JPH01165138A - 半導体材料を処理するための炭化珪素製試料保持具および薄片用カゴとその製造方法 - Google Patents
半導体材料を処理するための炭化珪素製試料保持具および薄片用カゴとその製造方法Info
- Publication number
- JPH01165138A JPH01165138A JP63239571A JP23957188A JPH01165138A JP H01165138 A JPH01165138 A JP H01165138A JP 63239571 A JP63239571 A JP 63239571A JP 23957188 A JP23957188 A JP 23957188A JP H01165138 A JPH01165138 A JP H01165138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- silicon carbide
- sample holder
- graphite
- components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/14—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）産業上の利用分野
本発明は概して、それから半導体装置のつくられる半導
体薄片（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｗａｆｅｒ ）
と試料の処理に関し、特に化学蒸着や製造工程で半導体
材料を保護するための薄片用カゴ（ｗａｆｅｒ ｃα−
ｇｇ）および試料保持具に関する。
体薄片（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｗａｆｅｒ ）
と試料の処理に関し、特に化学蒸着や製造工程で半導体
材料を保護するための薄片用カゴ（ｗａｆｅｒ ｃα−
ｇｇ）および試料保持具に関する。
（２）従来の技術
当該技術においては、製造工程で活性な環境にさらされ
ている材料を保護するための薄片用カゴ（ｗａｆｅｒ
ｃｃＬｇｅ ）や他の試料保持具（ｓａｍｐｌｅｈｏｌ
ｄｅｒ ）を作るために、いくつかの材料が使用されて
きた。薄片用カゴや試料保持具や類似の構成品は、当然
広い温度範囲にわたり、様々な反応性薬剤に耐え得るも
のでなければならない。この様な構成品は、大体金属、
石英及びポリシリコン材を含む混合物あるいは化合物で
構成される。これらの材料は高温下で反応性の処理材に
さらされることで劣化したり、塘だ、所望の反応過程に
おける副産物の除去に必要とされる洗浄剤にさらされる
ことで劣化することもある。この劣化により、汚れ一薄
片用カゴや試料保持具で保護されつつ処理された半導体
材から作られる半導体装量において性能を低下させる汚
れ−が生じる。
ている材料を保護するための薄片用カゴ（ｗａｆｅｒ
ｃｃＬｇｅ ）や他の試料保持具（ｓａｍｐｌｅｈｏｌ
ｄｅｒ ）を作るために、いくつかの材料が使用されて
きた。薄片用カゴや試料保持具や類似の構成品は、当然
広い温度範囲にわたり、様々な反応性薬剤に耐え得るも
のでなければならない。この様な構成品は、大体金属、
石英及びポリシリコン材を含む混合物あるいは化合物で
構成される。これらの材料は高温下で反応性の処理材に
さらされることで劣化したり、塘だ、所望の反応過程に
おける副産物の除去に必要とされる洗浄剤にさらされる
ことで劣化することもある。この劣化により、汚れ一薄
片用カゴや試料保持具で保護されつつ処理された半導体
材から作られる半導体装量において性能を低下させる汚
れ−が生じる。
当該技術において生じ得る他の問題は、得られる薄片用
カゴや試料保持具の寸法精度からくる反応の不均一さに
もとすくものである。たとえば、このカゴが石英から作
られる場合、高い寸法精度はふつうダイアモンド入り切
断具の使用によってのみ得られる。この工具は高価であ
シ、しかもこのような工具を石英に使用すると、石英の
中に犬きな内部応力を生じさせることになる。内部応力
の除去のために、火炎仕上げＣｆ１ｒｅ ｐｏｌｉｓｈ
ｉｎｇ）を施してもよい。しかし、これは上記切断具に
よって得られた高い寸法精度を損う。石英はまた加熱保
持（ａｇｉ％ｇ）によって脱ガラス（ｌｉまたは失透；
ｄａｖｔｔｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ） Ｌ／得るが、この
