JPH01181585A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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- JPH01181585A JPH01181585A JP305688A JP305688A JPH01181585A JP H01181585 A JPH01181585 A JP H01181585A JP 305688 A JP305688 A JP 305688A JP 305688 A JP305688 A JP 305688A JP H01181585 A JPH01181585 A JP H01181585A
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- layer
- semiconductor laser
- cladding layer
- semiconductor substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、独立駆動可能な、同−若しくは異なる波長の
２光束、または可変波長光出射可能な半導体レーザーに
関する。
２光束、または可変波長光出射可能な半導体レーザーに
関する。
従来、この種の半導体レーザーは、半導体ウェハーに近
接した２木のストライプ構造をパターンニングによって
形成し、それぞれのストライプ上に、独立の電極を配置
することによって作製されている。
接した２木のストライプ構造をパターンニングによって
形成し、それぞれのストライプ上に、独立の電極を配置
することによって作製されている。
しかしながら、上述の従来の半導体レーザーにおいては
、下記のような構造に起因する欠点がある。
、下記のような構造に起因する欠点がある。
まず、第１に、２本の光束の間隔（通常数ミクロン）を
ある程度以上近づけることが難しい。これは通常、スト
ライプ構造による光の閉じ込めは、ＤＨ（ダブルへテロ
）構造を成す基板と垂直な方向に対しては弱く、例えば
、両ストライブの間隔を数ミクロン以下に近づけようと
すると両ストライブ間で光の結合が生じ、独立に２木の
レーザーを駆動することができなくなるためである。
ある程度以上近づけることが難しい。これは通常、スト
ライプ構造による光の閉じ込めは、ＤＨ（ダブルへテロ
）構造を成す基板と垂直な方向に対しては弱く、例えば
、両ストライブの間隔を数ミクロン以下に近づけようと
すると両ストライブ間で光の結合が生じ、独立に２木の
レーザーを駆動することができなくなるためである。
また、ストライブを近づけた場合の電極や、電流狭窄の
ための構造の作製にも工夫が必要で、複雑な電極形成プ
ロセスを要する。第２に、２光束の発振波長を変えたり
ファーフィールドパターンを変えたい場合には、例えば
、特開昭５６−８０１９５号に開示されているように、
片方のレーザー構造を作製した後、エツチングで一部分
の積層構造をとり去り、その部分に最初に作製したレー
ザー構造と、バンドギャップや膜厚の異なるレーザー構
造を作製するためト結晶を再成長させるといワた複雑な
プロセスが必要であった。
ための構造の作製にも工夫が必要で、複雑な電極形成プ
ロセスを要する。第２に、２光束の発振波長を変えたり
ファーフィールドパターンを変えたい場合には、例えば
、特開昭５６−８０１９５号に開示されているように、
片方のレーザー構造を作製した後、エツチングで一部分
の積層構造をとり去り、その部分に最初に作製したレー
ザー構造と、バンドギャップや膜厚の異なるレーザー構
造を作製するためト結晶を再成長させるといワた複雑な
プロセスが必要であった。
本発明の目的は、以上の問題点を解決し、波長の異なる
２光束または可変波長を出射する構造の簡単な半導体レ
ーザーを提供することにある。
２光束または可変波長を出射する構造の簡単な半導体レ
ーザーを提供することにある。
本発明の半導体レーザーは、
半導体基板上に、半導体基板と同一の導電型の第１のク
ラッド層、第１の活性層、半導体基板と逆の導電型の第
２のクラッド層、第２の活性層、および半導体基板と同
一の導電型の第３のクラッド層が順次、少なくとも積層
されて成る堆積層を備える半導体レーザーにおいて、 堆積層の一部領域で、前記半導体基板と逆の導電型のス
トライブ状をなす不純物拡散領域が、前記第３のクラッ
ド層上部から前記第１の活性層を貫通し、さらに前記第
１のクラッド層に到達するように設けられており、電極
が前記領域上とそれ以外の領域上と、前記半導体基板の
