JPH01183110A - コンデンサ用陰極形成方法 - Google Patents
コンデンサ用陰極形成方法Info
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- JPH01183110A JPH01183110A JP63008068A JP806888A JPH01183110A JP H01183110 A JPH01183110 A JP H01183110A JP 63008068 A JP63008068 A JP 63008068A JP 806888 A JP806888 A JP 806888A JP H01183110 A JPH01183110 A JP H01183110A
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- Japan
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- cathode
- metal particles
- base material
- particles
- forming
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電解コンデンサのためのコンデンサ用陰極形
成方法に関するものである。
成方法に関するものである。
従来の技術
従来−電解コンデンサの陰極材料としては、−般的に高
純度アルミニウム箔に電解液などによりエツチングを行
い、表面積を拡大した電極箔が最も多く使用されている
。またーアルミニウム箔に電解液などによりエツチング
処理を行い一電極表面積を拡大した後Ti−Taなどの
金属皮膜をにガスを導入させながら形成させて酸化させ
、静電容量の増大をはかる方法もとられている。後者の
方が前者よりも大きな静電容量を得ることができるため
一製造方法の主流と成りつつある。
純度アルミニウム箔に電解液などによりエツチングを行
い、表面積を拡大した電極箔が最も多く使用されている
。またーアルミニウム箔に電解液などによりエツチング
処理を行い一電極表面積を拡大した後Ti−Taなどの
金属皮膜をにガスを導入させながら形成させて酸化させ
、静電容量の増大をはかる方法もとられている。後者の
方が前者よりも大きな静電容量を得ることができるため
一製造方法の主流と成りつつある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら−上記の陰極材料においても、電解コンデ
ンサの小型化−高容墓化を実現するために昨今要求され
る静電容量の増大にたいしては−十分満足するものでは
なかった。
ンサの小型化−高容墓化を実現するために昨今要求され
る静電容量の増大にたいしては−十分満足するものでは
なかった。
本発明は上記の問題を解決するもので、静電容量が増大
して小型化できるコンデンサ用陰極形成方法を提供する
ことを目的とするものである。
して小型化できるコンデンサ用陰極形成方法を提供する
ことを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明のコンデンサ用陰極形
成方法は、陰極基材の上に真空雰囲気下で大型金属粒子
を形成し一次に小型金属粒子の形成−エツチングまたは
微細な金属柱状体の形成などにより、前記大型金属粒子
の表面上に微細な凹凸形状を設けることを特徴とするも
のである。
成方法は、陰極基材の上に真空雰囲気下で大型金属粒子
を形成し一次に小型金属粒子の形成−エツチングまたは
微細な金属柱状体の形成などにより、前記大型金属粒子
の表面上に微細な凹凸形状を設けることを特徴とするも
のである。
作 用
上記の構成により、従来のように陰極基材に金属皮膜の
みを形成させるよりも一大型金属粒子を形成させる方が
表面積を増大させることができ−その上に、小型金属粒
子の形成、微細な金属柱状体の形成または微細なエツチ
ングを施して、微細な凹凸形状を設けることにより−さ
らに増やすことができて、静電容量が増大する。
みを形成させるよりも一大型金属粒子を形成させる方が
表面積を増大させることができ−その上に、小型金属粒
子の形成、微細な金属柱状体の形成または微細なエツチ
