JPH01170068A - 超電導体層を有する半導体基板 - Google Patents
超電導体層を有する半導体基板Info
- Publication number
- JPH01170068A JPH01170068A JP62328482A JP32848287A JPH01170068A JP H01170068 A JPH01170068 A JP H01170068A JP 62328482 A JP62328482 A JP 62328482A JP 32848287 A JP32848287 A JP 32848287A JP H01170068 A JPH01170068 A JP H01170068A
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- JP
- Japan
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- superconductor
- composite oxide
- substrate
- semiconductor substrate
- single crystal
- Prior art date
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板に関する。より詳細には、酸化物
基板上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体
層が積層された構造を有する半導体基板に関するもので
ある。
基板上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体
層が積層された構造を有する半導体基板に関するもので
ある。
本発明の半導体基板は上記超電導体層を半導体回路の配
線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョセ
フソン結合を形成したジョセフソン素子、あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせたトランジスターやホット
エレクトロントランジスター等の超電導体素子材料とし
て用いることができる。
線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョセ
フソン結合を形成したジョセフソン素子、あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせたトランジスターやホット
エレクトロントランジスター等の超電導体素子材料とし
て用いることができる。
従来の技術
従来の半導体集積回路はシリコン等の半導体単結晶基板
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素子
を作製し、金属を蒸着させて配線している。
上記金属配線パターンは、蒸着で形成されるため断面積
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。
が非常に微小となり、信号電流のロスがあった。
また、超電導体と半導体とを組み合わせたトランジスタ
ーやホットエレクトロントランジスター等の超電導体と
半導体を組み合わせた素子は概念的には提案されている
が複合酸化物超電導材料を具体的に用いたものは無い。
ーやホットエレクトロントランジスター等の超電導体と
半導体を組み合わせた素子は概念的には提案されている
が複合酸化物超電導材料を具体的に用いたものは無い。
発明が解決しようとする問題点
半導体集積回路の金属配線パターンは、蒸着等で形成さ
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線にあける信号伝播速度を向上させることも
必要である。
れるため断面積が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線にあける信号伝播速度を向上させることも
必要である。
ところが、従来の半導体集積回路では配線部分にふける
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。
さらに、超電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ等の超電導
素子を形成する場合には半導体単結晶層と超電導材料の
層が均一に積層された半導体単結晶基板が必須であるが
、従来のＮｂ系の超電導材料では半導体単結晶層と超電
導材料の層が均一に積層されているものはなかった。
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ等の超電導
素子を形成する場合には半導体単結晶層と超電導材料の
層が均一に積層された半導体単結晶基板が必須であるが
、従来のＮｂ系の超電導材料では半導体単結晶層と超電
導材料の層が均一に積層されているものはなかった。
本発明の目的は、上記の問題を解決して半導体単結晶層
と複合酸化物超電導体層が均一に積層された構造を有す
る超電導体と半導体からなる基板を提供することにある
。
と複合酸化物超電導体層が均一に積層された構造を有す
る超電導体と半導体からなる基板を提供することにある
。
問題点を解決するための手段
本発明に従うと、酸化物基板上に形成されている周期律
表ＩＩａ族元素から選択された少なくとも１種の元素α
、周期律表１Ｊａ族元素から選択された少なくとも１種
の元素β、周期律表１ｂ、Ｉｌｂ。
表ＩＩａ族元素から選択された少なくとも１種の元素α
、周期律表１Ｊａ族元素から選択された少なくとも１種
の元素β、周期律表１ｂ、Ｉｌｂ。
ｌｂ、ＩＶａ、■ａ族元素から選択された少なくとも１
種の元素Ｔを含有する複合酸化物超電導体よりなる薄膜
上にＩｎＧａＡｓ Ｐ単結晶層が積層されていることを
