JPH01158728A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH01158728A JPH01158728A JP62317079A JP31707987A JPH01158728A JP H01158728 A JPH01158728 A JP H01158728A JP 62317079 A JP62317079 A JP 62317079A JP 31707987 A JP31707987 A JP 31707987A JP H01158728 A JPH01158728 A JP H01158728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- absorber
- substrate
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は、露光方法に関し、例えば半導体装置の製造に
際し必要となるリングラフィ技術にとって有用である。
際し必要となるリングラフィ技術にとって有用である。
（口］ 従来の技術
この種露光方法は、露光用エネルギ線をパターンマスク
に照射し、このマスクのパターンを被露光体に転写する
ものであるが、サブミクロン寸法のパターン転写におい
ては、解像度及びスループットの点から、露光用エネル
ギ線としてＸ線を使用したＸ線リソグラフィが有望視さ
れている。
に照射し、このマスクのパターンを被露光体に転写する
ものであるが、サブミクロン寸法のパターン転写におい
ては、解像度及びスループットの点から、露光用エネル
ギ線としてＸ線を使用したＸ線リソグラフィが有望視さ
れている。
Ｘ線リングラフィは、それに用いるパターンマスクの作
成と縮小露光の面で困難性を持つが、それらを改善する
技術としてフラッグ反射型マスクを用いることが提案さ
れている（特開昭６１−１６８９１７号公報参照）。即
ち、この方法は、第４図に示す如く、露光用Ｘ線（１）
を、マスク（２）でフラッグ反射させた後、被露光体（
３）に指向させるものである。マスク（２）は露光用Ｘ
線に対してフラッグ反射可能な基体（４）と、露光用Ｘ
線に対する吸収塔能な大きな吸収体（５）とからなり、
それらがマスクパターンを構成する。基体（４）及び吸
収体（５）は、例えば、夫々Ｓｉ−単結晶及びＡｕで形
成される。
成と縮小露光の面で困難性を持つが、それらを改善する
技術としてフラッグ反射型マスクを用いることが提案さ
れている（特開昭６１−１６８９１７号公報参照）。即
ち、この方法は、第４図に示す如く、露光用Ｘ線（１）
を、マスク（２）でフラッグ反射させた後、被露光体（
３）に指向させるものである。マスク（２）は露光用Ｘ
線に対してフラッグ反射可能な基体（４）と、露光用Ｘ
線に対する吸収塔能な大きな吸収体（５）とからなり、
それらがマスクパターンを構成する。基体（４）及び吸
収体（５）は、例えば、夫々Ｓｉ−単結晶及びＡｕで形
成される。
被露光体（３）は、例えば８１等の半導体基板（６）の
表面にレジスト膜（７）を被着したものである。
表面にレジスト膜（７）を被着したものである。
従って、単色化したＸ線（１）をフラッグ角θでマスク
（２）表面に入射すると、吸収体（５）のない部分での
みフラッグ反射が起こり、被露光体（３）を反射Ｘ線（
１Ｂ）に正対配置しておけば、マスク（２）の図中左右
方向のパターン寸法のＳｉｎθだけ縮小された露光パタ
ーンが被露光体（３）に転写される。
（２）表面に入射すると、吸収体（５）のない部分での
みフラッグ反射が起こり、被露光体（３）を反射Ｘ線（
１Ｂ）に正対配置しておけば、マスク（２）の図中左右
方向のパターン寸法のＳｉｎθだけ縮小された露光パタ
ーンが被露光体（３）に転写される。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
前記のマスク構造においては、第５図に示すように入射
Ｘ線（１Ａ）及び反射Ｘ線（１Ｂ）がマスク基体（４）
に対してフラッグ角θを持つため、吸収体（５）のパタ
ーンエツジでＸ線が図中点線で示す如く吸収体の角を通
過してしまう。この結果、部分的なＸ線吸収が生じ、同
図中曲線αＯで示すＸ線強度分布に見られるように、な
だらかな強度分布となって、反射Ｘ線（ＩＢ）はマスク
（２）のパターンを忠実に反映せず、パターン転写精度
が悪くなる。
Ｘ線（１Ａ）及び反射Ｘ線（１Ｂ）がマスク基体（４）
に対してフラッグ角θを持つため、吸収体（５）のパタ
ーンエツジでＸ線が図中点線で示す如く吸収体の角を通
過してしまう。この結果、部分的なＸ線吸収が生じ、同
図中曲線αＯで示すＸ線強度分布に見られるように、な
だらかな強度分布となって、反射Ｘ線（ＩＢ）はマスク
（２）のパターンを忠実に反映せず、パターン転写精度
が悪くなる。
に）問題点を解決するための手段
本発明は、前記の欠点を解消すべく、第１図に示す如く
、マスク（２）の構造において、基体（４）と吸収体（
５）とを同一平面に配したことを特徴とする。
、マスク（２）の構造において、基体（４）と吸収体（
５）とを同一平面に配したことを特徴とする。
（ホ）作 用
本発明によれば、第２図に示す如く、入射Ｘ線（１Ａ）
は吸収体（５）に全く遮られることなく反射される。フ
ラッグ反射はマスク基体（４）の最表面でのみ起るため
反射Ｘ線強度は、図中線（１１１で示す如く、パターン
エツジにおいても減衰することなくマスクパターンに応
じたシャープなものとなる。
は吸収体（５）に全く遮られることなく反射される。フ
ラッグ反射はマスク基体（４）の最表面でのみ起るため
