JPH01166343A - レーザパワー制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザパワー制御回路に関し、例えば、光磁気
ディスク装置やライトワンスの光デイスク装置に適用し
得るものである。

［従来の技術］ 従来、レーザ光を利用した記録可能な光デイスク装置と
して光磁気ディスク装置がある。

この光磁気ディスク装置における記録動作は、光磁気デ
ィスクの垂直磁化膜を同一方向に予め磁化しておき、か
つ、補助磁石で磁化膜の磁化と逆方向の磁界をかけてお
き、その状態においてレーザ光を照射して磁化膜の温度
をキュリー点温度を越えさせて照射位置の磁化膜の磁化
を一旦消失させ、その後に、レーザ光の照射位置がずれ
て行き、温度がキュリー点温度以下になったとき補助磁
石による磁界方向に磁化して記録させるようにしている
。

光磁気ディスクを一定角速度で回転させながら、記録す
る方式（ＣＡＶ方式）では、半導体レーザと補助磁石を
組み合わせた記録ヘッド（光ピツクアップ）を、光磁気
ディスクの径方向に記録したいトラックまでスライドさ
せ、トラッキングサーボをかけて、トラック上をビーム
がトレースするようにし、磁化を反転させたい部分がヘ
ッド上を通過したとき、レーザ出力レベルをスレッシュ
ホールドレベル（磁化膜をキュリー点温度にまで加熱し
得る出力レベル）以上に上げ（このレーザ出力レベルを
ピークパワーと呼ぶ）、それ以外では照射位置に関係な
くスレッシュホールドレベル以）−の一定レベルにして
おく（このレーザ出力レベルをボトムパワーと呼ぶ）。

このようなレーザパワーの増減の繰り返しによって、記
録を行なっている。

［５Ｐ、明が解決しようとする問題点］しかし、この方
法によれば、光磁気ディスクが一定の角速度で回転して
いるため、ヘッド上を通過する媒体の線速度は、内周側
に比べて外周側が速い。そのため、単位面積当りの加熱
量は内周側と外周側とでは異なる。このことにより、レ
ーザ光のパワーが内周部で最適となるように定めたレー
ザパワーで全周に対して記録すると、外周部においては
加熱が不十分になって、Ｃ／Ｎ比（搬送波対雑音比）が
悪くなる恐れがあった。

そこで、外周部でレーザパワーが最適となるようにする
ことも考えられるが、この場合には、外周部は線速度が
速いので大出力を必要とし、レーザの定格を越えること
も起り得て、レーザの寿命を短くすると共に、Ｃ／Ｎ比
を悪化させる恐れがある。

本発明は、以上の点を考慮してなされたもので、低いピ
ークパワーでＣ／Ｎ比が比較的良好に、記録可能とした
。しかも、半導体レーザの信頼性を高めることのできる
レーザパワー制御回路を提供しようとするものである。

［問題点を解決するための手段］ かかる問題点を解決するため、本発明においては、レー
ザ加熱による熱現象が利用されて記録がなされる定角速
度で回転される光記録媒体に対し、照射される半導体レ
ーザから照射されたレーザ光のパワーを制御するレーザ
パワー制御回路において、上記光記録媒体上におけるレ
ーザ照射位置を検出する照射位置検出手段と、記録信号
の一方の論理レベルに対応したレーザパワーの底値レベ
ルを、上記照射位置検出手段からの検出信号に応じて、
上記位置が上記光記録媒体の内周部にある場合には低く
すると共に、外周部にある場合には高くするレーザパワ
ー可変手段とを備えた。

［作用］ 記録モード時、記録信号の一方の論理レベルに対しては
、スレッシュホールドレベル以上のレーザ出力を取り出
すようにレーザにピーク電流を流すが、他方の論理レベ
ルに対しては、逆にスレッシュホールドレベルを越えな
いように底値電流を流す。このとき、一定速回転する光
記録媒体の照射径位置を照射径位置検出手段が検出して
その検出信号に応じてレーザパワー可変手段が内周より
も外周はど当該底値電流を限度内に上昇させることで、
媒体に常時照射される平均エネルギーが外周はど上昇す
るため、所定の記録部分の媒体の温度を上昇させるのに
必要なエネルギーの増加分であるピークパワーを外周部
においても比鮫的小さく押えることができレーザ寿命を
のばすことができる。また、早く媒体の温度を上昇させ
るため、記録ミスを減少させることでＣ／Ｎ比を改善す
ることができる。