ングを施して、微細な凹凸形状を設けることにより−さ
らに増やすことができて、静電容量が増大する。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図は一本発明の第1の実施例のコンデンサ用陰極形
成方法により得たコンデンサ用陰極の形状を示す概略断
面図である。第1図において−厚さ約40μm、純度9
9.99%アルミニウム箔からなる陰極基材1の表面に
Ti 、 Ta + A1などの粒径が1μm以上の大
型金属粒子2と金属皮膜3とを形成し−さらにその表面
へ小型金属粒子4を形成して凹凸形状を設けている。こ
れは第4図に示すような装置を用いて実施できる。
成方法により得たコンデンサ用陰極の形状を示す概略断
面図である。第1図において−厚さ約40μm、純度9
9.99%アルミニウム箔からなる陰極基材1の表面に
Ti 、 Ta + A1などの粒径が1μm以上の大
型金属粒子2と金属皮膜3とを形成し−さらにその表面
へ小型金属粒子4を形成して凹凸形状を設けている。こ
れは第4図に示すような装置を用いて実施できる。
第4図に示す装置の概要を説明する。チャンバー11は
ロータリーポンプ12Aおよびクライオポンプなどの高
真空排気用ポンプ12Bにより高真空度を維持でき、チ
ャンバー11の内部の上部一端側に陰極基板1の送出ロ
ーラ13を、他端側に巻取ローラ14をそれぞれ設置し
、その中間部に2個の冷却ローラ15A 、 15B
を、回転軸を水平にかつ平行に配列して、前記陰極基
材1が各冷却ローラ15A。
ロータリーポンプ12Aおよびクライオポンプなどの高
真空排気用ポンプ12Bにより高真空度を維持でき、チ
ャンバー11の内部の上部一端側に陰極基板1の送出ロ
ーラ13を、他端側に巻取ローラ14をそれぞれ設置し
、その中間部に2個の冷却ローラ15A 、 15B
を、回転軸を水平にかつ平行に配列して、前記陰極基
材1が各冷却ローラ15A。
15Bの下側局面に接して走行するように配設している
。各冷却ローラ15A 、 15Bの下方に、それぞれ
シャッタ16A 、 16Bを介して金属溶融用のるっ
ぽ17A 、 17Bと電子銃18A 、 18Bを配
設し−かつ送出ローラ13の下方付近に、金属粒子の容
器19とその下部に金鴫粒子を移送するための振動発生
機20とを設は−その下方のるつぼ17Aの上縁付近に
前記容器19から金属粒子を供給するための供給管21
を開口させ、その開口端21aに近接してArなどの不
活性ガス導入管22の開口端22aを臨ませている。2
3はガイドローラである。
。各冷却ローラ15A 、 15Bの下方に、それぞれ
シャッタ16A 、 16Bを介して金属溶融用のるっ
ぽ17A 、 17Bと電子銃18A 、 18Bを配
設し−かつ送出ローラ13の下方付近に、金属粒子の容
器19とその下部に金鴫粒子を移送するための振動発生
機20とを設は−その下方のるつぼ17Aの上縁付近に
前記容器19から金属粒子を供給するための供給管21
を開口させ、その開口端21aに近接してArなどの不
活性ガス導入管22の開口端22aを臨ませている。2
3はガイドローラである。
第4図の装置を用い、次の手順で第1図に示すコンデン
サ用陰極を形成する。チャンバー11の内部を、ロータ
リーポンプ12Aおよび高真空排気用ポンプ12Bを用
いて、10 Torr台の真空度に排気した後、不活
性ガス導入管22によりArなどの不活性ガスを導入し
、6 X 10−’Torr程度の真空度に設定する。
サ用陰極を形成する。チャンバー11の内部を、ロータ
リーポンプ12Aおよび高真空排気用ポンプ12Bを用
いて、10 Torr台の真空度に排気した後、不活
性ガス導入管22によりArなどの不活性ガスを導入し
、6 X 10−’Torr程度の真空度に設定する。
次にシャッタ16Aを閉じた状態で電子銃18Aにより
、るつぼ17Aの中へ投入した金属材料Mを溶融状態に
する。その状態で金属材料Mと同成分の金属粒子Mpを
、ケース19から供給管21を通して振動発生機20に
よりるつぼ17Aの中へ供給する。不活性ガス導入管2
2は、その開口端22aを供給管21の開口端21aへ
最接近して設けているが、これは金属粒子Mpへ不活性
