JPH0117542B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0117542B2 JPH0117542B2 JP56153691A JP15369181A JPH0117542B2 JP H0117542 B2 JPH0117542 B2 JP H0117542B2 JP 56153691 A JP56153691 A JP 56153691A JP 15369181 A JP15369181 A JP 15369181A JP H0117542 B2 JPH0117542 B2 JP H0117542B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- orientation
- single crystal
- laser
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフエライト等の単結晶の結晶方位を測
定する方法に関するものである。
定する方法に関するものである。
磁気ヘツドに用いられるMn〜Zh系あるいはNi
〜Zh系の単結晶フエライト等においてはその結
晶方位が磁化容易軸、磁気特性と関連しており、
特定の方位を用いて製品化している。したがつて
このような製品の生産においては、結晶方位を決
定、確認することが重要な作業となつている。
〜Zh系の単結晶フエライト等においてはその結
晶方位が磁化容易軸、磁気特性と関連しており、
特定の方位を用いて製品化している。したがつて
このような製品の生産においては、結晶方位を決
定、確認することが重要な作業となつている。
結晶方位を測定するには、表面をわずかにエツ
チングし、そのエツチ・ピツトを顕微鏡で観察
し、ゴニオメータで方位を決定する方法がとられ
ている。この方法は、きわめて正確に結晶の方位
を測定できる。そして結晶軸の方位を測定して単
結晶材料を切断し、磁気ヘツド素材ブロツクを切
り出す手段としては、きわめて優秀なものであ
る。
チングし、そのエツチ・ピツトを顕微鏡で観察
し、ゴニオメータで方位を決定する方法がとられ
ている。この方法は、きわめて正確に結晶の方位
を測定できる。そして結晶軸の方位を測定して単
結晶材料を切断し、磁気ヘツド素材ブロツクを切
り出す手段としては、きわめて優秀なものであ
る。
しかしながら切出した結晶ブロツクの方位を確
認する手段としては、エツチング工程を必要と
し、顕微鏡による観測など、工程が複雑で熟練を
要するものであり、現場等で簡単に行なえないと
いう欠点があつた。
認する手段としては、エツチング工程を必要と
し、顕微鏡による観測など、工程が複雑で熟練を
要するものであり、現場等で簡単に行なえないと
いう欠点があつた。
本発明は上記した従来技術の欠点をなくし、簡
便に結晶方位の測定、確認をすることができるよ
うにした結晶方位測定方法を提供するにある。
便に結晶方位の測定、確認をすることができるよ
うにした結晶方位測定方法を提供するにある。
即ち本発明は、レーザビームを単結晶の表面に
照射して、これにより照射部に生じるクラツクの
方向と結晶軸の方向との一定の関係から結晶軸の
方向を測定することを特徴とするものである。
照射して、これにより照射部に生じるクラツクの
方向と結晶軸の方向との一定の関係から結晶軸の
方向を測定することを特徴とするものである。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。
的に説明する。
ところで第１図に示すような装置で試料単結晶
のブロツクにレーザ照射を行なつた。そしてレー
ザ発振器１より出たレーザビーム２を反射ミラー
３により反射させ、集光レンズ４により載物台６
の上の試料単結晶ブロツク５は集光照射する。そ
の結果単結晶の照射部には微細なクラツクが生じ
るがこのクラツクの方向は単結晶の面方位と密接
に関係していることがわかつた。
のブロツクにレーザ照射を行なつた。そしてレー
ザ発振器１より出たレーザビーム２を反射ミラー
３により反射させ、集光レンズ４により載物台６
の上の試料単結晶ブロツク５は集光照射する。そ
の結果単結晶の照射部には微細なクラツクが生じ
るがこのクラツクの方向は単結晶の面方位と密接
に関係していることがわかつた。
第２図にその結果の例を示す。第２図において
７は単結晶ブロツクであり、８ａ，９ａ，１０ａ
は各々その｛211｝面、｛111｝面、｛110｝面を示
す。また直線１１は＜100＞方向を示す。これら
の面にレーザを照射した跡が８ｂ，９ｂ，１０ｂ
である。これらのレーザ照射部分の顕微鏡による
拡大図を８ｃ，９ｃ，１０ｃに示すが、これらは
いずれも同様の形状のクラツクであり、一方向に
長いクラツクの列と、これとほぼ垂直なラダー状
のクラツクから成つている。
