JPH01164792A - 温度差法液相結晶成長の方法 - Google Patents
温度差法液相結晶成長の方法Info
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- JPH01164792A JPH01164792A JP32278887A JP32278887A JPH01164792A JP H01164792 A JPH01164792 A JP H01164792A JP 32278887 A JP32278887 A JP 32278887A JP 32278887 A JP32278887 A JP 32278887A JP H01164792 A JPH01164792 A JP H01164792A
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- temperature
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は液相結晶成長に関し、特に溶質を溶解したメル
ト内に一定の温度差を設け、高温部より低温部に連続的
に溶質を搬送して低温部で結晶を成長させる温度差法液
相結晶成長に関する。
ト内に一定の温度差を設け、高温部より低温部に連続的
に溶質を搬送して低温部で結晶を成長させる温度差法液
相結晶成長に関する。
［従来の技術］
液相結晶成長は特に化合物半導体の結晶成長技術として
広く用いられている。液相結晶成長法として徐冷法や温
度差法等が知られている。
広く用いられている。液相結晶成長法として徐冷法や温
度差法等が知られている。
徐冷法は、たとえば、結晶材料をルツボ内で加熱して溶
融し、徐々に冷却して結晶化させる方法である。冷却方
法、ルツボ形状等によりストックバーカ法、ブリッジマ
ン法等に分かれる。
融し、徐々に冷却して結晶化させる方法である。冷却方
法、ルツボ形状等によりストックバーカ法、ブリッジマ
ン法等に分かれる。
温度差法は一定の温度差（ないし温度勾配）を持つ高温
部低温部を形成し、高温部から原料を供給して低温部で
結晶を析出させる方法であり、広義にはフローティング
ゾーン法等も含むが、狭義には溶液（メルト）内に温度
差を設け、高温部で溶質を溶解（供給）すると共に低温
部で過飽和溶液から溶質を析出させる方法をさす、すな
わち、温度差法液相結晶成長法は、成長用材料（溶質）
を溶解した溶液（メルト）に温度差をっけ、拡散によっ
て溶質を基板方向に輸送し、基板上に結晶を成長させる
方法で、一定温度で成長できるため均一な不純物濃度や
組成をもつ結晶性の良い結晶が多数枚連続して得られる
方法である１例えば。
部低温部を形成し、高温部から原料を供給して低温部で
結晶を析出させる方法であり、広義にはフローティング
ゾーン法等も含むが、狭義には溶液（メルト）内に温度
差を設け、高温部で溶質を溶解（供給）すると共に低温
部で過飽和溶液から溶質を析出させる方法をさす、すな
わち、温度差法液相結晶成長法は、成長用材料（溶質）
を溶解した溶液（メルト）に温度差をっけ、拡散によっ
て溶質を基板方向に輸送し、基板上に結晶を成長させる
方法で、一定温度で成長できるため均一な不純物濃度や
組成をもつ結晶性の良い結晶が多数枚連続して得られる
方法である１例えば。
ＧａＡｌＡｓ系結晶の場合、グラファイトからなるメル
ト槽にＧａ溶液からなるメルトを入れ、８００℃−１０
００℃で１０℃−２００’Ｃの温度差を設けて結晶成長
を行う、この方法により、特性の優れた発光タイオー１
〜やレーザー等が製作されている。
ト槽にＧａ溶液からなるメルトを入れ、８００℃−１０
００℃で１０℃−２００’Ｃの温度差を設けて結晶成長
を行う、この方法により、特性の優れた発光タイオー１
〜やレーザー等が製作されている。
第３図に従来技術による温度差法液相成長装置の例を概
略的に示す、入口側予備室５１内には半導体基板を載せ
たスライダ５３か収められており、スライダ押上機構５
５により順次ゲートバルブ６２を通って押し上げられる
