JPH01170366A - 電力用半導体素子のパルストランス絶縁型ゲート回路 - Google Patents
電力用半導体素子のパルストランス絶縁型ゲート回路Info
- Publication number
- JPH01170366A JPH01170366A JP32408087A JP32408087A JPH01170366A JP H01170366 A JPH01170366 A JP H01170366A JP 32408087 A JP32408087 A JP 32408087A JP 32408087 A JP32408087 A JP 32408087A JP H01170366 A JPH01170366 A JP H01170366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- gto
- narrow
- gate circuit
- power semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電力用半導体素子のゲート回路に係り、特に
中容量ゲートターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯと略称
する）を使用したインバータ回路に好適なパルストラン
ス絶縁型ゲート回路に関する。
中容量ゲートターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯと略称
する）を使用したインバータ回路に好適なパルストラン
ス絶縁型ゲート回路に関する。
従来のパルストランス絶縁型ゲート回路は、オーバドラ
イブ用トランジスタへの出力信号に同期して電力用半導
体素子（この場合ＧＴＯ）に狭幅オンパルスが通流され
る。
イブ用トランジスタへの出力信号に同期して電力用半導
体素子（この場合ＧＴＯ）に狭幅オンパルスが通流され
る。
なお、この種の回路として関連するものには、例えば、
「日立評論Ｊ １９８１，６ （ＶｏＬ。
「日立評論Ｊ １９８１，６ （ＶｏＬ。
６３）第１４頁がある。
問題点を第１図で説明する。
公知技術を第１図のようにインバータ構成する。
負荷が電動機のように誘導性の場合、オーバドライブ用
トランジスタ（１７）に制御オン信号が出力された時点
では、負荷のりアクタンスによる無効電流がダイオード
（１９）を通して流れ、ＧＴＯは逆バイアスされている
。無効電流の通流が終了し、ＧＴＯが順バイアスされる
時点では狭幅オンパルスの供給は終了し広幅オンパルス
だけがＧＴＯのゲートに供給され、この広幅オンパルス
により、ＧＴＯはターンオンすることになる。
トランジスタ（１７）に制御オン信号が出力された時点
では、負荷のりアクタンスによる無効電流がダイオード
（１９）を通して流れ、ＧＴＯは逆バイアスされている
。無効電流の通流が終了し、ＧＴＯが順バイアスされる
時点では狭幅オンパルスの供給は終了し広幅オンパルス
だけがＧＴＯのゲートに供給され、この広幅オンパルス
により、ＧＴＯはターンオンすることになる。
しかしながら、広幅オンパルスによるターンオンではＧ
ＴＯのターンオン時間が増大し、ターンオン損失が増大
する。
ＴＯのターンオン時間が増大し、ターンオン損失が増大
する。
ＧＴＯが順バイアスされるまで狭幅オンパルスを供給す
る必要がある。
る必要がある。
本発明の目的は、パルストランス絶縁型ゲート回路にお
いて、負荷力率の影響を受けない狭幅オンパルスを供給
することにある。
いて、負荷力率の影響を受けない狭幅オンパルスを供給
することにある。
上記目的は、広幅オンパルス回路側にスイッチング素子
（トランジスタ等）及び（ＧＴＯのアノード）・ （前
記スイッチング素子のベース）間に高圧ダイオードを付
加することにより、達成される。
（トランジスタ等）及び（ＧＴＯのアノード）・ （前
記スイッチング素子のベース）間に高圧ダイオードを付
加することにより、達成される。
付加したスイッチング素子は、広幅オンパルス回路で発
生した直流電圧をスイッチングし、狭幅オンパルスを供
給する。
生した直流電圧をスイッチングし、狭幅オンパルスを供
給する。
付加したダイオードは、ＧＴＯがターンオンを終了した
時点で起曲スイッチング素子のベース電流をＧＴＯのア
ノード側にバイパスさせるように働く。これにより、前
記スイッチング素子はオフし、狭幅オンパルスの供給を
停止する。
時点で起曲スイッチング素子のベース電流をＧＴＯのア
ノード側にバイパスさせるように働く。これにより、前
記スイッチング素子はオフし、狭幅オンパルスの供給を
停止する。
以下、本発明の一実施例を第２図、第３図により説明す
る。
る。
（構成）・・・第２図
公知技術のパルストランス絶縁型ゲート回路に狭幅オン
パルス供給用トランジスタ（６）狭幅オンパルス制限抵
抗（８）、ベース電流制限回路（７）、（９）及び高圧
ダイオードを付加する。
パルス供給用トランジスタ（６）狭幅オンパルス制限抵
抗（８）、ベース電流制限回路（７）、（９）及び高圧
ダイオードを付加する。
また、オーバドライブ用トランジスタ及びオーバードラ
イブ制限回路を削除する。
イブ制限回路を削除する。
（動作）・・・第３図
時点ｔｏ以前において、負荷のりアクタンスによる無効
電流がダイオード（２１）を通して流れ、ＧＴＯ（１）
は逆バイアスされている。
電流がダイオード（２１）を通して流れ、ＧＴＯ（１）
は逆バイアスされている。
時点ｔｏにおいて制御オン信号がトランジスタ（１５）
