JPH01166082A - 表面状態検査装置 - Google Patents
表面状態検査装置Info
- Publication number
- JPH01166082A JPH01166082A JP32432887A JP32432887A JPH01166082A JP H01166082 A JPH01166082 A JP H01166082A JP 32432887 A JP32432887 A JP 32432887A JP 32432887 A JP32432887 A JP 32432887A JP H01166082 A JPH01166082 A JP H01166082A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- surface condition
- reticle
- optical waveguide
- inspection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は表面状態検査装置に関し、特に半導体製造装置
で使用されるマスク、レチクル、ウェハー面上の欠陥や
異物を高精度に検出する光検出系を有する表面状態検査
装置に関するものである。
で使用されるマスク、レチクル、ウェハー面上の欠陥や
異物を高精度に検出する光検出系を有する表面状態検査
装置に関するものである。
(従来の技術)
半導体焼付は装置により、レチクル又はマスクからウェ
ハー面上にパターンを転写する際、ゴミ等の欠陥がレチ
クル、マスクの上に付いていると、本来のレチクル、マ
スクのパターン以外の欠陥の形も焼きつけることになる
。したかつて、前記レチクル、マスク上のゴミを検出し
、除去しなければならない。その為、近年該ゴミの有無
の判別だけでなくゴミがレチクル、マスクのどの面に付
着しているかを迅速かつ正確に知ることが要求されてい
る。
ハー面上にパターンを転写する際、ゴミ等の欠陥がレチ
クル、マスクの上に付いていると、本来のレチクル、マ
スクのパターン以外の欠陥の形も焼きつけることになる
。したかつて、前記レチクル、マスク上のゴミを検出し
、除去しなければならない。その為、近年該ゴミの有無
の判別だけでなくゴミがレチクル、マスクのどの面に付
着しているかを迅速かつ正確に知ることが要求されてい
る。
第5図は従来のペリクル付レチクルの検査方式の一例を
示す概略図である。
示す概略図である。
本構成例はレチクル及びペリクル面に対し、斜め上方か
らレーザービームを入射した場合を示している。同図に
おいて、1はレーザービーム、2はレチクルで該レチク
ル2に対してペリクル3゜4を装着している。5a、5
b、5c、5dはセルフォックレンズ、6a、6b、6
c、6dは視野絞り、7a、7b、7c、7dはファイ
バーから成るライトガイド、8a、8b、8c、8dは
受光素子である。添字a、b、c、dを付加した部材の
内、同じ添字の部材で一つの光検出系を構成している。
らレーザービームを入射した場合を示している。同図に
おいて、1はレーザービーム、2はレチクルで該レチク
ル2に対してペリクル3゜4を装着している。5a、5
b、5c、5dはセルフォックレンズ、6a、6b、6
c、6dは視野絞り、7a、7b、7c、7dはファイ
バーから成るライトガイド、8a、8b、8c、8dは
受光素子である。添字a、b、c、dを付加した部材の
内、同じ添字の部材で一つの光検出系を構成している。
該光検出系は6−1.6−2.6−3.6−4の4つ有
り、夫々ペリクル上面3、レチクル裏面2−1、レチク
ルパターン面2−2、ペリクル下面4の検査を行なう。
り、夫々ペリクル上面3、レチクル裏面2−1、レチク
ルパターン面2−2、ペリクル下面4の検査を行なう。
レーザービームはポリゴンミラーあるいはガルバノミラ
−等の振動素子で、レチクル2やペリクル3,4の面上
を紙面と直交する方向に走査している。
−等の振動素子で、レチクル2やペリクル3,4の面上
を紙面と直交する方向に走査している。
このときの光学系の調整としては各面上においてセルフ
ォックレンズ5a等によってできるレーザービームの走
査線の像が視野絞り6a等の開口(矩形状)の長手方向
と一致する様に、そして視野絞り6a等を通過した欠陥
や異物からの散乱光束がケラレることなく受光素子8a
に伝わる様にライトガイド7aの入射端面な視野絞り6
a等の開口にアライメントする必要がある。
ォックレンズ5a等によってできるレーザービームの走
査線の像が視野絞り6a等の開口(矩形状)の長手方向
と一致する様に、そして視野絞り6a等を通過した欠陥
や異物からの散乱光束がケラレることなく受光素子8a
