JPH01188308A - 半導体ウェハのダイシング装置 - Google Patents
半導体ウェハのダイシング装置Info
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- JPH01188308A JPH01188308A JP63013012A JP1301288A JPH01188308A JP H01188308 A JPH01188308 A JP H01188308A JP 63013012 A JP63013012 A JP 63013012A JP 1301288 A JP1301288 A JP 1301288A JP H01188308 A JPH01188308 A JP H01188308A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハのダイシング装置に関する。
第３図に示すように、従来の技術で半導体ウェハ３の完
全切断を行なう場合、フラットリング４に貼付けられた
ウェハシート７を介して、半導体ウェハが、冷却バイブ
ロを有するステージ５の主面上の真空吸着溝８に、真空
吸着により固定され、切削部に当たるダイヤモンドブレ
ード１の近傍に、噴射ノズル２より冷却水を噴射しなが
ら、ダイヤモンドブレードｌで、順に半導体ウェハ３を
ダイシングしていた。
全切断を行なう場合、フラットリング４に貼付けられた
ウェハシート７を介して、半導体ウェハが、冷却バイブ
ロを有するステージ５の主面上の真空吸着溝８に、真空
吸着により固定され、切削部に当たるダイヤモンドブレ
ード１の近傍に、噴射ノズル２より冷却水を噴射しなが
ら、ダイヤモンドブレードｌで、順に半導体ウェハ３を
ダイシングしていた。
前述した従来のダイシング装置及びダイシング方法では
、半導体ウェハ３を貫いてウェハシート７にまでダイヤ
モンドブレードｌで切り込むいわゆる完全切断を行なう
場合、ウェハシート７には一般に塩化ビニル、ポリエチ
レンなどの高分子材料が使われていた。ここで、ダイヤ
モンドブレードｌに生じる摩擦熱の除去は、噴出ノズル
２より出る水と、ステージ５に設けた冷却機構の冷却バ
イブロで行なっている。しかし、ウェハシート７は高分
子材料であるため、熱伝導度か１０ Ｗ／ｃｍ℃程度
と、一般の金属などの数Ｗ／Ｃｍ℃と比べて、十分の一
程度と悪い。このため、十分な冷却効果が得られなかっ
た。また、ウェハシート７にダイヤモンドブレード１が
切り込んだ場合、ウェハシート７が断熱材として働き、
熱が放散せず、この摩擦熱によジ著しくダイヤモンドブ
レード１の寿命を短かくするという欠点があった。
、半導体ウェハ３を貫いてウェハシート７にまでダイヤ
モンドブレードｌで切り込むいわゆる完全切断を行なう
場合、ウェハシート７には一般に塩化ビニル、ポリエチ
レンなどの高分子材料が使われていた。ここで、ダイヤ
モンドブレードｌに生じる摩擦熱の除去は、噴出ノズル
２より出る水と、ステージ５に設けた冷却機構の冷却バ
イブロで行なっている。しかし、ウェハシート７は高分
子材料であるため、熱伝導度か１０ Ｗ／ｃｍ℃程度
と、一般の金属などの数Ｗ／Ｃｍ℃と比べて、十分の一
程度と悪い。このため、十分な冷却効果が得られなかっ
た。また、ウェハシート７にダイヤモンドブレード１が
切り込んだ場合、ウェハシート７が断熱材として働き、
熱が放散せず、この摩擦熱によジ著しくダイヤモンドブ
レード１の寿命を短かくするという欠点があった。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、熱の放散が良好
で、ダイヤモンドブレードの寿命が伸びるようにした半
導体ウェハのダイシング装置ｔ−提供することにある。
で、ダイヤモンドブレードの寿命が伸びるようにした半
導体ウェハのダイシング装置ｔ−提供することにある。
本発明の構成は、主面上に半導体ウェハを載置し、かつ
冷却機構を有するステージと、前記ステージの上方に設
けられたダイヤモンドブレードと、前記ステージの上方
に設けられた水供給装置とを有する半導体ウェハのダイ
シング装置において、前記半導体ウェハと水の入る凹部
を有する金属体を前記ステージの主面に設けたことを特
徴とする。
冷却機構を有するステージと、前記ステージの上方に設
けられたダイヤモンドブレードと、前記ステージの上方
に設けられた水供給装置とを有する半導体ウェハのダイ
シング装置において、前記半導体ウェハと水の入る凹部
を有する金属体を前記ステージの主面に設けたことを特
徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体ウェハのダイシ
ング装置の断面図である。同図において、本実施例のダ
イシング装置は、ステージ５の主面上に凹部を有する金
属体１１が載置され、このステージ５の主面に設けられ
た真空吸着溝８により、真空吸着による固定がされる。
ング装置の断面図である。同図において、本実施例のダ
イシング装置は、ステージ５の主面上に凹部を有する金
属体１１が載置され、このステージ５の主面に設けられ
た真空吸着溝８により、真空吸着による固定がされる。
次に、水供給パイプ９よシ水が凹部ヲ肩する金属体１１
に入れられ、ステージ５に設けられた冷却バイブロ中に
、例えばフロンガスなどを用いて、これにより瞬時に凍
結され、氷ｌＯとなる。この氷１０の主面上に、半導体
ウェハ３が置かれ、氷１０との被着面において半導体ウ
ェハ３の有する熱エネルギにより、−瞬氷１’Ｏが解け
、再び凍結することにより、この半導体ウェハ３は完全
に固定される。この固定された半導体ウェハ３を、ダイ
ヤモンドブレードｌで、近傍に設けられた噴出ノズル２
より冷却水を当てながら、ダイシングする。このとき、
凹部を有する金属体１１の材料としては、ステンレスや
アルミニウムなどの加工しやすい金属であればよい。ま