ガスを吸着させて溶融し、蒸発した金属蒸気から大型金
属粒子2が生成するのを促進させるためである。またる
つぼ17Bにおいては一電子銃18Bの電力を18Aに
比べて格段に低下させた条件で金属材料Mを溶融する。
、るつぼ17Aの中へ投入した金属材料Mを溶融状態に
する。その状態で金属材料Mと同成分の金属粒子Mpを
、ケース19から供給管21を通して振動発生機20に
よりるつぼ17Aの中へ供給する。不活性ガス導入管2
2は、その開口端22aを供給管21の開口端21aへ
最接近して設けているが、これは金属粒子Mpへ不活性
ガスを吸着させて溶融し、蒸発した金属蒸気から大型金
属粒子2が生成するのを促進させるためである。またる
つぼ17Bにおいては一電子銃18Bの電力を18Aに
比べて格段に低下させた条件で金属材料Mを溶融する。
次に一送出ローラ13から陰極基材1を送り出し、ガイ
ドローラ23を介して冷却ローラ15A 、 15Bを
通し一巻取ローラ14で巻き取りなから−シャツタ16
Aを開にすると、るつぼ17A中の溶融金輪の蒸気が冷
却ローラ15Aの箇所で陰極基材1の表面へ大型金属粒
子2となって凝縮する。また冷却ローラ15Bの箇所で
は、電子銃18Bの電力を冷却ローラ15Aの側の電子
銃18Bよりも格段に下げているので一小型金属粒子4
がすでに生成した大型金属粒子2と、陰極基板11の上
に同時に生成した金属皮膜3との上に形成する。得られ
たコンデンサ用陰極は、その表面積が大型金属粒子2と
それらの上に形成される小型金属粒子4による凹凸形状
で極めて増大し−それにより静電容量が飛躍的に増大す
る。
ドローラ23を介して冷却ローラ15A 、 15Bを
通し一巻取ローラ14で巻き取りなから−シャツタ16
Aを開にすると、るつぼ17A中の溶融金輪の蒸気が冷
却ローラ15Aの箇所で陰極基材1の表面へ大型金属粒
子2となって凝縮する。また冷却ローラ15Bの箇所で
は、電子銃18Bの電力を冷却ローラ15Aの側の電子
銃18Bよりも格段に下げているので一小型金属粒子4
がすでに生成した大型金属粒子2と、陰極基板11の上
に同時に生成した金属皮膜3との上に形成する。得られ
たコンデンサ用陰極は、その表面積が大型金属粒子2と
それらの上に形成される小型金属粒子4による凹凸形状
で極めて増大し−それにより静電容量が飛躍的に増大す
る。
第2図は一本発明の第2の実施例のコンデンサ用陰極形
成方法により得たコンデンサ用陰極の形状を示す概略断
面図である。第2図において−厚さ40μm、純度99
.99%アルミニウム箔からなる陰極基材1の表面にT
i 、 Ta、 AI などの粒径が1μm以上の大
型金属粒子2を形成し、さらにその大型金属粒子2と陰
極基板1の上に同時に生成する金属皮膜3の表面へグロ
ー処理によりエツチングして、微細な凹凸の粗面5を形
成している。
成方法により得たコンデンサ用陰極の形状を示す概略断
面図である。第2図において−厚さ40μm、純度99
.99%アルミニウム箔からなる陰極基材1の表面にT
i 、 Ta、 AI などの粒径が1μm以上の大
型金属粒子2を形成し、さらにその大型金属粒子2と陰
極基板1の上に同時に生成する金属皮膜3の表面へグロ
ー処理によりエツチングして、微細な凹凸の粗面5を形
成している。
これは、第5図に示すような装置を用いて実施できる。
第5図の装置は、第4図に示す装置における冷却ローラ
15B、シャッタ16B、るつぼ17Aおよび電子銃1
8Bに代えて、冷却ローラ15Aと巻取ローラ14との
間にグロー放電処理機24とガス導入管25を配設した
ものである。
15B、シャッタ16B、るつぼ17Aおよび電子銃1
8Bに代えて、冷却ローラ15Aと巻取ローラ14との
間にグロー放電処理機24とガス導入管25を配設した
ものである。
第5図の装置を用い次の手順で第2図に示すコンデンサ
用陰極を形成する。チャンバー11の内部を、ロータリ
ーポンプ12Aおよび高真空排気用ポンプ12Bを用い
てlQ Torr台の真空度に排気した後、不活性ガ
ス導入管22によりArなどの不活性ガスを導入し、6
X 10 Torr程度の真空度に設定する。次に
シャッタ16Aを閉じた状態で電子銃18Aにより、る
つぼ17Aの中へ投入した金属材料Mを溶融状態にする