に伝わる様にライトガイド7aの入射端面な視野絞り6
a等の開口にアライメントする必要がある。
又、同図に示す構成において、例えばレチクル裏面2−
1上の異物等の散乱光は光検出系6−2だけて受光され
、他の光検出系6−1.6−3゜6−4においては各視
野絞り6a、6c、6dによってケラレる為、受光され
ない。
1上の異物等の散乱光は光検出系6−2だけて受光され
、他の光検出系6−1.6−3゜6−4においては各視
野絞り6a、6c、6dによってケラレる為、受光され
ない。
このように各検出面毎に光検出系を配置することにより
、異物等の装着している面を判別できる。
、異物等の装着している面を判別できる。
第6図は従来の表面状態検査装置の他の例を示す概略図
である。同図において、第5図と同じ要素には同一番号
を付している。
である。同図において、第5図と同じ要素には同一番号
を付している。
本構成例はレチクル2及びペリクル3,4に対して垂直
にビームを入射した場合であり、原理は第5図の場合と
同じである。
にビームを入射した場合であり、原理は第5図の場合と
同じである。
第5図及び第6図の例においては、何れもセルフォック
レンズを用いているがこれをシリンドリカルレンズ、或
はバーレンズに置き換えても良い。又、ライトガイドで
直接受光しても良い。
レンズを用いているがこれをシリンドリカルレンズ、或
はバーレンズに置き換えても良い。又、ライトガイドで
直接受光しても良い。
以上説明したような表面状態検査装置に必要とされる重
要な性能の一つとして、ビームの走査線上に同じ異物が
あった場合に、同じ出力として検知する検出感度の一様
性がある。
要な性能の一つとして、ビームの走査線上に同じ異物が
あった場合に、同じ出力として検知する検出感度の一様
性がある。
ところか第5図に示した光検出系6−1等は視野絞りの
直後にライトガイドを配置している為、一部のライトガ
イドに断線があったり、個々のライトガイドの端面処理
が均一にできていない場合には、レーザーの走査線上で
均一な出力か得られなくなる。
直後にライトガイドを配置している為、一部のライトガ
イドに断線があったり、個々のライトガイドの端面処理
が均一にできていない場合には、レーザーの走査線上で
均一な出力か得られなくなる。
すなわち、この種の装置は受光散乱光の強さで異物等の
大きさを判定している為、前記の如くライトカイトに欠
陥があると、同じ異物があっても、走査面上の場所によ
って違う大きさの異物として判定されてしまう。又、検
出限界にある異物を走査面上で検出し損うという欠点が
あった。
大きさを判定している為、前記の如くライトカイトに欠
陥があると、同じ異物があっても、走査面上の場所によ
って違う大きさの異物として判定されてしまう。又、検
出限界にある異物を走査面上で検出し損うという欠点が
あった。
更に、前記の如くライトガイドの部品欠陥がない場合で
も、受光素子の受光面に感度ムラが有る場合には誤検知
の原因となる。
も、受光素子の受光面に感度ムラが有る場合には誤検知
の原因となる。
ライトガイドが完全にランダムに束ねられているとすれ
ば、レーザー走査線上の一点からでた異物散乱光は受光
素子の受光面全面に広がり、検出場所による出力ムラは
ないはずである。
ば、レーザー走査線上の一点からでた異物散乱光は受光
素子の受光面全面に広がり、検出場所による出力ムラは
ないはずである。
ところが実際にはライトガイドを完全にランダムに束ね
ることは困難である為、走査面上の異物のある位置によ
って受光素子の受光面上に散乱光があたる部分が異なっ
てくる。
ることは困難である為、走査面上の異物のある位置によ
って受光素子の受光面上に散乱光があたる部分が異なっ
てくる。
従って、受光素子の受光面に感度ムラがあると出力ムラ
か生してしまう。
か生してしまう。
これらの問題を解決するものとして、例えば特開昭61
−105447がある。
−105447がある。
これによると第7図に示すように、入射開口部が長方形
の光導波部材を該入射開口部の長手方向がビームの走査
方向と略一致するように該被測定面に対向させて配置し
、該光導波部材を介して該被測定面からの反射光、もし
くは透過光を受光するようにした事である。
の光導波部材を該入射開口部の長手方向がビームの走査
方向と略一致するように該被測定面に対向させて配置し
、該光導波部材を介して該被測定面からの反射光、もし
くは透過光を受光するようにした事である。
このような光学部材は次の作用をもっている。
つまり、第8図に示す様に、ビーム走査線(Bl 、
B2 )上の各点PI、P2.P3から発した異物の散
乱光は上記の光導波部材1oの内面を反射しながら通過