下面に設けられていることを特徴としている。
ラッド層、第１の活性層、半導体基板と逆の導電型の第
２のクラッド層、第２の活性層、および半導体基板と同
一の導電型の第３のクラッド層が順次、少なくとも積層
されて成る堆積層を備える半導体レーザーにおいて、 堆積層の一部領域で、前記半導体基板と逆の導電型のス
トライブ状をなす不純物拡散領域が、前記第３のクラッ
ド層上部から前記第１の活性層を貫通し、さらに前記第
１のクラッド層に到達するように設けられており、電極
が前記領域上とそれ以外の領域上と、前記半導体基板の
下面に設けられていることを特徴としている。
（作用）
上記構成の本発明は電流の道すじを２つ有することにな
り、上記２つの活性層でそれぞれの光波が独立に発振す
るため、発光点の近い２光束が得られる。しかも、第１
の活性層と第２の活性層とで組成や構造を変えることに
より、波長の異なる三光束を出射する半導体レーザーが
簡単に作製可能である。また、２つの活性層の間の距離
を縮めた構造を採ることにより、複合共振器が形成され
、電流注入によって共振周波数を変化させて、自由に縦
モードを選択できる可変波長半導体レーザーも構成でき
る。
り、上記２つの活性層でそれぞれの光波が独立に発振す
るため、発光点の近い２光束が得られる。しかも、第１
の活性層と第２の活性層とで組成や構造を変えることに
より、波長の異なる三光束を出射する半導体レーザーが
簡単に作製可能である。また、２つの活性層の間の距離
を縮めた構造を採ることにより、複合共振器が形成され
、電流注入によって共振周波数を変化させて、自由に縦
モードを選択できる可変波長半導体レーザーも構成でき
る。
（実施例）
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の半導体レーザーの一実施例を示す模式
斜視図であり、第２図（ａ）〜第２図（ｆ）はその作製
方法の過程を示した模式正面図である。
斜視図であり、第２図（ａ）〜第２図（ｆ）はその作製
方法の過程を示した模式正面図である。
（ｔｏｏ）面をもつｎ型ＧａＡｓ基板１上に、順次、ｎ
型ＧａＡｌＡｓクラッド層２、ＧａＡｓ活性層３、Ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層４、ＧａＡｓ活性層５、ｎ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層６．２つに分離したＧａＡｓキャ
ップ層７が積層されている。さらにｎ型ＧａＡｓ基板１
の下面にはカソード電極９が、ＧａＡｓキャップ層７の
一方の上面にはカソード電極８、他方の上面にはアノー
ド電極１０が設けられている。また、ストライブ状のＰ
′″型不純物拡散領域１２がｎ型ＧａＡｌＡｓクラツド
層６上面からＧａＡｓ活性層３まで貫通した後、ｎ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層２に到達している。このように、
Ｐ′″型不純物拡散領域１２は、半導体レーザーを２つ
の領域に分けるように設けられている。一方の領域はＰ
−型不純物拡散領域１１となっている。
型ＧａＡｌＡｓクラッド層２、ＧａＡｓ活性層３、Ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層４、ＧａＡｓ活性層５、ｎ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層６．２つに分離したＧａＡｓキャ
ップ層７が積層されている。さらにｎ型ＧａＡｓ基板１
の下面にはカソード電極９が、ＧａＡｓキャップ層７の
一方の上面にはカソード電極８、他方の上面にはアノー
ド電極１０が設けられている。また、ストライブ状のＰ
′″型不純物拡散領域１２がｎ型ＧａＡｌＡｓクラツド
層６上面からＧａＡｓ活性層３まで貫通した後、ｎ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラッド層２に到達している。このように、
Ｐ′″型不純物拡散領域１２は、半導体レーザーを２つ
の領域に分けるように設けられている。一方の領域はＰ
−型不純物拡散領域１１となっている。
次に、第２図（ａ）〜第２図（ｆ）において、第１図に
示した半導体レーザーの作製方法の代表例を説明する。
示した半導体レーザーの作製方法の代表例を説明する。
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、順次、スライドボート法によ
りｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２（膜厚１２μｍ ）、
ＧａＡｓ活性層３（同０．３５μｍ ） 、 Ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラ゛ツド層４（同３ μｔｓ ） 、Ｇａ
Ａｓ活性層５（同０．３５μ１１）、ｎ型ＧａＡｌへｓ
クラＩド層６（同３μｍ）を積層させた（第２図（ａ）
）。
りｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２（膜厚１２μｍ ）、
ＧａＡｓ活性層３（同０．３５μｍ ） 、 Ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓクラ゛ツド層４（同３ μｔｓ ） 、Ｇａ
Ａｓ活性層５（同０．３５μ１１）、ｎ型ＧａＡｌへｓ
クラＩド層６（同３μｍ）を積層させた（第２図（ａ）
）。
次に、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層６の上面にＧａＡｓ
キャップ層７を積層し、フォトリソグラフィ工程により
、バターニングする（同図（ｂ））。
キャップ層７を積層し、フォトリソグラフィ工程により
、バターニングする（同図（ｂ））。
次に、電子ビーム蒸着法により、ＳｉＯ□層Ｉ３をキサ
９１層７の上にキャップ層７の半分を覆わないように形
成し、リフトオフ法により、拡散窓２０を形成する（同
図（Ｃ））。
９１層７の上にキャップ層７の半分を覆わないように形
成し、リフトオフ法により、拡散窓２０を形成する（同
図（Ｃ））。
次に、上記のように構成されたウェハーをＺｎ３Ｐ２
、Ｚｎ、Ａｓ、混合物を用いて、石英封管法により、Ｚ
ｎを゛ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２に達するまで拡散
させた。その後、ウェハーを石英管から取り出し、ホス
フィンガスを含む不活性ガス気流中５００℃で熱処理を
する。こうしてＰ−型不純物拡散領域１１％Ｐ′″不純
物拡散領域１２を形成した。５１０２層１３の遮断作用
により、両不純物拡散領域１１．１２はウェハーの片側
に形成される（Ｐ１図（ｄ））。
、Ｚｎ、Ａｓ、混合物を用いて、石英封管法により、Ｚ
ｎを゛ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２に達するまで拡散
させた。その後、ウェハーを石英管から取り出し、ホス
フィンガスを含む不活性ガス気流中５００℃で熱処理を
する。こうしてＰ−型不純物拡散領域１１％Ｐ′″不純
物拡散領域１２を形成した。５１０２層１３の遮断作用
により、両不純物拡散領域１１．１２はウェハーの片側
に形成される（Ｐ１図（ｄ））。
その後、Ｓｉｎ、層１３を除去する（同図（ｅ））。
さらに、ｎ型ＧａＡｓ基板１の下面には＾ｕ−５ｎを蒸
着し、カソード電Ｍ９を形成し、ＧａＡｓキャップ層フ
の上面には、Ａｕ−５ｎ、 Ａｕ−Ｚｎを蒸着し、それ
ぞれカソード電極８、アノード電極１０を形成する（同
′図（ｆ））。
着し、カソード電Ｍ９を形成し、ＧａＡｓキャップ層フ
の上面には、Ａｕ−５ｎ、 Ａｕ−Ｚｎを蒸着し、それ
ぞれカソード電極８、アノード電極１０を形成する（同
′図（ｆ））。
さらに、その後、へき開により共振器面を形成し、第１
図に示した２光束出射可能な半導体レーザーが形成され
る。
図に示した２光束出射可能な半導体レーザーが形成され
る。
次に、第１図の実施例の動作を説明する。この実施例の
２光束出射可能な半導体レーザーでは、アノード電極Ｉ
Ｏを共通アノード端子とし、カソード電極８およびカソ
ード電極９がそれぞれの光束を発するレーザーのカソー
ド端子となる。アノード電極ｌＯからカソード電極８に
電流を流した場合には第３図に示すように、電流はＺｎ
拡散によって形成されたｐ−型不純物拡散領域■から、
ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４を通ってＧａＡｓ活性層
５に注入され、利得が生じ、ＧａＡｓ活性層５から光束
２１が出射する。一方、アノード電極１０からカソード
電極９に電流を流した場合には電流はＺｎ拡散によって
形成されたｐ−型不純物拡散領域１１からＰ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層４を通ワてＧａＡｓ活性層３に注入され
、ＧａＡｓ活性層３で光に対する利得が生じ、ＧａＡｓ