脱ガラス化過程はある種の反応性ガスによって促進され
る。
カゴや試料保持具の寸法精度からくる反応の不均一さに
もとすくものである。たとえば、このカゴが石英から作
られる場合、高い寸法精度はふつうダイアモンド入り切
断具の使用によってのみ得られる。この工具は高価であ
シ、しかもこのような工具を石英に使用すると、石英の
中に犬きな内部応力を生じさせることになる。内部応力
の除去のために、火炎仕上げＣｆ１ｒｅ ｐｏｌｉｓｈ
ｉｎｇ）を施してもよい。しかし、これは上記切断具に
よって得られた高い寸法精度を損う。石英はまた加熱保
持（ａｇｉ％ｇ）によって脱ガラス（ｌｉまたは失透；
ｄａｖｔｔｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ） Ｌ／得るが、この
脱ガラス化過程はある種の反応性ガスによって促進され
る。
脱ガラス化すると、石英製カゴはこわれやすくなるし、
半導体材料を処理する時の環境に対し望ましくない汚れ
を与えることになる。
半導体材料を処理する時の環境に対し望ましくない汚れ
を与えることになる。
試料保持具又は薄片用カゴに使用される望ましい材料は
炭化珪素である。炭化珪素で作るのに二つの技術が用い
られてきた。最初の技術では、粒状炭化珪素が結合剤と
一緒に型の中で加熱された。
炭化珪素である。炭化珪素で作るのに二つの技術が用い
られてきた。最初の技術では、粒状炭化珪素が結合剤と
一緒に型の中で加熱された。
このようにして得られた構成品は半導体材料の処理に用
いるのに満足のい（ものであった。しかし、この技術で
は高くつ（し、得られる構成品が複雑な場合、型に対し
厳しい要求や制限が課される。
いるのに満足のい（ものであった。しかし、この技術で
は高くつ（し、得られる構成品が複雑な場合、型に対し
厳しい要求や制限が課される。
簡単な製作物、たとえばこのようにして作られた炭化珪
素薄片用保持具やヘラなどが市販されている。第二の技
術では、黒鉛構成品が高温で一酸化珪素分子源にさらさ
れ、そして炭化珪素の表面部が形成される。この技術は
米国特許！ ３，６３４゜１１６に「黒鉛物品に収めら
れた炭化珪素及びその製造」（発明者り、Ｍ、 Ｗｏｅ
ｎｇｒ、 Ｗ、Ｃ、Ｋｉｖｇｌａ及びＧ、Ｊ、 Ｑｕａ
ａｌ、 １９７２年１月１１日発効）として述べられ
ている。この方法で構成品を作る場合、黒鉛の加工が比
較的容易なため、複雑な構造に成形しやすいとい５％長
がある。しかし、炭化珪素は比較的多孔質であり、また
黒鉛原子が構成物の内部から移動してくるため、製造さ
れる半導体材料が汚染される可能性がある。
素薄片用保持具やヘラなどが市販されている。第二の技
術では、黒鉛構成品が高温で一酸化珪素分子源にさらさ
れ、そして炭化珪素の表面部が形成される。この技術は
米国特許！ ３，６３４゜１１６に「黒鉛物品に収めら
れた炭化珪素及びその製造」（発明者り、Ｍ、 Ｗｏｅ
ｎｇｒ、 Ｗ、Ｃ、Ｋｉｖｇｌａ及びＧ、Ｊ、 Ｑｕａ
ａｌ、 １９７２年１月１１日発効）として述べられ
ている。この方法で構成品を作る場合、黒鉛の加工が比
較的容易なため、複雑な構造に成形しやすいとい５％長
がある。しかし、炭化珪素は比較的多孔質であり、また
黒鉛原子が構成物の内部から移動してくるため、製造さ
れる半導体材料が汚染される可能性がある。
反応性の環境に比較的感じにく（、かつ容易に製造しう
る薄片用カゴおよびその材料と試料保持具およびその材
料に対する要望が存在する。そして、現行技術における
よりも寸法精度を上げることにより、比較的汚れの粒子
が存在しにくくなるため、容易に清掃でき、現行実用構
成品に比べそれほど注意深くしなくても高温で操業可能
となる。
る薄片用カゴおよびその材料と試料保持具およびその材
料に対する要望が存在する。そして、現行技術における
よりも寸法精度を上げることにより、比較的汚れの粒子
が存在しにくくなるため、容易に清掃でき、現行実用構
成品に比べそれほど注意深くしなくても高温で操業可能
となる。
なお、本願は、下記の米国特許出願と関連する。
（Ｇ）「炭化珪素を化学蒸着したウェファ−ボートに係
る装置と方法」 発明者二Ｅｄｗｉｎ Ｆ、 ５ａｂｉｎ出発番号：（１
７／１００，９５５ 出願臼：１９８８年９ 、Ｑ ２５日 譲受人二本願の出願人 （ｂ）「炭化珪素を化学蒸着したウェファ−ボール−に
係る方法と装置」 発明者： Ｅｄｗｉｎ Ｆ、 ５ａｂｉｎ出願番号：（
