JPH01161740A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH01161740A
JPH01161740A JP32212387A JP32212387A JPH01161740A JP H01161740 A JPH01161740 A JP H01161740A JP 32212387 A JP32212387 A JP 32212387A JP 32212387 A JP32212387 A JP 32212387A JP H01161740 A JPH01161740 A JP H01161740A
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JP
Japan
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lead frame
semiconductor device
cutting
coupling part
cut
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JP32212387A
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Yoshihisa Oguri
慶久 小栗
Kaoru Ishihara
薫 石原
Yutaka Morita
豊 森田
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、リードフレーム上に樹脂封止された半導体
装置を個々に分離する半導体装置の製造装置に関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来、この種の装置として第2図に示すものがあった。
第2図において、1は半導体装置で、リードフレーム2
上に複数の半導体素子が樹脂封止されて形成されている
。3は前記半導体装置1とリードフレーム2の連結部、
4はす、−ドフレーム枠、5は前記半導体装置1のリー
ド線で、タイバー6によフて連結されている。9,1o
は前記半導体装置1を個々に分離するための分離用パン
チである。
次に、動作を第3図(a)〜(e)を参照して説明する
。まず、第3図(a)に示すように、第2図に示す半導
体装置1のリード線5を連結するタイバー6をリードフ
レーム2と半導体装置1とを分離する。すなわち切断除
去する。次に第3図(b)に示すように、リードフレー
ム枠4と半導体装置1の連結部3および半導体装置1間
の連結部3を所定の分離用パンチ9.10の上下動作に
より切断し、半導体装置1を分離し、さらに、半導体装
置1のリード線5の不要部分を切断除去することにより
分離し、個々の半導体装置1が得られる。
(発明が解決しようとする問題点) 上記のように構成された従来の半導体装置の製造装置に
おける連結部3の分離は、第2図に示す平坦形状の分離
用パンチ9,1oによって行フているがこの場合、第3
図(C)に拡大して示すよ。
うに連結部残り11が規格より大きすぎたり、また、連
結部3部分がひきちぎられるために連結部3の抜は跡が
形成されてしまい製品として不合格になり、生産歩留り
が低下する等の問題点があった。
この発明は、上記のような従来の問題点を解消するため
になされたもので、半導体装置の連結部を無理なく切断
することにより、生産歩留りを向上せしめた半導体装置
の製造装置を得ることを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造装置は、リードフレー
ムのタイバー部を切断後、半導体装置とリードフレーム
との連結部を切断する刃先が鋭角になった鋭角分離用パ
ンチを備えたものである。
〔作用〕
この発明においては、連結部が鋭角分離用パンチにて切
断されるため連結部の切断部分は無理なく切断される。
(実施例〕 以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第1図(a)、(b)はこの発明の一実施例を示す図で
、第1図(a)はリードフレーム上の半導体装置の分離
動作を説明するための斜視図であり、第1図(b)は連
結部の切断状態を示す側面図である。第1図において、
7.8は鋭角分離用パンチで、その鋭角の方向を、例え
ば交互に形成しである。なお、その他の符号は第2図、
第3図と同じものである。
次に動作について説明する。まず、従来例と同様にタイ
バー6部分を除去した後、リードフレーム枠4と半導体
装置1の連結部3および半導体装置1どうじをつなぐ連
結部3を、半導体装置の製造装置に組み込まれた鋭角分
離用パンチ7.8で切断する。この時切断部分は第1図
(b)に示すように、無理な力がかからず容易に切断す
ることができる。
なお、上記実施例では半導体装置1の連結部3を切断す
るための鋭角分離用パンチ7.8の鋭角の方向を交互に
形成しているが、これは、同一方向にしても同様の効果
が得られる。また、鋭角分離用パンチ7.8は上型に装
備した状態を示したが、下型に装備しても同様の効果を
奏する。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、リードフレームのタ
イバー部を切断後、半導体装置とリードフレームとの連
結部を切断する刃先が鋭角になった鋭角分離用パンチを
備えたので、各連結部分の切断が無理なく実現できる。
したがって、連結部残りや連結部液は跡による製品不良
がなくなり、損失をなくし、製造歩留りを向上せしめる
ことができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)はこの発明の一実施例を示す斜視
図および側面図、第2図は従来の半導体装置の製造装置
を示す斜視図、第3図(a)〜(C)は従来の連結部の
切断動作を説明するための図で、第3図(a)、(b)
は斜視図、第3図(C)は側面図である。 図において、1は半導体装置、2はリードフレーム、3
は連結部、4はリードフレーム枠、5はリード線、6は
タイバー、7.8は鋭角分離用パンチである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄    (外2名)第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  リードフレーム上に複数の半導体素子を樹脂封止した
    後、前記リードフレームより個々の半導体装置に分離す
    る半導体装置の製造装置において、前記リードフレーム
    のタイバー部を切断後、前記半導体装置とリードフレー
    ムとの連結部を切断する刃先が鋭角になった鋭角分離用
    パンチを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置
JP62322123A 1987-12-17 1987-12-17 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0770658B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5739561A (en) * 1980-08-21 1982-03-04 Toshiba Corp Cutting device for hanging pin of lead frame
JPS6065555A (ja) * 1983-09-20 1985-04-15 Toshiba Corp 樹脂封止半導体装置の製造方法
JPS6150379A (ja) * 1984-08-20 1986-03-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 光電変換素子の製法

Patent Citations (3)

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JPS6150379A (ja) * 1984-08-20 1986-03-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 光電変換素子の製法

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