JPH01189015A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録装置の薄膜磁気ヘッドに関し、特に薄
膜磁気ヘッドの高信頼特性化に適用して有効な技術に関
するものである。

〔従来の技術〕

たとえば磁気テープ装置等に用いられている多素子形の
薄膜磁気ヘッドは、磁性基板にスパッタリング等の成膜
技術を用いて複数の変換素子を形成した第１のブロック
と、この変換素子を保護し、かつ、磁気回路の一部とな
Ｓ第２のブロックとを接着剤で接着した構造となってい
る。

その際、磁気テープ装置等の磁気記録密度向上の観点か
ら、両ブロックの隙間（以下、磁気ギャップという）を
狭くする必要があるため、上記両ブロックの接着に用い
られる接着剤の層（以下、接着層という）が薄（なり、
接着強度が低下してしまう問題があった。

このような両ブロック間の接着強度の改善について記載
されている例としては、特開昭６２−２４４１７号公報
がある。

上記公報に右いては、前記第２のブロックにおける変換
素子との対向面において、磁気テープが走行する領域の
外側に、接着剤を充填する凹部を設けることで、上記両
ブロック間の接着強度の低下を防止すると共に、接着層
および変換素子の摩耗の低下を図っている。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記従来の技術の場合、接着剤が充填された凹部近辺に
おいては、両ブロック間の接着強度は強化される効果が
ある。ところが、磁気ギャップ長がさらに短縮化される
に従い（たとえば約０．５〜１．５μｍ程度）前記接着
層に許される層厚は、非常に薄くなり、磁気テープ等の
磁気記録媒体が走行する領域、すなわち上記凹部が形成
されていない両ブロック間の接着強度が低下するという
問題については、考慮がなされていなかった。

上記磁気記録媒体が走行する領域の両ブロック間には変
換素子が形成されているので、この領域の接着強度が低
下すると、電磁変換を行う各変換素子が微小変形を起こ
すことになる。

上記微小変形は、環境条件の変化あるいは経時変化によ
り進行し、両ブロック間の相対位置ずれ（磁気記録媒体
面を基準とした時の両ブロックの段差の発生）等を引き
起こし、極端な場合には、たとえば信号の欠落といった
重大な障害に発展する。

本発明の目的は、両ブロックの対向面全域にわたって充
分な接着強度を確保する技術を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、素子形成面に変換素子を設した第１のブロッ
クと、接着剤を介して第１のプロッタの素子形成面に接
着された第２のブロックとの対向面全域にわたって適宜
の間隔をおいて複数の接着溝を設けた薄膜磁気ヘッドと
するものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、接着溝が両ブロックの対向面全
域に適宜の間隔をおいて形成されているので、両ブロッ
ク間の接着強度が、その対向面全域にわたって強化され
、これにより、変換素子の微小変形および両ブロック間
の相対位置ずれが確実に防止される。

〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドの要部
の全体を示す分解拡大斜視図、第２図はこの薄膜磁気ヘ
ッドにおけるブロックの対向面を示す分解拡大斜視図、
第３図はこの薄膜磁気ヘッドの組立状態を説明する要部
拡大斜視図である。

本実施例１の薄膜磁気ヘッド１ａは、磁気テープ装置に
適用されるものであり、その要部は、下記に示す構造に
なっている。

第１図に示すように直方体のブロック（第１のブロック
）２は、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の磁性体からなり、た
とえば原料である金属の酸化物等をフェライトの分子成
分比に秤量して機械的に混合した後、金型にて圧縮成形
し、１０００〜１４００℃で焼結したものである。

同図において、上記ブロック２の上面は、図示しない磁
気テープが走行するようになっており、この上面（以下
、走行面２ａという）に垂直な一側面（第１図工面）に
は、複数の変換素子３が所定の間隔をおいて形成されて
いる（以下、この正面を素子形成面２ｂという）。

