断は円板の
円周に対して作用しない。
それ故、円周の相対的変化に関しては、− ＝−−ｄ
ｌｌＥ（ｘ、ｉｎ） が明らかであり、その際に” （ｘ ＋□ｎ）は圧電体
中で、２回軸と一致する円板法線の方向に存在する電場
の成分であり、係数Ｔは、相応する伸ひが半径方向では
なく、Ｙ−軸に沿ってだけ作用するという事実に基づく
。
ｌｌＥ（ｘ、ｉｎ） が明らかであり、その際に” （ｘ ＋□ｎ）は圧電体
中で、２回軸と一致する円板法線の方向に存在する電場
の成分であり、係数Ｔは、相応する伸ひが半径方向では
なく、Ｙ−軸に沿ってだけ作用するという事実に基づく
。
同様にして、すべての他の実施形の機能も説明する゛こ
とができる。
とができる。
懺■及び皿に記載の実施形は明瞭な説明のために、結晶
群Ｄｏｏについて補元して次の１Ｖｌａ及びｖｌｂに総
括した。貴■ａ及びＶｌｂは、圧電体がグレート形を有
しかつガラス繊維に対して当直方向の！−の方向成分を
測定する実施形に好適である結晶群を明らかにしている
（第６ａ図〜第６ｅ図）。所定の方向成分に平行（１１
）もしくは垂直（±）である回転軸及びガラス繊維の結
晶配向に対する方向が１定している。一般にガラス繊維
に対してはいくつかの方向が可能であり、その際にガラ
ス繊維の長さの相対的変化はその方向に左右されるので
、場合によっては付加的に、長さ変化の極く小さい方向
を記載する。それ故、ガラス繊維をこの方向で配向させ
るべきではない。相応して、ガラス繊維が最大の伸びを
示す方向が存在する。しかしいずれの場合も一定の長さ
区分のガラス繊維は所定の方向成分に対して垂直である
。
群Ｄｏｏについて補元して次の１Ｖｌａ及びｖｌｂに総
括した。貴■ａ及びＶｌｂは、圧電体がグレート形を有
しかつガラス繊維に対して当直方向の！−の方向成分を
測定する実施形に好適である結晶群を明らかにしている
（第６ａ図〜第６ｅ図）。所定の方向成分に平行（１１
）もしくは垂直（±）である回転軸及びガラス繊維の結
晶配向に対する方向が１定している。一般にガラス繊維
に対してはいくつかの方向が可能であり、その際にガラ
ス繊維の長さの相対的変化はその方向に左右されるので
、場合によっては付加的に、長さ変化の極く小さい方向
を記載する。それ故、ガラス繊維をこの方向で配向させ
るべきではない。相応して、ガラス繊維が最大の伸びを
示す方向が存在する。しかしいずれの場合も一定の長さ
区分のガラス繊維は所定の方向成分に対して垂直である
。
結晶群Ｃ２−Ｖに関してはガラス繊維の認容されない配
向は存在しない。ｄ２３及びｄ３０、もしくはｄｓｓ及
びｄ３１が同じ符号を有する場合、根は負である。この
ことは認容されない角度αが存在しないことを安わす。
向は存在しない。ｄ２３及びｄ３０、もしくはｄｓｓ及
びｄ３１が同じ符号を有する場合、根は負である。この
ことは認容されない角度αが存在しないことを安わす。
Ｓ４に関しては相互に垂直である認容されない方向が生
じることを注意すべきである。
じることを注意すべきである。
最後に、結晶群ｃａ Ｈｃ６＠ ｃａ３ｍ Ｃ４ｖ ＠
Ｃ＜５ｖ。
Ｃ＜５ｖ。
Ｃａ８１ｖの場合には、ガラス繊維が所定の方向成分に
対して垂直であると、ガラス繊維の配向は任意である。
対して垂直であると、ガラス繊維の配向は任意である。
実際−には、氏Ｖｉａ及びＶｌｂから特に有利な実施形
の２つの上類が明らかである。その１つではプレートの
法線が所定の方向成分に対して平行であるように選択さ