活性層３から光束２２が出射する。このとき、ｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層４からＧａＡｓ活性層５に注入され
る電流とｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４からＧａＡｓ活
性層３に注入される電流はほぼ独立であるので、ＧａＡ
ｓ活性層５から出射する光束２１とＧａＡｓ活性層３か
ら出射する光束２２とを独立に駆動させることが可能で
ある。また、光束２１．２２は、比較的光の閉じ込めの
強い基板に垂直な方向に並んで存在するため、Ｐ型Ｇａ
＾１＾Ｓクラッド層４の厚さをかなり薄くすることがで
きる。そのため、あたかも同一の点光源から２木の光束
２１．２２が出射しているような構造のレーザー・アレ
イが作製可能である。また、このレーザー構造は、ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層４を境に、上下がほぼ対称な構
造をしているため光束２２と光束２１では、ファーフィ
ールドパターンや非点収差といった光学的性質がほぼ・
同じで、スレッショルド電流、微分量子効率等の特性も
ほぼ等しい。
２光束出射可能な半導体レーザーでは、アノード電極Ｉ
Ｏを共通アノード端子とし、カソード電極８およびカソ
ード電極９がそれぞれの光束を発するレーザーのカソー
ド端子となる。アノード電極ｌＯからカソード電極８に
電流を流した場合には第３図に示すように、電流はＺｎ
拡散によって形成されたｐ−型不純物拡散領域■から、
ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４を通ってＧａＡｓ活性層
５に注入され、利得が生じ、ＧａＡｓ活性層５から光束
２１が出射する。一方、アノード電極１０からカソード
電極９に電流を流した場合には電流はＺｎ拡散によって
形成されたｐ−型不純物拡散領域１１からＰ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層４を通ワてＧａＡｓ活性層３に注入され
、ＧａＡｓ活性層３で光に対する利得が生じ、ＧａＡｓ
活性層３から光束２２が出射する。このとき、ｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層４からＧａＡｓ活性層５に注入され
る電流とｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層４からＧａＡｓ活
性層３に注入される電流はほぼ独立であるので、ＧａＡ
ｓ活性層５から出射する光束２１とＧａＡｓ活性層３か
ら出射する光束２２とを独立に駆動させることが可能で
ある。また、光束２１．２２は、比較的光の閉じ込めの
強い基板に垂直な方向に並んで存在するため、Ｐ型Ｇａ
＾１＾Ｓクラッド層４の厚さをかなり薄くすることがで
きる。そのため、あたかも同一の点光源から２木の光束
２１．２２が出射しているような構造のレーザー・アレ
イが作製可能である。また、このレーザー構造は、ｐ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層４を境に、上下がほぼ対称な構
造をしているため光束２２と光束２１では、ファーフィ
ールドパターンや非点収差といった光学的性質がほぼ・
同じで、スレッショルド電流、微分量子効率等の特性も
ほぼ等しい。
第４図は本発明の第２の実施例を示す模式断面図である
。
。
１つのチップから互いに波長の異なる２光束を出射する
半導体レーザーの構成図を表わす。
半導体レーザーの構成図を表わす。
本実施例はＧＲＩＮ−５ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ −１ｎｄ
ｅｊ ５ｅｐａｒａｔｅｃｏｎｆｉｎｅｄ ｈｅｔｅｒ
ｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ）構造になっており、各々の活
性層１５．１８の量子井戸構造が異なっている６つまり
、第１図のＧａＡｓ活性層３に相当する活性層Ｉ５の両
側面にはグレーデッドインデックスのセパレート・コン
ブ イメント層１４．１６が設けられ、ＧａＡｓ活性層
５に相当する活性層１８の内設面にはセパレート・コン
ファイメント層１７゜１９が設けられている。なお、活
性層１５の組成はＧａｏ、 、＾１１゜八５（６０人）
からＧａ、、 、ＡＩ。、、Ａｓ（３００人）であり、
６エル数が５つのＭＱＷ （多重量子井戸）構造となっ
てあり、一方、活性層１８の組成はＧａＡｓ （６０人