特徴とする超電導体および半導体からなる基板が提供さ
れる。
種の元素Ｔを含有する複合酸化物超電導体よりなる薄膜
上にＩｎＧａＡｓ Ｐ単結晶層が積層されていることを
特徴とする超電導体および半導体からなる基板が提供さ
れる。
本発明に従うと、上記超電導体は複合酸化物超電導材料
によって形成されているのが好ましい。
によって形成されているのが好ましい。
この複合酸化物超電導材料としては公知の任意の材料を
用いることができる。特に、下記一般式＝（αｌ−Ｘ
β、）７．ｏ。
用いることができる。特に、下記一般式＝（αｌ−Ｘ
β、）７．ｏ。
（但し、αは周期律表１ａ族に含まれる元素であり、β
は周期律表ＩＩＩａ族に含まれる元素であり、γは周期
律表１ ｂ ％ ＩＩ ｂｓ ＩＩＩ ｂ ％ ■ａお
よび■族から選択される少なくとも一つの元素であり、
Ｘ５Ｖｓ ｚはそれぞれ０．１≦Ｘ≦０．９．０．４≦
ｙ≦３．０．１≦２≦５を満たす数である） で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または酸素欠陥型ペロブスカイト型
酸化物を主体としたものと考えられる。
は周期律表ＩＩＩａ族に含まれる元素であり、γは周期
律表１ ｂ ％ ＩＩ ｂｓ ＩＩＩ ｂ ％ ■ａお
よび■族から選択される少なくとも一つの元素であり、
Ｘ５Ｖｓ ｚはそれぞれ０．１≦Ｘ≦０．９．０．４≦
ｙ≦３．０．１≦２≦５を満たす数である） で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または酸素欠陥型ペロブスカイト型
酸化物を主体としたものと考えられる。
上記周期律表ＩＩａ族元素αとしては、Ｂａ、 Ｓｒ。
Ｃａ５Ｍｇ５Ｂｅ等が好ましく、例えば、Ｄａ、 Ｓｒ
を挙げることができ、この元素（１２）１０〜８０％を
ＭｇＳ［：ａ。
を挙げることができ、この元素（１２）１０〜８０％を
ＭｇＳ［：ａ。
Ｓｒから選択された１種または２種の元素で置換するこ
ともできる。また上記周期律表ＩＩａ族元素βはとして
は、Ｙの他Ｌａ５Ｓｃ、 Ｃｅ５Ｇｄ、 Ｈｏ、 Ｂｒ
、 Ｔ＋ｙ＋。
ともできる。また上記周期律表ＩＩａ族元素βはとして
は、Ｙの他Ｌａ５Ｓｃ、 Ｃｅ５Ｇｄ、 Ｈｏ、 Ｂｒ
、 Ｔ＋ｙ＋。
Ｙｂ５Ｌｕ等ランタノイド元素が好ましく、例えばＹ、
Ｌａ、 Ｈｏとすることができ、さらにこの元素βのう
ち、１０〜８０％をＳｃまたはランタノイド元素から選
択された１種または２種の元素で置換することもできる
。前記元素Ｔは一般にＣｕであるが、その−部を周期律
表Ｉ ｂ、［［ｂ、ｎｌｂ、ＩＶａおよび■族から選択
される他の元素、例えば、Ｔｉ、 Ｖ等で置換すること
もできる。
Ｌａ、 Ｈｏとすることができ、さらにこの元素βのう
ち、１０〜８０％をＳｃまたはランタノイド元素から選
択された１種または２種の元素で置換することもできる
。前記元素Ｔは一般にＣｕであるが、その−部を周期律
表Ｉ ｂ、［［ｂ、ｎｌｂ、ＩＶａおよび■族から選択
される他の元素、例えば、Ｔｉ、 Ｖ等で置換すること
もできる。
作用
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、酸化物基板
上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上にＩｎＧａＡ
ｓ Ｐ半導体層が形成されているところにその主要な特
徴がある。すなわち、本発明の超電導層を有する半導体
基板は、ＩｎＧａＡｓ Ｐ半導体と複合酸化物超電導体
を組み合わせた新規な半導体デバイスの基本材料となる
ものである。
上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上にＩｎＧａＡ
ｓ Ｐ半導体層が形成されているところにその主要な特
徴がある。すなわち、本発明の超電導層を有する半導体
基板は、ＩｎＧａＡｓ Ｐ半導体と複合酸化物超電導体
を組み合わせた新規な半導体デバイスの基本材料となる
ものである。
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、複合酸化物
超電導体を単なる配線用材料として使用するだけでなく
、複合酸化物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成
した半導体デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを
組み合わせた超電導トランジスタやホットエレクトロン
トランジスタのような新規な超電導素子を形成するため
の集積回路基板あるいはデバイス用基材として用いるこ
とができる。
超電導体を単なる配線用材料として使用するだけでなく
、複合酸化物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成
した半導体デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを
組み合わせた超電導トランジスタやホットエレクトロン
トランジスタのような新規な超電導素子を形成するため
の集積回路基板あるいはデバイス用基材として用いるこ
とができる。
本発明の超電導体層を有する半導体基板に使用する複合
酸化物超電導体としては、ＹＢＣＯと称されるＹ、Ｂａ
２Ｃｕ３Ｏ．−やで代表されるような酸素欠陥型ペロブ
スカイト結晶構造を有する複合酸化物が好ましい。しか
しながらこれに限定されるものではなく、公知の超電導
体の中から任意のものを選択して使用することが可能で
ある。
酸化物超電導体としては、ＹＢＣＯと称されるＹ、Ｂａ
２Ｃｕ３Ｏ．−やで代表されるような酸素欠陥型ペロブ
スカイト結晶構造を有する複合酸化物が好ましい。しか
しながらこれに限定されるものではなく、公知の超電導
体の中から任意のものを選択して使用することが可能で
ある。