。その状態で金属材料Mと同成分の金属粒子Mpを−ケ
ース19から供給管21を通して一振動発生機20によ
りるつぼ17Aの中へ供給する。不活性ガス導入管22
は、その開口端22aを供給管21の開口端21aへ近
接して設けているので、金属粒子Mpへ不活性ガスを吸
着させて溶融し一発生した金属蒸気から大型金属粒子2
が生成するのを促進させることができる。さらにガス導
入管25からArなどの不活性ガスを、グロー放電処理
機24へ導入する。グロー放電処理機24の内部は、チ
ャンバー11の内部の他の部分と異なる真空度2 X
10−”Torr程度に設定する。この状態でグロー放
電処理機24の内部の電極(図示せず。)に−IKV程
度の高電圧を負荷する゛ことにより、グロー放電を発生
させる。次に、送出ローラ13からアルミニウム箔から
なる陰極基材1を送り出し−ガイドローラ23を介して
冷却ローラ15Aを通し、巻取ローラ14で巻き取りな
がら、シャッタ16Aを開にすると−るつは17A中の
溶融金属の蒸気が冷却ローラの箇所で陰極基材1の表面
へ大型金属粒子2および金属皮膜3として凝縮する。ま
たグロー放電処理機、24の位置で、グロー放電内のA
rイオンが陰極基材1に衝突することにより、その表面
に形成している大型金属粒子2および金属皮膜3の表面
をエツチングして微細な凹凸の粗面5を形成する。得ら
れたコンデンサ用陰極は−その表面が大型金属粒子2と
、その大型金属粒子2および金属皮膜3の表面上に形成
した極く微細な凹凸の粗面5により表面積が増し−それ
にともなって静電容量が大幅に増大する。
用陰極を形成する。チャンバー11の内部を、ロータリ
ーポンプ12Aおよび高真空排気用ポンプ12Bを用い
てlQ Torr台の真空度に排気した後、不活性ガ
ス導入管22によりArなどの不活性ガスを導入し、6
X 10 Torr程度の真空度に設定する。次に
シャッタ16Aを閉じた状態で電子銃18Aにより、る
つぼ17Aの中へ投入した金属材料Mを溶融状態にする
。その状態で金属材料Mと同成分の金属粒子Mpを−ケ
ース19から供給管21を通して一振動発生機20によ
りるつぼ17Aの中へ供給する。不活性ガス導入管22
は、その開口端22aを供給管21の開口端21aへ近
接して設けているので、金属粒子Mpへ不活性ガスを吸
着させて溶融し一発生した金属蒸気から大型金属粒子2
が生成するのを促進させることができる。さらにガス導
入管25からArなどの不活性ガスを、グロー放電処理
機24へ導入する。グロー放電処理機24の内部は、チ
ャンバー11の内部の他の部分と異なる真空度2 X
10−”Torr程度に設定する。この状態でグロー放
電処理機24の内部の電極(図示せず。)に−IKV程
度の高電圧を負荷する゛ことにより、グロー放電を発生
させる。次に、送出ローラ13からアルミニウム箔から
なる陰極基材1を送り出し−ガイドローラ23を介して
冷却ローラ15Aを通し、巻取ローラ14で巻き取りな
がら、シャッタ16Aを開にすると−るつは17A中の
溶融金属の蒸気が冷却ローラの箇所で陰極基材1の表面
へ大型金属粒子2および金属皮膜3として凝縮する。ま
たグロー放電処理機、24の位置で、グロー放電内のA
rイオンが陰極基材1に衝突することにより、その表面
に形成している大型金属粒子2および金属皮膜3の表面
をエツチングして微細な凹凸の粗面5を形成する。得ら
れたコンデンサ用陰極は−その表面が大型金属粒子2と
、その大型金属粒子2および金属皮膜3の表面上に形成
した極く微細な凹凸の粗面5により表面積が増し−それ
にともなって静電容量が大幅に増大する。
第3図は一本発明の第3の実施例のコンデンサ用陰極形
成方法により得たコンデンサ用陰極形状を示す概略断面
図である。第3図において、厚さ40μm、純度99.
9C1%アルミニウム箔からなる陰極基材1の表面へ1
゛i〜Ta、AIなどの粒径が1μm以上の大型金属粒
子2を形成し、さらにその大型金属粒子2および同時に
生成する金属皮膜3の表面上へ微細な金属柱状体6を形
成して凹凸形状を設けている。これは−第1の実施例で
用いた第4図の装置により実施できる。
成方法により得たコンデンサ用陰極形状を示す概略断面
図である。第3図において、厚さ40μm、純度99.
