JPH01178448A - 低誘電率セラミックスの製造方法 - Google Patents
低誘電率セラミックスの製造方法Info
- Publication number
- JPH01178448A JPH01178448A JP329588A JP329588A JPH01178448A JP H01178448 A JPH01178448 A JP H01178448A JP 329588 A JP329588 A JP 329588A JP 329588 A JP329588 A JP 329588A JP H01178448 A JPH01178448 A JP H01178448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- dielectric constant
- ceramics
- layers
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば電子回路用基板、誘電体アンテナ等
に用いられる低誘電率セラミックスの製造方法に関する
。
に用いられる低誘電率セラミックスの製造方法に関する
。
（従来の技術〕
回路基板等に用いられるセラミックスには、−船釣にそ
の誘電率εが小さいことが要求される。
の誘電率εが小さいことが要求される。
これは例えば、当該基板の伝搬遅延時間τは、光速をＣ
とするとτ＝Ｆ／ｃで表され、誘電率εが大きいと高速
動作回路の実現等に支障を来すようになるからである。
とするとτ＝Ｆ／ｃで表され、誘電率εが大きいと高速
動作回路の実現等に支障を来すようになるからである。
この場合、緻密質のセラミックスよりも低い誘電率を得
るためには、セラミックス中に空孔を導入するのが一般
的な方法である。
るためには、セラミックス中に空孔を導入するのが一般
的な方法である。
但し、この空孔が三次元的に連続した空孔であると、湿
度の高い環境に置かれる等すると、空孔に湿気が浸入し
、Ｑ値の低下や絶縁抵抗の低下を引き起こす。
度の高い環境に置かれる等すると、空孔に湿気が浸入し
、Ｑ値の低下や絶縁抵抗の低下を引き起こす。
そのため、このポーラスなセラミックスを実際に使用す
るに当たっては、樹脂を空孔に充填し、湿気の浸入を防
ぐコンポジット構造にしている。
るに当たっては、樹脂を空孔に充填し、湿気の浸入を防
ぐコンポジット構造にしている。
しかしながら、樹脂はセラミックスよりもＱ値が小さい
ため、コンポジット構造にすれば、セラミックスのみの
単一構造よりＱ値は低下してしまう。
ため、コンポジット構造にすれば、セラミックスのみの
単一構造よりＱ値は低下してしまう。
また、樹脂の電気的信頼性はセラミックスのそれより低
いため、コンポジット構造の場合の信頼性は樹脂の信頼
性によって規定されてしまう。
いため、コンポジット構造の場合の信頼性は樹脂の信頼
性によって規定されてしまう。
以上のような理由で、樹脂とのコンポジット構造は、セ
ラミックスが本来備えている□高いＱ値と高い信頼性を
損なうという問題がある。
ラミックスが本来備えている□高いＱ値と高い信頼性を
損なうという問題がある。
そこでこの発明は、セラミックスの持つ高いＱ値と高い
信頼性を維持しつつ、緻密質のセラミックスよりも低い
誘電率を持つ低誘電率セラミックスを製造する方法を提
供することを目的とする。
信頼性を維持しつつ、緻密質のセラミックスよりも低い
誘電率を持つ低誘電率セラミックスを製造する方法を提
供することを目的とする。
この発明の低誘電率セラミックスの製造方法は、未焼成
のセラミックス成形体であってその内部に当該セラミッ
クスの焼成温度よりも低い温度で焼失する材料から成る
層を１層以上有するものを作製してそれを焼成し、それ
によって内部に空隙層を１層以上有するセラミックス焼
結体を作ることを特徴とする。
のセラミックス成形体であってその内部に当該セラミッ
クスの焼成温度よりも低い温度で焼失する材料から成る
層を１層以上有するものを作製してそれを焼成し、それ
によって内部に空隙層を１層以上有するセラミックス焼
結体を作ることを特徴とする。
セラミックス焼結体内部に空隙層を設けることで、全体
の誘電率を緻密質のセラミックスよりも下げることがで
き、それによって低誘電率セラミックスが得られる。し
かも従来のコンポジット構造と違って樹脂を用いていな