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、酸化物基板
上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体層が
積層されている。本発明に使用する複合酸化物超電導体
は、その電気抵抗に結晶異方性を有する。すなわち、結
晶のａｌｌｈ右よびｂ軸で決定される面に平行な方向に
電流が流れ易い。
上に形成された複合酸化物超電導体薄膜上に半導体層が
積層されている。本発明に使用する複合酸化物超電導体
は、その電気抵抗に結晶異方性を有する。すなわち、結
晶のａｌｌｈ右よびｂ軸で決定される面に平行な方向に
電流が流れ易い。
ＭｇＯ単結晶基板または５ｒＴｉ０３単結晶基板の（１
（１１））面を成膜面として用いると、該成膜面上に形
成された複合酸化物超電導体薄膜は、その結晶のＣ軸が
基板成膜面に対し垂直または垂直に近い角度となるため
、特に臨界電流密度Ｊｃが大きくなる。
（１１））面を成膜面として用いると、該成膜面上に形
成された複合酸化物超電導体薄膜は、その結晶のＣ軸が
基板成膜面に対し垂直または垂直に近い角度となるため
、特に臨界電流密度Ｊｃが大きくなる。
従って、ＭｇＯ単結晶基板または５ｒＴｉ０３単結晶基
板の（（１１）１）面を成膜面として用いることが好ま
しい。また、５ｒＴｉ０３基板の（１１０）面を用いて
、Ｃ軸を基板と平行にすることにより、膜の深さ方向に
も高電流密度を得ることが可能である。さらに、ＭｇＯ
およびＳｒＴｉＯ３は、熱膨張率が上記の複合酸化物超
電導体と近いため、加熱−冷却の過程で薄膜に不必要な
応力を加えることがなく、薄膜を破損する恐れもない。
板の（（１１）１）面を成膜面として用いることが好ま
しい。また、５ｒＴｉ０３基板の（１１０）面を用いて
、Ｃ軸を基板と平行にすることにより、膜の深さ方向に
も高電流密度を得ることが可能である。さらに、ＭｇＯ
およびＳｒＴｉＯ３は、熱膨張率が上記の複合酸化物超
電導体と近いため、加熱−冷却の過程で薄膜に不必要な
応力を加えることがなく、薄膜を破損する恐れもない。
本発明に使用する酸化物基板としては、Ａｌ２Ｏ３単結
晶基板、ＬｉＮｂＯ３単結晶基板、ＬｉＴａＯ３単結晶
基板、２ｒＯ□単結晶基板等も好ましい。
晶基板、ＬｉＮｂＯ３単結晶基板、ＬｉＴａＯ３単結晶
基板、２ｒＯ□単結晶基板等も好ましい。
本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製するには
、以下の手順によることが好ましい。上記のいずれかの
酸化物基板上に、スパッタリング、真空蒸着、分子線エ
ピタキシ、イオンビーム蒸着等の物理蒸着法または熱Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ＭｏＣＶＤ法
等のＣＶＤ法で複合酸化物超電導体薄膜を形成する。物
理蒸着法としては、特にマグネトロンスパッタリングが
好ましい。また、成膜後、酸素雰囲気中で熱処理を行う
とかあるいは酸素プラズマに曝す等の後処理を行い、上
記の薄膜を構成している複合酸化物超電導体結晶中の酸
素濃度を適正に調整することが好ましい。これらの処理
を行った後、ＣＶＤ法等の公知の方法で半導体単結晶層
を該超電導薄膜上に積層する。
、以下の手順によることが好ましい。上記のいずれかの
酸化物基板上に、スパッタリング、真空蒸着、分子線エ
ピタキシ、イオンビーム蒸着等の物理蒸着法または熱Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ＭｏＣＶＤ法
等のＣＶＤ法で複合酸化物超電導体薄膜を形成する。物
理蒸着法としては、特にマグネトロンスパッタリングが
好ましい。また、成膜後、酸素雰囲気中で熱処理を行う
とかあるいは酸素プラズマに曝す等の後処理を行い、上
記の薄膜を構成している複合酸化物超電導体結晶中の酸
素濃度を適正に調整することが好ましい。これらの処理
を行った後、ＣＶＤ法等の公知の方法で半導体単結晶層
を該超電導薄膜上に積層する。
上記の半導体単結晶層を積層する前に、超電導薄膜上に
バッファ層を形成させることも好ましい。
バッファ層を形成させることも好ましい。
このバッファ層は、半導体を構成する原子、分子が超電
導体薄膜内に拡散するのを防止したり、また、半導体単
結晶層を形成し易くさせる機能を有する。従って、格子
定数が、積層する半導体単結晶のそれと近いことが好ま
しい。上記のバッファ層としては、例えばｐｔが好まし
い。
導体薄膜内に拡散するのを防止したり、また、半導体単
結晶層を形成し易くさせる機能を有する。従って、格子
定数が、積層する半導体単結晶のそれと近いことが好ま
しい。上記のバッファ層としては、例えばｐｔが好まし
い。
半導体単結晶層を形成する方法としては、上記０ＣＶＤ
法の他、真空蒸着、スパッタリング、イオンミリング、
分子線エピタキシ等の物理的な蒸着法でも好ましい。い
ずれの方法を使用する場合でも、雰囲気、基板温度に注
意し、超電導体の特性を損なわないようにしなければな
らない。
法の他、真空蒸着、スパッタリング、イオンミリング、
分子線エピタキシ等の物理的な蒸着法でも好ましい。い
ずれの方法を使用する場合でも、雰囲気、基板温度に注
意し、超電導体の特性を損なわないようにしなければな
らない。
また、本発明の超電導体層を有する半導体基板を用いて
、半導体素子を作製する場合は、超電導体薄膜をエツチ
ング等で必要な形状に予め加工した上で、半導体層を形
成することも好ましい。しかしながら、本発明の超電導
体層を有する半導体基板は、表面がＩｎＧａＡｓ Ｐ半
導体であるので従来公知の技術を利用して微細加工する
ことも可能である。
、半導体素子を作製する場合は、超電導体薄膜をエツチ
ング等で必要な形状に予め加工した上で、半導体層を形
成することも好ましい。しかしながら、本発明の超電導
体層を有する半導体基板は、表面がＩｎＧａＡｓ Ｐ半
