JPH01187801A - オーミック性電極 - Google Patents
オーミック性電極Info
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- JPH01187801A JPH01187801A JP1217188A JP1217188A JPH01187801A JP H01187801 A JPH01187801 A JP H01187801A JP 1217188 A JP1217188 A JP 1217188A JP 1217188 A JP1217188 A JP 1217188A JP H01187801 A JPH01187801 A JP H01187801A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はオーミック性電極に関するものであり、詳しく
は半導体セラミックスに、アルミニウム厚膜ペーストを
塗布後、８５０〜１０００℃で焼付は成膜することを特
徴とするオーミック性電極及び半導体セラミックスに、
アルミニウム厚膜ペーストを塗布後、半田付は可能な厚
膜ペーストを塗布し、８５０〜１０００℃で焼付は成膜
することを特徴とするオーミック性電極並びに半導体セ
ラミックスに、アルミニウム厚膜ペーストを塗布し、８
５０〜１０００℃で焼付は成膜した後、半田付は可能な
金属厚膜ペーストを塗布し、４００〜１０００℃で焼付
は成膜することを特徴とするオーミック性電極に関する
ものである。
は半導体セラミックスに、アルミニウム厚膜ペーストを
塗布後、８５０〜１０００℃で焼付は成膜することを特
徴とするオーミック性電極及び半導体セラミックスに、
アルミニウム厚膜ペーストを塗布後、半田付は可能な厚
膜ペーストを塗布し、８５０〜１０００℃で焼付は成膜
することを特徴とするオーミック性電極並びに半導体セ
ラミックスに、アルミニウム厚膜ペーストを塗布し、８
５０〜１０００℃で焼付は成膜した後、半田付は可能な
金属厚膜ペーストを塗布し、４００〜１０００℃で焼付
は成膜することを特徴とするオーミック性電極に関する
ものである。
（ロ）従来の技術及び発明が解決しようとする問題点
半導体セラミックス、特に正の抵抗温度係数を有する正
特性半導体セラミックス（ＰＴＣサーミスクー）は、近
年その有用性が認められ大量に生産されている。
特性半導体セラミックス（ＰＴＣサーミスクー）は、近
年その有用性が認められ大量に生産されている。
しかし、半導体セラミックスへの電極形成方法として電
気特性に優れ、且つ経済性の高い方法は知られていない
。
気特性に優れ、且つ経済性の高い方法は知られていない
。
インジウムとガリウムよりなる合金を使用するとオーミ
ック性のとれた電極となるが、耐熱性及び半田付は性に
劣り実用性に乏しい。
ック性のとれた電極となるが、耐熱性及び半田付は性に
劣り実用性に乏しい。
ニッケル等を使用してメツキ法で電極を形成する方法は
一部実用化されているが、半田付は性が劣る欠点がある
。
一部実用化されているが、半田付は性が劣る欠点がある
。
又、アルミニウムを溶射して電極を形成する方法もある
が、作業中に有害ガスが発生し経済性も低い。
が、作業中に有害ガスが発生し経済性も低い。
更に、銀等の貴金属厚膜ペーストを使用して電極を形成
する方法も知られているが、貴金属は高価なためコスト
が上昇するうえ価格が変動する不利がある。
する方法も知られているが、貴金属は高価なためコスト
が上昇するうえ価格が変動する不利がある。
一方、安価なアルミニウムを主成分とする厚膜ペースト
を使用し、８００℃以下の温度で焼付は成膜して電極を
形成する試みも特開昭６０−７０１号公報等で知られて
いるが、半導体セラミックスと電極間で接続抵抗が高く
なり、オーミック性がとれない欠点がある。
を使用し、８００℃以下の温度で焼付は成膜して電極を
形成する試みも特開昭６０−７０１号公報等で知られて
いるが、半導体セラミックスと電極間で接続抵抗が高く
なり、オーミック性がとれない欠点がある。
（ハ）問題点を解決するための手段
本発明者らは、上記問題点を解決すべく鋭意努力検討し
た結果本発明を完成するに至った。
た結果本発明を完成するに至った。
本発明の第１は、半導体セラミックスにアルミニウム厚
膜ペーストを塗布後、８５０〜１０００℃で焼付は成膜
したオーミック性電極に関するものである。
膜ペーストを塗布後、８５０〜１０００℃で焼付は成膜
したオーミック性電極に関するものである。
本発明の第２は、半導体セラミックスにアルミニウム厚
膜ペーストを塗布後、更に半田付は可能な金属厚膜ペー
ストを塗布し、８５０〜１０００℃で焼付は成膜するこ
とを特徴とするオーミンク性電極に関するものである。
膜ペーストを塗布後、更に半田付は可能な金属厚膜ペー
ストを塗布し、８５０〜１０００℃で焼付は成膜するこ
とを特徴とするオーミンク性電極に関するものである。
更に、本発明の第３は、半導体セラミックスにアルミニ
ウム厚膜ペーストを塗布し、８５０〜１０００℃で焼付
は成膜した後、更に半田付は可能な金属厚膜ペーストを
塗布し、４００〜１０００℃で焼付は成膜したオーミッ
ク性電極に関するものである。
ウム厚膜ペーストを塗布し、８５０〜１０００℃で焼付
は成膜した後、更に半田付は可能な金属厚膜ペーストを
塗布し、４００〜１０００℃で焼付は成膜したオーミッ
ク性電極に関するものである。
更に本発明を具体的に説明すると、本発明の第１のオー
ミック性電極は、半導体セラミックスにアルミニウム厚
膜ペーストを塗布、乾燥後、８５０〜１０００″Ｃで焼
付は成膜したものである。
ミック性電極は、半導体セラミックスにアルミニウム厚
膜ペーストを塗布、乾燥後、８５０〜１０００″Ｃで焼
付は成膜したものである。
本発明の第２のオーミック性電極は、半導体セラミック
スにアルミニウム厚膜ペーストを塗布、乾燥後、更に半
田付は可能な金属厚膜ペーストを塗布、乾燥し、８５０
〜１０００℃で焼付は成膜したものである。
スにアルミニウム厚膜ペーストを塗布、乾燥後、更に半
田付は可能な金属厚膜ペーストを塗布、乾燥し、８５０
〜１０００℃で焼付は成膜したものである。
更に、本発明の第３のオーミック性電極は、半導体セラ
ミックスに、アルミニウム厚膜ペーストを塗布、乾燥し
、８５０〜１０００℃で焼付は成膜後、更に半田付は可
能な金属厚膜ペーストを塗布、乾燥し、４００〜１００
０℃で焼付は成膜したものである。
ミックスに、アルミニウム厚膜ペーストを塗布、乾燥し
、８５０〜１０００℃で焼付は成膜後、更に半田付は可
能な金属厚膜ペーストを塗布、乾燥し、４００〜１００
０℃で焼付は成膜したものである。
即ち、塗布したアルミニウム厚膜ペーストの焼付は成膜
温度を８５０〜ｉ ｏ ｏ ｏ ’ｃの高温とすると、
半導体セラミックスと電極間の接続抵抗が低いオーミッ
ク性電極となる。
温度を８５０〜ｉ ｏ ｏ ｏ ’ｃの高温とすると、
半導体セラミックスと電極間の接続抵抗が低いオーミッ
ク性電極となる。
アルミニウム厚膜ペーストの焼付は成膜温度が８５０℃
未満では半導体セラミックスと電極間の接続抵抗−が高
い非オーミツク性電極となる。
未満では半導体セラミックスと電極間の接続抵抗−が高
い非オーミツク性電極となる。
又、半田付は可能な金属厚膜ペーストの焼付は成膜温度
はアルミニウム厚膜ペーストのように８５０〜１０００
℃にする必要はなく、その焼付は成膜温度としては通常
４００−１０００℃の温度が採用される。
はアルミニウム厚膜ペーストのように８５０〜１０００
℃にする必要はなく、その焼付は成膜温度としては通常
４００−１０００℃の温度が採用される。
アルミニウム厚膜ペーストは公知のようにアルミニウム
粉末８０〜１００重量％、ガラス粉末０〜２０重量％及
び接着力を向上させ°る各種金属酸化物粉末０〜１０重
量％を有機ビヒクルと混練して製造することができる。
粉末８０〜１００重量％、ガラス粉末０〜２０重量％及
び接着力を向上させ°る各種金属酸化物粉末０〜１０重
量％を有機ビヒクルと混練して製造することができる。
半田付は可能な金属厚膜ペーストとしては、例えば金、
銀、白金、パラジウム、ニッケル、銅等の金属粉末又は
これらの混合物の厚膜ペーストが挙げられる。
銀、白金、パラジウム、ニッケル、銅等の金属粉末又は
これらの混合物の厚膜ペーストが挙げられる。
上記半田付は可能な金属厚膜ペーストの製造法はアルミ
ニウム厚膜ペーストの製造法と同様にして製造すること
ができる。但し、金属粉末の無機固形分中の濃度は８０
重量％以上であることが必要である。
ニウム厚膜ペーストの製造法と同様にして製造すること
ができる。但し、金属粉末の無機固形分中の濃度は８０
重量％以上であることが必要である。
上記厚膜ペーストを塗布する方法としては、スクリーン
印刷法、デイピング法等を採用することができる。
印刷法、デイピング法等を採用することができる。
厚膜ペーストを塗布した半導体セラミックスは、乾燥工
程を経てベルト炉又はバッチ炉等を使用して０．５〜６
０分間程度焼付は成膜を行い電極を形成する。
程を経てベルト炉又はバッチ炉等を使用して０．５〜６
０分間程度焼付は成膜を行い電極を形成する。
尚、本発明の第１のオーミック性電極は、必要に応６そ
のアルミニウム電極の上に、半田付は又は保護コート等
の目的のため、蒸着法、メツキ法、金属厚膜ペーストの
塗布法等により比較的低温で金、銀、白金、パラジウム
、銅、ニッケル、亜鉛、錫、クロム等の金属膜を形成す
ることもできる。
のアルミニウム電極の上に、半田付は又は保護コート等
の目的のため、蒸着法、メツキ法、金属厚膜ペーストの
塗布法等により比較的低温で金、銀、白金、パラジウム
、銅、ニッケル、亜鉛、錫、クロム等の金属膜を形成す
ることもできる。
（ホ）発明の効果
半導体セラミックスに塗布したアルミニウム厚膜ペース
トの焼付は成膜温度を８５０〜１０ｏＯ℃の高温とする
ことにより、半導体セラミックスと電極間の接続抵抗が
低いオーミック性電極を製造することができる。
トの焼付は成膜温度を８５０〜１０ｏＯ℃の高温とする
ことにより、半導体セラミックスと電極間の接続抵抗が
低いオーミック性電極を製造することができる。
（へ）実施例
以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
正特性半導体セラミックス（ＰＴＣサーミスター）に、
アルミニウム厚膜ペースト（組成ニアルミニウム粉末８
０重量％、エチルセルロース樹脂５重量％、α−テルピ
ネオール１５重世％）をスクリーン印刷法を使用して塗
′布、乾燥後、８５０℃で焼付は成膜を行いアルミニウ
ム電極を形成した。
アルミニウム厚膜ペースト（組成ニアルミニウム粉末８
０重量％、エチルセルロース樹脂５重量％、α−テルピ
ネオール１５重世％）をスクリーン印刷法を使用して塗
′布、乾燥後、８５０℃で焼付は成膜を行いアルミニウ
ム電極を形成した。
このアルミニウム電極に接着剤を使用して金属線を取付
は密着強度を測定した。
は密着強度を測定した。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
実施例２
焼付は成膜温度を９００℃とした他は、実施例１と同様
にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して金
属線を取付けた。
にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して金
属線を取付けた。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
実施例３
焼付は成膜温度を９５０℃とした他は、実施例１と同様
にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して金
属線を取付けた。
にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して金
属線を取付けた。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
実施例４
焼付は成膜温度を１０００℃とした他は、実施例１と同
様にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して
金属線を取付けた。
様にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して
金属線を取付けた。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
実施例５
実施例１のアルミニウム厚膜ペーストを塗布、乾燥後、
更に銀厚膜ペースト（組成；銀粉末７５重量％、ガラス
粉末５重量％、エチルセルロース樹脂５重量％、α−テ
ルピネオール１５重量％）を塗布、乾燥し、９００″Ｃ
で焼付は成膜をした他は、実施例１と同様にしてアルミ
ニウムー銀電極を形成した。
更に銀厚膜ペースト（組成；銀粉末７５重量％、ガラス
粉末５重量％、エチルセルロース樹脂５重量％、α−テ
ルピネオール１５重量％）を塗布、乾燥し、９００″Ｃ
で焼付は成膜をした他は、実施例１と同様にしてアルミ
ニウムー銀電極を形成した。
このアルミニウムー銀電極に半田を使用して金属線を取
付は密着強度を測定した。
付は密着強度を測定した。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
このアルミニウムー銀電極は半田が容易につき、密着強
度も高いことが分る。
度も高いことが分る。
実施例６
実施例１のアルミニウム厚膜ペーストを塗布、乾燥し、
９００℃で焼付は成膜した後、更に実施例５の銀厚膜ペ
ーストを塗布、乾燥し、７００℃で焼付は成膜した他は
、実施例５と同様にしてアルミニウムー銀電極を形成後
、半田を使用して金属線を取付は密着強度を測定した。
９００℃で焼付は成膜した後、更に実施例５の銀厚膜ペ
ーストを塗布、乾燥し、７００℃で焼付は成膜した他は
、実施例５と同様にしてアルミニウムー銀電極を形成後
、半田を使用して金属線を取付は密着強度を測定した。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
このアルミニウムー銀電極は半田が容易につき、密着強
度も高いことが分る。
度も高いことが分る。
比較例１
焼付は成膜温度を７００℃とした他は、実施例１と同様
にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して金