していくうちに次第に交錯し、その射出口近傍に置かれ
た受光器(8)の受光面上に殆ど均一にあたる。その結
果、ビーム走査線上のどの位置からの発散光も均一に光
電変換され、検出位置による場所ムラがなくなる。しか
しながら、この光学部材(10)の最大の欠点は、その
射出光束の発散角が広がってしまう点にある。その傾向
は、入射端の断面積と射出端の断面積の比が大きければ
それだけ射出光束の発散角は大きくなってしまう。
B2 )上の各点PI、P2.P3から発した異物の散
乱光は上記の光導波部材1oの内面を反射しながら通過
していくうちに次第に交錯し、その射出口近傍に置かれ
た受光器(8)の受光面上に殆ど均一にあたる。その結
果、ビーム走査線上のどの位置からの発散光も均一に光
電変換され、検出位置による場所ムラがなくなる。しか
しながら、この光学部材(10)の最大の欠点は、その
射出光束の発散角が広がってしまう点にある。その傾向
は、入射端の断面積と射出端の断面積の比が大きければ
それだけ射出光束の発散角は大きくなってしまう。
受光素子は通常、受光配向角をもっていて、受光面の法
線に大きな角度でとび込んでくる光束に対しては感度が
低いという特性をもっている。
線に大きな角度でとび込んでくる光束に対しては感度が
低いという特性をもっている。
従って、見かけ上光束の均一化を計っても、光電出力を
とった場合、検出の場所ムラが発生してしまうという欠
点があった。
とった場合、検出の場所ムラが発生してしまうという欠
点があった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、マスク、レチクル等の被測定面の表面状態を
一定の検出感度で検査することができ、又、受光素子の
受光面の感度ムラの影響を受けることもなく、高精度で
異物等の検出が可能な表面状態検査装置の提供を目的と
する。
一定の検出感度で検査することができ、又、受光素子の
受光面の感度ムラの影響を受けることもなく、高精度で
異物等の検出が可能な表面状態検査装置の提供を目的と
する。
(問題点を解決するための手段)
被検面を光ビームで走査し、被検面からの散乱光を光検
出器で受光することにより被検面の表面状態を測定する
装置であって、前記散乱光の光路中に前記散乱光を拡散
光させて伝達する伝達部材と該伝達部材から射出する拡
散光を収れんする集光レンズとを配設し、該集光レンズ
を介して前記散乱光を光検出器で検出することである。
出器で受光することにより被検面の表面状態を測定する
装置であって、前記散乱光の光路中に前記散乱光を拡散
光させて伝達する伝達部材と該伝達部材から射出する拡
散光を収れんする集光レンズとを配設し、該集光レンズ
を介して前記散乱光を光検出器で検出することである。
(実施例)
第1図は本発明の第1の実施例の概略図。同図(A)は
ビームの走査断面における概略図。同図(B)はそれと
直交する断面図。第8図と違う点は先導波路10の光束
射出口側に凸レンズ(13)を接着した構成である。図
かられかる様に、凸レンズ13の屈折作用により射出光
束の発散角は弱められ、受光素子8により垂直に近い角
度で受光される。
ビームの走査断面における概略図。同図(B)はそれと
直交する断面図。第8図と違う点は先導波路10の光束
射出口側に凸レンズ(13)を接着した構成である。図
かられかる様に、凸レンズ13の屈折作用により射出光
束の発散角は弱められ、受光素子8により垂直に近い角
度で受光される。
この際、凸レンズ13の形状としては、同図(A)のよ
うにビームの走査断面内の曲率は正のパワーをもつ事が
必要であるが、同図(B)に示すようにこれと直交する
断面内の曲率は必ずしもこれと同じである必要はなく、
平面でもいい。つまり、屈折光学素子13はシリンドリ
カルレンズかトーリックレンズでもいい。それは上記2
断面内での射出光束の発散角を元に決めればいい。
うにビームの走査断面内の曲率は正のパワーをもつ事が
必要であるが、同図(B)に示すようにこれと直交する
断面内の曲率は必ずしもこれと同じである必要はなく、
平面でもいい。つまり、屈折光学素子13はシリンドリ
カルレンズかトーリックレンズでもいい。それは上記2
断面内での射出光束の発散角を元に決めればいい。
又、13は光導波路10に接着しなくても、本作用をも
つ。
つ。
第2図は本発明の他の実施例を示す概略図である。
本実施例は第5図の従来例に本発明を適用したものであ
る。同図において、第5図と同一要素には同一番号を付
している。第1図に示す実施例においては各々の検査面
上のレーザービーム走査線上の異物からの散乱光を直接
先導波管の入射開口部に導光して受光していた。しかし
