JPH01162257A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気光学効果を利用してレーザー光等により
情報の記録・再生を行う光磁気記録媒体に関し、特に熱
安定性に優れる光磁気記録媒体に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、Ｃｏ層とＰｔ層とを積層した超格子金属薄膜
あるいは変調構造金属薄膜を記録層とする光磁気記録媒
体において、上記００層に第３の元素を添加することに
より、得られる記録層のキュリー点を低下させ、情報転
送速度を向上させることを可能とするものである。

〔従来の技術〕

近年、書換え可能な高密度記録方式として、半導体レー
ザー光等により記録・再生を行う光磁気記録方式が注目
されている。

この光磁気記録方式に使用される記録材料としては、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、　Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ。

ＣＯ等の遷移金属元素とを組み合わせた非晶質合金が従
来の代表例である。しかし、これらの非晶質合金薄膜を
構成している希土類元素やＦｅは非常に酸化され昌く、
空気中の酸素とも容易に結合して酸化物を形成する性質
がある。このような酸化が進行して腐食や孔食に至ると
信号の脱落を誘起し、また特に希土類元素が酸化される
と、保磁力と残留磁気カー回転角の減少に伴ってＣ／Ｎ
比が劣化する。このような問題は、光記録媒体の記録層
の材料に希土類元素が使用されている限り避けられない
ものである。

上述のような腐食や孔食は、上記非晶質合金薄膜にＴｊ
、Ｃｒ、ＡＩ等の不動態被膜を形成し得る元素や、Ｐｔ
、Ｐｄ、Ｃｏ等の不活性元素を添加することにより防止
することができ、比較的膜厚の厚い場合においてその効
果は確認されている。

しかしながら、上述のような添加元素の使用はしばしば
磁気カー回転角の低下につながり、しかも５００Å以下
の膜厚では所望の効果が得られないので保護膜等の併用
を要するという問題点を有している。

一方、本件出願人は先に特願昭６２−２１１５６９号明
細書において、希土類元素を使用せずにＣｏ層とＰｔ層
とを交互に積層したＣｏ＝Ｐｔ系の超格子金属薄膜が優
れた耐蝕性を示し、かつ全厚の薄い領域で優れた磁気光
学特性を有することを開示している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、光磁気記録媒体においては磁性変化を生じさ
せるためには記録層が局部的にキュリー温度以上に加熱
されることが必要である。したがって、超格子金属薄膜
あるいは変調構造金属薄膜を記録層とする光磁気記録媒
体を使用する場合、記録層のキュリー点が低いほど、情
報転送速度が向上することになる。キュリー点を下げる
手段としては、記録層に第３の元素を添加することが従
来より考えられている。しかしながら、このような手段
は元素の種類によっては記録層の熱安定性を低下させる
ため、拡散により異種金属層の界面が乱れ、当初の良好
な保磁力や角型比が劣化するという結果を招く。

そこで本発明は、上述の問題点を解決し、情報転送速度
の速い光磁気記録媒体の提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らは上述の問題点を解決するため、添加する第
３の元素の種類および添加量を検討した結果、Ｃｏ層と
Ｐｔ層とを交互に積層した超格子金属薄膜あるいは変調
構造金属薄膜を記録層とする光磁気記録媒体において、
上記Ｃｏ層にある種の金属元素を所定の範囲で添加する
ことにより、キュリー点を低下させつつ良好な熱安定性
を有する記録層が得られることを見出し、本発明に至っ
たものである。すなわち本発明にかかる光磁気記録媒体
は、ＣＯ＋ｏｏ−＊Ｍｘ　（ただし、ＭはＢ、Ｃ。

Ａｊ！、　　Ｓｉ、　　Ｐ、Ｔｉ、　　Ｖ、　　Ｆｅ、
Ｎｌ、　　Ｃｕ。

Ｇａ、　　Ｇｅ、　　Ｚｒ、Ｎｂ、　　　Ｍｏ、　　Ｉ
ｎ、　　Ｓｎ。

Ｓｂ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｔａの少なくとも一種を表し
、Ｘは置換量を原子％で表し、Ｍ＝Ａ１の場合０．１≦
ｘ≦７．Ｍ＝Ｚｒの場合０．１≦ｘ≦１４゜Ｍ＝Ｓｉ、
ＭＯ，Ｔａの場合０．１≦ｘ≦２０．　Ｍ＝Ｆｅの場合
０．１≦ｘ≦２５．　Ｍ＝Ｂ、　Ｃ，Ｔｉ、　Ｖ。

Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎの場合０．１≦ｘ
≦３０．Ｍ＝Ｐの場合０．１≦ｘ≦３５．　Ｍ＝Ｃ；ｄ
。

Ｔｂ、Ｄｙの場合０．１≦χ・≦４０．Ｍ＝Ｓｂの場合
０．１≦ｘ≦４５．Ｍ＝Ｎｉの場合０．１≦ｘ≦７０で
ある。　）０．５〜２．５原子層とＰｔｌ〜７原子層と
が交互に積層された超格子金属薄膜あるいは変調構造金
属薄膜を記録層とし、該記録層の全厚が５０〜５００人
であることを特（衣とするものである。

本発明において記録層となる金属薄膜を構成する各金属
層の界面は、異種金属原子が互いに入り乱れずに平坦に
形成され、いわゆる超格子構造とされていることが理想
的であるが、界面にやや乱れを生じながらも全体として
は一定の周期を保って組成が変動する、いわゆる変調構
造（組成変調構造）を有するものであっても良い。

上記の超格子金属薄膜あるいは変調構造金属薄膜はスパ
ッタリングあるいは真空蒸着等によって形成することが
できる。

ここで、上記Ｃｏ、。。−、Ｍ、で表される金属層はＣ
ｏ層の一部を第３の元素Ｍで置換したものとみることが
できる。Ｃｏ層に上記第３の元素Ｍを添加する方法とし
ては、Ｃｏ蒸発源の上にＭのチップを載置するか、ある
いはＣｏ−Ｍ合金を蒸発源とする方法が可能である。

上記の各元素の置換量Ｘの下限は０．１原子％とされて
いるが、これより低い場合にはキュリー点の低減効果が
現れない。また、上記の各元素の置換量Ｘの上限は添加
する元素によって７〜４０原子％と異なっているが、こ
れらの値より高い場合には磁気光学特性をかえって劣化
させる虞れがある。

上記Ｃｏ、。。−１１Ｍ　ＫあるいはＰＬの各金属層の
厚さ−（原子層数）の範囲は磁気光学特性を最適化する
観点から設定されたものであり、上記範囲外では面内磁
化成分が発生して磁気光学特性が劣化する。

また上述の第３の元素をｐｔ層に添加し、該Ｐｔ層の組
成をＰｔ層。。−、Ｍ、（ただしＸは置換量を原子％で
表し、０≦ｘ≦１５である。）とすることも考えられる
が、この場合は磁気光学特性や熱安定性を改善すること
を目的とするのではなく、むしろキｌリー点の調節を主
目的とすべきである。

それは、第３の元素をｐｔ層に添加すると、一部の例外
を除いてキュリー点が上昇するとともに磁気カー回転角
が低下するからである。ただし、キュリー点は記録情報
の保護の観点から無制限に低ければ良いという性質のも
のではないので、もともと記録層のキュリー点が著しく
低い場合等はこのような手段により実用的な範囲にまで
これを高めることが可能である。Ｐｔ層に添加し得る元
素としては、上述の第３の元素の他にもＣｒ、Ｍｎ。

Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ。

Ｅｕ、Ｈｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉ等が挙
げられる。

さらに上記ｐｔ層は任意の割合でＰｄ層に置き換わって
いても良い。

上述のような組成を有する光磁気記録媒体の記録層への
書込み方法は、光ビームの他、釘型磁気ヘッド、熱ペン
、電子ビームなど、反転磁区を生じさせるのに必要なエ
ネルギーを供給できるものであれば、いかなるものでも
良いことは言うまでもない。

