JPH01172488A - 液晶パネル及び液晶装置 - Google Patents
液晶パネル及び液晶装置Info
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- JPH01172488A JPH01172488A JP62329893A JP32989387A JPH01172488A JP H01172488 A JPH01172488 A JP H01172488A JP 62329893 A JP62329893 A JP 62329893A JP 32989387 A JP32989387 A JP 32989387A JP H01172488 A JPH01172488 A JP H01172488A
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
- C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
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- C09B47/06—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide
- C09B47/067—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide from phthalodinitriles naphthalenedinitriles, aromatic dinitriles prepared in situ, hydrogenated phthalodinitrile
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- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶パネル及び液晶装置に係り、特に半導体レ
ーザーなどの近赤外光源を用いた熱書込み手段により液
晶パネル上に直接文字や図形などを書込むことが可能な
液晶パネル及び液晶装置に関する。
ーザーなどの近赤外光源を用いた熱書込み手段により液
晶パネル上に直接文字や図形などを書込むことが可能な
液晶パネル及び液晶装置に関する。
熱光学効果または電気・熱光学効果を右する液晶材料と
してスメクチック相を有する液晶の電気・熱光学効果を
利用した、半導体レーザーを備えたライトペン等の近赤
外光源による情報入力および入力された情報の電気的な
読出しが可能な液晶表示装置についてはテレビジョン学
界誌ｖｏｌ。
してスメクチック相を有する液晶の電気・熱光学効果を
利用した、半導体レーザーを備えたライトペン等の近赤
外光源による情報入力および入力された情報の電気的な
読出しが可能な液晶表示装置についてはテレビジョン学
界誌ｖｏｌ。
３８、Ｎ１１４． ｐｐ、３６２−３６５ （１９８４
年）記載の論文「熱書込みスメクチック液晶デイスプレ
ィにおけるライトペンおよび情報読出し機能」に詳細に
記述されている。
年）記載の論文「熱書込みスメクチック液晶デイスプレ
ィにおけるライトペンおよび情報読出し機能」に詳細に
記述されている。
本論文によるとライトペンを液晶パネル上に置くと、レ
ーザービ・−ムがヒート電極上の熱吸収膜に集光され局
所的な発熱が起こり、熱吸収膜近傍の液晶材料に伝わり
液晶材料を加熱する。このようにして、液晶材料を一時
的に等方性液体相まで加熱し、その後ライトペンの移動
により、加熱された液晶材料は、再びスメクチック相に
まで冷却される。このとき液晶中に強い光散乱を呈する
ドメインが形成される。
ーザービ・−ムがヒート電極上の熱吸収膜に集光され局
所的な発熱が起こり、熱吸収膜近傍の液晶材料に伝わり
液晶材料を加熱する。このようにして、液晶材料を一時
的に等方性液体相まで加熱し、その後ライトペンの移動
により、加熱された液晶材料は、再びスメクチック相に
まで冷却される。このとき液晶中に強い光散乱を呈する
ドメインが形成される。
したがって、ライトペンの移動に伴って散乱状態をつく
ることができ、文字や図形を描くことができる。
ることができ、文字や図形を描くことができる。
前記方法では液晶材料を加熱するには熱吸収膜で発生し
た熱を伝導によって液晶材料まで伝えるため熱利用効率
が低いことが欠点であった。すなわち、情報書込みには
大きなレーザーパワーが必要であった。
た熱を伝導によって液晶材料まで伝えるため熱利用効率
が低いことが欠点であった。すなわち、情報書込みには
大きなレーザーパワーが必要であった。
この欠点を除く一つの方法は、Ｐｒｏｃ、 ｏｆ ｔｈ
ｅ３ｒｄ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ Ｒｅ５ｅｒｃｈ ｃｏｎｒｅｒｅｎｃＱ。