。入口側予備室５１は予備加熱炉５９で予熱されている
のが好ましい、押し上げられたスライダはスライダ駆動
機構６１により成長室５７内にゲートバルブ６３を通っ
て送られる。成長室５７内にはメルト槽６４が設けられ
、主ヒータ６７がメルト１ａ６４を加熱している。スラ
イダ５３上の基板６９はメルトＷ！６４の下部でメルト
と接触し結晶成長を行う、結晶成長の終わった基板を載
せたスライダはゲートバルブ７３を介して成長室５７の
外に送られ、スライダ受取機８７７によってゲートバル
ブ７４を介して出口側予備室７９に収められる。
略的に示す、入口側予備室５１内には半導体基板を載せ
たスライダ５３か収められており、スライダ押上機構５
５により順次ゲートバルブ６２を通って押し上げられる
。入口側予備室５１は予備加熱炉５９で予熱されている
のが好ましい、押し上げられたスライダはスライダ駆動
機構６１により成長室５７内にゲートバルブ６３を通っ
て送られる。成長室５７内にはメルト槽６４が設けられ
、主ヒータ６７がメルト１ａ６４を加熱している。スラ
イダ５３上の基板６９はメルトＷ！６４の下部でメルト
と接触し結晶成長を行う、結晶成長の終わった基板を載
せたスライダはゲートバルブ７３を介して成長室５７の
外に送られ、スライダ受取機８７７によってゲートバル
ブ７４を介して出口側予備室７９に収められる。
第４図はメルト槽６４部分の１例の拡大説明図である。
溶媒であるＧａの中に溶質のＡＩ、ＧａＡｓが溶解され
て、Ｐメルト槽６５とＮメルト槽６６に収容されている
。さらに不純物としてＰメルト槽６５にはＺｎがＮメル
ト槽にはＴｅが溶解されている。後から成長するＮ型領
域のバンドギャップをＰ型頭域のバンドギャップより大
きくするためＮメルト槽６６中のＡＩの量はＰメルト槽
６５中のＡ１の量より大きくするのがよい、たとえば、
赤色発光Ｇａ ＡＩ Ａｓ発光ダイ第−ｘｘ −ドを得るには、ＡｌＡｓの組成割合Ｘをｐ型頭域で約
０．３５．ｎ型領域で約０．６−０．８５となるように
ＡＩとＧａＡｓの量を決める１両メルト槽６’５．６６
内には図中布に示すような垂直方向の温度差が設定され
る。たとえば、８００℃−１０００℃の温度で温度差を
１０℃−２００℃設ける。溶質を連続的に供給するには
高温部であるメルト上部に溶質を浮かせておくか溶質収
容部を作ってメルトと接触させる。溶質は高温部で飽和
溶解度まで溶解し、拡散で低温部に輸送される。
て、Ｐメルト槽６５とＮメルト槽６６に収容されている
。さらに不純物としてＰメルト槽６５にはＺｎがＮメル
ト槽にはＴｅが溶解されている。後から成長するＮ型領
域のバンドギャップをＰ型頭域のバンドギャップより大
きくするためＮメルト槽６６中のＡＩの量はＰメルト槽
６５中のＡ１の量より大きくするのがよい、たとえば、
赤色発光Ｇａ ＡＩ Ａｓ発光ダイ第−ｘｘ −ドを得るには、ＡｌＡｓの組成割合Ｘをｐ型頭域で約
０．３５．ｎ型領域で約０．６−０．８５となるように
ＡＩとＧａＡｓの量を決める１両メルト槽６’５．６６
内には図中布に示すような垂直方向の温度差が設定され
る。たとえば、８００℃−１０００℃の温度で温度差を
１０℃−２００℃設ける。溶質を連続的に供給するには
高温部であるメルト上部に溶質を浮かせておくか溶質収
容部を作ってメルトと接触させる。溶質は高温部で飽和
溶解度まで溶解し、拡散で低温部に輸送される。
通常溶解度は温度と共に増加するので、低温部では過飽
和溶液となって析出できる状態となる、このようなメル
ト低温部へ基板を順次接触させる。
和溶液となって析出できる状態となる、このようなメル
ト低温部へ基板を順次接触させる。
たとえは、成長時間約６０分で５０−６０μｍの成長層
が得られる。
が得られる。
第５図は温度と時間との関係を示す１図がら判るように
温度分布は一定に保たれる。初め１番目の基盤がＰメル
トの下に接し、Ｐ型層を成長させる１次にスライダを移
動させて１番目の基板がＮメルトの下に接し、２番目の
基板がＰメルトの下に接するようにする。そこで、それ