いため、セラミックスの持つ高いＱ値と高い信頼性を維
持することができる。
の誘電率を緻密質のセラミックスよりも下げることがで
き、それによって低誘電率セラミックスが得られる。し
かも従来のコンポジット構造と違って樹脂を用いていな
いため、セラミックスの持つ高いＱ値と高い信頼性を維
持することができる。
尚、セラミックスの焼成温度よりも低い温度で焼失する
材料は、有機材料、無機材料のいずれでも良い。
材料は、有機材料、無機材料のいずれでも良い。
また、空隙層の暦数は目的とする誘電率等に応じて定め
れば良（、特定のものに限定されない。
れば良（、特定のものに限定されない。
また、空隙層はセラミックス焼結体内部にほぼ均等に設
けても良いし、所要の場所に偏在させても良い。
けても良いし、所要の場所に偏在させても良い。
〔実施例１〕
アルミナ（純度９９．８％、平均粒径り、。＝１゜ＯＩ
Ｉｍ）にアルリル系バインダーと可塑剤を加えて混合し
、ドクターブレード法によりアルミナグリ−ンシート（
厚さ３００μｍ）を作製し、これを１５ｍｍφに打ち抜
いた。
Ｉｍ）にアルリル系バインダーと可塑剤を加えて混合し
、ドクターブレード法によりアルミナグリ−ンシート（
厚さ３００μｍ）を作製し、これを１５ｍｍφに打ち抜
いた。
一方、上記アルミナの焼成温度よりも低い温度で焼失す
るものの例として、カーボン（平均粒径り、。＝１．０
μｍ）にセルロースとテレピネオールヲ加えて粘度２０
００ｃｐｓのカーボンペーストを作製した。
るものの例として、カーボン（平均粒径り、。＝１．０
μｍ）にセルロースとテレピネオールヲ加えて粘度２０
００ｃｐｓのカーボンペーストを作製した。
そして第１図（Ａ）に示すように、このカーボンペース
ト２を上記セラミックグリーンシート１に印刷した後、
それらを積層し、熱圧着して未焼成のセラミックス成形
体を得た。
ト２を上記セラミックグリーンシート１に印刷した後、
それらを積層し、熱圧着して未焼成のセラミックス成形
体を得た。
次いでこれを、大気中で１７００°Ｃにて焼成すること
で、第１図（Ｂ）に示すように、内部に複数の空隙層４
を有するアルミナ焼結体３が得られた。これは、アルミ
ナグリーンシートｌの焼成に伴って、カーボンペースト
２が焼失してその後に空隙が残るためである。ちなみに
このアルミナ焼結体３の空隙率は７０体積％であった。
で、第１図（Ｂ）に示すように、内部に複数の空隙層４
を有するアルミナ焼結体３が得られた。これは、アルミ
ナグリーンシートｌの焼成に伴って、カーボンペースト
２が焼失してその後に空隙が残るためである。ちなみに
このアルミナ焼結体３の空隙率は７０体積％であった。
そしてこれをＩＭＨ２，１００ＭＨ２，ｌ０ＧＨｚのそ
れぞれでその誘電率εとＱ値を測定したところ、周波数
に拘らず、ε−３，９、Ｑ＝５×１０４であった。ちな
みに緻密質アルミナの誘電率は９〜１０程度である。ま
た、銀電極を焼付けて地縁抵抗を測定したところ１０′
３Ωであり、絶縁体として十分なものであった。
れぞれでその誘電率εとＱ値を測定したところ、周波数
に拘らず、ε−３，９、Ｑ＝５×１０４であった。ちな
みに緻密質アルミナの誘電率は９〜１０程度である。ま
た、銀電極を焼付けて地縁抵抗を測定したところ１０′
３Ωであり、絶縁体として十分なものであった。
〔実施例２〕
同一出願人が別途提案している低温焼成可能なセラミッ
クス、即ちＳｉＯ□を２５〜７０重量％、ＡｈＯｓを１
重量％以上２０重量％未満、ＣａＯを０重量％を超え３
０重量％以下、ＢａＯを１５〜７０ｆ！ｆｆｉ％および
Ｂ２Ｏ３を１．５重量％以上３重量％未満含んで成る仮
焼粉砕物（平均粒径Ｉ）ｓ。
クス、即ちＳｉＯ□を２５〜７０重量％、ＡｈＯｓを１
重量％以上２０重量％未満、ＣａＯを０重量％を超え３
０重量％以下、ＢａＯを１５〜７０ｆ！ｆｆｉ％および
Ｂ２Ｏ３を１．５重量％以上３重量％未満含んで成る仮
焼粉砕物（平均粒径Ｉ）ｓ。
−３μｍ）に、アルリル系バインダーと可塑剤を加えて
ドクターブレード法によりセラミックグリーンシート（
厚さ１００ ａｍ）を作製し、これを１５ｍｍφに打ち
抜いた。
ドクターブレード法によりセラミックグリーンシート（
厚さ１００ ａｍ）を作製し、これを１５ｍｍφに打ち
抜いた。
一方、上記セラミックスの焼成温度よりも低い温度で焼
失するものの例として、上記アクリル系バインダーと可