１７／１００．９６０ 出願臼：１９８８年９月２５日 譲受人１木願の出願人 （３）発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、半導体薄片の製造椋術を改善すること
にある。
る装置と方法」 発明者二Ｅｄｗｉｎ Ｆ、 ５ａｂｉｎ出発番号：（１
７／１００，９５５ 出願臼：１９８８年９ 、Ｑ ２５日 譲受人二本願の出願人 （ｂ）「炭化珪素を化学蒸着したウェファ−ボール−に
係る方法と装置」 発明者： Ｅｄｗｉｎ Ｆ、 ５ａｂｉｎ出願番号：（
１７／１００．９６０ 出願臼：１９８８年９月２５日 譲受人１木願の出願人 （３）発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、半導体薄片の製造椋術を改善すること
にある。
本発明の特徴は、全て炭化珪素より成る薄片用カゴと試
料保持具を提供することにある。
料保持具を提供することにある。
本発明の別の特徴は、最初は黒鉛で作られ、そしてそれ
が完全に炭化珪素化することで形成される薄片用カゴを
提供することにある。
が完全に炭化珪素化することで形成される薄片用カゴを
提供することにある。
本発明のまた別の特徴は、黒鉛材で作られそして大体完
全に炭化珪素化した薄片用カゴを提供することにあるが
、この炭化珪素化は高温操作により一酸化珪素源を用い
て行われる。
全に炭化珪素化した薄片用カゴを提供することにあるが
、この炭化珪素化は高温操作により一酸化珪素源を用い
て行われる。
本発明のさらに別の特徴は、耐火性材料または薄片用カ
ゴを実質的に劣化させずに、繰り返し化学洗浄に付すこ
とによって改善することにある。
ゴを実質的に劣化させずに、繰り返し化学洗浄に付すこ
とによって改善することにある。
本発明のもつと別の特徴は、不純物のない炭化珪素薄片
用カゴまたは試料保持具を提供することにある。
用カゴまたは試料保持具を提供することにある。
前述の、そしてもつと別の本発明における特徴は、試料
保持具または薄片用カゴを完全に炭化珪素製とすること
にある。この材料または薄片用カゴはもともと黒鉛材で
作られる。試料保持具または薄片用カゴは、それらが黒
鉛で作られた後、高温にて一酸化珪素分子源にさらされ
る。この処理は黒鉛が完全に炭化珪素化するまで続けら
れる。
保持具または薄片用カゴを完全に炭化珪素製とすること
にある。この材料または薄片用カゴはもともと黒鉛材で
作られる。試料保持具または薄片用カゴは、それらが黒
鉛で作られた後、高温にて一酸化珪素分子源にさらされ
る。この処理は黒鉛が完全に炭化珪素化するまで続けら
れる。
その結果、試料用保持具または薄片用カゴは完全に炭化
珪素組成をもつに至る。得られた炭化珪素試料保持具ま
たは薄片用カゴは、市場で用いられているカゴ材におけ
る多くの望ましくない特徴を最小限とする。また試料保
持具または薄片用カゴを複雑な構造に成形できるように
する。
珪素組成をもつに至る。得られた炭化珪素試料保持具ま
たは薄片用カゴは、市場で用いられているカゴ材におけ
る多くの望ましくない特徴を最小限とする。また試料保
持具または薄片用カゴを複雑な構造に成形できるように
する。
もし薄片用カゴまたは試料保持具が黒鉛材から炭化珪素
材へと完全に変わらないときは、これら構成品を冷やし
、高温環境で一酸化珪素分子源に再度さらし、完全に変
えることもできる。黒鉛材は脱気され、そして高純度一
酸化珪素分子の存在する容器中で、得られた炭化珪素構
成品中に不純物がなるべくないようにされる。
材へと完全に変わらないときは、これら構成品を冷やし
、高温環境で一酸化珪素分子源に再度さらし、完全に変
えることもできる。黒鉛材は脱気され、そして高純度一
酸化珪素分子の存在する容器中で、得られた炭化珪素構
成品中に不純物がなるべくないようにされる。
本発明の、このようなあるいは他の特徴は、図面に沿っ
て行われる以下の説明を読むことにより理解されよう。
て行われる以下の説明を読むことにより理解されよう。
（４）課題を解決するための手段
第１図に、完全に炭化珪素から成る試料保持具または薄
片用カゴの製造工程を示す。工程１０１において、その
粗材または薄片用カゴが黒鉛材から作られる。この工程
には部品の製造と、それを所望のカゴの形態にするため
の結合（たとえば、黒鉛のシによる）とが含まれる。黒
鉛材は比較的簡単に作れるので、試料保持具または薄片
用カゴの幾何学的形状は殆んど制限をうけない。もし、
薄片用カゴ９または試料保持具の不純物レベルを低くし