れ（第６ａ図〜第６ｅ図）かつ他方の１つではプレート
の法線が所定の方向成分に対して垂直であるように選択
される。
の２つの上類が明らかである。その１つではプレートの
法線が所定の方向成分に対して平行であるように選択さ
れ（第６ａ図〜第６ｅ図）かつ他方の１つではプレート
の法線が所定の方向成分に対して垂直であるように選択
される。
第７図が前記の後者の配置である。第７図は例えば第６
ｅ図から、第６ｅ図のプレートを細くかつ同時に太くす
ると得られる。それ故、第６ａ図〜第６ｅ図によるすべ
ての実施形（プレートの法線が所定の方向成分に対して
平行）には第７図によシ（プレートの法嶽が所定の方向
成分に対して垂直）相応する実施形が存在することが明
らかとなる。
ｅ図から、第６ｅ図のプレートを細くかつ同時に太くす
ると得られる。それ故、第６ａ図〜第６ｅ図によるすべ
ての実施形（プレートの法線が所定の方向成分に対して
平行）には第７図によシ（プレートの法嶽が所定の方向
成分に対して垂直）相応する実施形が存在することが明
らかとなる。
本発明に好適である市販の圧電材料にはα−石英（Ｄ３
）、＝オデ酸リチウム（Ｃ３Ｖ） 、チタン酸バリクＡ
（Ｃ４ｖ） 、ＧａＡｓ （Ｔｄ）及び圧電セラミッ
クス（ＰＺＴ 、 Ｃ６ｖ ）並びに圧電夏合体ＰＶＤ
Ｆ及び類縁物質（Ｃ２ｖ）が包含される。
）、＝オデ酸リチウム（Ｃ３Ｖ） 、チタン酸バリクＡ
（Ｃ４ｖ） 、ＧａＡｓ （Ｔｄ）及び圧電セラミッ
クス（ＰＺＴ 、 Ｃ６ｖ ）並びに圧電夏合体ＰＶＤ
Ｆ及び類縁物質（Ｃ２ｖ）が包含される。
高感度のセンサーのためには、圧電効果による伸び率ｄ
ｉｊが大きくかつ強い内部電場ｇ（ｘ、ｉｎ）に関して
低い相対誘電率ｓｉｊを有すべきである。
ｉｊが大きくかつ強い内部電場ｇ（ｘ、ｉｎ）に関して
低い相対誘電率ｓｉｊを有すべきである。
伸び率と誘電率との比は範囲０．１・１０−１２Ｃ／Ｎ
（ＰＺＴ） 〜２ ” １０−” Ｃ／Ｎ （ＰＶＤＦ
） ”１’あると代Ｎ的である。ＰＺＴが高い伸び率を
有するにもかかわらず誘電率が高いためにその有用性は
若干低い。石英はａｌｌ”ａｌｌ −０，５１０Ｉ Ｑ
−１２Ｃ／Ｎで中央範囲にある。
（ＰＺＴ） 〜２ ” １０−” Ｃ／Ｎ （ＰＶＤＦ
） ”１’あると代Ｎ的である。ＰＺＴが高い伸び率を
有するにもかかわらず誘電率が高いためにその有用性は
若干低い。石英はａｌｌ”ａｌｌ −０，５１０Ｉ Ｑ
−１２Ｃ／Ｎで中央範囲にある。
高い誘電率ｇｉＪはセンサーのＮ＆度を低くするばかシ
でなく、測定すべき電場の著しいひずみを惹起する。そ
れ故、石英は誘電率が比較的低いので、多大な利点を有
する。更に、伸び率が誘電率に対する温度の影響が低く
かつ電気抵抗が高い。それ故、例えば分極の周波数依存
性をもたらし得る荷電粒子移動の影響は無視し得るぐら
い小さい。石英は優れた長時間安定性を有する。
でなく、測定すべき電場の著しいひずみを惹起する。そ
れ故、石英は誘電率が比較的低いので、多大な利点を有
する。更に、伸び率が誘電率に対する温度の影響が低く
かつ電気抵抗が高い。それ故、例えば分極の周波数依存
性をもたらし得る荷電粒子移動の影響は無視し得るぐら
い小さい。石英は優れた長時間安定性を有する。
一般に、圧電体中の内部電場の方向は外部電場の方向と
は異なっていることに注意すべきである。外部電場が（
幾何学的な〕圧電体軸にかつまｆｃ−結晶軸に平行であ
る場合にだけ、方向が一致する。それにもかかわらず円