ぞれの成長層を形成する。これで１番目の基板上には下
にＰ型層、上にＮ型層が成長され、ダイオードが形成さ
れる。このようにして多数枚の基板上にエピタキシャル
成長を行う。
温度分布は一定に保たれる。初め１番目の基盤がＰメル
トの下に接し、Ｐ型層を成長させる１次にスライダを移
動させて１番目の基板がＮメルトの下に接し、２番目の
基板がＰメルトの下に接するようにする。そこで、それ
ぞれの成長層を形成する。これで１番目の基板上には下
にＰ型層、上にＮ型層が成長され、ダイオードが形成さ
れる。このようにして多数枚の基板上にエピタキシャル
成長を行う。
［発明が解決しようとする問題点］
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ
３１ 、２１５ （１９７５）に因れば、ＧａＡｓ
ＧａＰ等は、その構成成分のうち蒸気圧の高い成分（
ＡｓやＰ）が高温での結晶成長中に蒸発し、格子欠陥Ｖ
ａｃａｎｃｙと呼ばれる結晶欠陥を作り易く結晶性を減
じること、結晶成長中に成長用メルトに最適蒸気圧を印
加することにより結晶性を向上させ得ることが示されて
いる、 発光ダイオード（ＬＥＤ）においては、結晶欠陥は深い
準位（Ｄｅｅｐ ＬｅＶｅｌ）を形成し１発光領域に形
成された深い準位は注入された電子や正孔を捕獲するト
ラップセンターとして作用し、非発光再結合中心となる
。すなわち深い準位はＬＥＤの発光効率に多大の悪影響
を与える。高輝度ＬＥＤを得るためには１結晶欠陥の少
ない結晶を成長させることが最も重要である。
３１ 、２１５ （１９７５）に因れば、ＧａＡｓ
ＧａＰ等は、その構成成分のうち蒸気圧の高い成分（
ＡｓやＰ）が高温での結晶成長中に蒸発し、格子欠陥Ｖ
ａｃａｎｃｙと呼ばれる結晶欠陥を作り易く結晶性を減
じること、結晶成長中に成長用メルトに最適蒸気圧を印
加することにより結晶性を向上させ得ることが示されて
いる、 発光ダイオード（ＬＥＤ）においては、結晶欠陥は深い
準位（Ｄｅｅｐ ＬｅＶｅｌ）を形成し１発光領域に形
成された深い準位は注入された電子や正孔を捕獲するト
ラップセンターとして作用し、非発光再結合中心となる
。すなわち深い準位はＬＥＤの発光効率に多大の悪影響
を与える。高輝度ＬＥＤを得るためには１結晶欠陥の少
ない結晶を成長させることが最も重要である。
例えばＪｏｉｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒ
ｏｗｔｈ ３１ 、２１５ （１９７５）に示されて
いる方法によれば。
ｏｗｔｈ ３１ 、２１５ （１９７５）に示されて
いる方法によれば。
結晶成長中に成長メルトに蒸気圧が印加されているので
、成長の間は欠陥の発生が最少限に抑えられている。し
かし結晶成長によってｐｎ接合が形成された後、 Ｈ２
、Ａ ｒ等の雰囲気中で必要以上の熱処理が加えられる
。
、成長の間は欠陥の発生が最少限に抑えられている。し
かし結晶成長によってｐｎ接合が形成された後、 Ｈ２
、Ａ ｒ等の雰囲気中で必要以上の熱処理が加えられる
。
成長層の表面は高温のＨ２ガス等にさらされ。
Ａｓ等が蒸発し欠陥が発生する。この成長後の欠陥の発
生も抑えなければ最高の結晶性が得られず。
生も抑えなければ最高の結晶性が得られず。
高輝度化の要件を十分満足できない。
「問題点を解決するための手段］
本発明によれば、結晶成長後に成長用メルトと同等組成
のメルトに成長層を接触させる温度差法液相結晶成長の
方法が提供される。
のメルトに成長層を接触させる温度差法液相結晶成長の
方法が提供される。
成長用メルトと同等組成のメルトを成長用メルトと全く
同一条件で基板に接触させれば新たな成長が始まってし
まう、そこで成長後に成長層に接触させる後処理用メル
トは成長用メルトと同量の不純物金属や成長素材を含む
ものの、以下のごとき方法によって成長をさせないよう
にしである。
同一条件で基板に接触させれば新たな成長が始まってし
まう、そこで成長後に成長層に接触させる後処理用メル