導体であるので従来公知の技術を利用して微細加工する
ことも可能である。
実施例
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、以下
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が何隻制限されないことは
勿論である。
に記載するものは本発明の単なる実施例に過ぎず、以下
の開示により、本発明の範囲が何隻制限されないことは
勿論である。
ＩｎＧａＡｓ Ｐの半導体単結晶層を複合酸化物超電導
体薄膜上に形成し、本発明の超電導体層を有する半導体
基板を作製した。
体薄膜上に形成し、本発明の超電導体層を有する半導体
基板を作製した。
ＹＢａ２Ｃｕ４．ｓ Ｏｘ焼結体粉末およびＨｏＢａ、
３ｃｕａ、ｆｆ ０＋１をターゲットとして、ＭｇＯ
単結晶基板および５ｒＴｉＯ５単結晶基板のそれぞれ（
１（１１））面に、公知のマグネトロンスパッタリング
法により、複合酸化物超電導体薄膜を形成した。基板と
ターゲットの位置関係および高周波電力の大きさに特に
注意し、基板温度７（１１）℃でスパッタリングを行い
、複合酸化物超電導体層を１（１１）０人まで成長させ
た。
３ｃｕａ、ｆｆ ０＋１をターゲットとして、ＭｇＯ
単結晶基板および５ｒＴｉＯ５単結晶基板のそれぞれ（
１（１１））面に、公知のマグネトロンスパッタリング
法により、複合酸化物超電導体薄膜を形成した。基板と
ターゲットの位置関係および高周波電力の大きさに特に
注意し、基板温度７（１１）℃でスパッタリングを行い
、複合酸化物超電導体層を１（１１）０人まで成長させ
た。
超電導薄膜成膜後、１気圧の酸素雰囲気中で、８５０℃
まで加熱し１時間だもってから、４（１１）℃まで３℃
／分の冷却速度で降温し、４（１１）℃から室温までは
１０℃／分の冷却速度で冷却した。
まで加熱し１時間だもってから、４（１１）℃まで３℃
／分の冷却速度で降温し、４（１１）℃から室温までは
１０℃／分の冷却速度で冷却した。
その後ＣＶＤ法により、それぞれの超電導薄膜上にＩｎ
ＧａＡｓ Ｐ半導体単結晶層を形成する。
ＧａＡｓ Ｐ半導体単結晶層を形成する。
上記のように作製した本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、いずれのものも半導体と超電導体との界面の
状態がよく、半導体デバイス材料として優れた特性を有
していた。また、それぞれの試料の超電導体層の超電導
臨界温度を以下の第１表に示す。
体基板は、いずれのものも半導体と超電導体との界面の
状態がよく、半導体デバイス材料として優れた特性を有
していた。また、それぞれの試料の超電導体層の超電導
臨界温度を以下の第１表に示す。
以上説明したように、本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、半導体デバイス用基板としてたいへん有効で
ある。
体基板は、半導体デバイス用基板としてたいへん有効で
ある。
発明の効果
本発明により、新規な半導体デバイス材料としてたいへ
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。
本発明により、半導体デバイスの高速化、高密度化がさ
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用した
高速半導体デバイス、例えば、超電導トランジスタ、超
電導ＦＥＴ等に応用が可能である。
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用した
高速半導体デバイス、例えば、超電導トランジスタ、超
電導ＦＥＴ等に応用が可能である。
特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (12)
- （１）酸化物基板上に形成されている周期律表IIａ族元
素から選択された少なくとも１種の元素α、周期律表I
IIａ族元素から選択された少なくとも１種の元素β、周
期律表 I ｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａ、VIIIａ族元素から選
択された少なくとも１種の元素γを含有する複合酸化物
超電導体よりなる薄膜上にＩｎＧａＡｓＰ単結晶層が積
層されていることを特徴とする超電導体層を有する半導
体基板。 - （２）上記複合酸化物超電導体が、 一般式：（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）γ＿ｙＯ＿ｚ（但し
、α、β、γは、上記定義の元素であり、ｘはα＋βに
対するβの原子比で、０．１≦ｘ≦０．９であり、ｙお
よびｚは（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）を１とした場合に０
．４≦ｙ≦３．０、１≦ｚ≦５となる原子比である） で表される組成の酸化物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （３）上記複合酸化物超電導体が、ペロブスカイト型結
晶または酸素欠陥型ペロブスカイト型結晶を有する酸化
物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （４）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＹを含み
、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも１
種の元素を含む複合酸化物超電導体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に