）からＧａｏ、 ？ＡＩ０．３ＡＳ （１００人）であ
り、ウェル数が５つのＭＱＷ構造である。また、セパレ
ート・コンファイメント層１４．１６，１７．１９の組
成はＧａｏ、、Ａ１．３ＡｓからＧａＡｌＡｓ、、 、
、ＡｓであるＯこのように、活性層１５．１８の組成は
異なっているため、両者の量子井戸構造が異なる。その
結果、活性層１５、活性層１８からそれぞれ出射する光
束の波長は異なることになり、第１図と同原理で、互い
に異なる波長の２光束を得ることができる。本発明によ
れば、２回成長といった複雑なプロセスを用いずに異な
る波長の２光束を発振可能な半導体レーザーを提供する
ことができる。
ｅｊ ５ｅｐａｒａｔｅｃｏｎｆｉｎｅｄ ｈｅｔｅｒ
ｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ）構造になっており、各々の活
性層１５．１８の量子井戸構造が異なっている６つまり
、第１図のＧａＡｓ活性層３に相当する活性層Ｉ５の両
側面にはグレーデッドインデックスのセパレート・コン
ブ イメント層１４．１６が設けられ、ＧａＡｓ活性層
５に相当する活性層１８の内設面にはセパレート・コン
ファイメント層１７゜１９が設けられている。なお、活
性層１５の組成はＧａｏ、 、＾１１゜八５（６０人）
からＧａ、、 、ＡＩ。、、Ａｓ（３００人）であり、
６エル数が５つのＭＱＷ （多重量子井戸）構造となっ
てあり、一方、活性層１８の組成はＧａＡｓ （６０人
）からＧａｏ、 ？ＡＩ０．３ＡＳ （１００人）であ
り、ウェル数が５つのＭＱＷ構造である。また、セパレ
ート・コンファイメント層１４．１６，１７．１９の組
成はＧａｏ、、Ａ１．３ＡｓからＧａＡｌＡｓ、、 、
、ＡｓであるＯこのように、活性層１５．１８の組成は
異なっているため、両者の量子井戸構造が異なる。その
結果、活性層１５、活性層１８からそれぞれ出射する光
束の波長は異なることになり、第１図と同原理で、互い
に異なる波長の２光束を得ることができる。本発明によ
れば、２回成長といった複雑なプロセスを用いずに異な
る波長の２光束を発振可能な半導体レーザーを提供する
ことができる。
なお、本実施例では活性層が相異なる量子構造を有し、
ＧＲＩＮ−５Ｃ）Ｉ構造を例にとって説明したが、活性
層の構造はこれに限るものではなく通常のＤＨ構造で、
活性層の組成を互いに変えたものであってもよい。
ＧＲＩＮ−５Ｃ）Ｉ構造を例にとって説明したが、活性
層の構造はこれに限るものではなく通常のＤＨ構造で、
活性層の組成を互いに変えたものであってもよい。
第５図は本発明の第３の実施例を示す模式図である。
基本的な構成は第１図の実施例と全く同一であるが、本
実施例では可変波長を得ることができる。第１図の実施
例と異なるのはｐ型ＧａＡ ＩＡｓクラッド層４の厚さ
が第１図の実施例では、２つのレーザー光が互いに干渉
しないように十分厚く２μｍ程度に設定していたが、本
実施例では、２つの光波２３．２４がエバネッセント波
によって結合するようにｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４
の厚さは１．０μｍに設定されている。しかも、活性層
３ａはＧａＡｓ活性層５で発振する光波２３に対し透明
となるようにＧａＡｌＡｓ、、 、＾Ｓで構成されてい
る。
実施例では可変波長を得ることができる。第１図の実施
例と異なるのはｐ型ＧａＡ ＩＡｓクラッド層４の厚さ
が第１図の実施例では、２つのレーザー光が互いに干渉
しないように十分厚く２μｍ程度に設定していたが、本
実施例では、２つの光波２３．２４がエバネッセント波
によって結合するようにｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４
の厚さは１．０μｍに設定されている。しかも、活性層
３ａはＧａＡｓ活性層５で発振する光波２３に対し透明
となるようにＧａＡｌＡｓ、、 、＾Ｓで構成されてい
る。
次に、この実施例によって可変波長が得られる７原理を
説明する。まず、アノード電ｉ１０からカソード電極８
に電流を注入し、ＧａＡｓ活性層５で光波２３を発振さ
せる。このとき、第１の実施例のレーザー構造はもとも
と横方向に屈折率の段差を設けていないため、利得導波
的となり縦マルチモードで発振するが、本実施例の半導
体レーザーではＧａＡｓ活性層５をコアとする導波路と
活性層３ａをコアとする導波路がエバネッセント波によ
って結合しているため複合共振器が構成され、ＧａＡｓ
活性層５の共振器と活性層３ａの共振器の共振周波数の
