JPH01173672A - 超電導体層を有する半導体基板 - Google Patents
超電導体層を有する半導体基板Info
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- JPH01173672A JPH01173672A JP62331214A JP33121487A JPH01173672A JP H01173672 A JPH01173672 A JP H01173672A JP 62331214 A JP62331214 A JP 62331214A JP 33121487 A JP33121487 A JP 33121487A JP H01173672 A JPH01173672 A JP H01173672A
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Landscapes
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体基板に関する。より詳細には、少なく
とも１層の超電導体層を有する半導体単結晶基板に関す
るものである。
とも１層の超電導体層を有する半導体単結晶基板に関す
るものである。
本発明の半導体基板は上記超電導体層を半導体集積回路
の線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョ
セフソン結合を形成したジョセフソン素子あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせた超電導トランジスタやホ
ットエレクトロントランジスタ等の素子の材料として用
いることができる。
の線材料として用いるだけで無く、上記超電導体にジョ
セフソン結合を形成したジョセフソン素子あるいは超電
導体と半導体とを組み合わせた超電導トランジスタやホ
ットエレクトロントランジスタ等の素子の材料として用
いることができる。
従来の技術
従来の半導体集積回路はシリコン等の半導体単結晶基板
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素ｆ
・を作製し、金属を蒸着させて配線している。
上に絶縁膜を形成してパターニングを施し、熱拡散、イ
オン注入等で不純物をドープすることにより必要な素ｆ
・を作製し、金属を蒸着させて配線している。
上記金属配線パター゛・は、蒸着で形成されるため１所
面（ａが非常にｉｆｉ ）ｊ＞ １なり、信号電流のロ
スがあった。
面（ａが非常にｉｆｉ ）ｊ＞ １なり、信号電流のロ
スがあった。
また、超電導体と１６導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやホ；・トエレクトロントランジスタ等の集積
回路素子は概念的には提案されているが複合酸化物超重
導材料ｉ−具体的に用いたものは作製されていない１、 発明が解決しようとする問題点 半導体集積回路の金属配線パターンは、蒸着等で形成さ
れるため断面債が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。
ンジスタやホ；・トエレクトロントランジスタ等の集積
回路素子は概念的には提案されているが複合酸化物超重
導材料ｉ−具体的に用いたものは作製されていない１、 発明が解決しようとする問題点 半導体集積回路の金属配線パターンは、蒸着等で形成さ
れるため断面債が微小で信号電流のロスが避けられなか
った。また、半導体集積回路の動作速度を向上させるに
は、素子そのものの動作速度を向上させることも重要で
あるが、配線における信号伝播速度を向上させることも
必要である。
ところが、従来の半導体集積回路では配線部分における
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。
ロスのため信号伝播速度を向上させるのに限界があった
。また、配線部分におけるロスのため素子の集積度があ
がり高密度化が進むと、消費電力が上昇し、それに伴う
発熱のため集積度の限界も自ずから決まってしまってい
た。
さらに、超電導体と半導体とを組み合わせた超電導トラ
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ、ＦＥＴ等
の素子を形成する場合には半導体単結晶基板上に超電導
材料の層を均一に形成した基板が必須であるが、従来の
Ｎｂ系の超電導材料では半導体基板上に超電導材料の層
を均一に形成したものはなかった。また、金属系超電導
体は、臨界温度が低く実用的でなかった。
ンジスタやホットエレクトロントランジスタ、ＦＥＴ等
の素子を形成する場合には半導体単結晶基板上に超電導
材料の層を均一に形成した基板が必須であるが、従来の
Ｎｂ系の超電導材料では半導体基板上に超電導材料の層
を均一に形成したものはなかった。また、金属系超電導
体は、臨界温度が低く実用的でなかった。
本発明の目的は、上記の問題を解決して半導体単結晶基
板上に、臨界温度を始めとする超電導特性が優れた複合
酸化物超電導体薄膜層を有する半導体基板を提供するこ
とにある。
板上に、臨界温度を始めとする超電導特性が優れた複合
酸化物超電導体薄膜層を有する半導体基板を提供するこ
とにある。
問題点を解決するための手段
本発明に従うと、Ｇ ａ ｌ ｎ Ａ ｓ 中結晶基板
上に周期律表１１ａ族元累から選択された少なくとも１
種の元素α、周期律表ｍａ族元素から選択された少なく
ζも１種の元素β、周期律表＋ｂ、ｎｂ、■ｂ１ｉ’Ｎ
” ％＼’ｌｌａ族元素力・・、：）選択された少な
くとも１種ｌ：）元素Ｔを含有“ぼる複合酸化物超電導
体よりなる薄膜層が形成されてし）ることを特徴とする
超電導体層を有する指導体基板が提供される。
上に周期律表１１ａ族元累から選択された少なくとも１
種の元素α、周期律表ｍａ族元素から選択された少なく
ζも１種の元素β、周期律表＋ｂ、ｎｂ、■ｂ１ｉ’Ｎ
” ％＼’ｌｌａ族元素力・・、：）選択された少な
くとも１種ｌ：）元素Ｔを含有“ぼる複合酸化物超電導
体よりなる薄膜層が形成されてし）ることを特徴とする