トは成長用メルトと同量の不純物金属や成長素材を含む
ものの、以下のごとき方法によって成長をさせないよう
にしである。
たとえばＧ ａ Ａ Ｉ Ａ Ｓ発光ダイオードの製造
において、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層とｎ−ＧａＡｌＡｓ層と
を成長させた後、すなわちｎ−ＧａＡｌＡｓ層成長用の
ｎメルトに引き続いて、ｎメルトと同等組成の溶質を溶
解しかつ成長させない状態にあるメルトに、成長層を接
触させて一定時間保持する。
において、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層とｎ−ＧａＡｌＡｓ層と
を成長させた後、すなわちｎ−ＧａＡｌＡｓ層成長用の
ｎメルトに引き続いて、ｎメルトと同等組成の溶質を溶
解しかつ成長させない状態にあるメルトに、成長層を接
触させて一定時間保持する。
ここでｎメルトと同じ種類の溶質を溶解しかつ成長させ
ない状態とは、典型的には１ （ａ）成長温度により決められる飽和溶解度より。
ない状態とは、典型的には１ （ａ）成長温度により決められる飽和溶解度より。
５倍以上の成長素材を溶解することにより、メルト中に
多量の微結晶を析出させ、基板あるいはＧａＡｌＡｓ成
長層がメルトに接触しても、主にこの微結晶を核として
結晶を析出させ、基板あるいはＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ
成長層上に成長させない状態；（ｂ）溶解させる不純物
金属例えば（Ｔｅ）と成長素材の量はｎ ＧａＡＩＡ
、ｓ層を成長するｎ−メルトと同じであるが、成長のた
めにつけられている温度差を部分的に打ち消す発熱量を
もった局部加熱し−タをもちいて、このメルトのみ温度
差をつけない状態； （Ｃ）溶解させる不純物金属例えば（Ｔｅ）と成長素材
の量は同じであるが、少なくとも成長層がこのメルトに
接触している間１局部加熱し−タをもちいて、このメル
トの温度を成長温度より１０倍以上高く保持する状態： の３つである。
多量の微結晶を析出させ、基板あるいはＧａＡｌＡｓ成
長層がメルトに接触しても、主にこの微結晶を核として
結晶を析出させ、基板あるいはＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ
成長層上に成長させない状態；（ｂ）溶解させる不純物
金属例えば（Ｔｅ）と成長素材の量はｎ ＧａＡＩＡ
、ｓ層を成長するｎ−メルトと同じであるが、成長のた
めにつけられている温度差を部分的に打ち消す発熱量を
もった局部加熱し−タをもちいて、このメルトのみ温度
差をつけない状態； （Ｃ）溶解させる不純物金属例えば（Ｔｅ）と成長素材
の量は同じであるが、少なくとも成長層がこのメルトに
接触している間１局部加熱し−タをもちいて、このメル
トの温度を成長温度より１０倍以上高く保持する状態： の３つである。
［作用］
成長用メルトと同等組織のメルトは欠陥防止に最適の蒸
気圧を成長層に印加することになり。
気圧を成長層に印加することになり。
欠陥の発生が効果的に防止できる。
［実施例］
第１図、第２図をもちいて９本発明の詳細な説明する。
第１図の構造は第３図の全体構造のメルト槽６４に相当
する部分であり、従来技術による第２図の構成と対比さ
れるものである。
する部分であり、従来技術による第２図の構成と対比さ
れるものである。
石英反応管１１の内にＰメルト槽１３．Ｎメルト槽１５
．後処理用非成長メルト槽１７が配置され、それぞれＰ
メルト３３．Ｎメルト３５．後処理用非成長メルト３７
を収容している。各メルト槽は底部に開口を要し、カイ
ト内を摺動するスライダ２１がその開口部をふさいでい
る。スライダ２１の上面内には基板収納用の凹部２３が
設けられており、その中に基板２５が載置されている。
．後処理用非成長メルト槽１７が配置され、それぞれＰ
メルト３３．Ｎメルト３５．後処理用非成長メルト３７
を収容している。各メルト槽は底部に開口を要し、カイ