一致するところでのみ発振が起こり、単一モードで発振
するようになる。このとき、アノード電極ｌＯからカソ
ード電極９に電流を流すと、ＧａＡｓ活性層３に電流が
注入され、ＧａＡｓ活性層３の実効屈折率が変化する。
説明する。まず、アノード電ｉ１０からカソード電極８
に電流を注入し、ＧａＡｓ活性層５で光波２３を発振さ
せる。このとき、第１の実施例のレーザー構造はもとも
と横方向に屈折率の段差を設けていないため、利得導波
的となり縦マルチモードで発振するが、本実施例の半導
体レーザーではＧａＡｓ活性層５をコアとする導波路と
活性層３ａをコアとする導波路がエバネッセント波によ
って結合しているため複合共振器が構成され、ＧａＡｓ
活性層５の共振器と活性層３ａの共振器の共振周波数の
一致するところでのみ発振が起こり、単一モードで発振
するようになる。このとき、アノード電極ｌＯからカソ
ード電極９に電流を流すと、ＧａＡｓ活性層３に電流が
注入され、ＧａＡｓ活性層３の実効屈折率が変化する。
この結果、実効的に、ＧａＡｓ活性層３をコアとする導
波路が形成する共振器の共振器長が変わり、共振周波数
が変化する。したがって複合共振器の共振波長が変化す
るためアノード電極ｌＯから男ソード電極９へ電流を流
すことにより、発振縦モードを連続的に変えることがで
き、波長可変が可能となる。
波路が形成する共振器の共振器長が変わり、共振周波数
が変化する。したがって複合共振器の共振波長が変化す
るためアノード電極ｌＯから男ソード電極９へ電流を流
すことにより、発振縦モードを連続的に変えることがで
き、波長可変が可能となる。
（発明の効果〕
以上説明したように、本発明の半導体レーザーは簡単な
作製プロセスで作製されるとともに、発光点の間隔が非
常に小さい２光束を提供できる。
作製プロセスで作製されるとともに、発光点の間隔が非
常に小さい２光束を提供できる。
したがって、従来の複雑な電極形成プロセスが不要とな
り、歩留りが向上し生産性が高まる。その上、互いに相
異なる波長の２光束や縦モードを選択できる可変波長レ
ーザーを提供することも可能である。
り、歩留りが向上し生産性が高まる。その上、互いに相
異なる波長の２光束や縦モードを選択できる可変波長レ
ーザーを提供することも可能である。
第１図は本発明の半導体レーザーの一実施例を示す模式
斜視図、第２図はその作製方法の過程を示す模式図、第
３図は２光束出射の原理を説明する模式斜視図、第４図
、第５図はそれぞれ本発明の第２．第３の実施例を示す
模式斜視図である。 １・・・・・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・・
・・・・・・へ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、３．５・・
・・・・ＧａＡｓ活性層、 ３ａ、１５．１８・・・・活性層、 ４・・・・・・・・・・Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、
６・・・・・・・・・・ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、
７ＩＩ・・・・・−・・−ＧａＡｓキャップ層、８．９
・・・・・・カソード電極、 １０・・・・・・・・・・アノード電極、１１・・・・
・・・・・・Ｐ−型不純物拡散領域、１２・・・・・・
・・・・Ｐ＋型不純物拡散領域、１３・・・・・・・・
・・５ｉ０２、 ＋４．１６．１７．１９・・・・セパレート・コンファ
イメント層、 ２０・・・・・・・・・・拡散窓、 ２１、２２・・・・・・光束、 ２３、２４・・・・・・光波。
斜視図、第２図はその作製方法の過程を示す模式図、第
３図は２光束出射の原理を説明する模式斜視図、第４図
、第５図はそれぞれ本発明の第２．第３の実施例を示す
模式斜視図である。 １・・・・・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・・
・・・・・・へ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、３．５・・
・・・・ＧａＡｓ活性層、 ３ａ、１５．１８・・・・活性層、 ４・・・・・・・・・・Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、
６・・・・・・・・・・ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、
７ＩＩ・・・・・−・・−ＧａＡｓキャップ層、８．９