た、氷１０の厚さは、水供給パイプ９から供給する水の
量を一定量にし、２０〜５０μｍ程度とすれば、充分で
ある。
に入れられ、ステージ５に設けられた冷却バイブロ中に
、例えばフロンガスなどを用いて、これにより瞬時に凍
結され、氷ｌＯとなる。この氷１０の主面上に、半導体
ウェハ３が置かれ、氷１０との被着面において半導体ウ
ェハ３の有する熱エネルギにより、−瞬氷１’Ｏが解け
、再び凍結することにより、この半導体ウェハ３は完全
に固定される。この固定された半導体ウェハ３を、ダイ
ヤモンドブレードｌで、近傍に設けられた噴出ノズル２
より冷却水を当てながら、ダイシングする。このとき、
凹部を有する金属体１１の材料としては、ステンレスや
アルミニウムなどの加工しやすい金属であればよい。ま
た、氷１０の厚さは、水供給パイプ９から供給する水の
量を一定量にし、２０〜５０μｍ程度とすれば、充分で
ある。
本実施例の半導体ウェハのダイシング装置への固着方法
は、ステージ５上に設けた金属体１１の凹部に水供給装
置の水供給パイプ９からの水を入れ、ステージ５上に設
けた冷却機構の冷却バイ１６により凍結させた上で、ダ
イヤモンドブレードｌによるダイシングをすることを主
な特徴とする。
は、ステージ５上に設けた金属体１１の凹部に水供給装
置の水供給パイプ９からの水を入れ、ステージ５上に設
けた冷却機構の冷却バイ１６により凍結させた上で、ダ
イヤモンドブレードｌによるダイシングをすることを主
な特徴とする。
第２図は本発明の第２の実施例の半導体ウェハのダイシ
ング装置の断面図である。同図において、本実施例のダ
イシング装置は、噴出ノズル２がない点が前記第１の実
施例と異なる主な点である。
ング装置の断面図である。同図において、本実施例のダ
イシング装置は、噴出ノズル２がない点が前記第１の実
施例と異なる主な点である。
従来、半導体ウェハ３のダイシングは、噴出ノズルより
冷却水を常時噴出し、ダイシングブレード１を冷却して
いたが、本実施例の装置を用いることにより、ダイシン
グブレード１の冷却は不要となる。なぜならば、水が瞬
時に凍結する温度まで、半導体ウェハ３自体が冷えてい
るからである。本実施例では、この凍結が瞬時に行な軌
れる必要があるため、凹部を有する金属体１１の材質も
、加工しやすいばかりでなく、高熱伝導率の材質例えば
銅やタングステンなどを用いる。
冷却水を常時噴出し、ダイシングブレード１を冷却して
いたが、本実施例の装置を用いることにより、ダイシン
グブレード１の冷却は不要となる。なぜならば、水が瞬
時に凍結する温度まで、半導体ウェハ３自体が冷えてい
るからである。本実施例では、この凍結が瞬時に行な軌
れる必要があるため、凹部を有する金属体１１の材質も
、加工しやすいばかりでなく、高熱伝導率の材質例えば
銅やタングステンなどを用いる。
本実施例では、ダイヤモンドブレード１に冷却水を当て
なくて良いため、多量の水が節約でき、又廃水設備本簡
単になる。その上、ダイシング中に水を使用しない為°
、ダイシングで生じる切り屑も粉状であり、圧縮空気等
を用いれば、簡単に除去できる等多くの利点を有する。
なくて良いため、多量の水が節約でき、又廃水設備本簡
単になる。その上、ダイシング中に水を使用しない為°
、ダイシングで生じる切り屑も粉状であり、圧縮空気等
を用いれば、簡単に除去できる等多くの利点を有する。
以上説明したように、本発明は、冷却機構を有するステ
ージの主面上に凹部を有する金属体を設け、半導体ウェ
ハの固着を、水供給パイプよシ供給される水を用いて、
半導体ウェハと金属体との間の凍結方法により行ない、
ダイヤモンドブレードの冷却効果を著しく向上させ、し
かもダイヤモンドグレードに常時多量の水を必ずしも噴
射する必要もなくなるため、多量の水が節約でき、廃水
設備も簡単にでき、半導体装置の製造コストを低減する
効果がある。
ージの主面上に凹部を有する金属体を設け、半導体ウェ
ハの固着を、水供給パイプよシ供給される水を用いて、
半導体ウェハと金属体との間の凍結方法により行ない、
ダイヤモンドブレードの冷却効果を著しく向上させ、し
かもダイヤモンドグレードに常時多量の水を必ずしも噴
射する必要もなくなるため、多量の水が節約でき、廃水
設備も簡単にでき、半導体装置の製造コストを低減する
効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体ウェハのダイシ
ング装置の断面図、第２図は本発明の第２の実施例の半
導体ウェハのダイシング装置の断面図、第３図は従来の
半導体ウェハのダイシング装置の断面図である。 ｌ・・・・・・ダイヤモンドブレード、２・・・・・・
噴出ノズル、３・・・・・・半導体ウェハ、４・・・・
・・フラットリング、５・・・・・・ステージ、６・・
・・・・冷却パイプ、７・・・・・・ウェハシート、８
・・・・・・真空吸着溝、９・・・・・・水供給パイプ
、１０・・・・・・氷、１１・・・・・・凹部を有する
金属体。 代理人 弁理士 内 原 音 ！２回
ング装置の断面図、第２図は本発明の第２の実施例の半
導体ウェハのダイシング装置の断面図、第３図は従来の
半導体ウェハのダイシング装置の断面図である。 ｌ・・・・・・ダイヤモンドブレード、２・・・・・・
噴出ノズル、３・・・・・・半導体ウェハ、４・・・・
・・フラットリング、５・・・・・・ステージ、６・・
・・・・冷却パイプ、７・・・・・・ウェハシート、８
・・・・・・真空吸着溝、９・・・・・・水供給パイプ
、１０・・・・・・氷、１１・・・・・・凹部を有する
金属体。 代理人 弁理士 内 原 音 ！２回
Claims (2)
- （１）主面上に半導体ウェハを載置し、かつ冷却機構を
有するステージと、前記ステージの上方に設けられたダ
イヤモンドブレードと、前記ステージの上方に設けられ
た水供給装置とを有する半導体ウェハのダイシング装置