板の法線もしくはプレートの法線に平行な内５ＩｆＩｔ
場の成分は外部ｔｔ場と円板もしくはプレートの法蜘あ
るいはガラス繊維とがなす角度の余弦に常に比例する。
は異なっていることに注意すべきである。外部電場が（
幾何学的な〕圧電体軸にかつまｆｃ−結晶軸に平行であ
る場合にだけ、方向が一致する。それにもかかわらず円
板の法線もしくはプレートの法線に平行な内５ＩｆＩｔ
場の成分は外部ｔｔ場と円板もしくはプレートの法蜘あ
るいはガラス繊維とがなす角度の余弦に常に比例する。
その際に、比例係数は相対誘を率及び圧電体の形状に左
右される。
右される。
これに対して、所定の方向成分に対して平行である結晶
優先方向が圧電体の軸と一致しない場合、圧電体の軸と
測定する方向成分との間には簡単な関係はない。
優先方向が圧電体の軸と一致しない場合、圧電体の軸と
測定する方向成分との間には簡単な関係はない。
材料のＰＶＤＦＳＰＺＴ、 ＬｉＮｂＯ３及びα−石英
等がプレート又は中空円筒形の圧電体にも好適であるこ
とは明らかである。実施形にとって決定的なのは唯一前
記の結晶群に含まれているかどうかである。
等がプレート又は中空円筒形の圧電体にも好適であるこ
とは明らかである。実施形にとって決定的なのは唯一前
記の結晶群に含まれているかどうかである。
記載したすべての実施例にかいて、ガラス繊維５ａは一
定の長さ区分（プレート又は円板に接着させたガラス繊
維部分）で圧電体と、逆圧電効果により惹起される圧電
体４０次元の変化がガラス繊維５ａの長さの可能な限り
大きな変化をもたらすように結合している。これは本発
明の優れた実施形に相当する。
定の長さ区分（プレート又は円板に接着させたガラス繊
維部分）で圧電体と、逆圧電効果により惹起される圧電
体４０次元の変化がガラス繊維５ａの長さの可能な限り
大きな変化をもたらすように結合している。これは本発
明の優れた実施形に相当する。
このことは次の説明から明らかである。例えば第６ｄ図
による実施形で軸ａ１が正確にはガラス繊維５ａに平行
ではなく、それらが一定の角度をなす場合に、本発明に
より５Ｉｌ：ファイバーセンサーは方向敏感性である。
による実施形で軸ａ１が正確にはガラス繊維５ａに平行
ではなく、それらが一定の角度をなす場合に、本発明に
より５Ｉｌ：ファイバーセンサーは方向敏感性である。
与えられ７’Ｃ１Ｅ界強度で、第６ｄ図に図示された結
晶軸に比べてあｔｂ強くは延伸されず、最大の伸びでは
ない。
晶軸に比べてあｔｂ強くは延伸されず、最大の伸びでは
ない。
第６ａ図〜第６ｅ図につき詳説した実施形では、説明を
明瞭にするためにプレート形の圧電体４について記載し
た。その理由は、プレートの主要面とプレートの法線を
簡単に示すことができ、従って圧電体軸りを氏わすよう
な優先方向を示すことができるからである。しかし、本
発明はグレート形の圧電体４に限定されるものではない
。可能な圧電体の形状は次の点を考慮して予測すること
ができる。
明瞭にするためにプレート形の圧電体４について記載し
た。その理由は、プレートの主要面とプレートの法線を
簡単に示すことができ、従って圧電体軸りを氏わすよう
な優先方向を示すことができるからである。しかし、本
発明はグレート形の圧電体４に限定されるものではない
。可能な圧電体の形状は次の点を考慮して予測すること
ができる。
理想的な形状は楕円体である。それというのも静電的に
圧電体中の場が常に均一だからである。他の形状では縁
で、即ち表面近くで、小さいか又は大きい場のひずみが