〔作用〕

本発明にかかる光磁気記録媒体においては、記録層とし
て従来広く用いられている希土類元素と遷移金属元素か
らなる非晶質合金を使用する代わりに、部分的に第３の
元素で置換された００層とｐｔ層とを積層した超格子金
属薄膜あるいは変調構造金属薄膜を使用することにより
、記録層のキュリー点を低下させ情報転送速度を高める
ことが可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明の好適な実施例を゛実験例にもとづいて説
明する。

本実験例は、部分的に第３の元素で置換されたＣｏ層と
ｐｔ層とを二元同時マグネトロン・スパッタリングによ
り交互に積層した変調構造金属薄膜を記録層とする光磁
気記録媒体の例である。ここで、使用する第３の元素（
以下、添加元素と称する。）を原子番号４０未満のグル
ープと原子番号４０以上のグループとに分け、それぞれ
のグループについて作成条件の若干具なる変調構造金属
薄膜を作成した。

まず、原子番号４０未満の添加元素ＭとしてＢ。

Ｃ，Ａ１．Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｎｉ。

Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅを使用した実験例について述べる。

まずチャンバー内に１００　ａｍ径のＣＯ１１１１１−
１１ＭＸおよびｐｔの各ターゲットを設置し、これらの
ターゲットと対向配置された回転基台に水冷ガラス基板
を載置し、ガス圧５　Ｘｌ０−”　Ｔｏｒｒのアルゴン
雰囲気中における二元同時マグネトロン・スパッタリン
グを行った。このときＣｏ＋ｏ。−Ｘ　Ｍ　ｇターゲッ
トに対しては投入電流０．４ＯＡの直流スパッタリング
、ｐｔツタ−ットに対しては投入電力４００Ｗの高周波
スパッタリングを行った。

この装置によれば、各ターゲットへの投入電流や投入電
力、あるいは基板を載置した回転基台の回転数を変化さ
せることにより、積層の周期を任意に決定することがで
きる０本実施例においては回転基台の回転数を１６　ｒ
ｐｍとし、厚さ４．２５人のＣｏ、。。−ｘＭ、１層と
厚さ６．４４人のｐｔ層とを交互に積層し、全厚１５０
人のＣＯ１１１６−ＸＭＩＩ　　Ｐ　を系変調構造金属
薄膜を作成した。

ここでＣＯ＋ｏ６−１ＭＸ層の１原子層の厚さは２．５
人、Ｐｔ層の１原子層の厚さは２．８人であるから、上
記Ｃｏ、。。−１１Ｍ１１層の１１当たりの原子層数は
約１．７、上記Ｐｔ層の１１当たりの原子層数は２．３
である。また、原子層数が整数とならないのは、作成さ
れた金属薄膜が各金属層間において理想的な界面を持た
ず、変調構造を有しているからであるが、全体としては
約１０．７人の周期が保たれている。なお、作成された
超格子金属薄膜の周期は、Ｘ線小角散乱におけるピーク
角度から求めた。

上述の各添加元素の添加量を種々に変えて各変調構造金
属薄膜を作成した。このようにして作成された各変調構
造金属薄膜について、まず波長７８０ｎｍにおける磁気
カー回転角θえを測定し、５００（Ｏｅ　）の磁場を印
加しながら該変調構造金属薄膜の温度を上昇させて磁気
カー回転角θ、がＯとなる温度をキュリー点Ｔ、として
求めた。

まず、作成した各変調構造金属薄膜の添加元素量（原子
％）とキュリー点Ｔｃ（”Ｃ）との関係を第１図に示す
、ここで、添加元素を使用しない場合の変調構造金属薄
膜のキュリー点Ｔ、は２５５°Ｃである。これに対し、
上述の各添加元素を使用した場合はいずれもキュリー点
Ｔｃが低下しており、特に／ｌ、ＴＩ、Ｐは少量でもキ
ュリー点Ｔｃの低減効果が大きいことがわかる。

次に、作成した各変調構造金属薄膜の添加元素（原子％
）と磁気カー回転角θＫ（分）との関係を第２図に示す
、ここで、添加元素を使用しない場合の変調構造金属薄
膜の磁気カー回転角θ、は２５．５分である。この値は
、添加元素としてＢ、　　Ｐ。

Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕを使用した場合にも維持されている。

特にＰおよびＣｕはキュリー点Ｔ、の低減効果も大きい
ことから、有用な添加元素であると言える。この他の添
加元素については磁気カー回転角θ、に若干の低下がみ
られた。

ここで、上述の変調構造金属薄膜のいくつかについて観
測された磁気カー曲線と磁気カー回転角θ、の温度依存
性を以下の図に示す。すなわち、第３図（Ａ）お、よび
第３図（Ｂ）は５原子％のＰを添加したＣｏ９．Ｐ、　
　Ｐｔ系変調構造金属薄膜、第４図（Ａ）および第４図
（Ｂ）は１０原子％のＴｉを添加したＣｏ、。ＴＩ＋ｏ
Ｐｔ系変調構造全変調構造金属薄膜れぞれ示すものであ
る。また比較のために、添加元素を含有しないＣｏ、。

。＝Ｐｔ系変調構造金属￥ｉｌ膜の特性も第５図（Ａ）
および第５図（Ｂ）に示す。これらの各図において（Ａ
）の図はスパッタリング直後の磁気カー曲線を表し、縦
軸は磁気カー回転角θ、（分）、横軸は磁界の強さＨ（
ｋｏｅ）をそれぞれ表す、また（Ｂ）の図は磁気カー回
転角θ８の温度依存性を表し、縦軸は磁気カー回転角′
θに（分）、横軸は温度（°Ｃ）をそれぞれ表す。

これらの変調構造金属薄膜は、（Ａ）の図をみる限りい
ずれも実用上十分な値の磁気カー回転角θ１．保磁力Ｈ
ｅ、および良好な角型比を有している。ここで角型比と
は、残留磁気カー回転角θ１と飽和磁気カー回転角θ１
の比（−θＫｒ／θに’）であり、この値が１に近いほ
ど磁気光学特性が良好であると言える。これらの特性は
、いったんキュリー点Ｔｃまで昇温した後、室温まで戻
して磁気光学特性を再び測定した際にも変化しなかった
。

次に、原子番号４０以上の添加元素ＭとしてＺｒ。

Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｄ、Ｔｂ。

Ｄｙ、Ｔａを使用した実験例について述べる。

変調構造金属薄膜の作成はガス圧４Ｘ１０−’↑ｏｒｒ
のアルゴン雰囲気中における同時二元マグネトロン・ス
パッタリングにより行い、添加元素を含有するＣｏ層に
ついては投入電流０．４Ａの直流スパッタリング、Ｐｔ
層については投入電力４５０Ｗの高周波スパッタリング
を行った。ここで、添加元素として希土類元素であるＧ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙを使用する場合は、これらの扇型のチッ
プをＣｏターゲットの上に載置して直流スパッタリング
を行い、その他の添加元素を使用する場合は前述の実験
と同様Ｃｏ、。６−、Ｍ、ターゲットを使用して直流ス
パッタリングを行った。回転基台の回転数は１６　ｒｐ
ｓとし、Ｃｏ、。。−ＨＭ　Ｘ層とＰｔ層とを交互に積
層し、全厚１００人のＣｏ、。。−ＸＭＩＩ＝Ｐｔ系変
調構造金属薄膜を作成した。

上述の各添加元素の添加量を種々に変えて各変調構造金
属薄膜を作成した。このようにして作成された各変調構
造金属薄膜について、原子量４０未満の添加元素Ｍを使
用した場合と同様に磁気カー回転角θ、とキュリー点Ｔ
ｃを測定した。

まず、作成した各変調構造金属薄膜の添加元素量（原子
％）とキュリー点’ｒｃ（’ｃ）との関係を第６図に示
す、ここで、添加元素を使用しない場合の変調構造金属
薄膜のキュリー点Ｔｃは２５８°Ｃである。これに対し
、上述の各添加元素を使用した場合はいずれもキュリー
点Ｔｃが低下しており、特にＺｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｎ、
Ｇｄ等は少量でもキュリー点Ｔｃの低減効果が大きいこ
とがわかる。