ト内を摺動するスライダ２１がその開口部をふさいでい
る。スライダ２１の上面内には基板収納用の凹部２３が
設けられており、その中に基板２５が載置されている。
Ｐメルト３３には溶媒であるＧａに成長用素材のＡＩ、
ＧａＡｓ及びＰ型不純物のＺｎが溶解されている。Ｎメ
ルト３５には溶媒であるＧａに成長用素材のＡＩ、Ｇａ
ＡｓおよびＮ型不純物のＴｅが溶解されている。後処理
用の非成長メルト３７もＮメルト３５同様溶媒であるＧ
ａにＡ１．ＧａＡｓ、Ｔｅを溶質として溶解している。
ＧａＡｓ及びＰ型不純物のＺｎが溶解されている。Ｎメ
ルト３５には溶媒であるＧａに成長用素材のＡＩ、Ｇａ
ＡｓおよびＮ型不純物のＴｅが溶解されている。後処理
用の非成長メルト３７もＮメルト３５同様溶媒であるＧ
ａにＡ１．ＧａＡｓ、Ｔｅを溶質として溶解している。
Ｐメルト３３．Ｎメルト３５内には図中布部分に示すよ
うな上部が高温で下部に行くにつけ次第に温度の下がる
垂直方向の温度分布が設定されている。これにより上部
の高温部分から下部の低温部分へ飽和溶解度の差分の溶
質が輸送され、基板結晶を種としてその上に結晶成長を
行う。
うな上部が高温で下部に行くにつけ次第に温度の下がる
垂直方向の温度分布が設定されている。これにより上部
の高温部分から下部の低温部分へ飽和溶解度の差分の溶
質が輸送され、基板結晶を種としてその上に結晶成長を
行う。
後処理用の非成長性メルト３７にはＮ−メルト３５と同
等の溶質が溶解している。非成長用メルト３７はまたＮ
メルト３５とほぼ同じ温度に設定されている。従って、
非成長用メルト３７からその下に置かれる成長層２７に
は各成分の蒸気圧が印加され、成長層２７から蒸気圧の
高い成分が抜けようとするのを防止する。これによって
欠陥の発生が防止される。 非成長性メルト３７を結晶
成長を生じさせないものとするには、結晶成長のメカニ
ズムを破ればよい、溶質が上部から下部に輸送され、基
板上に析出するのを防ぐには、基板以外の部分に析出さ
せる方法、温度勾配をどこかでなくして輸送を断ち切る
方法などが考えられる。
等の溶質が溶解している。非成長用メルト３７はまたＮ
メルト３５とほぼ同じ温度に設定されている。従って、
非成長用メルト３７からその下に置かれる成長層２７に
は各成分の蒸気圧が印加され、成長層２７から蒸気圧の
高い成分が抜けようとするのを防止する。これによって
欠陥の発生が防止される。 非成長性メルト３７を結晶
成長を生じさせないものとするには、結晶成長のメカニ
ズムを破ればよい、溶質が上部から下部に輸送され、基
板上に析出するのを防ぐには、基板以外の部分に析出さ
せる方法、温度勾配をどこかでなくして輸送を断ち切る
方法などが考えられる。
最初の方法を実施するには、たとえば、成長温度での飽
和溶解度を大きく上回る量の成長素材を高温にして溶解
した後成長温度にすることなどで多量の微結晶を析出さ
せ、析出が基板よりも微結晶に優先的に起きるようにす
ることで実現できる。
和溶解度を大きく上回る量の成長素材を高温にして溶解
した後成長温度にすることなどで多量の微結晶を析出さ
せ、析出が基板よりも微結晶に優先的に起きるようにす
ることで実現できる。
たとえば、成長温度での飽和溶解度の５倍以上の成長素
材を溶解する。
材を溶解する。
溶質の輸送を防止するには輸送の駆動力である温度勾配
を全部もしくは一部除去すればよい、−部のみ温度分布
を除去する場合には基板側で行う。
を全部もしくは一部除去すればよい、−部のみ温度分布
を除去する場合には基板側で行う。
ずなわち少なくとも基板直上のメルト部分に上から下に
向けて温度が下がるような温度分布を作らないようにす
れはよい、これは下側を局部的に加熱する手段たとえば
下側に配置した抵抗加熱し−タを設けることで実現でき
る。
向けて温度が下がるような温度分布を作らないようにす
れはよい、これは下側を局部的に加熱する手段たとえば
下側に配置した抵抗加熱し−タを設けることで実現でき
る。
さらにこのような温度分布の変更は定常的に行わず基板
がメルトに接するときのみ行ってもよい。