ｅ３ｒｄ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ Ｒｅ５ｅｒｃｈ ｃｏｎｒｅｒｅｎｃＱ。
ｐｐ４８６−４８９ （１９８４年）記載の論文”Ａ
Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ−ｔｏｒ Ｌａ５ｅｒ Ａｄ
ｄｒｅｓｓｅｄ Ｄｙｅ Ｄｏｐｅｄ Ｌｉｇｕ
ｉｄ ＣｒｙｓｔａｌＬｉｌ；ｌｈｔ Ｖａｌｖｅ”
に述べられているようなレーザー波長（近赤外領域）付
近に吸収を有する色素を混合する方法が提案されている
。しかし、これまでに知られている色素は液晶材料中へ
の溶解性や耐光性に問題があり実用化には到っていない
。
Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃ−ｔｏｒ Ｌａ５ｅｒ Ａｄ
ｄｒｅｓｓｅｄ Ｄｙｅ Ｄｏｐｅｄ Ｌｉｇｕ
ｉｄ ＣｒｙｓｔａｌＬｉｌ；ｌｈｔ Ｖａｌｖｅ”
に述べられているようなレーザー波長（近赤外領域）付
近に吸収を有する色素を混合する方法が提案されている
。しかし、これまでに知られている色素は液晶材料中へ
の溶解性や耐光性に問題があり実用化には到っていない
。
本発明の目的は、上記した欠点を除き、小さなエネルギ
ーパワーで書込みを達成し、しかも長寿妙な液晶パネル
及び液晶装置を提供することである。
ーパワーで書込みを達成し、しかも長寿妙な液晶パネル
及び液晶装置を提供することである。
本発明者は前記問題点を解決するため鋭意研究を行った
結果、入射する光エネルギーで効率よく液晶材料を加熱
するために、液晶材料中に光源の波長付近に吸収を有し
、かつ耐候性に優れた近赤外吸収色素を添加することに
よって前記問題点を解決しうることをみいだし、本発明
を完成した。
結果、入射する光エネルギーで効率よく液晶材料を加熱
するために、液晶材料中に光源の波長付近に吸収を有し
、かつ耐候性に優れた近赤外吸収色素を添加することに
よって前記問題点を解決しうることをみいだし、本発明
を完成した。
すなわち、本発明は一対の基板を、その面を対向させて
設け、それぞれの基板に少なくとも一つの電極を設け、
該一対の基板間に熱光学効果または電気、熱光学効−果
を有する液晶材料を保持さゼてなる液晶パネルに於いて
、該液晶材料が下記の一般式（Ｉ）に示す光吸収物質を
含有して成る液晶材料である液晶パネルであり、更にこ
の液晶パネルに近赤外光を照射する近赤外光源を設けて
構成した液晶装置である。
設け、それぞれの基板に少なくとも一つの電極を設け、
該一対の基板間に熱光学効果または電気、熱光学効−果
を有する液晶材料を保持さゼてなる液晶パネルに於いて
、該液晶材料が下記の一般式（Ｉ）に示す光吸収物質を
含有して成る液晶材料である液晶パネルであり、更にこ
の液晶パネルに近赤外光を照射する近赤外光源を設けて
構成した液晶装置である。
（式中、Ｒ−Ｒ８は水素原子、アルキル基、アリール基
を表わしａ−ｈは１〜２０のの整数を表わしＭは２個の
水素原子、金属原子、金属ハロゲン化物、金属酸化物、
金属水酸化物、ジアルキル金属、ジアリール金属、ビス
（アルキルオキシ）金属またはビス（トリアルキルシリ
ルオキシ）金属を示す） 液晶パネル自体の構成は公知であるが、例えば一対の基
板を該基板の面を対向させて設け、それぞれの基板に少
なくとも一つの電極を設ける。第１図について説明する
と、少なくとも一方が透明な２枚の基板１０２．１０４
の間に液晶材料１０６をサンドイッチ状に封入して保持
させた構成になっている。
を表わしａ−ｈは１〜２０のの整数を表わしＭは２個の
水素原子、金属原子、金属ハロゲン化物、金属酸化物、
金属水酸化物、ジアルキル金属、ジアリール金属、ビス
（アルキルオキシ）金属またはビス（トリアルキルシリ
ルオキシ）金属を示す） 液晶パネル自体の構成は公知であるが、例えば一対の基
板を該基板の面を対向させて設け、それぞれの基板に少
なくとも一つの電極を設ける。第１図について説明する
と、少なくとも一方が透明な２枚の基板１０２．１０４
の間に液晶材料１０６をサンドイッチ状に封入して保持
させた構成になっている。
上側基板１０２には、透明電極１０８がストライブ状に
設けられ、下側基板１０４には熱忍込み用のヒート電極
１１０がストライブ状に設けられ、雨雪極群でＸＹマト
リックスをなして、画電極の交点が夫々画素を形成して
いる。なお上下２枚の基板と液晶材料の界面は必要に応
じて液晶分子の配向方向を定めるように配向処理がほど
こされる。
設けられ、下側基板１０４には熱忍込み用のヒート電極
１１０がストライブ状に設けられ、雨雪極群でＸＹマト
リックスをなして、画電極の交点が夫々画素を形成して
いる。なお上下２枚の基板と液晶材料の界面は必要に応
じて液晶分子の配向方向を定めるように配向処理がほど
こされる。
手書き入力用のライトベン１１２は内部に半導体レーザ