次に、作成した各変調構造金属薄膜の添加元素（原子％
）と磁気カー回転角θ、（分）との関係を第７図に示す
、ここで、添加元素を使用しない場合の変調構造金属薄
膜の磁気カー回転角θ、は２０．７分である。この値は
ｓｂを使用した場合に維持されており、この元素が優れ
た添加元素であることを示している。他の添加元素を使
用した場合には、いずれも磁気カー回転角θ、が低下し
ており、その度合いは特にＭｏ、Ｔａ、Ｚｒを使用した
場合に著しい。

ここで、上述の変調構造金属薄膜のいくつかについて観
測された磁気カー曲線と磁気カー回転角θ、の温度依存
性を以下の図に示す、すなわち、第８図（Ａ）および第
８図（Ｂ）は１０原子％のＮｂを添加したＣＯ９・Ｎ　
ｂ　ｒ・−ｐｔ系変調構造金属薄膜、第９図（Ａ）およ
び第９図（Ｂ）は１０原子％のＭｏを添加したＣ　Ｏｑ
ａＭ　Ｏ＋ａ＝Ｐ　を系変調構造金属薄膜、第１θ図（
Ａ）および第１０図（Ｂ）は２０原子％のＤｙを添加し
たＣ０５ｏＤ７ｔｅ　　Ｐｔ系変調構造金属薄膜の特性
をそれぞれ示すものである。また比較のために、添加元
素を含有しないＣｏ、、。＝Ｐｔ系変調構造金属薄膜の
特性も第１１図（Ａ）および第１１図（Ｂ）に示す、こ
れらの各図において（Ａ）の図はスパッタリング直後の
磁気カー曲線を表し、縦軸は磁気カー回転角θ。

（分）、横軸は磁界の強さＨ（ｋｏｅ）をそれぞれ表す
、また（Ｂ）の図は磁気カー回転角θ、の温度依存性を
表し、縦軸は磁気カー回転角θＫ（分）、横軸は温度（
°Ｃ）をそれぞれ表す。

これらの変調構造金属薄膜においても、前述の第３図（
Ａ）および第４図（Ａ）に示した場合と同様に良好な磁
気光学特性が得られている。特に、第１０図（Ａ）と第
１１図（Ａ）との比較かられかるように、Ｄｙを添加し
た場合は添加元素を含有しない場合に比べて保磁力Ｈｃ
も増大している。同様な保磁力Ｈ０の増大は、Ｔｂを添
加した際にも観察された。また、いずれの変調構造金属
薄膜についても温度サイクル（いったんキュリー点まで
昇温し゛た後、室温まで冷却すること、）経過後におけ
る磁気光学特性の劣化はみられなかった。

以上の結果から、上述の各種の添加元素はいずれも変調
構造金属薄膜のキュリー点Ｔｃを低下させることがわか
る。しかし、キュリー点Ｔ、の低減効果の大きい添加元
素が必ずしも磁気カー回転角θ、の値を良好に維持する
とは限らない、キュリー点Ｔｃを低下させることは光磁
気記録媒体の情報転送速度を向上させるために必要では
あるが、同時に磁気カー回転角０区の低下が起こり得る
ことも考慮して、各添加元素は得られる変調構造金属薄
膜の所望の特性に応じて適宜選択する必要がある。

なお参考までに、添加元素をｐｔ層に使用した場合の実
験例を紹介する０本実験例は、００層と部分的にＳｔ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ。

Ｍｏ、Ａｇ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｔａ、Ｗのいずれか一
種の元素で置換されたＰｔ１ｉとを二元同時マグネトロ
ン・スパッタリングにより交互に積層した変調構造金属
薄膜を記録層とする光磁気記録媒体の例である。スパッ
タリングは、ガス圧５×１０−”　Ｔｏｒｒのアルゴン
雰囲気中、ＣＯターゲットに対しては投入電流０．４Ａ
、投入電圧３００　Ｖの直流スパッタリング、ｐｔター
ゲットに対しては投入電力４００Ｗの高周波スパッタリ
ングにより行った。なお、添加元素はＰｔターゲットの
上に中心角１２〜２０°、半径５０ｍｍの各元素の扇型
チップを複数個載置することにより添加した。本実験例
においては回転基台の回転数を１６　ｒｐｍとし、厚さ
４．２５人の００層と厚さ６．４４人のＰｔ層。。−、
Ｍ、層とを交互に積層し、全厚１５０人のＣｏ　　Ｐｔ
層。。−８Ｍ８系変調構造金属薄膜を作成した。