がメルトに接するときのみ行ってもよい。
この場合温度勾配をなくさなくても、温度を上げること
で過飽和用溶液の過飽和の程度を下げることでも析出を
防止できる。たとえば、後処理用メルト３７の組成をＮ
メルト３５の組成を同等としておき、基板が接触しない
間は成長温度に保ち基板が後処理用メルトに接触すると
き、後処理用メルトの温度を１０度以上高くすることで
析出を防止することができる。
で過飽和用溶液の過飽和の程度を下げることでも析出を
防止できる。たとえば、後処理用メルト３７の組成をＮ
メルト３５の組成を同等としておき、基板が接触しない
間は成長温度に保ち基板が後処理用メルトに接触すると
き、後処理用メルトの温度を１０度以上高くすることで
析出を防止することができる。
スライダ２１上の基板はまずＰメ・ルト３３の下で上に
Ｐ型エピタキシャル層を成長させ１次にＮメルト３５の
下に移送させてその上にＮ型エピタキシャル層を成長さ
せる。これによりＰＮ接合を備えた発光ダイオード構造
が作成される。これが第２図のグラフで１番目の基板に
ついてＩＰ−ＩＮで示す工程である。従来はこのあとＨ
２Ａ ｒ等の高温雰囲気ガスにさらされたのであるが１
本実施例ではさらに後処理用の非成長性メルト３７の下
に置かれる。これにより成分元素の逃散が防止される。
Ｐ型エピタキシャル層を成長させ１次にＮメルト３５の
下に移送させてその上にＮ型エピタキシャル層を成長さ
せる。これによりＰＮ接合を備えた発光ダイオード構造
が作成される。これが第２図のグラフで１番目の基板に
ついてＩＰ−ＩＮで示す工程である。従来はこのあとＨ
２Ａ ｒ等の高温雰囲気ガスにさらされたのであるが１
本実施例ではさらに後処理用の非成長性メルト３７の下
に置かれる。これにより成分元素の逃散が防止される。
さらにこのメルトは成長用のメルトと同じ種類の成長素
材が溶解されているが、成長させない状態にあるため、
必要十分以上の不必要な成長厚みが得られることがなく
、後工程において表面を削る等の余分な工程を必要とし
ない。
材が溶解されているが、成長させない状態にあるため、
必要十分以上の不必要な成長厚みが得られることがなく
、後工程において表面を削る等の余分な工程を必要とし
ない。
また、この方法は、成長終了後別の工程により行われる
のではなく、連続成長では避けられない時間を利用する
ため、別の設備を必要とせず量産性を損なうことがない
。
のではなく、連続成長では避けられない時間を利用する
ため、別の設備を必要とせず量産性を損なうことがない
。
なお、この方法は、ＧａＡＩＡｓＬＥＤの他。
ＧａＰ、ＧａＡｓなどの温度差法液相エピタキシャル成
長をもちいる結晶に適用できる。
長をもちいる結晶に適用できる。
［発明の効果］
本発明の方法によれば、結晶成長後においても結晶はＡ
ｓ等の高蒸気圧が十分存在するメルトに覆われるため、
結晶からのＡｓの蒸発が抑えられ欠陥の発生が最少限に
抑えられる。したがって非発光再結合中心を減らすこと
ができ、ＬＥＤの性能を向上させることができる。
ｓ等の高蒸気圧が十分存在するメルトに覆われるため、
結晶からのＡｓの蒸発が抑えられ欠陥の発生が最少限に
抑えられる。したがって非発光再結合中心を減らすこと
ができ、ＬＥＤの性能を向上させることができる。
第１図は本発明の１実施例による結晶成長方法を実施す
る装置の主要部断面図、第２図は結晶酸長工程を説明す
る温度対時間のグラフ、第３図。 第４図は従来技術による結晶成長装置の全体および主要
部の断面図、第５図は結晶成長工程を説明する温度対時
間のグラフである。 符号の説明 １３．１５，１７ メルト槽 ２１ スライダ ２５ 基板 ３３．３５ 成長メルト ３７ 非成長メルト
る装置の主要部断面図、第２図は結晶酸長工程を説明す
る温度対時間のグラフ、第３図。 第４図は従来技術による結晶成長装置の全体および主要
部の断面図、第５図は結晶成長工程を説明する温度対時
間のグラフである。 符号の説明 １３．１５，１７ メルト槽 ２１ スライダ ２５ 基板 ３３．３５ 成長メルト ３７ 非成長メルト