において、前記半導体ウェハと水の入る凹部を有する金
属体を前記ステージの主面に設けたことを特徴とする半
導体ウェハのダイシング装置。 - （２）冷却機構は、凹部に入った水を冷却して氷にする
冷却パイプを有している特許請求の範囲第１項記載の半
導体ウェハのダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013012A JPH01188308A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体ウェハのダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013012A JPH01188308A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体ウェハのダイシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01188308A true JPH01188308A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11821251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013012A Pending JPH01188308A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体ウェハのダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01188308A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6588308B2 (en) | 1999-01-19 | 2003-07-08 | Meco Equipment Engineers B.V. | Method and device for separating products, mounted on a common substrate, from each other along (a) cutting line(s) |
| KR100817276B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-03-27 | 삼성전기주식회사 | 반도체 웨이퍼의 다이싱 장치 및 그 다이싱 방법 |
| US7462312B2 (en) | 2004-06-07 | 2008-12-09 | Fujitsu Limited | Method of fabricating element having microstructure |
| KR100953078B1 (ko) * | 2008-02-11 | 2010-04-19 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 냉각 기능을 강화시킨 웨이퍼 소잉 장치 |
| JP2016157732A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 防衛装備庁長官 | 冷凍ピンチャック装置および冷凍ピンチャック方法 |
| CN112151446A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆切割固定方法及其装置 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63013012A patent/JPH01188308A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6588308B2 (en) | 1999-01-19 | 2003-07-08 | Meco Equipment Engineers B.V. | Method and device for separating products, mounted on a common substrate, from each other along (a) cutting line(s) |
| US7462312B2 (en) | 2004-06-07 | 2008-12-09 | Fujitsu Limited | Method of fabricating element having microstructure |
| KR100817276B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-03-27 | 삼성전기주식회사 | 반도체 웨이퍼의 다이싱 장치 및 그 다이싱 방법 |
| KR100953078B1 (ko) * | 2008-02-11 | 2010-04-19 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 냉각 기능을 강화시킨 웨이퍼 소잉 장치 |
| JP2016157732A (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 防衛装備庁長官 | 冷凍ピンチャック装置および冷凍ピンチャック方法 |
| CN112151446A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆切割固定方法及其装置 |
| CN112151446B (zh) * | 2020-09-24 | 2023-09-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆切割固定方法及其装置 |
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