ようとするなら、黒鉛構成物を部分真空中で加熱するこ
とにより、工程１０２においてこの構成品における不純
物成分を脱ガスすることができる。工程１０３では、製
造されたカゴが高温環境において一酸化珪素源にさらさ
れる。このような処理は、黒鉛構成品が完全に炭化珪素
に変わるまで、工程１０４において続けられる。完成し
た構成品の不純物を最小限にするには、高純度一酸化珪
素源が不純物のない環境（すなわち、処理容器が高純度
黒鉛製の場合）に適用される。もし必要なら、得られた
炭化珪素薄片用カゴまたは試料保持具が、工程１０５に
おいて望ましい寸法となるように修正される。この工程
では、黒鉛構成品に前記炭化珪素化過程で寸法変化が生
じた様な場合にも、それを適宜修正することができる。
片用カゴの製造工程を示す。工程１０１において、その
粗材または薄片用カゴが黒鉛材から作られる。この工程
には部品の製造と、それを所望のカゴの形態にするため
の結合（たとえば、黒鉛のシによる）とが含まれる。黒
鉛材は比較的簡単に作れるので、試料保持具または薄片
用カゴの幾何学的形状は殆んど制限をうけない。もし、
薄片用カゴ９または試料保持具の不純物レベルを低くし
ようとするなら、黒鉛構成物を部分真空中で加熱するこ
とにより、工程１０２においてこの構成品における不純
物成分を脱ガスすることができる。工程１０３では、製
造されたカゴが高温環境において一酸化珪素源にさらさ
れる。このような処理は、黒鉛構成品が完全に炭化珪素
に変わるまで、工程１０４において続けられる。完成し
た構成品の不純物を最小限にするには、高純度一酸化珪
素源が不純物のない環境（すなわち、処理容器が高純度
黒鉛製の場合）に適用される。もし必要なら、得られた
炭化珪素薄片用カゴまたは試料保持具が、工程１０５に
おいて望ましい寸法となるように修正される。この工程
では、黒鉛構成品に前記炭化珪素化過程で寸法変化が生
じた様な場合にも、それを適宜修正することができる。
（５）実施例
多くの先願発明において、薄片用カゴおよび試料保持具
は薄片の処理用であり、円筒慴伏のありふれた形状を有
している。この円筒端には、このカゴで保護される材料
または試料に対する反応剤の流れを調整するため、往々
にして様々な形態の開口が設けられている。その構造は
比較的複雑であるため、炭化珪素材から直接複雑な形状
のものを作るのは、その材料の性質からして困難である
。
は薄片の処理用であり、円筒慴伏のありふれた形状を有
している。この円筒端には、このカゴで保護される材料
または試料に対する反応剤の流れを調整するため、往々
にして様々な形態の開口が設けられている。その構造は
比較的複雑であるため、炭化珪素材から直接複雑な形状
のものを作るのは、その材料の性質からして困難である
。
炭化珪素粒と結合剤を型中で組み合わせるという技術は
、この型から構成品を抜去するのが難しくなるため、製
造される構成品の複雑さには自ずから限度がある。薄片
用カゴ又は試料保持具の黒鉛製部品は、カゴ用材料の価
格を下げるため、しばしば平たい材料から作られる。黒
鉛製構成品はそこで実質的に継目なきよう、互いに結合
される。
、この型から構成品を抜去するのが難しくなるため、製
造される構成品の複雑さには自ずから限度がある。薄片
用カゴ又は試料保持具の黒鉛製部品は、カゴ用材料の価
格を下げるため、しばしば平たい材料から作られる。黒
鉛製構成品はそこで実質的に継目なきよう、互いに結合
される。
最後に、この黒鉛材は炭化珪素材化される。
出来上った炭化珪素製カゴの表面は多孔質である。この
多孔質の表面に化学反応の結果生じた粒子が捉えられ、
処理される材料（つまり、薄片）を劣化させるところの
多くの汚れは減少する。この汚れは薄片用カゴや試料保
持具の性能に影響な及ぼすことな（炭化珪素構成品から
浄化することができる。炭化珪素製薄片用カゴや試料保
持具を使用することの別の利点は、カゴの構成を損する
ことなくより高温で処理することができるということで
ある。表面部分のみが炭化珪素材化する黒鉛構成品と比
べ、完全に炭化珪素材化した黒鉛構成品においては、黒
鉛原子は比較的動きに（く、そして半導体材を汚しにく
い。
多孔質の表面に化学反応の結果生じた粒子が捉えられ、
処理される材料（つまり、薄片）を劣化させるところの
多くの汚れは減少する。この汚れは薄片用カゴや試料保
持具の性能に影響な及ぼすことな（炭化珪素構成品から
浄化することができる。炭化珪素製薄片用カゴや試料保