、本実施例においては該散乱光をセルフォックレンズ等
の結像素子5a等により視野絞り68等上に再結像させ
、そこを通過してくる散乱光束を先導波管10a等で均
一化して受光素子8a等に導光するものである。
る。同図において、第5図と同一要素には同一番号を付
している。第1図に示す実施例においては各々の検査面
上のレーザービーム走査線上の異物からの散乱光を直接
先導波管の入射開口部に導光して受光していた。しかし
、本実施例においては該散乱光をセルフォックレンズ等
の結像素子5a等により視野絞り68等上に再結像させ
、そこを通過してくる散乱光束を先導波管10a等で均
一化して受光素子8a等に導光するものである。
本実施例の様な構成にした場合、視野絞り68等を用い
ているので、フレアー光を遮断することができ、検査精
度を上げることができる。
ているので、フレアー光を遮断することができ、検査精
度を上げることができる。
又、セルフォックレンズの開口数が限定されているので
レーザービームの走査線」−の何処の位置についても異
物散乱光の内、所定の角度の光束だけを受光できる。
レーザービームの走査線」−の何処の位置についても異
物散乱光の内、所定の角度の光束だけを受光できる。
このことは特にレチクルのパターン面において、パター
ン回折光を受光せずに、異物散乱光だけを選択的に受光
するような構成にすることが可能である。
ン回折光を受光せずに、異物散乱光だけを選択的に受光
するような構成にすることが可能である。
第3図は本発明の他の実施例を示す概略図である。第1
図、第2図に示す実施例は異物からの散乱光を受光する
構成にしていたが、本実施例ではレーザービームの検査
面上での直接反射光や直接透過光(基板が透過性の時の
み)を受光する構成に本発明を適用したものである。
図、第2図に示す実施例は異物からの散乱光を受光する
構成にしていたが、本実施例ではレーザービームの検査
面上での直接反射光や直接透過光(基板が透過性の時の
み)を受光する構成に本発明を適用したものである。
同図において、1はレーザービーム、2は被測定物とし
ての基板、5e、5fはセルフォックレンズ、6e、6
fは視野絞り、10e、10fは光導波管、8e、8f
は受光素子である。添字eの付く部材で構成している光
検出系8−1は検査面上から直接反射光を受光し、添字
fの付く部材で構成している光検出系8−2は検査面を
透過する直接透過光を受光する。検査面上に異物が無い
場合は、レーザービーム1の該検査面に対する反射光を
受光した受光素子8eの出力と透過光を受光した受光素
子8fの出力との和は一定値であるが、異物等があると
光の吸収、散乱が起きる為、該2つの受光素子の出力の
和は減少する。
ての基板、5e、5fはセルフォックレンズ、6e、6
fは視野絞り、10e、10fは光導波管、8e、8f
は受光素子である。添字eの付く部材で構成している光
検出系8−1は検査面上から直接反射光を受光し、添字
fの付く部材で構成している光検出系8−2は検査面を
透過する直接透過光を受光する。検査面上に異物が無い
場合は、レーザービーム1の該検査面に対する反射光を
受光した受光素子8eの出力と透過光を受光した受光素
子8fの出力との和は一定値であるが、異物等があると
光の吸収、散乱が起きる為、該2つの受光素子の出力の
和は減少する。
従って、その和が減少するという出力の変化を検出する
ことにより異物の検出を高精度に行なうことができる。
ことにより異物の検出を高精度に行なうことができる。
尚、本実施例における光検出系8−1及び8−2は、第
2図の4つの光検出系と同様の構成で同様の効果をもた
らすものである。
2図の4つの光検出系と同様の構成で同様の効果をもた
らすものである。
第4図は本発明の他の一実施例の概略図である。本実施
例は第1図に示す実施例において先導波路10の入射側
にも凸レンズ50を設けている。
例は第1図に示す実施例において先導波路10の入射側
にも凸レンズ50を設けている。
本実施例ではビーム走査線上でライトガイドの光軸00
′から離れた位置(P+、P3)のゴミの散乱光(一般
には非テレセンビームでゴミが照射されるが、その散乱
光はその位置での入射ビームの主光線方向に沿って発散
する。)の方向なガイドの光軸00′に沿う方向に近づ
ける働きをもつ。
′から離れた位置(P+、P3)のゴミの散乱光(一般
には非テレセンビームでゴミが照射されるが、その散乱
光はその位置での入射ビームの主光線方向に沿って発散
する。)の方向なガイドの光軸00′に沿う方向に近づ
ける働きをもつ。
これにより、ガイド内で光が全反射しやすくなり、ライ
トガイド10の光軸方向の長さを短くてき、装置全体の