ー１１４と集光レンズ１１６とを具備しており、半導体
レーザー１１４から発する近赤外光となるレーザービー
ム１１８は集光レンズ系１１６により、液晶材料１０６
中に集光、照射される。
ー１１４と集光レンズ１１６とを具備しており、半導体
レーザー１１４から発する近赤外光となるレーザービー
ム１１８は集光レンズ系１１６により、液晶材料１０６
中に集光、照射される。
このとき液晶材料１０６中に混合しである本発明で特徴
とする光吸収物質がレーザービームを吸収して発熱し、
液晶物質の温度を上げ、−時的に等方性液体相に転移さ
せる。ライトペン１１２の移動後におこる冷却過程で、
液晶材料中に強い散乱を示す領域を形成させて書込みを
達成する。
とする光吸収物質がレーザービームを吸収して発熱し、
液晶物質の温度を上げ、−時的に等方性液体相に転移さ
せる。ライトペン１１２の移動後におこる冷却過程で、
液晶材料中に強い散乱を示す領域を形成させて書込みを
達成する。
液晶材料はアルキルシアノビフェニル系液晶など、それ
自体は公知の液晶材料を用いてもよい。
自体は公知の液晶材料を用いてもよい。
使用温度においてスメクチック相を示す液晶材料である
ことが望ましい。
ことが望ましい。
本発明で特徴とするところは、該液晶材料に含有させる
光吸収物質であって、前記−最大（Ｉ）で示されるよう
なフタロシアニン系光吸収物質を使用する。この種の化
合物で、本発明の液晶パネル、液晶装置に使用して好適
なものを例示すると次の通りである。
光吸収物質であって、前記−最大（Ｉ）で示されるよう
なフタロシアニン系光吸収物質を使用する。この種の化
合物で、本発明の液晶パネル、液晶装置に使用して好適
なものを例示すると次の通りである。
この例示化合物中、（１６）〜（３３）の土中はターシ
ャリ−・ブチル基を表わす。
ャリ−・ブチル基を表わす。
１４１１９ Ｌ；４ＩＩｓこの光吸収
物質の光吸収特性は半導体レーザービームの波長７８０
ｎｍ付近に吸光度のピークを有するものである。
物質の光吸収特性は半導体レーザービームの波長７８０
ｎｍ付近に吸光度のピークを有するものである。
従ってレーザー光の小さなエネルギーパワーで書込みを
達成し得る。
達成し得る。
以下に本発明を実施例について更に具体的に説明するが
、本発明は、この実施例によって何等限定されるもので
はない。
、本発明は、この実施例によって何等限定されるもので
はない。
前記において説明した第１図の液晶パネルと近赤外光源
を有するライトペンとで構成された液晶装置において、
液晶パネルに液晶材料および光吸収物質を封入した例に
ついて述べる。
を有するライトペンとで構成された液晶装置において、
液晶パネルに液晶材料および光吸収物質を封入した例に
ついて述べる。
（但しＲはアルキル基を示す）で−最大に表わされるア
ルキルシアノビフェニール系の液晶を使用した。この液
晶に の一般式で表わされるフタロシアニン系光吸収物質のう
ちＲがターシャリブチル基のものを０．７重量％だけ混
合した。液晶材料１０６は３７℃でスメクチック相から
ネマチック相に転移し、さらに４２℃で等方性液体相に
転移する。この光吸収物質を含有Ｊる液晶材料１０６の
光吸収特性は第２図に示す通りで、ライトベン１１２内
に設けられた半導体レーザービームの波長７８０ｎｍに
その吸光度のピークがよく一致している。
ルキルシアノビフェニール系の液晶を使用した。この液
晶に の一般式で表わされるフタロシアニン系光吸収物質のう
ちＲがターシャリブチル基のものを０．７重量％だけ混
合した。液晶材料１０６は３７℃でスメクチック相から
ネマチック相に転移し、さらに４２℃で等方性液体相に
転移する。この光吸収物質を含有Ｊる液晶材料１０６の
光吸収特性は第２図に示す通りで、ライトベン１１２内
に設けられた半導体レーザービームの波長７８０ｎｍに
その吸光度のピークがよく一致している。
本発明の実施例に於ける液晶材料１０６（光吸酸物質を
０．７重量パーセント混合したもの）と従来の液晶材料
（光吸収物質を混合していないもの）の書込み特性を比
較するため次の２つの液晶パネル（Ａ、Ｂ）を製作した
。
０．７重量パーセント混合したもの）と従来の液晶材料
（光吸収物質を混合していないもの）の書込み特性を比
較するため次の２つの液晶パネル（Ａ、Ｂ）を製作した
。
液晶パネル八は従来の方法を用いた液晶パネルで、熱吸
収体としてヒート電極上に１５００オングストロームの
厚さにＣｒを蒸着した薄膜を形成した液晶パネルで、液
晶材料には光吸収物質を混合していない。
収体としてヒート電極上に１５００オングストロームの
厚さにＣｒを蒸着した薄膜を形成した液晶パネルで、液
晶材料には光吸収物質を混合していない。
また液晶パネルＢは、本発明になる液晶パネルで、ヒー
ト電極には約３０００オングストロームの厚さに蒸着し
た１ｌｉｉ膜を用いており、ヒート電極による光吸収、