超電導体層を有する指導体基板が提供される。
本発明に従うと、上記超電導体は複合酸化物超電導体科
ｊこよって形成されているのが好ましい。
ｊこよって形成されているのが好ましい。
この複合酸化物超電導体科としては公知の任意の材料を
用いる二とができる１、特に、下記一般式：％式％ （但し、αは周期律表Ｂａ族に含まれる元素であり、β
は、周期律表ＩＨａ族に含まれる元素であり、Ｔは周期
律表１ｂ、Ｉｌｂ、 ｆＩｌｂ、 ＩＶａおよびＶＩＩ
Ｉａ族か、：）選択される少なくとも一つの元素であり
、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．１ ≦ｘ≦０．９．０４≦
ｙＳ３．０．１≦Ｚ≦５を満たす数である） で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または擬似ペロブスカイト型酸化物
を主体としたものと考えられる。
用いる二とができる１、特に、下記一般式：％式％ （但し、αは周期律表Ｂａ族に含まれる元素であり、β
は、周期律表ＩＨａ族に含まれる元素であり、Ｔは周期
律表１ｂ、Ｉｌｂ、 ｆＩｌｂ、 ＩＶａおよびＶＩＩ
Ｉａ族か、：）選択される少なくとも一つの元素であり
、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．１ ≦ｘ≦０．９．０４≦
ｙＳ３．０．１≦Ｚ≦５を満たす数である） で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または擬似ペロブスカイト型酸化物
を主体としたものと考えられる。
上記周期律表Ｕａ族元素αとしては、Ｂａ、 Ｓｒ、Ｃ
ａＳ！、Ｉｇ、 Ｂｅ等が好ましく、例えば、Ｂａ、
Ｓｒを挙げることができ、この元素αの１０〜８０％を
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選択された１種または２種の元素
で置換することもできる。また−Ｌ、記周期律表ＩＩＩ
ａ族元素βはとしては、Ｙの他ＬａＸＳｒ、 Ｃｅ５Ｇ
ｄＳＨｏ、Ｅｒ、 Ｔｍ。
ａＳ！、Ｉｇ、 Ｂｅ等が好ましく、例えば、Ｂａ、
Ｓｒを挙げることができ、この元素αの１０〜８０％を
Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選択された１種または２種の元素
で置換することもできる。また−Ｌ、記周期律表ＩＩＩ
ａ族元素βはとしては、Ｙの他ＬａＸＳｒ、 Ｃｅ５Ｇ
ｄＳＨｏ、Ｅｒ、 Ｔｍ。
Ｙｂ、 ｉ、ｕ等うンタノイド元素が好ましく、例えば
Ｙ、Ｌａ、Ｈｏとすることができ、この元素βのうち、
１０〜８０％をＳｃまたはランタフ・イド元素から選択
された１種または２種の元素で置換するこきもできる３
３前記元素γは一般にＣｕであるが、その−認を周期律
表１ｂ、Ｉｌｂ、［［＋、ＩＶａおよびＶＩＩＩａ族か
ら選択される他の元素、例えば、Ｔｉ、 Ｖ等で置換樗
ることもできる。
Ｙ、Ｌａ、Ｈｏとすることができ、この元素βのうち、
１０〜８０％をＳｃまたはランタフ・イド元素から選択
された１種または２種の元素で置換するこきもできる３
３前記元素γは一般にＣｕであるが、その−認を周期律
表１ｂ、Ｉｌｂ、［［＋、ＩＶａおよびＶＩＩＩａ族か
ら選択される他の元素、例えば、Ｔｉ、 Ｖ等で置換樗
ることもできる。
作用
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、半導体単結
晶基板上に、複合酸化物超電導体層が形成されていると
にろにその主要な特徴がある。すなわち、本発明の超電
導体層を有する半導体基板は、従来の半導体と複合酸化
物超電導体を組み合わせた新規な半導体デバイスの基本
材料となるものである。
晶基板上に、複合酸化物超電導体層が形成されていると
にろにその主要な特徴がある。すなわち、本発明の超電
導体層を有する半導体基板は、従来の半導体と複合酸化
物超電導体を組み合わせた新規な半導体デバイスの基本
材料となるものである。
本発明の超電導体層を有する半導体基板は、配線部を従
来の金属から複合酸化物超電導体に置き換えた半導体集
積回路基板としてのみ使用できるだけでなく、複合酸化
物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成した半導体
デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを組み合わせ
た超電導トランジスタや熱電子トランジスタのような新
規な半導体素子を形成するためのデバイス用材料として
も用いることができる。
来の金属から複合酸化物超電導体に置き換えた半導体集
積回路基板としてのみ使用できるだけでなく、複合酸化
物超電導体の部分にジョセフソン接合を形成した半導体
デバイスあるいは半導体基板と超電導体とを組み合わせ
た超電導トランジスタや熱電子トランジスタのような新
規な半導体素子を形成するためのデバイス用材料として
も用いることができる。
第１図に本発明の超電導体層を有する半導体基板を材料
とした超電導トランジスタを示す。超電導トランジスタ
は、超電導近接効果を利用し、半導体中に超電導電流を
流すものである。第１図に示す超電導トランジスタは、
不発明の超電導体層を有する半導体基板を用い、超電導
体層を分割加工して超電導電極としたものである。すな
わち、第１図に示す超電導トランジスタは、以下の工程
で作製するものである。
とした超電導トランジスタを示す。超電導トランジスタ
は、超電導近接効果を利用し、半導体中に超電導電流を
流すものである。第１図に示す超電導トランジスタは、
不発明の超電導体層を有する半導体基板を用い、超電導
体層を分割加工して超電導電極としたものである。すな
わち、第１図に示す超電導トランジスタは、以下の工程
で作製するものである。
半導体単結晶基板上の一部に、予め熱酸化等で絶縁体層
を形成してから、超電導体層を形成する半導体単結晶基
板の反対側の面をエツチングし、単結晶薄膜を形成し、
その表面にさらに絶縁層を形成し、該絶縁層上に金属を