9C1%アルミニウム箔からなる陰極基材1の表面へ1
゛i〜Ta、AIなどの粒径が1μm以上の大型金属粒
子2を形成し、さらにその大型金属粒子2および同時に
生成する金属皮膜3の表面上へ微細な金属柱状体6を形
成して凹凸形状を設けている。これは−第1の実施例で
用いた第4図の装置により実施できる。
第4図の装置を用い次の手順で第3図に示すコンデンサ
用陰極を形成する。チャンバー11の内部を、ロータリ
ーポンプ12Aおよび高真空排気用ポンプ12Bを用い
て、IQ Torr台の真空度に排気した後、不活性
ガス導入管22によりArなどの不活性ガスを導入し、
6 x 10−’ Torr程度の真空度に設定する。
用陰極を形成する。チャンバー11の内部を、ロータリ
ーポンプ12Aおよび高真空排気用ポンプ12Bを用い
て、IQ Torr台の真空度に排気した後、不活性
ガス導入管22によりArなどの不活性ガスを導入し、
6 x 10−’ Torr程度の真空度に設定する。
次にシャッタ16Aを閉じた状態で一電子銃18Aによ
り、るつぼ17Aの中へ投入した金属材料Mを溶融状態
にする。その状態で金属材料Mと同成分の金属粒子Mp
を一ケース19から供給管21を通して振動発生機20
によりるつぼ17Aの中へ供給する。不活性ガス導入管
22は、その開口端22aを供給管21の開口端21a
へできる限り接近して設けているので−全域粒子Mpへ
不活性ガスを吸着させて溶融し一発生した金属蒸気から
大型金属粒子2が生成するのを促進させることができる
。またるつぼ17Bにおける電子銃18Bの電力は、る
っぽ17Aの電子銃18Bと同程度に条件設定する。次
に、送出ローラ13から陰極基板1を送り出し−ガイド
ローラ23を介して冷却ローラ15A 、 15Bを通
し一巻取ローラ14で巻き取りながら、シャッタ16A
を開にすると、るつぼ17A中の溶融金属の蒸気が冷却
ローラ15Aの箇所で陰極基材1の表面へ大型金属粒子
2および金属皮膜3として凝縮する。そして冷却ローラ
15Bの箇所では、陰極基材1の表面上の前記の大型金
属粒子2および金属皮膜3の上へ一微細な金属柱状体6
が形成する。この微細な金属柱状物6は−チャンバー1
1内の真空度を1O−3Tor、r 台に設定すること
により得ることができる。
り、るつぼ17Aの中へ投入した金属材料Mを溶融状態
にする。その状態で金属材料Mと同成分の金属粒子Mp
を一ケース19から供給管21を通して振動発生機20
によりるつぼ17Aの中へ供給する。不活性ガス導入管
22は、その開口端22aを供給管21の開口端21a
へできる限り接近して設けているので−全域粒子Mpへ
不活性ガスを吸着させて溶融し一発生した金属蒸気から
大型金属粒子2が生成するのを促進させることができる
。またるつぼ17Bにおける電子銃18Bの電力は、る
っぽ17Aの電子銃18Bと同程度に条件設定する。次
に、送出ローラ13から陰極基板1を送り出し−ガイド
ローラ23を介して冷却ローラ15A 、 15Bを通
し一巻取ローラ14で巻き取りながら、シャッタ16A
を開にすると、るつぼ17A中の溶融金属の蒸気が冷却
ローラ15Aの箇所で陰極基材1の表面へ大型金属粒子
2および金属皮膜3として凝縮する。そして冷却ローラ
15Bの箇所では、陰極基材1の表面上の前記の大型金
属粒子2および金属皮膜3の上へ一微細な金属柱状体6
が形成する。この微細な金属柱状物6は−チャンバー1
1内の真空度を1O−3Tor、r 台に設定すること
により得ることができる。
得られたコンデンサ用陰極は−その表面が大型金属粒子
2とその大型金属粒子2および同時に生成した金属皮膜
3の表面上に形成した微細な金属柱状体6に基づく凹凸
形状により極めて増大し−それにより静電容置が大幅に
増大する。
2とその大型金属粒子2および同時に生成した金属皮膜
3の表面上に形成した微細な金属柱状体6に基づく凹凸
形状により極めて増大し−それにより静電容置が大幅に
増大する。
なお−上記の各実施例において一金凱材料Mの溶融は電
子銃18A 、 18Bを用いて行ったが一高周波加熱
蒸発源、抵抗加熱蒸発源、スバツタエ法などでも良い。
子銃18A 、 18Bを用いて行ったが一高周波加熱
蒸発源、抵抗加熱蒸発源、スバツタエ法などでも良い。
第2の実施例において一大型金属粒子2および金属皮膜
4の表面へ微細なエツチングを行なうための方法として
グロー放電処理を行ったが一チャンバー11の外でのシ
ョットピーニング処理などの方法でも良い。
4の表面へ微細なエツチングを行なうための方法として
グロー放電処理を行ったが一チャンバー11の外でのシ
ョットピーニング処理などの方法でも良い。
発明の効果
以上のように本発明のコンデンサ用陰極形成方法により
、陰極基板上に大型金属粒子を形成し−かつその大型金
属粒子およびそれと同時(こ形成する金属皮膜の光面に
小型金属粒子の形成−微細なエツチングまたは微細な金
属柱状体の形成により微細な凹凸形状を設け、電解液に