持具を使用することの別の利点は、カゴの構成を損する
ことなくより高温で処理することができるということで
ある。表面部分のみが炭化珪素材化する黒鉛構成品と比
べ、完全に炭化珪素材化した黒鉛構成品においては、黒
鉛原子は比較的動きに（く、そして半導体材を汚しにく
い。
高温環境下で珪素原子へさらす時間を長くしても、ある
条件下では、黒鉛構成品を炭化珪素構成品に完全に変え
るのは困難である。部分的にしか炭化珪素化していない
黒鉛構成品を冷却しくある例では室温まで）、そしてそ
れを高温環境下にて一酸化珪素分子源にさらすと、黒鉛
材がもつと完全に炭化珪素化することが見出された。
条件下では、黒鉛構成品を炭化珪素構成品に完全に変え
るのは困難である。部分的にしか炭化珪素化していない
黒鉛構成品を冷却しくある例では室温まで）、そしてそ
れを高温環境下にて一酸化珪素分子源にさらすと、黒鉛
材がもつと完全に炭化珪素化することが見出された。
半導体や他の材料における純度を上げることに対する要
求がふえつつあるので、被処理材を保護するための構成
品の汚れを可及的に少な（しようとの要望が強くなって
きた。不純物のない薄片用カゴや試料保持具を得るため
、黒鉛構成品は脱ガス工程に付される。同様に、高純度
一酸化珪素源が備えられる。炭化珪素化のための環境の
ためには、高純度黒鉛容器または同様の不純物のない容
器が備えられる。このようにして炭化珪素構成品薄片用
カゴまたは試料保持具によって保護される半導体または
他の材料の処理過程での汚れのもととなるべき不純物の
比較的少ない構成品が得られる。しかし、前述の炭化珪
素構成品を提供するための技術は半導体工業においての
み用いられるものではないことは自明である。
求がふえつつあるので、被処理材を保護するための構成
品の汚れを可及的に少な（しようとの要望が強くなって
きた。不純物のない薄片用カゴや試料保持具を得るため
、黒鉛構成品は脱ガス工程に付される。同様に、高純度
一酸化珪素源が備えられる。炭化珪素化のための環境の
ためには、高純度黒鉛容器または同様の不純物のない容
器が備えられる。このようにして炭化珪素構成品薄片用
カゴまたは試料保持具によって保護される半導体または
他の材料の処理過程での汚れのもととなるべき不純物の
比較的少ない構成品が得られる。しかし、前述の炭化珪
素構成品を提供するための技術は半導体工業においての
み用いられるものではないことは自明である。
前述のことは、好適な実施態様を例示するためのもので
あって、発明の範囲を制限するためのものではない。発
明の範囲は、特許請求の範囲によってのみ制限されるべ
きである。当業者なら、前述のことから、本発明の精神
や範囲の及ぶ技術に係る幾多の変更を自ずからなしうる
筈である。
あって、発明の範囲を制限するためのものではない。発
明の範囲は、特許請求の範囲によってのみ制限されるべ
きである。当業者なら、前述のことから、本発明の精神
や範囲の及ぶ技術に係る幾多の変更を自ずからなしうる
筈である。
第１図は、実質的に随意の構造の、全て炭化珪素より成
る試料保持具または薄片用カゴについての処理法を示す
ブロック図である。 図面の浄−、！Ｆ・′内容に変更なし）Ｆ／（ａ ／
。 手続捕ｉＥ書（方式） 平成 元年 １月ノア日 昭和６３年特許願第２３９５７１号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 サラステック・インコーホレーテッド４、代
理人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手
町ビル ２０６区 ６、補正の対象 −つｎ１
る試料保持具または薄片用カゴについての処理法を示す
ブロック図である。 図面の浄−、！Ｆ・′内容に変更なし）Ｆ／（ａ ／
。 手続捕ｉＥ書（方式） 平成 元年 １月ノア日 昭和６３年特許願第２３９５７１号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 サラステック・インコーホレーテッド４、代
理人 住 所 東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手
町ビル ２０６区 ６、補正の対象 −つｎ１
Claims (20)
- （１）反応性環境にさらされる間部材を保護するための
薄片用カゴまたは試料保持具に係る構成品であつて、少
なくとも第一および第二の部分より成る構成品；ただし