［実施例コ 以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら詳述する
。

第１実施例として、第１図において、半導体レーザ１に
合成電流ｉＬ３を流すことによって、レーザ光が照射さ
れる。フォトダイオード２はこのレーザ光の一部をモニ
タ用として受光して、光電変換して受光電流ＬＭを流す
。なお、この受光電流ｉＭは、半導体レーザ１の出力に
比例した電流波形を持つ。この受光電流ｉＭと、後述す
る基準電流とが比較回路３に与えられて比較される。

この比較回路３の出力信号である差分信号５ＵＢ１は、
平均値回路７で平均され、平均差分信号５ＵＢ２として
電流ドライバ回路８に与えられ、半導体レーザ１に流れ
る直流成分電流ｉＬ１を安定させるように制御する。

なお、積分回路９は、当該直流成分電流ｉＬ１のノイズ
成分を吸収させるものであり、また、コイル１０は後述
する方形波ドライバ回路１１による電流ｉＬ２の影響を
電流ドライバ回路８や積分回路９が受けないようにする
ものである。

方形波ドライバ回ｊｌＩ１１１は、記録モードのとき記
録信号に応じた論理レベルをとる方形波電流ｉＬ２を半
導体レーザ１に流すものである。

従って、半導体レーザ１には電流ドライバ回路８による
電流ｉＬ１及び方形波ドライバ回路１１による電流ｉＬ
２が重畳されて、かつクリップ回路１２によってこの２
つの合成電流のピークレベルが、半導体レーザの定格を
越えない一定値でクリップされて流されている。

ここで、比較回路３に対する基準電流は。基準電流源５
または可変基準電流源６からスイッチ回路４を介して与
えられる。スイッチ回路４は、再生モードのとき基準電
流源５を、記録モードのとき基準電流源６を選択するよ
うになされている。

基準電流源５は再生モード時の直流電流ｉＬ５を規定す
るむのであり、光磁気ディスク上の記録情報を消失しな
い程度のレーザパワーとなるようにその値が選定されて
いる。

他方、可変電流源６は、記録モード時の直流レベルを規
定するものであり、ピックアップ位置検出回路１３によ
る検出信号により、ピックアップの位置が、内周から外
周に向かうに従いその直流レベルが連続的に増加するよ
うに供給電流を変化させるものである。このようにした
のは、線速度に応じてボトムパワーを上げて照射位置近
傍に余勢効果を生じさせてビークパワー時に迅速にキュ
リー点温度を越えさせるようにするためである。

第２図は半導体レーザに流れるクリップされた合成電流
ｉＬ３の時間軸波形を表す。横軸を時間、縦軸を電流値
とする。時間Ｔ１は再生モード時間Ｔ２及び時間Ｔ３は
記録モード時の電流波形を表し、時間Ｔ２はピックアッ
プが光磁気ディスクの内周をトレース中の電流波形を、
時間１゛３は外周部をトレース中の電流波形である。再
生モード中の時間Ｔ１の間は、基準電流源として、スイ
ッチ４によって定電流源５が選択されているので、図の
ように低い一定値トＩの電流ｉＬ１が流れている。

このとき、方形波ドライバ回路１１−は無出力であるの
で電流ｉＬ２は０である。これにより、半導体レーザ１
には電流ｉＬ３’（＝ｉＬ１）のみが流れる。

次に、内周に対して記録動作している時間Ｔ２では、ス
イッチ４により可変電流源６が選択され、ピックアップ
位置検出回路１３からの信号により当該可変電流源６は
、半導体レーザに直流成分電流ｉＬ２がレベルＦになる
ように基準電流ｉＬ６を出力する。方形波ドライバ１１
からは、振幅がＧ〜Ｂレベル間の方形波電流ｉＬ２が流
れる。２つの電流ｉＬ１及びｉＬ２の合成波形は図のよ
うになり、ピーク電流値Ｂは、光磁気ディスクの磁　・
化方向を変えるのに必要な最小レーザパワーとする電流
値であるスレッシュホールドレベルＣを越えるようにな
る。これにより光磁気ディスクの所定部分のみの磁化を
反転させ、他の部分の磁化方向は変更しないようにして
いる。

次に、時間Ｔ３のピックアップが外周部をトレース中で
は、可変電流源６から直流成分電流ｉＬ１が内周部の直
流レベルＦより大きいレベルＥとなる基準電流が出力さ
れ、これに方形波ドライバ回路１１より上記と同様の振
幅を持つ方形波電流ｉＬ２が流れる。この結果、２つの
電流ｉＬ１とｉＬ２の合成電流は点線のようにピーク電
流値がレベルＡとなる電流となるが、クリップ回路１２
によって実線のようにクリップされ最大値がレベルＢと
なる合成電流ｉＬ３が半導体レーザ１に流れる。