よるエツチングなどの煩雑な操作を行なうことなく表面
積を増大させ一従来の金属蒸着法による陰極などに比べ
て格段に静電気容量の増大したコンデンサ用陰極を容易
に得ることができ、また同一容量で従来の約1/2程度
に小型化することができてコスト的にも有利である。
、陰極基板上に大型金属粒子を形成し−かつその大型金
属粒子およびそれと同時(こ形成する金属皮膜の光面に
小型金属粒子の形成−微細なエツチングまたは微細な金
属柱状体の形成により微細な凹凸形状を設け、電解液に
よるエツチングなどの煩雑な操作を行なうことなく表面
積を増大させ一従来の金属蒸着法による陰極などに比べ
て格段に静電気容量の増大したコンデンサ用陰極を容易
に得ることができ、また同一容量で従来の約1/2程度
に小型化することができてコスト的にも有利である。
第1図は本発明の第1の実施例におけるコンデンサ用陰
極形成方法により得られるコンデンサ用陰極を示す概略
断面図−第2図は同じく第2の実施例で得られたコンデ
ンサ用陰極を示す概略断面図、第3図は同じく第3の実
施例で得られたコンデンサ用陰極を示す概略断面図、第
4図は第1および第3の実施例で用いた装置の構成図−
第5図は第2の実施例で用いる装置の構成図である。 1・・・陰極基材−2・・・大型金属粒子−3・・・金
属皮膜−4・・・小型金属粒子−5・・・粗面、6・・
・微細な金属柱状体。
極形成方法により得られるコンデンサ用陰極を示す概略
断面図−第2図は同じく第2の実施例で得られたコンデ
ンサ用陰極を示す概略断面図、第3図は同じく第3の実
施例で得られたコンデンサ用陰極を示す概略断面図、第
4図は第1および第3の実施例で用いた装置の構成図−
第5図は第2の実施例で用いる装置の構成図である。 1・・・陰極基材−2・・・大型金属粒子−3・・・金
属皮膜−4・・・小型金属粒子−5・・・粗面、6・・
・微細な金属柱状体。
Claims (4)
- 1.真空雰囲気下で陰極基材の表面上へ金属蒸気を凝縮
して大型金属粒子を形成するとともに、前記大型金属粒
子の表面に微細な凹凸形状を設けることを特徴とするコ
ンデンサ用陰極形成方法。 - 2.微細な凹凸形状は、大型金属粒子の表面上に小型金
属粒子を形成することにより設けることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のコンデンサ用陰極形成方法。 - 3.微細な凹凸形状は、大型金属粒子の表面をエッチン
グして設けることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のコンデンサ用陰極形成方法。 - 4.微細な凹凸形状は、大型金属粒子の表面上への微細
な金属柱状体の形成により設けることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のコンデンサ用陰極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008068A JPH01183110A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | コンデンサ用陰極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008068A JPH01183110A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | コンデンサ用陰極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183110A true JPH01183110A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11683027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63008068A Pending JPH01183110A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | コンデンサ用陰極形成方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH01183110A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123817A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
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-
1988
- 1988-01-18 JP JP63008068A patent/JPH01183110A/ja active Pending
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