JPH01175250A - リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

リードフレーム及びそれを用いた半導体装置

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JPH01175250A
JPH01175250A JP33547387A JP33547387A JPH01175250A JP H01175250 A JPH01175250 A JP H01175250A JP 33547387 A JP33547387 A JP 33547387A JP 33547387 A JP33547387 A JP 33547387A JP H01175250 A JPH01175250 A JP H01175250A
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JP
Japan
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parts
lead frame
tie
die pad
tie bar
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JP33547387A
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English (en)
Inventor
Akira Kojima
明 小島
Seiji Nakano
中野 征治
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、リードフレーム及びそれを用いた半導体装
置に関する。
[発明の概要] この発明は、板幅方向の中央にダイパットが形成され、
且つダイパット近傍より外側に向けて複数のリードが延
設されると共に、該リードどうし間を連結するタイバー
部が形成されてなるリードフレーム1こ才jいて、 前記タイバー部を、一側面側より完全に打抜くことなく
押し出して一部切断し、前記押出部を他側面側より押し
戻して形成し、しかもダイパットに半導体素子を配設す
ると共に樹脂モールドを施し、前記タイバー部をポンチ
で除去して形成して半導体装置を製造したことにより、 樹脂モールドをパッケージとして形成した後のタイバー
部分離を容易にし、また高精変なタイバー部分離金型(
ポンチ)を必要とけず、しかもその金型(ポンチ)の寿
命を飛躍的に向上したものである。
[従来の技術] この種のリードフレームのタイバー部は、モールドされ
る樹脂の流れを防止するため、及び複数のリードを保有
するために重要な機能を有している。斯るタイバー部を
切除するにあたっては、細い杆状のポンチが用いられて
おり、近年、半導体装置の高集積化、小型化によるリー
ドのファインピッチ化に伴なって、ポンチ自体も微紬化
並びに高精度化が要求されている。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、このような従来例にあっては、半導体装
置の生産工程において、タイバー部の打抜きを数多く行
うと、ボンデがモールドされた樹脂に含有されたガラス
粒により摩耗するため、その寿命が短いという問題点が
あり、ポンチに多大の費用がかかる乙のであった。
また、近年、リードのファインピッチ化に伴い、ポンチ
の摩耗によりタイバー部の打抜き幅が狭くなり配線等に
際して多くの不都合が発生している。
本発明は、斯ろ問題点に着目して創案されたものであっ
て、樹脂モールドを施した後のタイバー部分離を容易と
なし、ポンチの寿命を大幅に延長させろリードフレーム
及びそれを用いた半導体装置を得んとするしのである。
[問題点を解決するための手段] そこで、本発明は、板幅方向の中央にダイパットが形成
され、且つダイパット近傍より外側に向けてF5J、敗
のリードが延設されると共に、該リードどうし間を連結
するタイバー部か形成されてなるリードフレームにおい
て、前記タイバー部を、一側面側より完全に打抜くこと
なく押し出して一部切断し、前記押出部を他側面側より
押し戻して形成し、しかもダイパットに半導体素子を配
設すると共に櫂脂モールドを施し、前記タイバー部をボ
ンデで除去して形成して半導体装置を製造したことを、
その解決としている。
[作用] タイバー部は、一側面側より完全に打抜くことなく押し
出して一部切断し、面記押出し部を他側面側より押し戻
して形成されているため、例えば、ポンチで比較的軽く
押圧されることで分離、除去可能となる。そのため、ポ
ンチの摩耗を防止する作用がある。
[実施例] 以下、本発明に係るリードフレーム及びそれを用いた半
導体装置の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する
図中、1はリードフレームであって、通常多連帯状の鉄
−ニッケル板にダイパット2.リード部3なとを残すよ
うにカッティングやエツチング等により形成されている
。本実施例に係るリードフレームlは、半導体装置1個
分に亘る範囲の中央部に正方形状のグイパット2が配さ
れ、このグイパット2の四隅から対角線方向の外向きに
サポートパー4を延在さ什ている。このサポートパー4
の先端はリードフレーム円板1aと一体に形成されてお
り、また、当該サポートパー4の中間部はhli強板強
色5っている。そして、前記ダイパット2の側縁には、
半導体素子(チップ)とワイヤボンドされるリード部3
〜3の端末が対峙している。
そして、これらリード部3〜3の中間部又は端部どうし
を連結するようにタイバー部6A、6B。
6 C,6Dが平行状に形成されている。これらタイバ
ー部6 A、6 B、6 G、6 Dは、第1図中破線
で示す位置に、以下に説明するような突落し部7゜8.
9.10が形成されている。
この突落し部7,8,9.10は、ボンデにより比較的
弱い押圧力が除去し得るようにされたものであり、予め
リードフレームlを形成する際に設けられたものである
。即ち、第2図が示すように、リード部3.3間のタイ
バー部6A(第2図(A))は、リードフレーム作成時
に金型(図示省略)で略3分の1程度、一側面側から他
側面側に向けて押し出され(第2図(B))、次に、他
側面側に突出された押出部6aを元の位置まで押し戻し
て、第2図(C)の状態となっている。つまり、この突
落し部7は厚み方向の中間部のみが塑性変形により切れ
ておらず、他の上下両側は切断された状態となっている
。なお第2図(A)〜(C)はタイバー部6Aについて
示しているが、タイバー部6B、6G。
6Dにおいても全く同様である。
断る構成のリードフレーム1を用いた半導体装置は、ダ
イパット2に半導体素子(図示省略)を載置、固定し、
該半導体素子と各リード部3の端部にワイヤボンディン
グを行い、半導体素子を備えたダイパット2から所定の
タイバー部の内側位置まで亘り樹脂を例えばトランスフ
ァモールド法によりモールドを施す。すると、リード部
3〜3間には溶融樹脂が流出し所定のタイバー部よりさ
らに外側に流出するのか阻止される。このようにして、
モールドが固化した後は、所定の切断工程と共に、面記
所定のタイバー部をポンチ11(第2図(C)破線で示
す)で軽く押せば容易にリード3〜3を分離することか
可能となっている。
以上、実施例について説明したが、この他にも、各種の
設計変更が可能である。即ち、上記実施例にあっては、
リード部3〜3に複数のタイバー部を架設したが、単数
のタイバー部を有するリードフレームに本発明を適用す
るは勿論可能である。
また、上記しなかったが、タイバー部を最終的に打抜く
ポンチ11はタイバー部の幅寸法よりも小さくと乙充分
その機能を果たすことは言うまでもない。
[発明の効果コ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、樹脂
モールドをパッケージとして形成した後のタイバー部分
離を容易となし、高精度なボンデ(突落し用)を必要と
せず、しかも、そのポンチの寿命を飛躍的に向上する効
果があり低コスト化を可能にする。
また、リード部がファインピッチの場合、従来のらのに
比してポンチの耐久性が著しく向上すう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るリードフレームの部分拡大図、第
2図(A)〜(C)はタイバー部の形成工程を示す断面
図である。 ■・・・リードフレーム、2・・・ダイパット、3・・
・リード部、6 A、6 B、6 C,6D・・・タイ
バー部。 ■圧フレーム1帥分抹人呂 第1図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)板幅方向の中央にダイパットが形成され、且つダ
    イパット近傍より外側に向けて複数のリードが延設され
    ると共に、該リードどうし間を連結するタイバー部が形
    成されてなるリードフレームにおいて、 前記タイバー部を、一側面側より完全に打抜くことなく
    押し出して一部切断し、前記押出部を他側面側より押し
    戻して形成したことを特徴とするリードフレーム。
  2. (2)板幅方向の中央にダイパットが形成され、且つダ
    イパット近傍より外側に向けて複数のリードが延設され
    ると共に、該リードどうし間を連結するタイバー部が形
    成されてなり、前記タイバー部が、一側面側より完全に
    打抜くことなく押し出されて一部切断され、前記押出部
    を他側面側より押し戻して形成されたリードフレームの
    、前記ダイパットに半導体素子を配設し、該素子を前記
    リードに配線を施すと共に、前記タイバー部の内側を樹
    脂でモールドし、該タイバー部をポンチで除去したこと
    を特徴とする半導体装置。
JP33547387A 1987-12-28 1987-12-28 リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 Pending JPH01175250A (ja)