、この第一および第二の構成品の部分は全て炭化珪素の
みから成り、前記部材をその中に置くための第一の構造
を有し、そして前記部材を、それが前記反応性環境にさ
らされている間保護するための第二の構造を有する。 - （２）前記構成品の部品が、反応性ガスが前記部材と接
触できるように設けられた複数個の開口を有する、請求
項第（１）に記載の部材を保護するための構成品。 - （３）前記第一および第二の構成品の部分が黒鉛材から
作られ、そして完全に炭化珪素化した、請求項第（１）
に記載の部材を保護するための構成品。 - （４）前記第一および第二の構成品の部分が高温環境下
で一酸化珪素分子源にさらされて炭化珪素化する、請求
項第（１）に記載の部材を保護するための構成品。 - （５）前記一酸化珪素分子の不純物レベルが低い、請求
項第（４）に記載の部材を保護するための構成品。 - （６）前記炭素材製品が炭化珪素化される前に加熱され
、部分真空下におかれる、請求項第（４）に記載の構成
品。 - （７）反応性の環境にさらされる間部材を保護するため
の薄片用カゴおよび試料保持具に係る構成品を製造する
方法であつて、 薄片用カゴまたは試料保持具に係る構成品を黒鉛で作り
；そして この黒鉛製の構成品を実質的に完全に炭化珪素化する、 上記構成品を製造する方法。 - （８）前記炭化珪素化工程が、前記黒鉛製の薄片用カゴ
または試料保持具に係る構成品を高温環境下で珪素原子
源にさらすことより成る、請求項第（７）に記載の薄片
用カゴおよび試料保持具を製造する方法。 - （９）黒鉛の炭化珪素化が実質的に不完全な場合、前記
薄片用カゴまたは試料保持具を冷却する工程と、これら
を高温環境下で一酸化珪素分子源に再びさらす工程とを
さらに含む、請求項第（８）に記載の薄片用カゴおよび
試料保持具に係る構成品を製造する方法。 - （１０）前記薄片用カゴおよび試料保持具を炭化珪素化
した後にその寸法を修正する工程をさらに含む、請求項
第（８）に記載の薄片用カゴおよび試料保持具に係る構
成品を製造する方法。 - （１１）上記炭化珪素化化工程の前に、前記薄片用カゴ
または試料保持具に係る構成品を脱ガスする工程をさら
に含む、請求項第（７）に記載の薄片用カゴおよび試料
保持具の構成品を製造する方法。 - （１２）上記炭化珪素化化工程の前に、前記薄片用カゴ
または試料保持具に係る構成品を脱ガスする工程をさら
に含む、請求項第（８）に記載の薄片用カゴおよび試料
保持具の構成品を製造する方法。 - （１３）高純度の一酸化珪素分子源を用いる工程をさら
に含む、請求項第（１２）に記載の薄片用カゴおよび試
料保持具に係る構成品を製造する方法。 - （１４）前記炭化珪素化工程が低不純物の環境下で行わ
れる工程をさらに含む、請求項第（１３）に記載の薄片
用カゴおよび試料保持具に係る構成品を製造する方法。 - （１５）実質的に前記炭化珪素構成品の形態を有する黒
鉛構成品より成る炭化珪素構成品；ただし、前記黒鉛構
成品の黒鉛は完全に炭化珪素化し、前記炭化珪素構成品
となる。 - （１６）前記黒鉛が、高温環境下で一酸化珪素分子源に
さらされることによつて炭化珪素化する、請求項第（１
５）に記載の炭化珪素構成品。 - （１７）前記黒鉛構成品が、一酸化珪素分子源にさらさ
れた後に冷却され、そして前記高温環境下で一酸化珪素
分子源に再びさらされる、請求項（１６）に記載の炭化
珪素構成品。 - （１８）前記黒鉛構成品が、前記一酸化珪素源にさらさ
れる前に部分真空中で加熱される、請求項第（１７）に
記載の炭化珪素構成品。 - （１９）前記第一および第二の構成品の部分が、前記一
酸化珪素分子にさらされる前に部分圧力のもとで加熱さ
れる、請求項第（４）に記載の部材を保護するための構
成品。 - （２０）前記第一および第二の構成品の部分が、前記一
酸化珪素分子にさらされた後に冷却され、そしてその後
前記一酸化珪素分子に再びさらされる、請求項第（４）
に記載の部材を保護するための構成品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10096187A | 1987-09-25 | 1987-09-25 | |