反射Ｘ線強度は、図中線（１１１で示す如く、パターン
エツジにおいても減衰することなくマスクパターンに応
じたシャープなものとなる。
が、又吸収体（５）にはＡｕが夫々用いられる。露光゛
用Ｘ線の波長を４人としたとき、フラッグ角は４０度と
なる。
用Ｘ線の波長を４人としたとき、フラッグ角は４０度と
なる。
マスクコントラスト１０Ｐ１上を得るためには、吸収体
（５）の下の基体で反射されるＸ線強度が、吸収体で被
われていない部分で反射されるＸ線強度の１７１０以下
になるように吸収体（５）の厚さｔを選択しなければな
らない。ＡＩＪは、波長４人に対し３μｍ の線吸収
係数を持つため、コントラスト１０を得るために必要な
Ｘ線の吸収パスは７７００八であるが、Ｘ線はフラッグ
角で入射するため、吸収体（５）の厚さｔｌ−ｊ４９０
０人程度に設定される。
（５）の下の基体で反射されるＸ線強度が、吸収体で被
われていない部分で反射されるＸ線強度の１７１０以下
になるように吸収体（５）の厚さｔを選択しなければな
らない。ＡＩＪは、波長４人に対し３μｍ の線吸収
係数を持つため、コントラスト１０を得るために必要な
Ｘ線の吸収パスは７７００八であるが、Ｘ線はフラッグ
角で入射するため、吸収体（５）の厚さｔｌ−ｊ４９０
０人程度に設定される。
第３図に本実施例に用いられるマスク（２）の作製手順
を示す。まず基体（４）の表面全面にレジスト（１２を
塗布しく図Ａ）、それを、フォトリングラフィ又は電子
線描画でパターニングする（図Ｂ）。次いで、パターニ
ングされたレジストα２をエツチングマスクとして裏体
（４）をＣＦ４＋０２ガスでドライエツチングしく図Ｃ
）、Ａｕ（５Ａ）を蒸着する（図Ｄ）。最後に、レジス
トａｚを溶剤で溶かして、その上のＡｕをリフトオフし
、基体（４）の表面と同一面にあるＡｕを吸収体（５）
として残し、マスク（２）を完成する。
を示す。まず基体（４）の表面全面にレジスト（１２を
塗布しく図Ａ）、それを、フォトリングラフィ又は電子
線描画でパターニングする（図Ｂ）。次いで、パターニ
ングされたレジストα２をエツチングマスクとして裏体
（４）をＣＦ４＋０２ガスでドライエツチングしく図Ｃ
）、Ａｕ（５Ａ）を蒸着する（図Ｄ）。最後に、レジス
トａｚを溶剤で溶かして、その上のＡｕをリフトオフし
、基体（４）の表面と同一面にあるＡｕを吸収体（５）
として残し、マスク（２）を完成する。
前記実施例ではマスク基体表面と結晶面とが並行である
場合を挙げたが、マスク基体表面と結晶面とがオフセッ
ト角αを持っていてもよい。その場合非対称フラッグ反
射により縮小率が５ｉｎ（０−α）と変化する。又露光
用エネルギ線としてフラッグ反射の可能なものであれば
、Ｘ線以外のもの、例えば粒子線を用いても良い。更に
マスク基体（４）ハ単結晶であればＳ−１以外であって
もよい。
場合を挙げたが、マスク基体表面と結晶面とがオフセッ
ト角αを持っていてもよい。その場合非対称フラッグ反
射により縮小率が５ｉｎ（０−α）と変化する。又露光
用エネルギ線としてフラッグ反射の可能なものであれば
、Ｘ線以外のもの、例えば粒子線を用いても良い。更に
マスク基体（４）ハ単結晶であればＳ−１以外であって
もよい。
吸収体（５）はＡｕ以外にもＷ、Ｔａ等原子番号の大き
な材料であればかまわない。吸収体（５）の形成方法と
しては蒸着以外にスパッタ法でもよいし、マスク基体（
４）のエツチングにはウェットエツチングを用いてもか
まわない。その他、本発明の本質を損なわない変更であ
れば許される。
な材料であればかまわない。吸収体（５）の形成方法と
しては蒸着以外にスパッタ法でもよいし、マスク基体（
４）のエツチングにはウェットエツチングを用いてもか
まわない。その他、本発明の本質を損なわない変更であ
れば許される。
（ト）発明の効果
本発明によれば、露光用エネルギ線を、マスクでフラッ
グ反射させた後、被露光体に指向させ、マスクに形成さ
れたパターンに対応した露光パターンを被露光体に転写
する方法において、マスクに入射したエネルギ線は、吸
収体によりほとんど完全に吸収されるか、あるいは、吸
収体により全く遮られることなく反射するため、反射エ
ネルギ線強度がマスクパターンに対応したシャープなも
のとなり、精度の高いパターン転写露光が可能となる。
グ反射させた後、被露光体に指向させ、マスクに形成さ
れたパターンに対応した露光パターンを被露光体に転写
する方法において、マスクに入射したエネルギ線は、吸
収体によりほとんど完全に吸収されるか、あるいは、吸
収体により全く遮られることなく反射するため、反射エ
ネルギ線強度がマスクパターンに対応したシャープなも
のとなり、精度の高いパターン転写露光が可能となる。
第１図乃至第３図は本発明実施例を説明するためのもの
で、第１図はマスクの断面図、第２図はマスク表面での
Ｘ線の反射を示す広大断面図、第３図Ａ乃至Ｅはマスク
の作製手順を示す工程別断面図、第４図は従来例を示す
断面図、第５図は同要部拡大断面図である。 （１）・・・Ｘ線、（２）・・・マスク、（３）・・・
被露光体、（４）・・・基体、（５）・・・吸収体。
で、第１図はマスクの断面図、第２図はマスク表面での
Ｘ線の反射を示す広大断面図、第３図Ａ乃至Ｅはマスク
の作製手順を示す工程別断面図、第４図は従来例を示す
断面図、第５図は同要部拡大断面図である。 （１）・・・Ｘ線、（２）・・・マスク、（３）・・・
被露光体、（４）・・・基体、（５）・・・吸収体。
Claims (1)
- （１）露光用エネルギ線を、マスクでフラッグ反射させ
た後、被露光体に指向させ、前記マスクに形成されたパ