塑剤とを混合したものを同じくドクターブレード法によ
りシート状に成形しく厚さ１００μｍ）、この有機シー
トを１０ｍｍφに打ち抜いた。
失するものの例として、上記アクリル系バインダーと可
塑剤とを混合したものを同じくドクターブレード法によ
りシート状に成形しく厚さ１００μｍ）、この有機シー
トを１０ｍｍφに打ち抜いた。
そして第２図（Ａ）に示すように、この有機シート１２
と上記セラミックグリーンシート１１とを積層し、熱圧
着して未焼成のセラミックス成形体を得た。
と上記セラミックグリーンシート１１とを積層し、熱圧
着して未焼成のセラミックス成形体を得た。
次いでこれを、Ｈ２Ｏ／ＮＺ （即ち窒素中に水蒸気
を含む）雰囲気中で９５０〜１０００°Ｃで焼成するこ
とで、第２図（Ｂ）に示すように、内部に複数の空隙層
１４を有するセラミックス焼結体１３が得られた。これ
は、セラミックグリーンシート１１の焼成に伴って有機
シート１２が焼失してその後に空隙が残るためである。
を含む）雰囲気中で９５０〜１０００°Ｃで焼成するこ
とで、第２図（Ｂ）に示すように、内部に複数の空隙層
１４を有するセラミックス焼結体１３が得られた。これ
は、セラミックグリーンシート１１の焼成に伴って有機
シート１２が焼失してその後に空隙が残るためである。
ちなみにこのセラミックス焼結体１３の空隙率は５０体
積％であった。そしてこれを実施例１と同様な条件で誘
電率ε、Ｑ値および絶縁抵抗を測定したところ、ε＝３
．５、Ｑ＝５Ｘ１０’、絶縁抵抗＝ＩＱｌｌΩであった
。
積％であった。そしてこれを実施例１と同様な条件で誘
電率ε、Ｑ値および絶縁抵抗を測定したところ、ε＝３
．５、Ｑ＝５Ｘ１０’、絶縁抵抗＝ＩＱｌｌΩであった
。
（発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、セラミックスの持つ高
いＱ値と高い信頼性を維持しつつ、緻密質のセラミック
スよりも低い誘電率を持つ低誘電率セラミックスを得る
ことができる。しかもこの製造方法は、特定種類のセラ
ミックスに限定されルモノではなく、あらゆる種類のセ
ラミックスに適用することができる。
いＱ値と高い信頼性を維持しつつ、緻密質のセラミック
スよりも低い誘電率を持つ低誘電率セラミックスを得る
ことができる。しかもこの製造方法は、特定種類のセラ
ミックスに限定されルモノではなく、あらゆる種類のセ
ラミックスに適用することができる。
またこの製造方法によれば、内部の空隙層を偏在させる
ことも可能であり、そのようにすれば一つのセラミック
スに誘電率の高い部分と低い部分を持たせることができ
、例えば前者の部分はコンデンサとして、後者の部分は
高速で信号を伝達する回路等として使用することもでき
る。
ことも可能であり、そのようにすれば一つのセラミック
スに誘電率の高い部分と低い部分を持たせることができ
、例えば前者の部分はコンデンサとして、後者の部分は
高速で信号を伝達する回路等として使用することもでき
る。
第１図は、実施例１の製造方法を説明するための図であ
る。第２図は、実施例２の製造方法を説明するための図
である。 １・・・アルミナグリーンシート、２１．・カーボンペ
ースト、３・・・アルミナ焼結体、４．１４・・、空隙
層、１１・・・セラミックグリーンシート・１２・・・
有機シート、１３・・・セラミックス焼結体。
る。第２図は、実施例２の製造方法を説明するための図
である。 １・・・アルミナグリーンシート、２１．・カーボンペ
ースト、３・・・アルミナ焼結体、４．１４・・、空隙
層、１１・・・セラミックグリーンシート・１２・・・
有機シート、１３・・・セラミックス焼結体。
Claims (1)
- （１）未焼成のセラミックス成形体であってその内部に
当該セラミックスの焼成温度よりも低い温度で焼失する
材料から成る層を１層以上有するものを作製してそれを
焼成し、それによって内部に空隙層を１層以上有するセ
ラミックス焼結体を作ることを特徴とする低誘電率セラ
ミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP329588A JPH01178448A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 低誘電率セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP329588A JPH01178448A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 低誘電率セラミックスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01178448A true JPH01178448A (ja) | 1989-07-14 |
Family
ID=11553388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP329588A Pending JPH01178448A (ja) | 1988-01-11 | 1988-01-11 | 低誘電率セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01178448A (ja) |
-
1988
- 1988-01-11 JP JP329588A patent/JPH01178448A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| IE36276B1 (en) | A method of forming electrodes and conductors and articles made thereby | |
| JPH01178448A (ja) | 低誘電率セラミックスの製造方法 | |
| JP2002232204A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| US5723073A (en) | Conductive paste containing 2-tetradecanol and ceramic circuit substrate using the same | |
| JP3127797B2 (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 | |
| JPH01179777A (ja) | 低誘電率セラミックスの製造方法 | |
| JPH0738493B2 (ja) | 同時焼成セラミック回路基板 | |
| JP2002198622A (ja) | メタライズ組成物及びそれを用いた配線基板並びにその製造方法 | |
| JP2605306B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP2551046B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP3363299B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
| JPS59217392A (ja) | 多層配線回路板 | |
| JP2938931B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
| JP3372061B2 (ja) | 高周波誘電体材料ならびに共振器およびその製造方法 | |
| JP2004072417A (ja) | マイクロストリップライン、ストリップライン、およびこれらを用いた共振器 | |
| JPH03283583A (ja) | 圧電体厚膜の製造方法 | |
| JP2658356B2 (ja) | 複合セラミックス基板の製法 | |
| JP2004296544A (ja) | セラミック配線基板およびその製造方法 | |
| JPH02106991A (ja) | 低誘電率基板 | |
| JP2010258187A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH0616454A (ja) | 回路基板用ガラス材料及び回路基板 | |
| JP4703208B2 (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JPH02106990A (ja) | 低誘電率セラミック基板 | |
| JPH04359810A (ja) | 誘電体磁器組成物ならびに誘電体磁器組成物を用いた誘電体フィルタおよびその製造方法 | |
| JPH0786079A (ja) | 高周波用チップコンデンサ |