Claims (4)
- （１）不純物金属や成長素材を溶解した成長用メルトに
、温度差をつけ、これらの溶液の低温側に基板を接触さ
せ一定時間接触保持し基板上に結晶層を成長させる、温
度差法液相結晶成長の方法において、結晶成長後成長用
メルトに溶解したのと同じ種類の不純物金属や成長素材
を溶解しかつ結晶成長を生じさせない状態にある後処理
用メルトに、成長層を一定時間接触保持させることを特
徴とする方法。 - （２）前記後処理用メルトが成長温度により決められる
飽和溶解度の５倍以上の量の成長素材を溶解することに
より作製されるメルトである特許請求の範囲第１項記載
の方法。 - （３）前記後処理用メルトが成長メルトと同じ量の不純
物金属や成長素材を溶解しているが、温度差をつけない
状態におかれている特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （４）前記後処理用メルトが成長用メルトと同じ量の不
純物金属や成長素材を溶解しているが、少なくとも成長
層がこのメルトの接触している間そのメルトの温度が成
長温度より１０度以上高く保持されている特許請求の範
囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32278887A JPH01164792A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 温度差法液相結晶成長の方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32278887A JPH01164792A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 温度差法液相結晶成長の方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01164792A true JPH01164792A (ja) | 1989-06-28 |
| JPH0574558B2 JPH0574558B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=18147638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32278887A Granted JPH01164792A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 温度差法液相結晶成長の方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01164792A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5318153A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-20 | Toshiba Corp | Method for controlling group of elevators |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP32278887A patent/JPH01164792A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5318153A (en) * | 1976-07-31 | 1978-02-20 | Toshiba Corp | Method for controlling group of elevators |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574558B2 (ja) | 1993-10-18 |
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