コンパクト化を図っている。
トガイド10の光軸方向の長さを短くてき、装置全体の
コンパクト化を図っている。
(発明の効果)
本発明に依れば、光検出系の一部に屈折力を有する先導
波管を配置することにより、マスク、レチクル、ペリク
ル等の基板上の表面全体を一定の検出感度で検査するこ
とができ、又、検出限界にある異物等を前記基板上のあ
る部分で検出し損うこともなく、高精度で異物等の検出
を行なうことができる為、半導体製造工程の歩留まりを
高めることが可能な表面状態検査装置を達成することが
できる。
波管を配置することにより、マスク、レチクル、ペリク
ル等の基板上の表面全体を一定の検出感度で検査するこ
とができ、又、検出限界にある異物等を前記基板上のあ
る部分で検出し損うこともなく、高精度で異物等の検出
を行なうことができる為、半導体製造工程の歩留まりを
高めることが可能な表面状態検査装置を達成することが
できる。
第1図(八)、(B) 、第2図、第3図、第4図は各
々本発明の各実施例を示す概略図、第5図。 第6図、第7図、第8図は従来の表面状態検査装置を示
す概略図である。 図中、1はレーザービーム、2はレチクル、3及び4は
ペリクル、8a、8b、8c、8dは受光素子、5a、
5b、5c、5d、5e、5fはセルフォックレンズ、
6a、6b、6c、6d。 6e、6fは視野絞り、to、11,12゜10a、1
0b、10c、10d、10e。 10fは光導波管、13.50は凸レンズ、14ばファ
イバーである。 特許出願人 キャノン株式会社
々本発明の各実施例を示す概略図、第5図。 第6図、第7図、第8図は従来の表面状態検査装置を示
す概略図である。 図中、1はレーザービーム、2はレチクル、3及び4は
ペリクル、8a、8b、8c、8dは受光素子、5a、
5b、5c、5d、5e、5fはセルフォックレンズ、
6a、6b、6c、6d。 6e、6fは視野絞り、to、11,12゜10a、1
0b、10c、10d、10e。 10fは光導波管、13.50は凸レンズ、14ばファ
イバーである。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (5)
- (1)被検面を光ビームで走査し、被検面からの散乱光
を光検出器で受光することにより被検面の表面状態を測
定する装置であって、前記散乱光の光路中に前記散乱光
を拡散光させて伝達する伝達部材と該伝達部材から射出
する拡散光を収れんする集光レンズとを配設し、該集光
レンズを介して前記散乱光を光検出器で検出することを
特徴とする表面状態検査装置。 - (2)前記光伝達部材は入射開口部の長手方向が光ビー
ムの走査方向と一致する様な入射開口部を具えた光導波
部材から成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の表面状態検査装置。 - (3)前記光導波部材の入射開口部と射出開口部は面積
が略等しい異った形状より構成されていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の表面状態検査装置。 - (4)前記光導波部材は射出開口部からの射出光束の光
量分布が均一となるような形状より構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表面状態検査
装置。 - (5)前記集光レンズは光ビームの走査方向と直交する
方向に母線をもつシリンドリカルレンズから成ることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表面状態検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32432887A JPH01166082A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 表面状態検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32432887A JPH01166082A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 表面状態検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166082A true JPH01166082A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18164561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32432887A