上記変換素子３を形成するには、たとえば素子形成面２
ｂを鏡面研磨し、その上にあらかじめ成膜技術によりＡ
ｆ２０３　（アルミナ）膜やＳｉＣ２（二酸化ケイ素）
膜等の保護膜（図示せず）を形成し、その上にスパッタ
リング法などでＮ＋−Ｆｅ　（パーマロイ）等の薄膜を
形成し、これをエツチングして磁気抵抗効果形の変換素
子３とすればよい。

本実施例１においては第１図に示すように、素子形成面
２ｂ上の各変換素子３の間に、走行面２ａの端部から下
方に延びる長方形の接着溝５が形成されている。この接
着溝５は、たとえばイオンミリング法やエツチング法等
により素子形成面２ｂの面位より約０，３μｍ程の深さ
で、化学的（ドライエツチングを含む）あるいは機械的
加工を施すことにより形成可能である。

一方、変換素子３を保護し、かつ磁気回路の一部となる
ブロック４　（第２のブロック）は、たとえばフェライ
ト等からなり、上記ブロック２と同様にして形成される
。

磁気テープが走行する上記ブロック４の上面（以下、走
行面４ａという）に対して垂直な側面（第１図工面、以
下、接着側面という＞４ｂは、非常に滑らかに研暦され
、上記ブロック２の素子形成面２ｂと接着されるように
なっている。

次に本実施例の作用について説明する。

すなわち、上記両ブロック２．４を互いに接着する際は
、ブロック４の接着側面４ｂの全面に接着樹脂を適量塗
布した後、磁気ギャップ６のギャップ長の短縮化および
均等化のため、所定の押圧力Ｐにより両ブロック２．４
を互いに強く押し付ける（第３図）。

このとき、上記押圧力Ｐにより前記接着溝５の走行面２
ａに面している部分からはみ出す余分な接着樹脂を敗り
除くと共に、接着ａ５の内部には接着樹脂が充分に確保
され、接着側面４ｂと素子形成面２ｂとが互いに強固に
接着されるものである。

この結果、前記保護膜、前記変換素子３および接着樹脂
の犀さにより決定される磁気ギャップ６のギャップ長の
短縮化および均等化が確実に達成される。

このように接着された上記両ブロック２．４は、非常に
強力に接着される上、磁気ギャップのギャップ長の短縮
化および均等化に好適であるため、電磁変換特性精度の
高い磁気ギャップを形成するものである。

なお、上記接着溝５内に、極めて流動性の高い接着樹脂
を毛細管現象等を利用することで充填させ、両ブロック
２．４間を接着することも可能である。

このように、本実施例１においては、下記の効果が得ら
れる。

（１）、各変換素子３の間に接着ａ５が形成された素子
形成面２ｂと接着側面４ｂとを接着樹脂で接着すること
により、接着溝５の内部に接着樹脂が充・分に流れ込む
ため、たとえば、走行面２ａ、４ａに出る接着樹脂の層
厚がほとんど零となっても、両ブロック２．４の対向面
の全域にわたって両ブロック２．４間の接着強度が強力
になり、各変換素子３の微小変形および両ブロック２．
４の相対位置ずれ（磁気テープ媒体面を基準とした時の
両ブロック２．４の段差）が確実に防止される。−〔２
）、上記（１）により、磁気ギャップ６のギャップ長が
、たとえば０．５μｍ以下というように非常に小さくな
っても良好な電磁変換特性を備えた薄膜磁気へラド１ａ
が提供される。

（３）、上記（１）および（２）により、磁気テープ装
置の高記録密度化が進み、たとえば記録波長が短くなり
再生出力が低下しても、磁気テープの磁性層から安定し
た信号の読み取りが可能な薄膜磁気ヘッドｌａが提供さ
れる。

（４）、上記（１）〜（３）により、信頼性の高い電磁
変換特性を実現する薄膜磁気へラド１ａが提供される。

（５）、上記（１）〜（３）により、磁気記録媒体の記
録密度の向上に適用して信頼性の高い薄膜磁気ヘッド１
ａが提供される。

（６）、上記（１）〜（５）により、高記録密度化され
た磁気記録装置に適用して信頼性の高い薄膜磁気ヘッド
ｌａが提供される。

なお、変換素子３の配列間隔等によ゛って上記接着溝５
の溝幅は制限されるが、たとえば１〜１０μｍの溝幅で
あっても、接着強度が充分に向上し、上記した効果が得
られる。