記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （５）上記複合酸化物超電導体が、 Ｙ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは０
＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第４項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （６）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、ＬａおよびＡ
ｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （７）上記複合酸化物超電導体が、 Ｌａ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第６項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （８）上記複合酸化物超電導体が、Ｓｒ、ＬａおよびＡ
ｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによっ
て構成される群から選択される少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （９）上記複合酸化物超電導体が、 Ｌａ＿１Ｓｒ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第８項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （１０）上記複合酸化物超電導体が、Ｂａ、Ｈｏおよび
Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉによ
って構成される群から選択される少なくとも１種の元素
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項のいずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基
板。 - （１１）上記複合酸化物超電導体が、 Ｈｏ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１２）上記酸化物基板が、ＭｇＯ単結晶基板、ＳｒＴ
ｉＯ＿３単結晶基板、Ａｌ＿２Ｏ＿３単結晶基板、Ｌｉ
ＮｂＯ＿３単結晶基板、ＬｉＴａＯ＿３単結晶基板また
はＺｒＯ＿２単結晶基板のいずれかの単結晶基板である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１１項に
記載の超電導体層を有する半導体基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328482A JPH01170068A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超電導体層を有する半導体基板 |
| EP88403324A EP0323342B1 (en) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| DE3850084T DE3850084T2 (de) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | Ein Halbleitersubstrat mit einem supraleitenden Dünnfilm. |
| SG1995906426A SG28390G (en) | 1987-12-25 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| HK73895A HK73895A (en) | 1987-12-25 | 1995-05-11 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328482A JPH01170068A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超電導体層を有する半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01170068A true JPH01170068A (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=18210765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328482A Pending JPH01170068A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 超電導体層を有する半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01170068A (ja) |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62328482A patent/JPH01170068A/ja active Pending
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| APPL.PHYS.LETT=1987 * |
| ELECTRONICS LETTERS=1986 * |
| J.J.APPL.PHYS.LETT.=1987 * |
| JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS LETTERS=1987 * |
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