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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293064A (en) * 1991-02-07 1994-03-08 Fujitsu Limited Lead frame and method of manufacturing a semiconductor device
US5309018A (en) * 1992-04-28 1994-05-03 Rohm Co., Ltd. Lead frame having deformable supports
US5422314A (en) * 1993-03-19 1995-06-06 Fujitsu Miyagi Electronics Ltd. Lead frame and production method for producing semiconductor device using the lead frame
KR19990001715A (ko) * 1997-06-17 1999-01-15 윤종용 개선된 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법
WO2006034664A1 (de) * 2004-09-28 2006-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen für ein elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US7192807B1 (en) 2002-11-08 2007-03-20 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7906855B1 (en) 2008-01-21 2011-03-15 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8154111B2 (en) 1999-12-16 2012-04-10 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
JP2013149930A (ja) * 2011-12-20 2013-08-01 Zeniya-Industry Inc 電子部品の製造方法
US8866278B1 (en) 2011-10-10 2014-10-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O configuration
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9082833B1 (en) 2011-01-06 2015-07-14 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US9159672B1 (en) 2010-08-02 2015-10-13 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US9324614B1 (en) 2010-04-06 2016-04-26 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US9431323B1 (en) 2011-11-29 2016-08-30 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US9978695B1 (en) 2011-01-27 2018-05-22 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method
US10090228B1 (en) 2012-03-06 2018-10-02 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US10811341B2 (en) 2009-01-05 2020-10-20 Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Semiconductor device with through-mold via