７は単結晶ブロツクであり、８ａ，９ａ，１０ａ
は各々その｛211｝面、｛111｝面、｛110｝面を示
す。また直線１１は＜100＞方向を示す。これら
の面にレーザを照射した跡が８ｂ，９ｂ，１０ｂ
である。これらのレーザ照射部分の顕微鏡による
拡大図を８ｃ，９ｃ，１０ｃに示すが、これらは
いずれも同様の形状のクラツクであり、一方向に
長いクラツクの列と、これとほぼ垂直なラダー状
のクラツクから成つている。
８ｃにおいては長いクラツクの方向は｛211｝
面、｛111｝面の交線と45゜をなす方向である。９
ｃにおいては長いクラツクの方向は｛111｝面、
｛110｝面の交線と平行な方向である。さらに１０
ｂにおいては長いクラツクの方向は＜100＞方向
と一致している。これらのクラツクの方向性はレ
ーザ照射の条件すなわちパワーの大きさ、レーザ
ビームの断面形状、偏光方向などを変えても変わ
らないことが確認された。よつてレーザビームの
試料表面の一部に照射し、そのクラツクの方向を
観察することにより試料単結晶の結晶方位の測
定、確認ができることがわかる。
面、｛111｝面の交線と45゜をなす方向である。９
ｃにおいては長いクラツクの方向は｛111｝面、
｛110｝面の交線と平行な方向である。さらに１０
ｂにおいては長いクラツクの方向は＜100＞方向
と一致している。これらのクラツクの方向性はレ
ーザ照射の条件すなわちパワーの大きさ、レーザ
ビームの断面形状、偏光方向などを変えても変わ
らないことが確認された。よつてレーザビームの
試料表面の一部に照射し、そのクラツクの方向を
観察することにより試料単結晶の結晶方位の測
定、確認ができることがわかる。
更に具体的に本発明の実施例を第３図、第４図
にもとづいて説明する。
にもとづいて説明する。
第３図においてレーザ発振器１２より出たレー
ザビーム１３はミラー１４により反射され、ハー
フミラー１５を通過して対物レンズ１８により集
光スポツト１９を結び、載物台２１の上に設置し
た試料２０の表面に照射される。ハーフミラー１
５、リレーレンズ１６、レチクル１６ａ接眼レン
ズ１７より成る観察光学系は試料の位置あわせだ
けでなくクラツクの方向の観察測定に用いること
ができる。すなわち試料台にはθ方向回転・測定
機能をつけておりレチクルの十字線を規準として
クラツクの方向（角度）を測定しうる。また試料
台は角度固定として、レチクルを回転させて角度
を測定してもよい。
ザビーム１３はミラー１４により反射され、ハー
フミラー１５を通過して対物レンズ１８により集
光スポツト１９を結び、載物台２１の上に設置し
た試料２０の表面に照射される。ハーフミラー１
５、リレーレンズ１６、レチクル１６ａ接眼レン
ズ１７より成る観察光学系は試料の位置あわせだ
けでなくクラツクの方向の観察測定に用いること
ができる。すなわち試料台にはθ方向回転・測定
機能をつけておりレチクルの十字線を規準として
クラツクの方向（角度）を測定しうる。また試料
台は角度固定として、レチクルを回転させて角度
を測定してもよい。
第４図はより簡便に、単結晶の方位を測定確認
する装置を示す。レーザ発振器２２より出たレー
ザビームはリレーレンズ系２３によりビーム拡が
り角等を調整された後、これに接続された光フア
イバー２４に入射する。光フアイバーは可撓性で
レーザ光をよく通過させかつレーザのパワーに十
分耐えるものとする。可撓性を有するため任意の
位置任意の方向にたわませてもつていくことがで
きる。フアイバーの他の端は、照射光学系２５に
接続されていてフアイバーから出た光はハーフミ
ラー２８を通過し、対物レンズで集光して集光ス
ポツト３０を結び、試料３１の表面に照射するこ
とができる。一方、ハーフミラー２８、リレーレ
ンズ２６、レチクル２６ａ、接眼レンズ２７より
成る観察光学系は、第３図と同様にして試料表面
を観察し、そのクラツクの方向を測定・確認する
ために用いることができる。
する装置を示す。レーザ発振器２２より出たレー
ザビームはリレーレンズ系２３によりビーム拡が
り角等を調整された後、これに接続された光フア
イバー２４に入射する。光フアイバーは可撓性で
レーザ光をよく通過させかつレーザのパワーに十
分耐えるものとする。可撓性を有するため任意の
位置任意の方向にたわませてもつていくことがで
きる。フアイバーの他の端は、照射光学系２５に
接続されていてフアイバーから出た光はハーフミ
ラー２８を通過し、対物レンズで集光して集光ス
ポツト３０を結び、試料３１の表面に照射するこ
とができる。一方、ハーフミラー２８、リレーレ
ンズ２６、レチクル２６ａ、接眼レンズ２７より
成る観察光学系は、第３図と同様にして試料表面
を観察し、そのクラツクの方向を測定・確認する
ために用いることができる。
以上説明したように本発明によればきわめて簡
便に単結晶の結晶軸の方位を測定・確認すること
が出来る効果を奏する。