生じる。圧電体が３つの相互に直又する幾何学的な対称
軸を有する場合−＆１〜■の実施形が該轟する−、セン
サー信号に対する縁の場のひずみによる作用は対称性故
に相殺される。
圧電体中の場が常に均一だからである。他の形状では縁
で、即ち表面近くで、小さいか又は大きい場のひずみが
生じる。圧電体が３つの相互に直又する幾何学的な対称
軸を有する場合−＆１〜■の実施形が該轟する−、セン
サー信号に対する縁の場のひずみによる作用は対称性故
に相殺される。
しかし６つの直焚対称軸ｔ−Ｗし℃いない形状も可能で
ある（例えば円錐台、半球）。その際にはガラス繊維の
方向に関して一定の限定に注意すべきである。
ある（例えば円錐台、半球）。その際にはガラス繊維の
方向に関して一定の限定に注意すべきである。
更に、記載の優れた実施形では所定の方向成分が圧電体
の幾何学的な対称軸と重なることに注目すべきである。
の幾何学的な対称軸と重なることに注目すべきである。
あるいは結晶優先方向が常に幾何学的な対称軸と一致す
ると言うことができる。
ると言うことができる。
部分光波の位相のずれをマツハ・ツエンダ−干渉計で測
定する代９に、任意の干渉測定法全適用することができ
る。特に、ガラス繊維５ａｔ−元フアイバー７アプリー
・ペロ干渉計として構成する優れた実施形がある。元フ
ァイバーファプリー・ペロ干渉計に関する詳細は冒頭に
挙げたヨシノ及びその他共著による文献から明らかであ
る。
定する代９に、任意の干渉測定法全適用することができ
る。特に、ガラス繊維５ａｔ−元フアイバー７アプリー
・ペロ干渉計として構成する優れた実施形がある。元フ
ァイバーファプリー・ペロ干渉計に関する詳細は冒頭に
挙げたヨシノ及びその他共著による文献から明らかであ
る。
第６ａ図〜第６ｅ図による実施形では、ガラス繊維が無
条件に直線で圧電体と結合している必要はない。湾曲麿
も可能である。他の特に優れた実施形によれば、ガラス
繊維の長ざの変化を検知するための装置は２モード干渉
計である〔例えばＪ、 Ｎ、’ Ｂｌａｋｅ及びその他
共著、” ５ｃｒａｉｎ ｅｆｆｅｃｚｓ ｏｎ ｈｉ
ｇｌｉｙ ｅｌｌｉｐｚｉｃａｌ∽ｒｅ ｒＪａｒｏ−
ｍｏｄｅ ｆｉｂｅｒｓ ” 、 ” Ｏｐｔ、１ｃｓ
Ｌｅｃｚｅｒｓ ” 、 Ｖｏｌ、 １２ 、 Ｎａ９
＊ ７３２頁以下（１９８７年）又ｔｒｉ Ｂ、 Ｙ
、 Ｋｉｎ及びその他共著。
条件に直線で圧電体と結合している必要はない。湾曲麿
も可能である。他の特に優れた実施形によれば、ガラス
繊維の長ざの変化を検知するための装置は２モード干渉
計である〔例えばＪ、 Ｎ、’ Ｂｌａｋｅ及びその他
共著、” ５ｃｒａｉｎ ｅｆｆｅｃｚｓ ｏｎ ｈｉ
ｇｌｉｙ ｅｌｌｉｐｚｉｃａｌ∽ｒｅ ｒＪａｒｏ−
ｍｏｄｅ ｆｉｂｅｒｓ ” 、 ” Ｏｐｔ、１ｃｓ
Ｌｅｃｚｅｒｓ ” 、 Ｖｏｌ、 １２ 、 Ｎａ９
＊ ７３２頁以下（１９８７年）又ｔｒｉ Ｂ、 Ｙ
、 Ｋｉｎ及びその他共著。
” Ｕｓｅｏｆ ｈｉｇｌｉｙ ｅｌｌｉｐｔｉｃａｌ
∽ｒｅ ｆｉｂｅｒｓｆｏｒ ｃｖｏ−ｍｏｄｅ ｆ
ｉｂｅｒ ｄｅｖｉｃｅｓ″＋ ” ０ｐｃｉｃｓＬｅ
ｔ＋ｔ＋ｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 １２ ＊隔９ 、７２
９頁以下（１９８７年）〕。この２モード干渉計はマツ
ハ・ツエンダ−干渉計よシもガラス繊維の長さの変化に
対して著しく低い感度ヲ有しているが非常に°簡単にか