このようにして作成した各変調構造金属薄膜の添加元素
ｉｔ（原子％）とキュリー点’ｒｅ（”ｃ）との関係を
第１２図に示す、ここで、添加元素を使用しない場合の
変調構造金属薄膜のキュリー点Ｔｃは約２８０℃である
。これに対し、上述の各添加元素を使用した場合にはＣ
ｕを除いてキュリー点Ｔｃが増大している。

さらに、作成した各変調構造金属薄膜の添加元素量（原
子％）と磁気カー回転角θＫ（分）との関係を第１３図
に示す、ここで、添加元素を使用しない場合の変調構造
金属薄膜の磁気カー回転角は約２６．４分である。この
値は、添加元素としてＮｔあるいはＭＯを使用した場合
は維持されているが、その他の元素についてはやや低下
がみられた。

したがって、Ｐｔ層について添加元素を使用する際には
、もともと記録層のキュリー点が著しく低い場合等にこ
れを実用的な範囲にまで高めることを目的とすべきであ
る。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明によれば、Ｃｏ
層とｐｔ層とを交互に積層した超格子金属薄膜あるいは
変調構造金属薄膜を記録層とする光磁気記録媒体の上記
００層に第３の元素を添加することにより、キュリー点
を低下させて情報転送速度を向上させることが可能とな
る。しかもこのような超格子金属薄膜あるいは変調構造
金属薄膜は、全厚５０〜５００人という薄い膜厚領域に
て優れた磁気光学特性を示すので、省資源、生産効率の
向上の観点からも有意義である。

さらに、上記超格子金属薄膜あるいは変調構造金属薄膜
には今後世界的に供給が逼迫されると予想される希土類
元素が使用されていないため、光磁気記録媒体の安定か
つ経済的な供給が期待できる。