ターンに対応した露光パターンを前記被露光体に転写す
る露光方法において、前記マスクの反射表面は、フラッ
グ反射可能な基体と、前記エネルギ線を吸収する吸収体
とからなり、これら基体と吸収体との表面は同一面内に
あることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31707987A JPH0750672B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31707987A JPH0750672B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158728A true JPH01158728A (ja) | 1989-06-21 |
| JPH0750672B2 JPH0750672B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=18084191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31707987A Expired - Fee Related JPH0750672B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750672B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014096483A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-15 JP JP31707987A patent/JPH0750672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014096483A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750672B2 (ja) | 1995-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3078163B2 (ja) | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 | |
| US3884698A (en) | Method for achieving uniform exposure in a photosensitive material on a semiconductor wafer | |
| US5572564A (en) | Reflecting photo mask for x-ray exposure and method for manufacturing the same | |
| US4293624A (en) | Method for making a mask useful in X-ray lithography | |
| JPS58200238A (ja) | フオトマスク | |
| US4301237A (en) | Method for exposing substrates to X-rays | |
| US5262257A (en) | Mask for lithography | |
| EP0231916B1 (en) | X-ray exposure masks | |
| KR20040030047A (ko) | 포토레지스트용 탑코트를 이용하는 방법 | |
| JPS63237523A (ja) | Ｘ線マスクおよびその製造方法 | |
| JP2645347B2 (ja) | 平行ｘ線用露光マスク | |
| JPS60173551A (ja) | Ｘ線など光線の反射投影によるパタ−ン転写法 | |
| JPH0750672B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH02177532A (ja) | 軟ｘ線反射型露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS5934632A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH01302723A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPH06235797A (ja) | Ｘ線反射用光学素子およびそれを有するｘ線光学系 | |
| JP3251230B2 (ja) | Ｘ線露光装置及びその露光方法 | |
| JPS63296342A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS627536B2 (ja) | ||
| JPH07183199A (ja) | パターン形成方法及び露光装置並びにパターン形成装置 | |
| JPH06338444A (ja) | マスクの製造方法 | |
| JPH02103920A (ja) | パターン形成方法及びパターン形成用マスク | |
| JPS61272925A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH07130645A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びそれを用いたｘ線露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |