JPH01189200A - 電磁放射線吸収体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電磁放射線の通路において、望ましくない区域
にこの電磁放射線をさもなければ著しく存在させること
を引起こす選択構造物のカバリング、そして更に特に、
選択された程度まで電磁スペクトルの選択部分でこれら
の区域の仁の電磁放射線を阻止するためのカバリングに
関する。

電磁放射線を放出する多くのソースがあり、あるものは
種々の通信用、例えば情報放送又は遠距離通信（ｄｉｓ
ｔａｎｃｅ　ｒａｎｇｉｎｇ　）及びオリエンテーショ
ン測定のための送信機を含む設計により、そしであるも
のは種々の種類の電気又はエレクトロニック装置の操作
で避は錐い出来事として生ずる。

これらのソースからの電磁放射線は種々の物体と衝突し
やすくそして物質又はこの物体の幾何学的特性に応じて
大なり小なりの程度にそこから反射されるか、またそこ
を通過する。この放射線は−種類の金属又は他のものを
含胃する金属の構造体のような良好な電導体である物体
により特【よ〈反射される。

多くの場合で、この電磁放射線のこの反射又は透過によ
りこの放射線がそれが望まれていない区域又は局所に置
かれる。例えば、遠距離通信システム中の送信機装置か
ら放出される電磁放射線はそのすぐ付近の電導性構造体
と衝突してそこから反射され、この放射線のかなりの部
分が望ましくない効果を半ってシステムの受信装置に直
接に戻るよう反射されることを導く。

他方、電磁放射線ソースの周りに反射性又は吸収性の何
らかの物質がないとそこからの放射線が他の装置を妨害
しないように閉込められない場合にもまた問題である。

従って、高い切換速度で作動するディソタルシステムは
電磁放射線のソースであり、これはプラスチック封入体
のような不導性構造体中に収容されるとしても何れにせ
よ存意に閉込めることができない。

それ故に、電磁放射線のソースから入射の電磁放射線の
通路にある構造体のような物体に対して特定の区域で電
磁放射線の発生を抑制することがしばしば必咬である。

この目的を達成するため使用された手段の中には、衝突
する電磁放射線を吸収しそしてこの放射線を熱に変換し
て物質内に消散させ、これによってこの物質を離れる放
射線の強度を減する物質を使用することがあった。これ
を行な５代表的な物質配置は選択された周波数範囲で衝
突する放射線に応答できる粒子が中に分散される、絶縁
性ホスト又は結合物質部分を有する複合材料である。こ
れらは共に吸収性複合材料である。この材料は塗料又は
他のコーティング、基質形状に更に密に一致するように
曲げられた後に下方の基質に固着されるシート、下方の
基質に大体一致するように固着されるブレフォームド材
料構造体等を含む種々の形で供される。

特に特定の重合体及びセラミックを含む種々の種類のホ
スト又は結合絶縁性物質が使用されている。同様に、金
属、磁性金属、半導体及びフェライトを含む種々の性質
の粒子が使用されている。

しかしながら、この複合材料は下方の基質に適用し又は
固着することが錐しい。この材料とその装着の適正な厚
さはしばしば電磁放射線の望ましい阻止を得るため非常
に重要である。材料のこれらの形の多くで種々の種類の
構造体上にこのカバリングの所望の特性を均一に得るこ
とは難しい。

雨又は他の汚染物が下方の基質に到達できないようにこ
の材料の継ぎ目を最小にし、かつ設備コストを減する必
要性がしばしばあることでこの困雌性に折合いがつけら
れる。更に、他の周波数ではなく、入射の放射線のある
周波数で、そして選択された程度に阻止したい場合には
この選択された周波数範囲によく適した粒子を必要とす
る。粒子は所望される程度の阻止に達することを確実に
するような量で必要とされることが多くこのため吸収性
物質の重揄が使用されるシステムに対して重すぎること
になる。

本発明は選択的に形状化された少なくともシート部分ｔ
−ａするものでカバーされた構造体上で入射の放射線の
反射を阻止する電磁放射線阻止カバリングを供する。こ
のシートは内部に一つ又はそれ以上の粒子を分布させた
選択的に適合し得る、重１合体結合物質から作られる。

このシートはその少なくとも一つが選択された周波数で
実数部に対して顕著な虚数部を臀する誘電率と透磁率パ
ラメーターを特徴とする。このシートはカバーされる選
択構造体に一致された後に（１）選択された周波数の少
なくともあるものを含むシート部分上に衝突した電磁放
射線の波長の実質上１／４ｏから１／４であり、又は（
ＩＩ）十分に低い程度の衝突表面反射が行なわれた場合
の状況では選択された周波数で選択された程度の吸収が
得られるのに十分に厚い、結果的の厚さを有するもので
ある。