| US100961 | 1987-09-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165138A true JPH01165138A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=22282427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63239571A Pending JPH01165138A (ja) | 1987-09-25 | 1988-09-24 | 半導体材料を処理するための炭化珪素製試料保持具および薄片用カゴとその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0309272A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01165138A (ja) |
| KR (1) | KR890005833A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994025980A1 (fr) * | 1993-04-27 | 1994-11-10 | Kyushu Komatsu Electronics Co., Ltd. | Boitier utile pour encapsuler une tranche de semiconducteur |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4978567A (en) * | 1988-03-31 | 1990-12-18 | Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. | Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same |
| US6171400B1 (en) | 1998-10-02 | 2001-01-09 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3634116A (en) * | 1969-06-02 | 1972-01-11 | Dow Corning | Silicon-carbide-encased graphite articles and their production |
| DE2123572A1 (en) * | 1971-05-12 | 1972-11-23 | Nippon Oil Seal Industry Co., Ltd., Fujisawa, Kanagawa (Japan) | Silicon carbide articles - by silicon carburising specific carbon articles with silicon monoxide gas |
| CA971465A (en) * | 1972-05-17 | 1975-07-22 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for making elongated si and sic structures |
| DE2349512C3 (de) * | 1973-10-02 | 1978-06-08 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von Halterungen aus Silicium oder Siliciumcarbid für Diffusions- und Temperprozesse |
| JPS5277590A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Toshiba Corp | Semiconductor producing device |
| US4513030A (en) * | 1982-06-18 | 1985-04-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of producing silicon carbide articles |
| JPS59174576A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-10-03 | 日立化成工業株式会社 | ＳｉＣ治具 |
-
1988
- 1988-09-23 EP EP88308859A patent/EP0309272A3/en not_active Withdrawn