、（１６）に入力され、抵抗（１ｏ）→ＧＴＯ（１）の
ゲート→ＧＴＯ（１）のカソードの経路で広幅オンパル
スが流る。同時に抵抗（９）→抵抗（７）→トランジス
タ（６）のベース−トランジスタ（６）のエミッタの経
路でベース電流が流れ、トランジスタ（６）がオンし、
抵抗（８）→トランジスタ（６）のコレクタートランジ
スタ（６）のエミッタ→ＧＴ○（１）のゲート→ＧＴＯ
（１）のカソードの経路で狭幅オンパルスが流れる。
、（１６）に入力され、抵抗（１ｏ）→ＧＴＯ（１）の
ゲート→ＧＴＯ（１）のカソードの経路で広幅オンパル
スが流る。同時に抵抗（９）→抵抗（７）→トランジス
タ（６）のベース−トランジスタ（６）のエミッタの経
路でベース電流が流れ、トランジスタ（６）がオンし、
抵抗（８）→トランジスタ（６）のコレクタートランジ
スタ（６）のエミッタ→ＧＴ○（１）のゲート→ＧＴＯ
（１）のカソードの経路で狭幅オンパルスが流れる。
時点ｔ１でダイオード（２１）への無効電流の通流を終
え、ＧＴＯが順バイアスされるとＧＴＯはこの時点まで
流れてきた狭幅オンパルスにより、ターンオンする。
え、ＧＴＯが順バイアスされるとＧＴＯはこの時点まで
流れてきた狭幅オンパルスにより、ターンオンする。
ＧＴＯが一旦ターンオンすると、トランジスタ（６）の
ベース電流が、抵抗（９）→高圧ダイオード（４）→Ｇ
ＴＯ（１）のアノード→ＧＴＯ（１）のカソードの経路
にバイパスされる為、トランジスタ（６）はオフし、狭
幅オンパルスはなくなり、広幅オンパルスのみとなる。
ベース電流が、抵抗（９）→高圧ダイオード（４）→Ｇ
ＴＯ（１）のアノード→ＧＴＯ（１）のカソードの経路
にバイパスされる為、トランジスタ（６）はオフし、狭
幅オンパルスはなくなり、広幅オンパルスのみとなる。
これにより、負荷力率に影響を受けない狭幅オンパルス
が供給される。
が供給される。
尚、負荷力率の変動で、ＧＴＯのターンオン後ＧＴＯが
逆バイアスされても、再び順バイアスされた時点で狭幅
オンパルスの供給が可能で有り。
逆バイアスされても、再び順バイアスされた時点で狭幅
オンパルスの供給が可能で有り。
安定なインバータ動作が行なえる。
本実施例によれば、公知技術に比して少ない部品数にて
、パルストランス絶縁型ゲート回路が構成できる。
、パルストランス絶縁型ゲート回路が構成できる。
本発明によれば、負荷力率に影響を受けない狭幅オンパ
ルスを供給できる為、誘導性負荷に対してもＧＴＯの高
速ターンオン動作を確実に行なえ、ＧＴＯのターンオン
損失の低減を可能にする。
ルスを供給できる為、誘導性負荷に対してもＧＴＯの高
速ターンオン動作を確実に行なえ、ＧＴＯのターンオン
損失の低減を可能にする。
第１図は公知技術の問題点を示す図、第２図は本発明実
施例の構成図、第３図は実施例の動作図である。 １・・・ＧＴＯ１７，９・・・ベース電流制限抵抗、１
゜・・・広幅オンパルス制限抵抗、８・・・狭幅オンパ
ルス制限抵抗、６・・・狭幅オンパルス用トランジスタ
、第１図 第３０
施例の構成図、第３図は実施例の動作図である。 １・・・ＧＴＯ１７，９・・・ベース電流制限抵抗、１
゜・・・広幅オンパルス制限抵抗、８・・・狭幅オンパ
ルス制限抵抗、６・・・狭幅オンパルス用トランジスタ
、第１図 第３０
Claims (1)
- １、電力用半導体素子のターンオン時において、前記電
力用半導体素子のアノード電圧を検知し、制御オン信号
とのアンド条件の成立により、負荷力率の影響を受けな
い狭幅オンパルスを供給する手段をもつことを特徴とす
る電力用半導体素子のパルストランス絶縁型ゲート回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32408087A JPH01170366A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 電力用半導体素子のパルストランス絶縁型ゲート回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32408087A JPH01170366A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 電力用半導体素子のパルストランス絶縁型ゲート回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01170366A true JPH01170366A (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=18161926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32408087A Pending JPH01170366A (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 電力用半導体素子のパルストランス絶縁型ゲート回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01170366A (ja) |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP32408087A patent/JPH01170366A/ja active Pending
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