JPH01185466A - 薄膜磁気センサ - Google Patents
薄膜磁気センサInfo
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- JPH01185466A JPH01185466A JP63010418A JP1041888A JPH01185466A JP H01185466 A JPH01185466 A JP H01185466A JP 63010418 A JP63010418 A JP 63010418A JP 1041888 A JP1041888 A JP 1041888A JP H01185466 A JPH01185466 A JP H01185466A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に、薄膜の磁気抵抗層等を積層してな
る薄膜磁気センサに関する。
る薄膜磁気センサに関する。
磁気の強さを測定する磁気センサには、主としてホール
素子、磁気抵抗効果素子、サーチコイル等がある。
素子、磁気抵抗効果素子、サーチコイル等がある。
ホール素子は、半導体のホール効果を利用したものであ
り、また磁気抵抗素子は、磁気によって導体中の内部抵
抗が変化する現象を利用したものであって、化合物半導
体９強磁性体金属を用いている。さらに、サーチコイル
はコイルの電磁誘導を利用している。その他、ジョセフ
ソン接合を用いた超電導量子干渉素子、所謂Ｓ Ｑ Ｕ
Ｉ Ｄ （ＳｕｐｅｒＣｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａ
ｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）
がある。
り、また磁気抵抗素子は、磁気によって導体中の内部抵
抗が変化する現象を利用したものであって、化合物半導
体９強磁性体金属を用いている。さらに、サーチコイル
はコイルの電磁誘導を利用している。その他、ジョセフ
ソン接合を用いた超電導量子干渉素子、所謂Ｓ Ｑ Ｕ
Ｉ Ｄ （ＳｕｐｅｒＣｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａ
ｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）
がある。
しかし、これらの磁気センサは、いずれも−点の磁気強
度を測定するものであって、磁気強度の分布、即ち磁束
分布を測定するには、各点の磁気強度の測定を繰り返し
た後、各点の測定値を別途処理し、磁気強度の分布像と
して表現する必要がある。
度を測定するものであって、磁気強度の分布、即ち磁束
分布を測定するには、各点の磁気強度の測定を繰り返し
た後、各点の測定値を別途処理し、磁気強度の分布像と
して表現する必要がある。
一方、磁束分布を直接観察する磁気センサとしては、磁
性流体をフィルム状透明シート中に均一に分散させたセ
ンサがあり、磁気強度に対応して生じる磁性流体の濃淡
によって磁束分布を観察する。
性流体をフィルム状透明シート中に均一に分散させたセ
ンサがあり、磁気強度に対応して生じる磁性流体の濃淡
によって磁束分布を観察する。
（発明が解決しようとする課題〕
ところで、前述の如く磁束分布を測定するために磁性流
体を用いた磁気センサを使用する場合、フィルム状透明
シートを測定対象物に接触させなければ、正確な磁気強
度が得られず、結果的に実用上の感度が低く、また磁気
変化に対する応答が悪く、さらに磁束分布像のコントラ
スト比が低いという問題点があった。
体を用いた磁気センサを使用する場合、フィルム状透明
シートを測定対象物に接触させなければ、正確な磁気強
度が得られず、結果的に実用上の感度が低く、また磁気
変化に対する応答が悪く、さらに磁束分布像のコントラ
スト比が低いという問題点があった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもの
であって、１回の測定で磁束分布を可視化し得る感度の
高い￥ｉｔ膜磁気センサの提供を目的とする。
であって、１回の測定で磁束分布を可視化し得る感度の
高い￥ｉｔ膜磁気センサの提供を目的とする。
本発明の薄膜磁気センサは、基板上に、少なくとも下部
電極層、磁気抵抗層、液晶層及び上部透明電極層を順次
積層形成した薄膜磁気センサであって、前記磁気抵抗層
は、測定対象の磁気強度の変化に応じ、下部電極層と上
部透明電極層間に印加される電圧に対する抵抗値が変化
し、前記液晶層は、磁気抵抗層の抵抗値に応じて印加さ
れる電圧に従い明暗が変化するようになしてあることを
特徴とする。
電極層、磁気抵抗層、液晶層及び上部透明電極層を順次
積層形成した薄膜磁気センサであって、前記磁気抵抗層
は、測定対象の磁気強度の変化に応じ、下部電極層と上
部透明電極層間に印加される電圧に対する抵抗値が変化
し、前記液晶層は、磁気抵抗層の抵抗値に応じて印加さ
れる電圧に従い明暗が変化するようになしてあることを
特徴とする。
また、第２の本発明の薄膜磁気センサは、測定対象域各
点の磁気強度に応じ、抵抗値が変化すべくマトリックス
状に配された磁気抵抗層と、各磁気抵抗層の抵抗値に応
じて各磁気抵抗層に対応する位置の明暗が変化する液晶
層と、これら磁気抵抗層を介して液晶層に電圧を印加す
る下部電極層及び上部透明電極層とを基板上に積層して
なることを特徴とする。
点の磁気強度に応じ、抵抗値が変化すべくマトリックス
状に配された磁気抵抗層と、各磁気抵抗層の抵抗値に応
じて各磁気抵抗層に対応する位置の明暗が変化する液晶
層と、これら磁気抵抗層を介して液晶層に電圧を印加す
る下部電極層及び上部透明電極層とを基板上に積層して
なることを特徴とする。
本発明のａ！膜磁気センサは、下部電極層と上部透明電
極層との間に電圧が印加されると、測定対象の磁気強度
の分布に応じて磁気抵抗層の抵抗値が変化し、磁気抵抗
層の抵抗値に応じて印加される電圧に従い液晶層の明暗
が変化し、磁束の分布が液晶層の明暗の変化によって可
視化され、また磁気抵抗層を基板上にマトリックス状に
配し、測定対象域各点の磁気強度を測定して磁束分布を
可視化し、さらに、磁気抵抗層に酸化物系超電導体を用
いて磁気に対する感度を高めるとともに、液晶層の明暗
のコントラスト比を高め、磁束分布をコントラストの明
瞭な明暗で表す。
極層との間に電圧が印加されると、測定対象の磁気強度
の分布に応じて磁気抵抗層の抵抗値が変化し、磁気抵抗
層の抵抗値に応じて印加される電圧に従い液晶層の明暗
が変化し、磁束の分布が液晶層の明暗の変化によって可
視化され、また磁気抵抗層を基板上にマトリックス状に
配し、測定対象域各点の磁気強度を測定して磁束分布を
可視化し、さらに、磁気抵抗層に酸化物系超電導体を用
いて磁気に対する感度を高めるとともに、液晶層の明暗
のコントラスト比を高め、磁束分布をコントラストの明
瞭な明暗で表す。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき詳述する
。第り図は本発明に係る薄Ｍｔｉ磁気センサの構成を示
す模式的断面図であって、図中１はガラスからなる基板
である。ガラス基板ｌ上には、タンクル（Ｔａ） 、モ
リブデン（Ｍｏ） 、タングステン（１１）等のいずれ
か１つ以上の導電性を有する化合物からなる下部電極層
２が積層され、下部電極層２上には、加わる磁気強度に
応じてその抵抗値が変化する、例えばバリウム、銅、イ
ツトリウムの酸化物等の酸化物系超電導物質からなる磁
気抵抗層３が積層される。磁気抵抗層３上には、後述す
る表示手段たる液晶を表示画素毎に駆動するとともに透
過した入射光を上方へ反射する、アルミニウム（ＡＩ）
等からなる画素電極層４がｌ１ｆｆｉ−に対応するマト
リックス状に配され、この画素電極層４上には、酸化ケ
イ素（ＳｉＯ２）等からなり、封入した液晶を所定方向
に配向させる液晶配向層５が積層される。
。第り図は本発明に係る薄Ｍｔｉ磁気センサの構成を示
す模式的断面図であって、図中１はガラスからなる基板
である。ガラス基板ｌ上には、タンクル（Ｔａ） 、モ
リブデン（Ｍｏ） 、タングステン（１１）等のいずれ
か１つ以上の導電性を有する化合物からなる下部電極層
２が積層され、下部電極層２上には、加わる磁気強度に
応じてその抵抗値が変化する、例えばバリウム、銅、イ
ツトリウムの酸化物等の酸化物系超電導物質からなる磁
気抵抗層３が積層される。磁気抵抗層３上には、後述す
る表示手段たる液晶を表示画素毎に駆動するとともに透
過した入射光を上方へ反射する、アルミニウム（ＡＩ）
等からなる画素電極層４がｌ１ｆｆｉ−に対応するマト
リックス状に配され、この画素電極層４上には、酸化ケ
イ素（ＳｉＯ２）等からなり、封入した液晶を所定方向
に配向させる液晶配向層５が積層される。
さらに、酸化インジウム（Ｉｎ２０３）等の透明導電膜
からなる上部透明電極層７と液晶配向層・５とが下方に
積層された上部ガラス基板８と、前述の如く下部電橋層
２．磁気抵抗層３及び画素電極ｊｉ！ｒ４が積層された
ガラス基板１との間には、磁気分布の表示手段たる液晶
層６が挟まれ、また、上部ガラス基板８の上方には入射
光を偏光させる偏光板９が接着形成されている。
からなる上部透明電極層７と液晶配向層・５とが下方に
積層された上部ガラス基板８と、前述の如く下部電橋層
２．磁気抵抗層３及び画素電極ｊｉ！ｒ４が積層された
ガラス基板１との間には、磁気分布の表示手段たる液晶
層６が挟まれ、また、上部ガラス基板８の上方には入射
光を偏光させる偏光板９が接着形成されている。
次に、本発明における薄模碩気センサの動作原理につい
て説明する。第２図は、ゲストホストモードの液晶層６
を用いた場合におけるＷＩＩＩＩＩ磁気センサの動作原
理を示す概念図である。
て説明する。第２図は、ゲストホストモードの液晶層６
を用いた場合におけるＷＩＩＩＩＩ磁気センサの動作原
理を示す概念図である。
交流電圧が、交流電圧源１３から下部電極Ｊｉ）２と上
部透明電極層７に印加されると、磁気抵抗層３にて磁気
の存在しない部分１６は電気抵抗が小さいため、この部
分の液晶層６には各画素電極を通じて相対的に高い電圧
が印加される。その際、液晶層６では磁気抵抗層３の相
対的に低い抵抗値に応じて入射光１０に対する透過率が
大きくなり、入射光ｌＯは、偏光板９．上部ガラス基板
８．上部透明電極層７．液晶配向層５．及び液晶層・６
を通って画素電極層４の表面で反射し、この反射光１１
は再び液晶層６．液晶配向層５．上部透明電極層７゜上
部ガラス基板８及び偏光板９を通って出射するため、磁
気の存在しない部分１６の画素は明るく観察される。
部透明電極層７に印加されると、磁気抵抗層３にて磁気
の存在しない部分１６は電気抵抗が小さいため、この部
分の液晶層６には各画素電極を通じて相対的に高い電圧
が印加される。その際、液晶層６では磁気抵抗層３の相
対的に低い抵抗値に応じて入射光１０に対する透過率が
大きくなり、入射光ｌＯは、偏光板９．上部ガラス基板
８．上部透明電極層７．液晶配向層５．及び液晶層・６
を通って画素電極層４の表面で反射し、この反射光１１
は再び液晶層６．液晶配向層５．上部透明電極層７゜上
部ガラス基板８及び偏光板９を通って出射するため、磁
気の存在しない部分１６の画素は明るく観察される。
また、磁気抵抗層３にて磁気の存在する部分１５は電気
抵抗が大きいため、この部分の液晶層６に印加される電
圧が相対的に低くなって入射光１０に対する液晶層６の
透過率が小さくなり、磁気が存在する部分１５の画素は
暗く観察される。
抵抗が大きいため、この部分の液晶層６に印加される電
圧が相対的に低くなって入射光１０に対する液晶層６の
透過率が小さくなり、磁気が存在する部分１５の画素は
暗く観察される。
即ち、ガラス基板１上の磁束分布に応じて各画素に対す
る入射光の透過率が変化するので、画素の明暗によって
磁束分布を直接視認できる。
る入射光の透過率が変化するので、画素の明暗によって
磁束分布を直接視認できる。
なお、可変抵抗器１４は、画像のコントラスト及び感度
を調整する。
を調整する。
次に、以上の如き構成のｉ膜磁気センサの製造方法につ
き説明する。第３図はその製造工程を示す模式図、第４
図は製造に用いるスパッタ蒸着装置の模式的断面図であ
る。
き説明する。第３図はその製造工程を示す模式図、第４
図は製造に用いるスパッタ蒸着装置の模式的断面図であ
る。
第４図中、４０は反応容器であって、反応容器４゜の内
部には高周波（ラジオ周波数： ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑ
ｕｅｎ−ｃｙ ： ＲＦ）電源４４からマツチングユニ
ット４３を介してＲＦ電力が供給されるＲＦ電極を兼ね
た試料Ｓの支持台４１と、ターゲット基板Ｔの支持台４
５が対向して配されている。
部には高周波（ラジオ周波数： ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑ
ｕｅｎ−ｃｙ ： ＲＦ）電源４４からマツチングユニ
ット４３を介してＲＦ電力が供給されるＲＦ電極を兼ね
た試料Ｓの支持台４１と、ターゲット基板Ｔの支持台４
５が対向して配されている。
また、反応容器４０の一端部には、外部に開口され、図
示しないマスフローコントローラに接続されたガス導入
部４７が、他端部には、外部に開口され、図示しない拡
散ポンプに接続された排気部４９が夫々備えられている
。
示しないマスフローコントローラに接続されたガス導入
部４７が、他端部には、外部に開口され、図示しない拡
散ポンプに接続された排気部４９が夫々備えられている
。
なお、ＲＦｌｉＷ４１は絶縁体４２によって反応容器４
０に支持され、また試料Ｓはヒータ５０によって加熱さ
れる。
０に支持され、また試料Ｓはヒータ５０によって加熱さ
れる。
次に、このような装置を用いて薄膜磁気センサを製造す
る具体的方法につき説明する。
る具体的方法につき説明する。
まず、第３図（ａ）に示す如く、十分に洗浄されたガラ
ス基板１に、タングステン（Ｗ）からなる下部電極層２
を厚さ１μｍに形成する。
ス基板１に、タングステン（Ｗ）からなる下部電極層２
を厚さ１μｍに形成する。
下部電極層２が形成されたガラス基板ｌをスパッタ蒸着
装置の反応容器４０内の支持台４１に載置し、排気部４
９に接続した拡散ポンプにて反応容器４０内の減圧を開
始するとともに、ヒータ５０に給電してガラス基板１の
加熱を開始し、ガラス基板１の温度を６００℃に安定さ
せる０反応容器４０内の圧力が５ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒ
ｒ以下に低下した時点で、ガス導入部４７に接続された
マスフローコントローラにより、アルゴンガスと酸素ガ
スとを等量導入し、反応容器４０内の圧力を８ Ｘ １
Ｏ−２Ｔｏｒｒに設定する。
装置の反応容器４０内の支持台４１に載置し、排気部４
９に接続した拡散ポンプにて反応容器４０内の減圧を開
始するとともに、ヒータ５０に給電してガラス基板１の
加熱を開始し、ガラス基板１の温度を６００℃に安定さ
せる０反応容器４０内の圧力が５ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒ
ｒ以下に低下した時点で、ガス導入部４７に接続された
マスフローコントローラにより、アルゴンガスと酸素ガ
スとを等量導入し、反応容器４０内の圧力を８ Ｘ １
Ｏ−２Ｔｏｒｒに設定する。
反応容器４０内の圧力が安定した状態にて５分経過後、
マツチングツユニット４３を調節しながらＲＦ電′Ｒ４
４をオンにしてＲＦ電極４１への給電を開始し、ＲＦｉ
ｌ極４１上の試料Ｓとターゲット基板Ｔとの間にプラズ
マ４８を発生させ、ＲＦ印加電圧を１．４ｋＶに維持し
、２０分間にわたってプラズマ４８を発生させ、第３図
中）に示す如＜ 、Ｂａ２ＹＣｕ３０７−Ｖの酸化物超
電導薄膜からなる厚さ３０００人の磁気抵抗層３を形成
する。
マツチングツユニット４３を調節しながらＲＦ電′Ｒ４
４をオンにしてＲＦ電極４１への給電を開始し、ＲＦｉ
ｌ極４１上の試料Ｓとターゲット基板Ｔとの間にプラズ
マ４８を発生させ、ＲＦ印加電圧を１．４ｋＶに維持し
、２０分間にわたってプラズマ４８を発生させ、第３図
中）に示す如＜ 、Ｂａ２ＹＣｕ３０７−Ｖの酸化物超
電導薄膜からなる厚さ３０００人の磁気抵抗層３を形成
する。
次に、下部電極層２及び磁気抵抗層３が積層されたガラ
ス基板１にエツチング加工を施し、第３図（Ｃ）に示す
如く、長さ２００μ階９幅２００ ｐｍのアルミニウム
（ＡＩ）からなる複数の電極を、それぞれ画素間距離と
して２０μ層離隔して形成し、ガラス基板１全面に配さ
れるマトリックス状の画素電極層４となす。
ス基板１にエツチング加工を施し、第３図（Ｃ）に示す
如く、長さ２００μ階９幅２００ ｐｍのアルミニウム
（ＡＩ）からなる複数の電極を、それぞれ画素間距離と
して２０μ層離隔して形成し、ガラス基板１全面に配さ
れるマトリックス状の画素電極層４となす。
さらに、上部透明電極Ｎ７及び液晶配向層５を下方に積
層した上部ガラス基板８と、前述の如く下部電極層２．
磁気抵抗層３及び画素電極層４を積層したガラス基板１
との間に液晶を封入する。
層した上部ガラス基板８と、前述の如く下部電極層２．
磁気抵抗層３及び画素電極層４を積層したガラス基板１
との間に液晶を封入する。
このように製造された磁気抵抗層３は、超電導の臨界温
度Ｔｃ・９０にであった。また、液体窒素温度７７にで
ガラス基板１に垂直に磁界を印加すると、約１０ガウス
地点で突然抵抗が生じ、磁界の増加とともに素子の抵抗
が急激に増加する。その場合７７に近傍での磁場に対す
る抵抗の変化率は、１ｍΩ・Ｃｌｌｌ１０ａｕｓｓであ
った。
度Ｔｃ・９０にであった。また、液体窒素温度７７にで
ガラス基板１に垂直に磁界を印加すると、約１０ガウス
地点で突然抵抗が生じ、磁界の増加とともに素子の抵抗
が急激に増加する。その場合７７に近傍での磁場に対す
る抵抗の変化率は、１ｍΩ・Ｃｌｌｌ１０ａｕｓｓであ
った。
酸化物超電導素子の磁気抵抗特性は、零磁界における抵
抗（Ｒｏ）はゼロであり、抵抗増加（ΔＲ）との比ΔＲ
／Ｒｏはほぼ無限大となるため、従来の磁気抵抗素子と
比べ感度が極めて優れている。
抗（Ｒｏ）はゼロであり、抵抗増加（ΔＲ）との比ΔＲ
／Ｒｏはほぼ無限大となるため、従来の磁気抵抗素子と
比べ感度が極めて優れている。
また、基板上の磁束分布の測定において、磁気強度２Ｑ
Ｇａｕｓｓと１０Ｇａｕｓｓの２点での濃淡のコントラ
スト比が１０：１と高い。
Ｇａｕｓｓと１０Ｇａｕｓｓの２点での濃淡のコントラ
スト比が１０：１と高い。
また、第５図は、本発明に係る薄膜磁気センサの第２実
施例の断面構造を示す模式図であって、図中、第１実施
例と同一番号は同一部分を示す。
施例の断面構造を示す模式図であって、図中、第１実施
例と同一番号は同一部分を示す。
第２実施例では、磁気抵抗層３１がガラス基板１の全面
に一様には構成されておらず、液晶による表示画素に対
応する部分にのみ磁気抵抗層３１が形成される。従って
、各画素間には磁気抵抗［３１が形成されていない。
に一様には構成されておらず、液晶による表示画素に対
応する部分にのみ磁気抵抗層３１が形成される。従って
、各画素間には磁気抵抗［３１が形成されていない。
さらに、第５図に示す如く下部電極層２１が、マトリッ
クス状に離隔して形成される磁気抵抗層３１の縦または
横方向いずれか一方向の各列一端部に一部が重畳され、
残部が磁気抵抗層３１各列間のガラス基板１に接して帯
状に積層され、さらに前記磁気抵抗層３１上には、この
下部電極層２１と離隔して画素電極層４が積層形成され
る。従って、上部透明電極Ｊ’ｉｉ７と下部電極層２１
間に印加される電圧は下部電極層２１から各磁気抵抗層
３１を介し、各画素電極層４から各画素へ供給される。
クス状に離隔して形成される磁気抵抗層３１の縦または
横方向いずれか一方向の各列一端部に一部が重畳され、
残部が磁気抵抗層３１各列間のガラス基板１に接して帯
状に積層され、さらに前記磁気抵抗層３１上には、この
下部電極層２１と離隔して画素電極層４が積層形成され
る。従って、上部透明電極Ｊ’ｉｉ７と下部電極層２１
間に印加される電圧は下部電極層２１から各磁気抵抗層
３１を介し、各画素電極層４から各画素へ供給される。
なお、液晶配向層５以上の積層構造は第１実施例と同様
である。
である。
次に、このような構成の薄膜磁気センサを製造する方法
について説明する。第６図はその製造工程を示す模式図
である。まず、第６図（ａ）に示す如（ガラス基板１上
に磁気抵抗層３１となる酸化物超電導膜を第１実施例と
同様のスパッタ蒸着装置によって形成する。成膜条件、
膜厚等は第１実施例と同様であるが、成膜後、エツチン
グ加工を施し、磁気抵抗層３１を、長さ３００μ（イ）
５幅３００μｍ、離隔距離５０μ−のマトリックス状に
形成する。
について説明する。第６図はその製造工程を示す模式図
である。まず、第６図（ａ）に示す如（ガラス基板１上
に磁気抵抗層３１となる酸化物超電導膜を第１実施例と
同様のスパッタ蒸着装置によって形成する。成膜条件、
膜厚等は第１実施例と同様であるが、成膜後、エツチン
グ加工を施し、磁気抵抗層３１を、長さ３００μ（イ）
５幅３００μｍ、離隔距離５０μ−のマトリックス状に
形成する。
次に、磁気抵抗層３１上に積層した１μｍのアルミニウ
ム（ＡＩ）にエツチング加工を施し、マトリックス状に
形成された磁気抵抗ｒＭ３の紺または横方向いずれか一
方向の各列の一端に重畳させて、第６図（ｂ）に示す如
くガラス基板１上に、幅２０μ重の帯状の下部電極層２
１を形成する。
ム（ＡＩ）にエツチング加工を施し、マトリックス状に
形成された磁気抵抗ｒＭ３の紺または横方向いずれか一
方向の各列の一端に重畳させて、第６図（ｂ）に示す如
くガラス基板１上に、幅２０μ重の帯状の下部電極層２
１を形成する。
以上のように、マトリックス状の磁気抵抗層３１及び帯
状の下部電極層２１をガラス基Ｆｉ１に積層した後に、
画素電極層４．液晶配向層５を形成して液晶を封入する
製造工程は前述の第１実施例と同様である。
状の下部電極層２１をガラス基Ｆｉ１に積層した後に、
画素電極層４．液晶配向層５を形成して液晶を封入する
製造工程は前述の第１実施例と同様である。
従って、偏光板９側から入射した光が液晶層６を透過し
た場合、入射光は画素電極層４及び下部電極層２１にて
反射され、その部分が明るく観察される。
た場合、入射光は画素電極層４及び下部電極層２１にて
反射され、その部分が明るく観察される。
以上のような第２実施例の薄膜磁気センサにより磁束分
布を測定すると、磁気強度１５Ｇａｕｓｓと２０Ｇａｕ
ｓｓとの２点でのコントラスト比は１０：１が得られた
。
布を測定すると、磁気強度１５Ｇａｕｓｓと２０Ｇａｕ
ｓｓとの２点でのコントラスト比は１０：１が得られた
。
本発明の薄膜磁気センサは、液晶を利用して磁束分布を
画素の明暗により可視化し、またマトリックス状に配さ
れる画素によって磁束の２次元的分布を可視化し、さら
に磁気抵抗層に酸化物系超電導体が用いられて磁気に対
する感度が高まるとともに磁気強度を明瞭に可視化する
という優れた効果を奏する。
画素の明暗により可視化し、またマトリックス状に配さ
れる画素によって磁束の２次元的分布を可視化し、さら
に磁気抵抗層に酸化物系超電導体が用いられて磁気に対
する感度が高まるとともに磁気強度を明瞭に可視化する
という優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る薄膜磁気センサの断面構造の模式
図、第２図はその測定原理を示す図、第３図はその製造
工程を示す模式図、第４図はその製造に使用するスパッ
タ蒸着装置の模式的断面図、第５図は本発明に係る薄膜
磁気センサの他の実施例の構成を示す模式的断面図、第
６図はその製造工程を示す図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・下部電極層 ３・・・磁
気抵抗層 ４・・・画素電極層 ５・・・液晶配向層
６・・・液晶層 ７・・・上部透明電極層 訃・・上部
ガラス基板９・・・偏光板 ２１・・・下部電極層 ３
１・・・磁気抵抗層特 許 出願人 住友金属工業株式