発熱は実質的に生じない。これに用いた液晶材料は、液
晶パネルＡに用いた液晶材料に、前記光吸収物質を０．
７重量パーセント混合したものである。
ト電極には約３０００オングストロームの厚さに蒸着し
た１ｌｉｉ膜を用いており、ヒート電極による光吸収、
発熱は実質的に生じない。これに用いた液晶材料は、液
晶パネルＡに用いた液晶材料に、前記光吸収物質を０．
７重量パーセント混合したものである。
なお、液晶層の厚みは、両液晶パネルとも１０μｍであ
る。
る。
液晶パネルＡ、Ｂにライトベンを用いた書込みを行なっ
たところ、第３図に示すような特性が得られた。第３図
はライトベンの移動速度を０．１α／ Ｓｅｃとした場
合のレーザー出力と書込まれた線の幅の関係を示してい
る。これにより、本発明の実施例になる液晶パネルＢは
、従来の液晶パネル八に比べ、書込み線幅が太くなるこ
とがわかる。
たところ、第３図に示すような特性が得られた。第３図
はライトベンの移動速度を０．１α／ Ｓｅｃとした場
合のレーザー出力と書込まれた線の幅の関係を示してい
る。これにより、本発明の実施例になる液晶パネルＢは
、従来の液晶パネル八に比べ、書込み線幅が太くなるこ
とがわかる。
また液晶パネルＢではレーザー出力が２０ｍＷのときラ
イトベンの移動速度が２ｃ＋ｎ／ｓｅｃで１６０μｍの
線が書込めた。
イトベンの移動速度が２ｃ＋ｎ／ｓｅｃで１６０μｍの
線が書込めた。
なお、前記光吸収物質は、アルキルシアノビフェニル系
液晶材料に約２重量パーセントまで溶解でき、また、各
種耐候性テストにより非常に良好な寿命を有することを
確認した。
液晶材料に約２重量パーセントまで溶解でき、また、各
種耐候性テストにより非常に良好な寿命を有することを
確認した。
すなわち、液晶材料１０６をカプセルに注入し、直射日
光下、１００時間放置した後、その吸光度および吸収ス
ペクトルの変化を調べたところ、全く変化はなく、非常
に安定であることが判明した。
光下、１００時間放置した後、その吸光度および吸収ス
ペクトルの変化を調べたところ、全く変化はなく、非常
に安定であることが判明した。
さらに、前記光吸収物質の中心金属Ｍは、酸化バナジウ
ムｖＯの代りにＣＵ、Ｎｉ、Ｃｏ等を用いたり、さらに
は金属ハロゲン化物、金属水酸化物、ジアルキル金属、
ジアリール金属、ビス（アルキルオキシ）金属、ビス（
トリアルキルシリルオキシ）金属、さらにはＭが２個の
水素原子であっても同様であった。
ムｖＯの代りにＣＵ、Ｎｉ、Ｃｏ等を用いたり、さらに
は金属ハロゲン化物、金属水酸化物、ジアルキル金属、
ジアリール金属、ビス（アルキルオキシ）金属、ビス（
トリアルキルシリルオキシ）金属、さらにはＭが２個の
水素原子であっても同様であった。
本発明によれば、光エネルギーは液晶層内の液晶材料に
混合されている光吸収物質で吸収され液晶層内で直接発
熱するので、熱エネルギーの利用効率が高く、小さなレ
ーザー出力でより速くまたより太い線が書込める。
混合されている光吸収物質で吸収され液晶層内で直接発
熱するので、熱エネルギーの利用効率が高く、小さなレ
ーザー出力でより速くまたより太い線が書込める。
また、本発明の液晶パネルは非常に耐候性に（のれてい
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例になる液晶装置を示す路線
図、第２図はは本発明の一実施例に使用する液晶材料の
光吸収特性を示すグラフ、第３図は書込み特性を示すグ
ラフである。 １０２．１０４・・・基板、１０６・・・液晶材料、１
０８・・・透明電極、１１０・・・ヒート電極、１１２
・・・ライトベン、１１４・・・半導体レーザー、１１
６・・・集光レンズ、１１８・・・レーザービーム。 出願人代理人 停 本 博 光甚 Ｉ 図 ６０θ ＴＯＯ８００ 浪長（ｎｍ） 某 ２ 日
図、第２図はは本発明の一実施例に使用する液晶材料の
光吸収特性を示すグラフ、第３図は書込み特性を示すグ
ラフである。 １０２．１０４・・・基板、１０６・・・液晶材料、１
０８・・・透明電極、１１０・・・ヒート電極、１１２
・・・ライトベン、１１４・・・半導体レーザー、１１
６・・・集光レンズ、１１８・・・レーザービーム。 出願人代理人 停 本 博 光甚 Ｉ 図 ６０θ ＴＯＯ８００ 浪長（ｎｍ） 某 ２ 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一対の基板を、その面を対向させて設け、それぞれ
の基板に少なくとも一つの電極を設け、該一対の基板間
に熱光学効果または電気、熱光学効果を有する液晶材料
を保持させてなる液晶パネルにおいて、該液晶材料が一
般式（ I ）で表わされる光吸収物質を含有して成る液
晶材料であることを特徴とする液晶パネル。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿８は水素原子、アルキル基、アリ
