JPH01166389A - バブル磁区転送パターン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バブルメモ
リ素子のバブル磁区転送パターンに関し、パターンギャ
ップでのスタートストップ特性の向上を目的とし、 パーマロイ等の軟磁性薄膜で形成された非対称シェブロ
ンパターン又はハーフディスクパターンのパターンギャ
ップがバブルの進行方向と直角に配置され、同じ長さの
人口側素片を有する転送路パターンによりマイナループ
の往復転送路が構成され、且つ前記パターンギャップと
平行な面内ホールド磁界を印加する構造を持った磁気バ
ブルメモリ素子において、ホールド磁界によりギャップ
を挟んで対向した出口側素片及び入口側素片に吸引磁極
が誘起され、る方向に配置された転送路パターンの出口
側素片の長さが、反撥磁極が誘起される方向に配置され
た転送路パターンの出口側素片の長さより短かくなるよ
うに構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子のバブル磁区転送パターンに関する。

磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネッ）　（ＧＧＧ）単結晶等の非磁性基板の上
に液相エピタキシャル成長法により磁性ガーネットの薄
膜（磁気バブル結晶）を形成し、その上にパーマロイ等
の軟磁性薄膜を用いたハーフディスク型又は非対称シェ
ブロン型等のパターンを行列させたバブル転送路を形成
したものであり、バブル発生器より情報に従って発生さ
せたバブルを転送路に導き、そのパターンにバブルがあ
る場合を“１°”、ない場合を°“０°°として情報を
記憶するようになっている。

このような磁気バブルメモリ素子では駆動磁界をＯＮ、
　ＯＦＦさせるスタートストップ動作を行なった場合、
バブルのパーマロイパターンからの飛び出し、もしくは
バブルのつぶれによる誤動作が生じる。そのため静的な
面内ホールド磁界をスタートストップする方向に印加し
、駆動磁界が加わっていない時でもパーマロイパターン
にバブルを固定しておくポテンシャルを形成しておくこ
とによりスタートストップ動作の安定化をはかっている
。

一方、近年バブルメモリチップが高密度化されるに伴い
パーマロイパターンサイズが小さくなり、パターンに形
成されるポテンシャルは浅くなる。

そのためスタートストップ動作の安定化が重要な課題と
なっている。

〔従来の技術〕

第３図は従来のバブル磁区転送パターンを示す図であり
、第４図はそのスタートストップ特性を示した図である
。

第３図に示すバブル転送路は、非対称シェブロンパター
ン１を用いた転送路であり、素子がメジャーマイナ構成
の場合のマイナループの一部の往路及び復路を示してい
る。この転送路において、スタートストップ方向が矢印
で示す方向の場合、ストップ時にはバブル２は復路では
パターン山部で止まり、往路ではバブルの安定点が転送
パターン出口Ａ及び入口Ｂの２点に存在するため、バブ
ルの停止位置はＳ＋、Ｓｔ、Ｓｓの３つの状態が生ずる
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のマイナループ往路におけるバブル停止位置のＳ、
−３２のうち、バブルが転送路パターン上にあるＳ、、
Ｓ、の状態は安定な状態であるが、バブルがパターンギ
ャップを移動しているＳ２の状態は不安定であり、この
時回転磁界が止まるとバブルはつぶれ等による誤動作を
起し易くなる。

このためスタートストップ特性は第４図に示すように復
路に対し往路の特性劣化が著しくなる。

本発明は上記問題点に鑑み、スタートストップ特性を向
上したバブル磁区転送路を提供することを目的とするも
のである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、パーマロイ等の軟磁性薄膜で形成された非
対称シェブロンパターン又はハーフディスクパターンの
パターンギャップＧがバブルの進行方向と直角に配置さ
れ、同じ長さの入口側素片Ｂ、Ｂ’を有する転送路パタ
ーン１０　、１０’によりマイナループの往復転送路が
構成され、且つ前記パターンギャップＧと平行な面内ホ
ールド磁界を印加する構造を持った磁気バブルメモリ素
子において、ホールド磁界によりギャップＧを挟んで対
向した出口側素片Ａ′及び入口側素片Ｂ′に吸引磁極が
誘起される方向に配置された転送路パターン１０′の出
口側素片Ａ′の長さが、反撥磁極が誘起される方向に配
置された転送路パターン１０の出口側素片Ａの長さより
短かいことを特徴とするバブル磁区転送パターンによっ
て達成される。