つ経費の点で有利に実施することができる。
∽ｒｅ ｆｉｂｅｒｓｆｏｒ ｃｖｏ−ｍｏｄｅ ｆ
ｉｂｅｒ ｄｅｖｉｃｅｓ″＋ ” ０ｐｃｉｃｓＬｅ
ｔ＋ｔ＋ｅｒｓ″、 Ｖｏｌ、 １２ ＊隔９ 、７２
９頁以下（１９８７年）〕。この２モード干渉計はマツ
ハ・ツエンダ−干渉計よシもガラス繊維の長さの変化に
対して著しく低い感度ヲ有しているが非常に°簡単にか
つ経費の点で有利に実施することができる。
２モード干渉計と同様の利点を、同様に優れている偏光
干渉計［Ｗ、 Ｅｉｃｋｈｏｆｆ著、 ”０ｐｔｉｃｓ
Ｌｅｔ＋ｔｅｒ８ ” ｌ Ａ ｅ ２０４頁（１９８
１年）〕が有する。その際に相互に偏光しｆｃ２つの直
交モードを干渉させると、モードはガラス繊維の長でか
変化すると異なる位相のずれを受ける。
干渉計［Ｗ、 Ｅｉｃｋｈｏｆｆ著、 ”０ｐｔｉｃｓ
Ｌｅｔ＋ｔｅｒ８ ” ｌ Ａ ｅ ２０４頁（１９８
１年）〕が有する。その際に相互に偏光しｆｃ２つの直
交モードを干渉させると、モードはガラス繊維の長でか
変化すると異なる位相のずれを受ける。
最終的に、本発明は、敏感でありかつ簡単に製造するこ
とのできる、電場の一定の方向成分を測定するための光
７アイバーセンサーを開示するということができる。
とのできる、電場の一定の方向成分を測定するための光
７アイバーセンサーを開示するということができる。
第１図は電場の１つの方向成分を測定するための本発明
による装置を示す因、第２図は円板形の圧電体を備えた
元ファイバーセンサーを示す因、第６図は第２図による
元ファイバーセンサーの機能を示す図、第４図はプレー
ト形の圧電体を備えた元ファイバーセンサーを示す図、
第５図は中空円筒形の圧電体を備え７’Ｃ元ファイバー
センサーを示す図、第６ａ図、第６ｂ図、第６Ｃ図、第
６ｄ図及び第６ｅ図は圧電体軸がプレートの法線に対し
て平行であるプレート形の圧電体を備えた元ファイバー
センサーを示す図、第７図は圧電体軸がプレートの法線
に対して垂直であるプレート形の圧電体を備えｆｃ元ラ
ファイバーセンサー示す図である。 １・・・レーザー、２ａ、２ｂ・・・ｊｔ波分割器、３
・・・検知器、４・・・圧電体、５ａｓ５ｂ・・・ガラ
ス繊維、６・・・円板の周面、Ｔ・・・主要面、Ｅ・・
・場のベクトル、Ｒｈ、 Ｅａ ””方向成分、ａｌ
ｔ ａ ２ ｔａ６・・・結晶軸、ｈ・・・圧電体軸。
による装置を示す因、第２図は円板形の圧電体を備えた
元ファイバーセンサーを示す因、第６図は第２図による
元ファイバーセンサーの機能を示す図、第４図はプレー
ト形の圧電体を備えた元ファイバーセンサーを示す図、
第５図は中空円筒形の圧電体を備え７’Ｃ元ファイバー
センサーを示す図、第６ａ図、第６ｂ図、第６Ｃ図、第
６ｄ図及び第６ｅ図は圧電体軸がプレートの法線に対し
て平行であるプレート形の圧電体を備えた元ファイバー
センサーを示す図、第７図は圧電体軸がプレートの法線
に対して垂直であるプレート形の圧電体を備えｆｃ元ラ
ファイバーセンサー示す図である。 １・・・レーザー、２ａ、２ｂ・・・ｊｔ波分割器、３
・・・検知器、４・・・圧電体、５ａｓ５ｂ・・・ガラ
ス繊維、６・・・円板の周面、Ｔ・・・主要面、Ｅ・・
・場のベクトル、Ｒｈ、 Ｅａ ””方向成分、ａｌ
ｔ ａ ２ ｔａ６・・・結晶軸、ｈ・・・圧電体軸。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ａ）圧電体（４）、 ｂ）一定の長さ区分で圧電体（４）と固定 結合しているガラス繊維（５ａ）及び ｃ）ガラス繊維（５ａ）の長さの変化を検 知する装置 を包含する、電場の所定の方向成分を測定するための光