便に単結晶の結晶軸の方位を測定・確認すること
が出来る効果を奏する。
第１図は本発明に係る試料にレーザを照射する
装置を示す図、第２図は第１図の装置でレーザ照
射をされた単結晶のクラツクの方位と面方位の関
係を示す図、第３図、第４図は本発明に係るレー
ザを単結晶に照射してクラツクの方位を測定し、
これにより結晶軸方位を測定する装置を示す図で
ある。 ７……単結晶ブロツク、８ａ……｛211｝面、
８ｂ……レーザ照射部、８ｃ……クラツクの状
態、９ａ……｛111｝面、９ｂ……レーザ照射部、
１０ａ……｛110｝面、１０ｂ……レーザ照射部、
１０ｃ……クラツクの状態、１１……＜100＞方
向。
装置を示す図、第２図は第１図の装置でレーザ照
射をされた単結晶のクラツクの方位と面方位の関
係を示す図、第３図、第４図は本発明に係るレー
ザを単結晶に照射してクラツクの方位を測定し、
これにより結晶軸方位を測定する装置を示す図で
ある。 ７……単結晶ブロツク、８ａ……｛211｝面、
８ｂ……レーザ照射部、８ｃ……クラツクの状
態、９ａ……｛111｝面、９ｂ……レーザ照射部、
１０ａ……｛110｝面、１０ｂ……レーザ照射部、
１０ｃ……クラツクの状態、１１……＜100＞方
向。
Claims (1)
- １ レーザビームを単結晶の表面に照射してこれ
により照射部に生じるクラツクの方向と結晶軸の
方向との一定の関係から結晶軸の方向を測定する
ことを特徴とする結晶方位測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56153691A JPS5855858A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 結晶方位測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56153691A JPS5855858A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 結晶方位測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855858A JPS5855858A (ja) | 1983-04-02 |
| JPH0117542B2 true JPH0117542B2 (ja) | 1989-03-30 |
Family
ID=15568023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56153691A Granted JPS5855858A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 結晶方位測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855858A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1304600C (en) * | 1986-09-30 | 1992-07-07 | Sidney Weiser | Method of and apparatus for real-time crystallographic axis orientation determination |
| DE3831938A1 (de) * | 1987-09-21 | 1989-04-06 | Ube Industries | Giessvorrichtung |
| JPH0667545B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1994-08-31 | 宇部興産株式会社 | 射出成形機 |
| JP4464583B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2010-05-19 | 新日本製鐵株式会社 | ビレットおよび線材の偏析評価方法 |
| JP2007147637A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-06-14 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの欠陥検出方法 |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56153691A patent/JPS5855858A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5855858A (ja) | 1983-04-02 |
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