（作　用〕 ホールド磁界により入口側素片Ａ′及び出口側素片Ｂ′
に吸引磁極が誘起される方向に配置された転送路（即ち
第１図の往路）パターンｌＯ′の出口側素片Ａ′の長さ
を反撥磁極が誘起される方向に配置された転送路（第１
図の復路）パターン１０の出口側片Ａの長さより短かく
したことにより、往路のパターンの出口側素片Ａ′の長
さが入口側素片Ｂ′より短かくなり、出口側素片Ａ′に
できる磁極が弱められるため、バブルは出口側素片Ａ′
から入口側素片Ｂ′に移動する駆動磁界位相が従来パタ
ーンに比べて早くなり、駆動磁界がスタートストップ位
相に到達した時には往路上の全べてのバブルを安定な人
口側素片Ｂ′に引き込むことができ、スタートストップ
特性は復路と同等になる。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例を示す図である。

オ実施例は同図に示すようにパーマロイ等の軟磁性薄膜
を用いた変形シェブロンパターンの転送路パターン１０
でマイナーループの復路が、転送路パターン１０′で往
路がそれぞれ構成されている。

そして復路の転送路パターン１０の入口側素片Ｂと出口
側素片Ａと往路の転送路パターン１０’の入口側素片Ｂ
′の長さは全べて等しく、往路の転送路パターンＡ′は
復路の転送路パターン１０′の出口側素片Ａよりも短か
く形成されている。従って往路の転送路パターン１０’
の出口側素片Ａ′は入口側素片Ｂ′より短かいことにな
る。またスタートストップ方向及びホールド磁界方向は
パターンギャップＧと平行で且つ図示した矢印方向であ
る。

このように構成された本実施例は、往路の転送路パター
ンｌＯ′の出口側素片Ａ′が入口側素片Ｂ′より短かい
ことにより出口側素片Ａ′にできる磁極は入口側素片Ｂ
′より弱くなる。従ってバブルが出口側素片Ａ′から入
口側素片Ｂ′に移動する駆動磁界位相が第３図で説明し
た従来例に比べて早くなり、回転磁界がスタートストッ
プ位相に到達した時には往路上の全べてのバブルを安定
な入口側素片Ｂ′に引込むことができる。

第２図は本発明の実施例のスタートストップ特性を示し
たものである。図において縦軸にはバイアス磁界を、横
軸にはホールド磁界をとり、往路のバイアスマージンの
上限を曲線Ｃ１下限をＣ′で示し、復路のバイアスマー
ジンの上限を曲線Ｄ、下限をＤ′で示した。これより従
来復路より劣っていた往路が本実施例では復路と同等の
マージンが得られていることがわかる。

なお上記実施例は転送路パターンとして変形シェブロン
パターンについて説明したが、ハーフディスクパターン
についても同様な効果が得られることは勿論である。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、本発明によれば、パターンギャップ
でバブルが止まるマイナループの往路パターンで出口側
素片を人口側素片よりも短かくすることにより、スター
トストップ特性を著しく改善することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す図、 第２図は本発明の実施例のスタートストップ特性を示す
図、 第３図は従来のバブル磁区転送パターンを示す図、 第４図は従来のバブル磁区転送パターンのスタートスト
ップ特性を示す図である。 図において、 １０．１０’は転送路パターン、 Ｇはパターンギャップ、 Ａ、Ａ’は出口側素片、 Ｂ、Ｂ’は入口側素片、 を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、パーマロイ等の軟磁性薄膜で形成された非対称シェ
   ブロンパターン又はハーフディスクパターンのパターン
   ギャップ（Ｇ）がバブルの進行方向と直角に配置され、
   同じ長さの入口側素片（Ｂ、Ｂ′）を有する転送路パタ
   ーン（１０、１０′）によりマイナループの往復転送路
   が構成され、且つ前記パターンギャップ（Ｇ）と平行な
   面内ホールド磁界を印加する構造を持った磁気バブルメ
   モリ素子において、 ホールド磁界によりギャップ（Ｇ）を挟んで対向した出
   口側素片（Ａ′）及び入口側素片（Ｂ′）に吸引磁極が
   誘起される方向に配置された転送路パターン（１０′）
   の出口側素片（Ａ′）の長さが、反撥磁極が誘起される
   方向に配置された転送路パターン（１０）の出口側素片
   （Ａ）の長さより短かいことを 特徴とするバブル磁区転送パターン。