ただし、この可変電流源６の出力電流ｉＬ６は合成電流
ｉＬ３の底値レベルＤがスレッシュホールドレベルＣを
越えないようにする電流レベルとする。

従って、上述の実施例によれば、記録モードのレーザ光
のボトムパワーをアクセス位置に応じて変化させるよう
にしたので、アクセス位置の線速度が変化しても出力の
小さい半導体レーザ１を用いて全面に対して良好に記録
させることができる。

以上の第１実施例では、半導体レーザに流す電流ｉＬ３
のピーク値を、クリップ回路１２によりピーク値をピッ
クアップのトレース位置に関係なく、常に一定とするよ
うにクリップしていたが、第２実施例として、第３図に
示すようにスイッチ４によって再生モード時には定電流
源５を選択し、記録モード時には、定電流源１５を選択
し、電流比較回路３〜コイル１０でなる直流安定化ルー
１１６を介した定電流ｉＬ１を２段階にのみ変化させる
。方形波ドライバ回路１１からは第１実施例と同様の交
流方形波電流ｉＬ２が出力される。この２つの電流ｉＬ
１及びｉＬ２の合成電流ｉＬ３は、ピックアップ位置検
出回路１３がらの位置検出信号によりゲインコントロー
ル回路１４で、増幅度を光磁気ディスクの内周から外周
に向がって連続的に大きくさせ、しかも記録時にレーザ
出力の底値レベルがスレッシュホールドを越えないよう
にかつピークレベルが半導体レーザ１の出力定格を越え
ないように、合成電流ｉＬ３を増幅して半導体レーザ１
に流す。

これにより、半導体レーザ１を流れる電流の波形は第４
図のようになる。第４図で時間′Ｉ゛１は再生モードで
、第１実施例と同様に定電流流ｉＬｌのみが流れている
。時間Ｔ２では、方形波ドライバ回路からの方形波電流
ｉＬ２に直流電流１１−１を重畳した合成電流ｉＬ３の
ピークレベルＢがスレッシュホールドレベルＣを越える
ようにゲインコントロールされる。また、最低レベルＥ
が再生レベルより上昇するように直流定電流源１５より
定電流ｉＬ１が出力される。時間Ｔ３では、時間Ｔ２で
の合成電流ｉＬ３を上記のようにゲインコントロール回
路１４で増幅させてピークレベルＡが上昇すると共に、
底値レベルＤもスレッシュボールドレベルＣを越えない
ように上昇させる。

この第２実施例においても、上述の第１実施例と同様な
効果が得られる。

なお、本発明は、上述の第１及び第２実施例に限定され
るものではなく、レーザ光のボトムパワーを内周と外周
とで可変できるものであればいかなる構成であっても良
い。

また、上述の実施例においては、ボトムパワーを内周か
ら外周に連続的に変化させるものを示したが、数段階で
変化させるようにしても良い。

［発明の効果］ 以上のように、本発明によれば、記録モード時の一定角
速度で回転する記録媒体の内周から外周に向かって、半
導体レーザのボトムパワーをスレッシュホールドレベル
を越えないように連続増加させることで、低出力の半導
体レーザを用いている場合でも光記録媒体の所定の記録
部分の温度を素早くキュリー点温度を越えるようにでき
る。また、外周でのピークパワーの増加を押えて、半導
、体レーザの定格を越えてレーザ出力を上げて記録する
必要がなく、半導体レーザの寿命効率を高められるし、
記録ミスを減少さぜることでＣ／Ｎ比を改善することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるレーザパワー制御回路の第１実施
例を示すブロック図、第２図はその半導体レーザに流す
電流波形図、第３図は第２実施例のブロック図、第４図
はその半導体レーザに流す電流波形図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・フォトダイオード、３
・・・電流比較回路、５．１５・・・定電流源、６・・
・可変電流源、１１・・・方形波ドライバ回路、１２・
・・クリップ回路、１３・・・ピックアップ位置検出回
路、１４・・・ゲインコントロール回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 レーザ加熱による熱現象が利用されて記録がなされる定
   角速度で回転される光記録媒体に対し、照射される半導
   体レーザから照射されたレーザ光のパワーを制御するレ
   ーザパワー制御回路において、 上記光記録媒体上におけるレーザ照射位置を検出する照
   射位置検出手段と、 記録信号の一方の論理レベルに対応したレーザパワーの
   底値レベルを、上記照射位置検出手段からの検出信号に
   応じて、上記位置が上記光記録媒体の内周部にある場合
   には低くすると共に、外周部にある場合には高くするレ
   ーザパワー可変手段とを備えたことを特徴とするレーザ
   パワー制御回路。