ファイバーセンサーにおいて、 ｄ）圧電体（４）が結晶群Ｃ２、Ｃ２ｖ、Ｃ３、Ｃ３ｖ
、Ｄ３、Ｄ３ｈ、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ∽、Ｃ４ｖ、Ｃ６ｖ、
Ｃ∽ｖ、Ｔ、Ｔｄ、Ｓ４、Ｄ２、Ｄ２ｄ、Ｄ４、Ｄ６、
Ｄ∽の１つであり、かつ ｅ）一方では圧電体（４）の結晶配向が所 定の前記方向成分に対して及び他方ではガラス繊維の一
定の長さ区分が結晶配向に対して、所定の前記方向成分
に対して垂直方向の電場成分がガラス繊維の長さの変化
を惹起しないように選択されていることを特徴とする、
電場の所定の方向成分を測定するための光ファイバーセ
ンサー。 ２、ａ）圧電体（４）が円板形を有し、 ｂ）ガラス繊維（５ａ）が一定の長さ区分 で円板の周面に固定されており、 ｃ）圧電体（４）が結晶群Ｃ２ｖ、Ｃ４ｖ、Ｃ４、Ｃ３
、Ｃ３ｖ、Ｃ６、Ｃ６ｖ、Ｃ∽、Ｃ∽ｖ、Ｃ２、Ｄ３、
Ｄ３ｈの１つであり） ｄ）円板の法線が所定の方向成分に対して 平行であり、かつ ｅ）円板の法線に対して平行である結晶回 転軸により与えられる結晶配向が次のように選択される
： 表IV ▲数式、化学式、表等があります▼ 請求項１記載の光ファイバーセンサー。 ３、ａ）圧電体（４）がプレート形又は中空円筒形を有
し、 ｂ）圧電体（４）が結晶群Ｃ２ｖ、Ｃ４ｖ、Ｃ４、Ｃ３
、Ｃ３ｖ、Ｃ６、Ｃ６ｖ、Ｃ＾∽、Ｃ＾∽ｖ、Ｃ２、Ｄ
３、Ｄ３ｈ、Ｔ、Ｔｄの１つであり、ｃ）一定の長さ区
分を有するガラス繊維 （５ａ）が前記の所定の方向成分に対して平行であり、
かつ ｄ）ガラス繊維（５ａ）に対して平行であ る結晶回転軸により与えられる結晶配向が次のように選
択される： 表Ｖ ▲数式、化学式、表等があります▼ 請求項１記載の光ファイバーセンサー。 ４、ａ）圧電体（４）がプレート形を有し、ｂ）ガラス
繊維（５ａ）の一定の長さ区分 が前記の所定の方向成分に対して垂直であり、ｃ）圧電
体（４）が結晶群Ｃ２、Ｃ２ｖ、Ｓ４、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ
＾∽、Ｃ４ｖ、Ｃ６ｖ、Ｃ＾∽ｖ、Ｄ３、Ｄ３ｈ、Ｄ２
、Ｄ２ｄ、Ｔ、Ｔｄ、Ｄ４、Ｐ６、Ｄ＾∽の１つであり
、かつ ｄ）前記の所定の方向成分に対して平行で ある結晶回転軸及び第２の結晶回転軸に関連したガラス
繊維の一定の長さ区分の方向によつて与えられる結晶配
向が次のよりに選択される： 表IV ▲数式、化学式、表等があります▼ 請求項１記載の光ファイバーセンサー。 ３、ａ）圧電体（４）がプレート形又は中空円筒形を有
し、 ｂ）圧電体（４）が結晶群Ｃ２ｖ、Ｃ４ｖ、Ｃ４、Ｃ３
、Ｃ３ｖ、Ｃ６、Ｃ６ｖ、Ｃ＾∞、Ｃ＾∞、Ｃ２、Ｄ３
、Ｄ３ｈ、Ｔ、Ｔｄの１つであり、ｃ）一定の長さ区分
を有するガラス繊維 （５ａ）が前記の所定の方向成分に対して平行であり、
かつ ｄ）ガラス繊維（５ａ）に対して平行であ る結晶回転軸により与えられる結晶配向が次のように選
択される： 表Ｖ ▲数式、化学式、表等があります▼ 請求項１記載の光ファイバーセンサー。 ４、ａ）圧電体（４）がプレート形を有し、ｂ）ガラス
繊維（５ａ）の一定の長さ区分 が前記の所定の方向成分に対して垂直であり、ｃ）圧電