Pending JPH01166082A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 表面状態検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01166082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009020466A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Ricoh Co Ltd | 真空チャンバ装置、静電潜像形成装置、静電潜像測定装置、及び画像形成装置 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP32432887A patent/JPH01166082A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009020466A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Ricoh Co Ltd | 真空チャンバ装置、静電潜像形成装置、静電潜像測定装置、及び画像形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0500293B1 (en) | Particle detection method and apparatus | |
| US4737650A (en) | Inspection apparatus | |
| US5963316A (en) | Method and apparatus for inspecting a surface state | |
| KR101446061B1 (ko) | 투명 기판의 표면 패턴 불량 측정 장치 | |
| US6795185B2 (en) | Film thickness measuring apparatus | |
| US20140250679A1 (en) | Optical inspection apparatus and optical inspection system | |
| JPS6273143A (ja) | 光学式ウエブ監視装置 | |
| CN115803608B (zh) | 异物/缺陷检查装置、异物/缺陷检查中的图像生成装置以及异物/缺陷检查方法 | |
| JP2009008643A (ja) | 光走査式平面検査装置 | |
| EP0447991B1 (en) | Apparatus for measuring the distribution of the size of diffraction-scattering type particles | |
| JP3997761B2 (ja) | 照明光学装置およびそれを備えた検査装置 | |
| JPH06500401A (ja) | 光検出装置 | |
| KR102728857B1 (ko) | 이물·결함 검사 장치, 이물·결함 검사에서의 화상 생성 장치, 및 이물·결함 검사 방법 | |
| CN120275280A (zh) | 一种双焦面成像系统以及多向分束器 | |
| US5706081A (en) | Apparatus for inspecting surface defects with regularly reflected light and peripherally scattered light | |
| CN112955710A (zh) | 用于确定至少一个对象的位置的探测器和方法 | |
| JPH11142241A (ja) | 分光透過率測定装置 | |
| US7505151B2 (en) | Arrangement for the optical distance determination of a reflecting surface | |
| JP2006214886A (ja) | 光学素子の欠陥検出方法および欠陥検出装置 | |
| JP7850357B2 (ja) | 消光比測定装置 | |
| CN221686184U (zh) | 一种双焦面成像系统以及多向分束器 | |
| JPH09281054A (ja) | ディスク表面検査方法とその装置 | |
| JPH04277643A (ja) | 透明基板の光学的検査装置 | |
| JPS62274248A (ja) | 表面状態測定装置 | |
| JPH0247541A (ja) | 表面状態測定装置 |