このような光磁気記録媒体を、たとえば光ビームを用い
て書込み、磁気カー効果を利用して読出しを行ういわゆ
るビーム・アドレッサブル・ファイル・メモリ等の光磁
気メモリの貯蔵媒体として使用すれば、極めて高密度で
Ｃ／Ｎ比が大きく、かつ長期にわたって高い信軟性を保
つメモリ装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は原子番号４０未満の添加元素を使用した場合の
代表的な変調構造金属薄膜における添加元素量とキュリ
ー点Ｔｃとの関係を示す特性図である。第２図は原子番
号４０未満の添加元素を使用した場合の代表的な変調構
造金属薄膜における添加元素量と磁気カー回転角θやと
の関係を示す特性図である。第３図（Ａ）および第３図
（Ｂ）はＣ０ｑｓＰｓ　　Ｐｔ系変調構造金属薄膜の磁
気光学特性およびその温度依存性を示す特性図であり、
第３図（Ａ）はスパッタリング直後の磁気カー曲線、第
３図（Ｂ）は磁気カー回転角の温度依存性をそれぞれ示
す。第４図（Ａ）および第４図（Ｂ）はＣｏ層。Ｔ　ｌ
　＋。＝Ｐｔ、系変調構造金属薄膜の磁気光学特性およ
びその温度依存性を示す特性図であり、第４図（Ａ）は
スパッタリング直後の磁気カー曲線、第４図（Ｂ）は磁
気カー回転角の温度依存性をそれぞれ示す。第５図（Ａ
）および第５図（Ｂ）はＣｏ、。。＝Ｐｔ系変調構造金
属薄膜の磁気光学特性およびその温度依存性を示す特性
図であり、第５図（Ａ）はスパッタリング直後の磁気カ
ー曲線、第５図（Ｂ）は磁気カー回転角の温度依存性を
それぞれ示す、第６図は原子番号４０以上の添加元素を
使用した場合の代表的な変調構造金属薄膜における添加
元素量とキュリー点Ｔｃとの関係を示す特性図である。 第７図は原子番号４０以上の添加元素を使用した場合の
代表的な変調構造金属薄膜における添加元素量と磁気カ
ー回転角θ。 との関係を示す特性図である。第８図（Ａ）および第８
図ＣＢ）はｃｏ、。Ｎ　ｂ　ｔ。−ｐｔ系変調構造金属
薄膜の磁気光学特性およびその温度依存性を示す特性図
であり、第８図（Ａ）はスパッタリング直後の磁気カー
曲線、第８図（Ｂ）は磁気カー回転角の温度依存性をそ
れぞれ示す、第９図（Ａ）および第９図（Ｂ）はＣｏ雫
。Ｍｏ＋。−ｐｔ系変調構造金属薄膜の磁気光学特性お
よびその温度依存性を示す特性図であり、第９図（Ａ）
はスパッタリング直後の磁気カー曲線、第９図（Ｂ）は
磁気カー回転角の温度依存性をそれぞれ示す、第１０図
（Ａ）および第１０図（Ｂ）はＣＯ＊ａＤ１ｚ＊＝Ｐ　
を系変調構造金属ＴＩＩＲの磁気光学特性およびその温
度依存性を示す特性図であり、第１０図（Ａ）はスパッ
タリング直後の磁気カー曲線、第１０図（Ｂ）は磁気カ
ー回転角の温度依存性をそれぞれ示す。 第１１図（Ａ）および第１１図（Ｂ）はＣｏ、。、＝Ｐ
ｔ系変調構造金属薄膜の磁気光学特性およびその温度依
存性を示す特性図であり、第１１図（Ａ）はスパッタリ
ング直後の磁気カー曲線、第１１図（Ｂ）は磁気カー回
転角の温度依存性をそれぞれ示す、第１２図は参考実験
例としてｐｔ層に添加元素を使用した変調構造金属薄膜
における添加元素量とキュリー点Ｔ、との関係を示す特
性図であり、第１３図は同じ変調構造金属薄膜における
添加元素量と磁気カー回転角θ菖との関係を示す特性図
である。 特許出願人　　　ソニー株式会社 代理人　弁理士　　　小　池　　　見 間　　　田村榮− 同　　　佐藤　勝 第１図 第２図 第６図 第７１！ 第８図（Ａ） 第８図（Ｂ） 第９図（Ａ） 温度（’ＣＪ 第９図（Ｂ） 第１０図（Ａ） 温度　（＠Ｃ） 第１０図（Ｂン 第１１図（Ａ） 温ｆ（”Ｃ） 第１１図（Ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　Ｃｏ＿１＿０＿０＿−＿ｘＭ＿ｘ（ただし、ＭはＢ，
   Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇ
   ａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇｄ
   ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｔａの少なくとも一種を表し、ｘは置換
   量を原子％で表し、Ｍ＝Ａｌの場合０．１≦ｘ≦７，Ｍ
   ＝Ｚｒの場合０．１≦ｘ≦１４，Ｍ＝Ｓｉ，Ｍｏ，Ｔａ
   の場合０．１≦ｘ≦２０，Ｍ＝Ｆｅの場合０．１≦ｘ≦
   ２５，Ｍ＝Ｂ，Ｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｎｂ
   ，Ｉｎ，Ｓｎの場合０．１≦ｘ≦３０，Ｍ＝Ｐの場合０
   ．１≦ｘ≦３５，Ｍ＝Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの場合０．１≦
   ｘ≦４０，Ｍ＝Ｓｂの場合０．１≦ｘ≦４５，Ｍ＝Ｎｉ
   の場合０．１≦ｘ≦７０である。）０．５〜２．５原子
   層とＰｔ１〜７原子層とが交互に積層された超格子金属
   薄膜あるいは変調構造金属薄膜を記録層とし、該記録層
   の全厚が５０〜５００Åであることを特徴とする光磁気
   記録媒体。