属線を取付けた。
にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して金
属線を取付けた。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
比較例２
焼付は成膜温度を８００℃とした他は、実施例１と同様
にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して金
属線を取付けた。
にしてアルミニウム電極を形成後、接着剤を使用して金
属線を取付けた。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
比較例３
実施例５の銀厚膜ペーストを塗布、乾燥後、７００℃で
焼付は成膜した他は、実施例１と同様にして銀電極を形
成した。
焼付は成膜した他は、実施例１と同様にして銀電極を形
成した。
この銀電極に半田を使用して金属線を取付は密着強度を
測定した。
測定した。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
比較例４
焼付は成膜温度を９００℃とした他は、比較例３と同様
にして銀電極を形成後、半田を使用して金属線を取付は
密着強度を測定した。
にして銀電極を形成後、半田を使用して金属線を取付は
密着強度を測定した。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
比較例５
正特性半導体セラミックス（ＰＴＣサーミスター）に、
インジウム−ガリウム合金を室温で塗布し、インジウム
−ガリウム電極を形成した。
インジウム−ガリウム合金を室温で塗布し、インジウム
−ガリウム電極を形成した。
このインジウム−ガリウム電極には金属線を取付けるこ
とができなかった。
とができなかった。
表１に半導体セラミックスと電極間の接続抵抗及び密着
強度の測定結果示す。
強度の測定結果示す。
（以下、余白）
Claims (3)
- １．半導体セラミックスに、アルミニウム厚膜ペースト
を塗布後、８５０〜１０００℃で焼付け成膜することを
特徴とするオーミック性電極。 - ２．半導体セラミックスに、アルミニウム厚膜ペースト
を塗布後、半田付け可能な金属厚膜ペーストを塗布し、
８５０〜１０００℃で焼付け成膜することを特徴とする
オーミック性電極。 - ３．半導体セラミックスに、アルミニウム厚膜ペースト
を塗布し、８５０〜１０００℃で焼付け成膜した後、半
田付け可能な金属厚膜ペーストを塗布し、４００〜１０
００℃で焼付け成膜することを特徴とするオーミック性
電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217188A JPH01187801A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | オーミック性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217188A JPH01187801A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | オーミック性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187801A true JPH01187801A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11797987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217188A Pending JPH01187801A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | オーミック性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04174937A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Toshiba Corp | 含浸型陰極の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1217188A patent/JPH01187801A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04174937A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Toshiba Corp | 含浸型陰極の製造方法 |
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