〔実施例２〕 第４図は本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘッドの要
部分解斜視図である。

本実施例２においては、長方形の接着溝５が、ブロック
２とブロック４の両方に設けられている。

すなわち、ブロック２の接着溝５は、各変換素子３内の
一対の空隙部２ｃ、２ｃに１個づつ設けられ、また、ブ
ロック４の接着溝５は、走行面４ａの端部から下方に延
び、対向する各変換素子３の間に位置するように設けら
れている。

なお、各接着溝５は、実施例１と同じ（たとえばイオン
ミリング法やエツチング法により形成される。

このように、本実施例２の薄膜磁気へラド１ｂにおいて
は、接着溝５をブロック２とブロック４の両方に設けた
ので、両ブロック２，４間の接着強度が一層強力になり
、各変換素子３の微小変形および両ブロック２，４の相
対位置ずれが確実に防止される。

したがって、前記した実施例１の効果（２）〜（６）が
より有効に発揮される。

さろに、磁気テープ等の磁気記録媒体のトラック密度の
向上にしたがい変換素子３の間の幅が非常に狭くなって
も本実施例２のように接着溝５を設ければ、両ブロック
間の接着強度は低下しないので、磁気テープの高記録密
度化に適用して特に有効な薄膜磁気ヘッド１ｂが提供さ
れる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例１．２に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変
更可能なことはいうまでもない。

たとえば、接着溝は必ずしも各変換素子の間や内部に配
置する必要はなく、変換素子２個あるいは３個単位毎に
１個ずつ形成してもよい。

また、接着溝の形状も本実施例で示したものに限定され
るものではない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である磁気テープ装置の薄
膜磁気ヘッドに適用した場合について説明したが、これ
に限定されるものではなく、たとえば、磁気ディスク装
置における薄膜磁気ヘッドなど、薄膜磁気ヘッドを利用
する各種の磁気記録装置に適用できる。

〔発明の効果Ｊ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである
。

すなわち、素子形成面に変換素子を設けた第１のブロッ
クと、接着剤を介して第１のブロックの素子形成面に接
着された第２のブロックとの対向面全域にわたって適宜
の間隔をおいて複数の接着溝を設けたことにより、上記
接着溝には充分な接着樹脂が確保され、両ブロックの対
向面全域において接着強度が高くなる。

したがって、信頼性の高い、高記録密度の磁気記録装置
に適用して有効な薄膜磁気ヘッドが提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドの要部
を示す分解拡大斜視図、 第２図はこの薄膜磁気ヘッドにおけるブロックの対向面
を示す分解拡大斜視図、 第３図はこの薄膜磁気ヘッドの組立状態を説明する要部
拡大斜視図、 第４図は本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘッドにお
けるブロックの対向面を示す分解拡大斜視図である。 ｌａ、ｌｂ・・・薄膜磁気ヘッド、２・・・ブロック（
第１のブロック）、２ａ・・・走行面、２ｂ・・・藁子
形成面、２Ｃ・・・空隙部、３・・・変換素子、４・・
・ブロック（第２のブロック）、４ａ・・・走行面、４
ｂ・・・接着側面、５・・・接着溝、６・・・磁気ギャ
ップ、Ｐ・・・押圧力。 一丁ミ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、素子形成面に変換素子を形成した第１のブロックと
   、接着剤を介して前記第１のブロックの素子形成面に接
   着された第２のブロックとを有する薄膜磁気ヘッドであ
   って、前記第１のブロックと第２のブロックとの対向面
   全域にわたって適宜の間隔をおいて複数の接着溝を設け
   たことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、前記接着溝を複数の変換素子の間に設けたことを特
   徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 ３、前記接着溝を変換素子内の空隙部に設けたことを特
   徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 ４、前記接着溝の一端をブロックの走行面に露出させた
   ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。