体（４）が結晶群Ｃ２、Ｃ２ｖ、Ｓ４、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ
＾∞、Ｃ４ｖ、Ｃ６ｖ、Ｃ＾∞ｖ、Ｄ３、Ｄ３ｈ、Ｄ２
、Ｄ２ｄ、Ｔ、Ｔｄ、Ｄ４、Ｄ６、Ｄ＾∞の１つであり
、かつ ｄ）前記の所定の方向成分に対して平行で ある結晶回転軸及び第２の結晶回転軸に関連したガラス
繊維の一定の長さ区分の方向によつて与えられる結晶配
向が次のように選択される： 表VIｂ ▲数式、化学式、表等があります▼ 表VIａ ▲数式、化学式、表等があります▼ 請求項１記載の光ファイバーセンサー。 ５、プレートの法線が所定の方向成分に対して平行であ
る請求項４記載の光ファイバーセンサー。 ６、プレートの法線が所定の方向成分に対して垂直であ
る請求項４記載の光ファイバーセンサー。 ７、ガラス繊維（５ａ）の一定の長さ区分の方向が結晶
配向に対して、圧電体（４）の次元変化がガラス繊維の
長さのできる限り大きな変化を惹起するように選択され
ている請求項５又は６記載の光ファイバーセンサー。 ８、圧電体（４）がＰＶＤＦ、ＰＺＴ、ＬｉＮｂＯ＿３
、ＧａＡｓ又はα−石英より成る請求項１記載の光ファ
イバーセンサー。 ９、ガラス（５ａ）の長さの変化を測定するための装置
が２モード干渉計又は偏光干渉計である請求項１記載の
光ファイバーセンサー。
Applications Claiming Priority (4)
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| CH4322/87-8 | 1988-05-02 | ||
| CH1628/88-2 | 1988-05-02 | ||
| CH162888 | 1988-05-02 |
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| DE4229449A1 (de) * | 1992-09-03 | 1994-03-10 | Abb Research Ltd | Faseroptischer Quarz-Spannungs-Sensor |
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| DE19743658B4 (de) * | 1997-10-02 | 2007-02-08 | Abb Research Ltd. | Faseroptischer Spannungssensor |
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| US6252388B1 (en) | 1998-12-04 | 2001-06-26 | Nxtphase Corporation | Method and apparatus for measuring voltage using electric field sensors |
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-
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- 1988-11-04 JP JP63277561A patent/JP2663980B2/ja not_active Expired - Fee Related
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