- 1988-09-24 JP JP63239571A patent/JPH01165138A/ja active Pending
- 1988-09-24 KR KR1019880012410A patent/KR890005833A/ko not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994025980A1 (fr) * | 1993-04-27 | 1994-11-10 | Kyushu Komatsu Electronics Co., Ltd. | Boitier utile pour encapsuler une tranche de semiconducteur |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890005833A (ko) | 1989-05-17 |
| EP0309272A3 (en) | 1990-03-07 |
| EP0309272A2 (en) | 1989-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3433392B2 (ja) | クリーニングガス及び真空処理装置のクリーニング方法 | |
| US4159917A (en) | Method for use in the manufacture of semiconductor devices | |
| US6825123B2 (en) | Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby | |
| US4619798A (en) | Method of manufacturing parts for use to the heat processing furnace | |
| JP4039385B2 (ja) | ケミカル酸化膜の除去方法 | |
| JPH0817163B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH08188468A (ja) | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 | |
| TWI235407B (en) | Wafer and the manufacturing and reclaiming method therefor | |
| KR102017138B1 (ko) | 탄화규소 제품의 재생 방법 및 재생된 탄화규소 제품 | |
| JPH08188408A (ja) | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 | |
| JPH01165138A (ja) | 半導体材料を処理するための炭化珪素製試料保持具および薄片用カゴとその製造方法 | |
| JPH06188163A (ja) | 半導体装置作製用ＳｉＣ単結晶基板とその製造方法 | |
| JP2002517899A (ja) | 半導体素子の製法 | |
| JP3422345B2 (ja) | タングステン膜の形成方法 | |
| JPH10199848A (ja) | 炭化ケイ素ウエハの表面汚染除去方法および炭化ケイ素ウエハ | |
| JP4925152B2 (ja) | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 | |
| JP2005197534A (ja) | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 | |
| JP4529424B2 (ja) | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 | |
| JP3063116B2 (ja) | 化学的気相成長方法 | |
| JPH0867581A (ja) | 半導体用治工具及びその製造方法 | |
| JPH09162146A (ja) | 半導体用治工具の清浄化方法 | |
| JPS6310576B2 (ja) | ||
| JP3354947B2 (ja) | 半導体基板の製法 | |
| JPH05217902A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH10317146A (ja) | クリーニングガス及びエッチングガス |