蒸着して電極を形成したものである。その後、超電導体
層をイオンエツチングを用い、２個の電極に分割加工す
る。
を形成してから、超電導体層を形成する半導体単結晶基
板の反対側の面をエツチングし、単結晶薄膜を形成し、
その表面にさらに絶縁層を形成し、該絶縁層上に金属を
蒸着して電極を形成したものである。その後、超電導体
層をイオンエツチングを用い、２個の電極に分割加工す
る。
本発明の超電導体層を有する半導体基板に使用する複合
酸化物超電導体としては、ＹＢＣ○と称されるＹＩＢａ
２Ｃｕ３Ｏｔ−１１で代表されるような多層ペロブスカ
イト結晶構造を有する複合酸化１勿が好ましい。しかし
ながらこれに限定されるものではなく、公知の超電導体
ｙ５ ）’、＝ Ｑのものを使用するこきが可能である
。
酸化物超電導体としては、ＹＢＣ○と称されるＹＩＢａ
２Ｃｕ３Ｏｔ−１１で代表されるような多層ペロブスカ
イト結晶構造を有する複合酸化１勿が好ましい。しかし
ながらこれに限定されるものではなく、公知の超電導体
ｙ５ ）’、＝ Ｑのものを使用するこきが可能である
。
また、本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製す
るには、半導体ｍＢ品基板上にスパッタリング、イオン
ブレーティング、分子線エビ、タキシー、ＣＶＤ （化
学的気相反応法）等の蒸着法あるいは蒸着法に類似の方
法で複合酸化物超電導体層を形成するのが好ましい。そ
の際、半導体単結晶の物性を損なわないよう基板温度を
７００℃以下で複合酸化物超電導体層を形成させること
が好ましい。
るには、半導体ｍＢ品基板上にスパッタリング、イオン
ブレーティング、分子線エビ、タキシー、ＣＶＤ （化
学的気相反応法）等の蒸着法あるいは蒸着法に類似の方
法で複合酸化物超電導体層を形成するのが好ましい。そ
の際、半導体単結晶の物性を損なわないよう基板温度を
７００℃以下で複合酸化物超電導体層を形成させること
が好ましい。
さらに、複合酸化物超電導体層はＧａＩｎＡｓ単結晶基
板の（１００）面に形成することが好ましい。これは、
複合酸化物超電導体の結晶性を向上させるためで、Ｇａ
ＩｎＡｓ単結晶基板の上記の面に形成された複合酸化物
超電導体薄膜は、結晶のＣ軸が基板成膜面に平行に近い
角度で揃う配向性を有するたｙ〕特定の面方向３よび深
さ方向の臨界電流密度Ｊｃが向上する。
板の（１００）面に形成することが好ましい。これは、
複合酸化物超電導体の結晶性を向上させるためで、Ｇａ
ＩｎＡｓ単結晶基板の上記の面に形成された複合酸化物
超電導体薄膜は、結晶のＣ軸が基板成膜面に平行に近い
角度で揃う配向性を有するたｙ〕特定の面方向３よび深
さ方向の臨界電流密度Ｊｃが向上する。
また、半導体単結晶基板と複合酸化物超電導体層の界面
の状態を改善するため、半導体基板上にバッファ層を予
め形成し、該バッファ層上に複合酸化物超電導体層を形
成することも好ましし・。このバッファ層としては、〜
Ｉｇ（Ｊ等が好ましｔ・。
の状態を改善するため、半導体基板上にバッファ層を予
め形成し、該バッファ層上に複合酸化物超電導体層を形
成することも好ましし・。このバッファ層としては、〜
Ｉｇ（Ｊ等が好ましｔ・。
実施例
以下、本発明を実施例１こ、［り具体的に１、）コヴｊ
するが、以下に記載するも（カＬ−サ、発明の単なる実
施例に過ぎず、以下の開示によし；、本発明の範凹が代
部制限されないことは勿論である。
するが、以下に記載するも（カＬ−サ、発明の単なる実
施例に過ぎず、以下の開示によし；、本発明の範凹が代
部制限されないことは勿論である。
ＧａＩｎＡｓ単結晶基板上に複合酸化物超電導体層を形
成し、本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製し
た。
成し、本発明の超電導体層を有する半導体基板を作製し
た。
ＹＢａ２Ｃｕ４．５０、焼結体粉末およびＨｏＢａ２．
２ＣＬ１４．７０、焼結体粉末をターゲットとして、公
知のマグネトロンスパッタリング法により、ＧａＩｎＡ
ｓ半導体１晶基板の（１００）面上に複合酸化物超電導
体層を形成する。基板とターゲット、・、）位置関係お
よび高周波電力の大きさに持（ご注、泣し７、基板温度
７００℃でスパッタリングを行い、複合酸化物超電導体
層を１０００八まで成長させ、試料とする。
２ＣＬ１４．７０、焼結体粉末をターゲットとして、公
知のマグネトロンスパッタリング法により、ＧａＩｎＡ
ｓ半導体１晶基板の（１００）面上に複合酸化物超電導
体層を形成する。基板とターゲット、・、）位置関係お
よび高周波電力の大きさに持（ご注、泣し７、基板温度
７００℃でスパッタリングを行い、複合酸化物超電導体
層を１０００八まで成長させ、試料とする。
上記の本発明の超電導体層を有する半導体基ド２は、い
ずれのものも半導体と超電導体との界面の状態がよく、
半導体デバイス材料として優れた特性を有している。ま
た、それぞれの試料の超電導体層の超電導臨界温度およ
び７７Ｋにおける臨界電流を以下に示す。
ずれのものも半導体と超電導体との界面の状態がよく、
半導体デバイス材料として優れた特性を有している。ま
た、それぞれの試料の超電導体層の超電導臨界温度およ
び７７Ｋにおける臨界電流を以下に示す。
以上説明したように、本発明の超電導体層を有する半導
体基板は、半導体デバイス用基板としてたいへん有効で
ある。
体基板は、半導体デバイス用基板としてたいへん有効で
ある。
発明の効果
本発明により、新規な半導体デバイス材料としてたいへ
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。
ん有効な超電導体層を有する半導体基板が提供される。
本発明により、半導体デバイスの高速化、高密度化がさ
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用した
半導体デバイス等に応用が可能である。
らに推進される。さらに、本発明はジョセフソン素子と
異なり、３端子以上の端子を有する超電導体を利用した
半導体デバイス等に応用が可能である。
第１図は、本発明の超電導体層を有する半導体基板を用