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293064A (en) * 1991-02-07 1994-03-08 Fujitsu Limited Lead frame and method of manufacturing a semiconductor device
US5309018A (en) * 1992-04-28 1994-05-03 Rohm Co., Ltd. Lead frame having deformable supports
US5422314A (en) * 1993-03-19 1995-06-06 Fujitsu Miyagi Electronics Ltd. Lead frame and production method for producing semiconductor device using the lead frame
KR19990001715A (ko) * 1997-06-17 1999-01-15 윤종용 개선된 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법
US8154111B2 (en) 1999-12-16 2012-04-10 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
US7247523B1 (en) 2002-11-08 2007-07-24 Amkor Technology, Inc. Two-sided wafer escape package
US8691632B1 (en) 2002-11-08 2014-04-08 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US7420272B1 (en) 2002-11-08 2008-09-02 Amkor Technology, Inc. Two-sided wafer escape package
US9871015B1 (en) 2002-11-08 2018-01-16 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US9406645B1 (en) 2002-11-08 2016-08-02 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US8952522B1 (en) 2002-11-08 2015-02-10 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7192807B1 (en) 2002-11-08 2007-03-20 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US9054117B1 (en) 2002-11-08 2015-06-09 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US10665567B1 (en) 2002-11-08 2020-05-26 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7550827B2 (en) 2004-09-28 2009-06-23 Osram Opto Semiconductor Gmbh Conductor frame for an electronic component and method for the production thereof
KR101217588B1 (ko) * 2004-09-28 2013-01-18 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 전자소자의 도전체 프레임 및 그 제조방법
CN100446199C (zh) * 2004-09-28 2008-12-24 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于电子部件的引线框架及其制造的方法
WO2006034664A1 (de) * 2004-09-28 2006-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen für ein elektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7906855B1 (en) 2008-01-21 2011-03-15 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US10811341B2 (en) 2009-01-05 2020-10-20 Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Semiconductor device with through-mold via
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US10546833B2 (en) 2009-12-07 2020-01-28 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US9324614B1 (en) 2010-04-06 2016-04-26 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US9159672B1 (en) 2010-08-02 2015-10-13 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US9082833B1 (en) 2011-01-06 2015-07-14 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US9978695B1 (en) 2011-01-27 2018-05-22 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method
US8866278B1 (en) 2011-10-10 2014-10-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O configuration
US9947623B1 (en) 2011-11-29 2018-04-17 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode
US10410967B1 (en) 2011-11-29 2019-09-10 Amkor Technology, Inc. Electronic device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode
US9431323B1 (en) 2011-11-29 2016-08-30 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode
US11043458B2 (en) 2011-11-29 2021-06-22 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Method of manufacturing an electronic device comprising a conductive pad on a protruding-through electrode
JP2013149930A (ja) * 2011-12-20 2013-08-01 Zeniya-Industry Inc 電子部品の製造方法
US10090228B1 (en) 2012-03-06 2018-10-02 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
US10014240B1 (en) 2012-03-29 2018-07-03 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method

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