ール基を表わしａ〜ｈは１〜２０のの整数を表わしＭは
２個の水素原子、金属原子、金属ハロゲン化物、金属酸
化物、金属水酸化物、ジアルキル金属、ジアリール金属
、ビス（アルキルオキシ）金属またはビス（トリアルキ
ルシリルオキシ）金属を示す） ２、特許請求の範囲第１項において、該液晶材料がスメ
クチック液晶材料である液晶パネル。 ３、一対の基板を、その面を対向させて設け、それぞれ
の基板に少なくとも一つの電極を設け、該一対の基板間
に熱光学効果または電気・熱光学効果を有する液晶材料
を保持させてなる液晶パネルと該液晶材料に近赤外光を
照射する近赤外光源とから構成される液晶装置において
、該液晶材料が一般式（ I ）に示す光吸収物質を含有
して成る液晶材料であることを特徴とする液晶装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１〜Ｒ＿８は水素原子、アルキル基、アリ
ール基を表わしａ〜ｈは１〜２０のの整数を表わしＭは
２個の水素原子、金属原子、金属ハロゲン化物、金属酸
化物、金属水酸化物、ジアルキル金属、ジアリール金属
、ビス（アルキルオキシ）金属またはビス（トリアルキ
ルシリルオキシ）金属を示す） ４、特許請求の範囲第３項において、該液晶材料がスメ
クチック液晶材料である液晶装置。 ５、特許請求の範囲第３項において、該近赤外光源が少
なくとも半導体レーザー発光機能を具備するライトペン
である液晶装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329893A JPH01172488A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 液晶パネル及び液晶装置 |
| EP88114014A EP0305938B1 (en) | 1987-08-31 | 1988-08-27 | Phthalocyanine compounds and utility thereof |
| DE8888114014T DE3875877T2 (de) | 1987-08-31 | 1988-08-27 | Phthalocyaninverbindungen und ihre verwendung. |
| US07/237,419 US4970021A (en) | 1987-08-31 | 1988-08-29 | Phthalocyanine compounds and utility thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62329893A JPH01172488A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 液晶パネル及び液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172488A true JPH01172488A (ja) | 1989-07-07 |
| JPH0465115B2 JPH0465115B2 (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=18226431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62329893A Granted JPH01172488A (ja) | 1987-08-31 | 1987-12-28 | 液晶パネル及び液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01172488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015118296A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 山本化成株式会社 | フタロシアニン化合物を含有して成るフィルタ |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62329893A patent/JPH01172488A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015118296A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 山本化成株式会社 | フタロシアニン化合物を含有して成るフィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465115B2 (ja) | 1992-10-19 |
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