いて作製した超電導トランジスタの断面模式図である。 〔主な参照番号〕 １・・・超電導電極、 ２・・・絶縁層、 ３・・・半導体単結晶、 ４・・・ゲート絶縁層、 ５・・・ゲート電極、 特許出願人 住友電気工業株式会社
いて作製した超電導トランジスタの断面模式図である。 〔主な参照番号〕 １・・・超電導電極、 ２・・・絶縁層、 ３・・・半導体単結晶、 ４・・・ゲート絶縁層、 ５・・・ゲート電極、 特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (26)
- （１）ＧａＩｎＡｓ単結晶基板上に周期律表IIａ族元素
から選択された少なくとも１種の元素α、周期律表III
ａ族元素から選択された少なくとも１種の元素β、周期
律表Ｉｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａ、VIIIａ族元素から選択
された少なくとも１種の元素γを含有する複合酸化物超
電導体よりなる薄膜層が形成されていることを特徴とす
る超電導体層を有する半導体基板。 - （２）上記複合酸化物超電導体が、 一般式：（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）γ＿ｙＯ＿ｚ（但し
、α、β、γは、上記定義の元素であり、Ｘはα＋βに
対するβの原子比で、０．１≦ｘ≦０．９であり、ｙお
よびｚは（α＿１＿−＿ｘβ＿ｘ）を１とした場合に０
．４≦ｙ≦３．０、１≦ｚ≦５となる原子比である） で表される組成の酸化物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （３）上記複合酸化物超電導体が、ペロブスカイト型結
晶または多層ペロブスカイト型結晶を有する酸化物であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （４）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＹを含み
、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも１
種の元素を含む複合酸化物超電導体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に
記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （５）上記複合酸化物超電導体が、 Ｙ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは０
＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第４項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （６）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＬａを含
み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ
、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも
１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有す
る半導体基板。 - （７）上記複合酸化物超電導体が、 Ｌａ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第６項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （８）上記複合酸化物超電導体が、ＳｒおよびＬａを含
み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ
、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくとも
１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有す
る半導体基板。 - （９）上記複合酸化物超電導体が、 Ｌａ＿１Ｓｒ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第８項に記載の超電導体層を有する半導体基板。 - （１０）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＨｏを
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。 - （１１）上記複合酸化物超電導体が、 Ｈｏ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１２）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＮｄを
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。 - （１３）上記複合酸化物超電導体が、 Ｎｄ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である）、 で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１２項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１４）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＳｍを
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。 - （１５）上記複合酸化物超電導体が、 Ｓｍ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１４項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１６）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＥｕを
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。 - （１７）上記複合酸化物超電導体が、 Ｅｕ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１６項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （１８）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＧｄを
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。 - （１９）上記複合酸化物超電導体が、 Ｇｄ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第１８項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （２０）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＤｙを
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。 - （２１）上記複合酸化物超電導体が、 Ｄｙ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２０項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （２２）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＥｒを
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。 - （２３）上記複合酸化物超電導体が、 Ｅｒ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２２項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （２４）上記複合酸化物超電導体が、ＢａおよびＹｂを
含み、さらにＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ｔｉによって構成される群から選択される少なくと
も１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれか１項に記載の超電導体層を有
する半導体基板。 - （２５）上記複合酸化物超電導体が、 Ｙｂ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしｘは
０＜ｘ＜１を満たす数である） で表される複合酸化物であることを特徴とする特許請求
の範囲第２４項に記載の超電導体層を有する半導体基板
。 - （２６）上記複合酸化物超電導体薄膜層が、上記ＧａＩ
ｎＡｓ単結晶基板の（１００）面上に形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第２５項のい
ずれか１項に記載の超電導体層を有する半導体基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331214A JPH01173672A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 超電導体層を有する半導体基板 |
| EP88403329A EP0325877B1 (en) | 1987-12-26 | 1988-12-26 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| DE3888341T DE3888341T2 (de) | 1987-12-26 | 1988-12-26 | Halbleitersubstrat mit einem supraleitenden Dünnfilm. |
| US08/167,437 US5910662A (en) | 1987-12-26 | 1993-12-14 | Semiconductor substrate having a superconducting thin film |
| HK164695A HK164695A (en) | 1987-12-26 | 1995-10-19 | A semiconductor substrate having a superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62331214A JPH01173672A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 超電導体層を有する半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173672A true JPH01173672A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18241171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62331214A Pending JPH01173672A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 超電導体層を有する半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173672A (ja) |
-
1987
- 1987-12-26 JP JP62331214A patent/JPH01173672A/ja active Pending
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