・・・・・・カソード電極、 １０・・・・・・・・・・アノード電極、１１・・・・
・・・・・・Ｐ−型不純物拡散領域、１２・・・・・・
・・・・Ｐ＋型不純物拡散領域、１３・・・・・・・・
・・５ｉ０２、 ＋４．１６．１７．１９・・・・セパレート・コンファ
イメント層、 ２０・・・・・・・・・・拡散窓、 ２１、２２・・・・・・光束、 ２３、２４・・・・・・光波。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体基板上に、該半導体基板と同一の導電型の第
１のクラッド層、第１の活性層、該半導体基板と逆の導
電型の第２のクラッド層、第２の活性層、および該半導
体基板と同一の導電型の第３のクラッド層が順次、少な
くとも積層されて成る堆積層を備える半導体レーザーに
おいて、 前記堆積層の一部領域で、前記半導体基板と逆の導電型
のストライプ状をなす不純物拡散領域が、前記第３のク
ラッド層上部から前記第１の活性層を貫通し、さらに前
記第１のクラッド層に到達するように設けられており、
電極が前記領域上と、それ以外の領域上と、前記半導体
基板の下面に設けられていることを特徴とする半導体レ
ーザー。 ２）第１の活性層と第２の活性層のエネルギーギャップ
が異なる請求項１記載の半導体レーザー。 ３）第１の活性層および第２の活性層のそれぞれが量子
井戸構造を含んで形成されている請求項１記載の半導体
レーザー。 ４）第１の活性層および第２の活性層のそれぞれが量子
井戸構造を含んで形成され、かつ第１の活性層と第２の
活性層の量子井戸構造が異なる請求項１記載の半導体レ
ーザー。 ５）第１の活性層を導波する光波と第２の活性層を導波
する光波が光学的に結合している請求項１記載の半導体
レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP305688A JPH01181585A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP305688A JPH01181585A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181585A true JPH01181585A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11546668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP305688A Pending JPH01181585A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04146680A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Ｐ型化合物半導体の製造方法、半導体発光装置及びその製造方法 |
| US6653662B2 (en) * | 2000-11-01 | 2003-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same, and method for driving the same |
-
1988
- 1988-01-12 JP JP305688A patent/JPH01181585A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04146680A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Ｐ型化合物半導体の製造方法、半導体発光装置及びその製造方法 |
| US6653662B2 (en) * | 2000-11-01 | 2003-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same, and method for driving the same |
| US7005680B2 (en) | 2000-11-01 | 2006-02-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device including a divided electrode having a plurality of spaced apart conductive members |
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