会社代理人 弁理士 河 野 登 夫↓ 用 ４ 図 ／−７６ 莱 ５ 図 薬 ６ 図
図、第２図はその測定原理を示す図、第３図はその製造
工程を示す模式図、第４図はその製造に使用するスパッ
タ蒸着装置の模式的断面図、第５図は本発明に係る薄膜
磁気センサの他の実施例の構成を示す模式的断面図、第
６図はその製造工程を示す図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・下部電極層 ３・・・磁
気抵抗層 ４・・・画素電極層 ５・・・液晶配向層
６・・・液晶層 ７・・・上部透明電極層 訃・・上部
ガラス基板９・・・偏光板 ２１・・・下部電極層 ３
１・・・磁気抵抗層特 許 出願人 住友金属工業株式
会社代理人 弁理士 河 野 登 夫↓ 用 ４ 図 ／−７６ 莱 ５ 図 薬 ６ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に、少なくとも下部電極層、磁気抵抗層、液
晶層及び上部透明電極層を順次積層形成した薄膜磁気セ
ンサであって、 前記磁気抵抗層は、測定対象の磁気強度の変化に応じ、
下部電極層と上部透明電極層間に印加される電圧に対す
る抵抗値が変化し、前記液晶層は、磁気抵抗層の抵抗値
に応じて印加される電圧に従い明暗が変化するようにな
してあることを特徴とする薄膜磁気センサ。２、測定対
象域各点の磁気強度に応じ、抵抗値が変化すべくマトリ
ックス状に配された磁気抵抗層と、 各磁気抵抗層の抵抗値に応じて各磁気抵抗層に対応する
位置の明暗が変化する液晶層と、これら磁気抵抗層を介
して液晶層に電圧を印加する下部電極層及び上部透明電
極層とを基板上に積層してなることを特徴とする薄膜磁
気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010418A JPH01185466A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 薄膜磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010418A JPH01185466A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 薄膜磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01185466A true JPH01185466A (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11749599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63010418A Pending JPH01185466A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 薄膜磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01185466A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009537834A (ja) * | 2006-05-24 | 2009-10-29 | エアバス・フランス | 漏えい磁場の分布の解析による部品の非破壊検査装置 |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP63010418A patent/JPH01185466A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009537834A (ja) * | 2006-05-24 | 2009-10-29 | エアバス・フランス | 漏えい磁場の分布の解析による部品の非破壊検査装置 |
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