周波数に応じた性質を有するものを含めて、種種の種類
の重合体結合物質及び内部の種々の種類の粒子が指示さ
れた誘電率と透磁率を有しかつ所望のシート厚さを生ず
るよ５適合する性能を有するシート部分を供するのに好
適であることが判った。このカバリングは管状構造を形
成する連続したループ状断面を胃するもの金含めて、幾
つかの形状の何れでもよく、そして少なくともシート部
分中の選択された重合体結合物質及び内部に分布された
選択粒子ｔ−ａする薄層を用いた積層物として供するこ
とができる。カバーが形成される構造体に最も近い積層
物は別に電導体でもよい。粒子分布における勾配によＩ
）積層構造体で得られるものに似た放射線阻止結果が得
られる。収縮可能な物質、選択された重合体結合物質に
応じて十分な熱又は溶媒の存在で収縮するものを使用す
ることによって適合性が得られる。別法として、機械的
に延伸でき、次にレリーズされて適合できるエラストマ
ーを結合物質として選択できる。

進行波としてソースから発生する電磁放射線は対応する
特性速度で真空又は物質媒体を貫通しそしてその通路に
沿って衝突する種々の媒体間の不連続部で少なくとも部
分的に反射される。物質媒体が比較的不導性から極めて
電導性であるものに変化する場合には、この反射部分は
この電導性媒体上に衝突する入射の電磁放射線の非常に
大きな部分となろう。この大きな反射は電磁放射線が下
記の区域に存在することを導く、即ち（１）この放射線
の反射で進行の方向で変化するためにさもなくば現われ
ないであろう区域、又は＋１１３この放射線反射が望ま
れる他の電導性又は反射性ボデーよりこの反射性電導性
ボデーがソースに対してより近接している場合には、反
射されるがこの放射線の伝送の時間に関してより曝れた
時間でそこに到達することが予測される区域。

この電磁放射線反射は第１図に示唆するように多くの形
で生ずる。この略示図では電磁放射線のソース１０で示
され、これから外へ向く矢印で示すように電磁放射線が
発生する。このｔ磁放射線のあるものは放射線反射体１
１に衝突し、これはこの図では金属ケーブル、俸又は針
金のような電導体の断面図と考えることができる。導体
１１から反射される放射線の部分は装置１２金含む区域
に達し、ここでこの反射された放射線は望ましくない電
子信号を導き、その理由はこれらが破壊性であり又はエ
ラーを生じ、操作者にミスを導き又は他の望ましくない
効果を導くからである。

反射体１１が放出される放射線の波長で優れた反射体で
あると思われる表面を有する場合には鏡面反射があり、
ここでは局部表面直角方向に対して反射体１１上に衝突
するこの放射線の角度は反射された放射線の離脱の角度
に一致する。これは長い実線矢印１３で示され１．この
放射線通路を示す。別の可能性は非鏡面反射であり、こ
れは粗い表面又はこの放射線の波長のオーダーである寸
法の粒子全内部に埋め込んだ表面を有する反射体１１か
ら生ずる。この反射を矢印の長い不連続線１４で示し、
これは衝突する放射線の入射角度が反射された放射線の
離脱の角度とは著しく異なることと示す。

県に微妙である別の反射型式も起こることがある。−例
として、短い一連の矢印１５で示される放射線通路は表
面上に非常に浅い角度で衝突する入射の電磁放射線の結
果であり、次にこの放射線はすべての方向に連続的に放
射しながらソース１０の反対側上で導体１１０表面に沿
って伝搬する。これは装置１２への復帰を導くような方
向への放射も含む。種々の他の種類の表面伝搬現象が起
こることも仰られてｈる。

反射された放射線が望ましくないが受入れられ、又は望
ましいより早く受入れられる区域１２のあるものに、受
信装置のようなエレクトロニック装置がある場合には、
前記のように、この装置に望ましくない効果が現われる
結果になる。これらの状況では、望菫しぐない効果の原
因である反射性物質媒体に関する使用に対して電磁放射
線のこの望ましくない反射を阻止する装置がしばしば考
慮される。この媒体は殆どいつも電導性構造体である。

ある場合には、反射で衝突する放射線の３０幅の阻止が
必要であるが、他の場合にはずっと大きな阻止を必要と
する。

電磁放射線阻止カバリングがスクリーンとして反射体１
１の周りに設けられて選択された周波数の反射電磁放射
線を減じ、この周波数はスクリ、−ンされた複合体に衝
突し欠に反射され之この周波数を含む入射の・電磁放射
線に工って１区域１２にさもなければ生じていたであろ
う。第２図はこの装置に対して、この阻止カバリング１
６が設けられた反射体の部分１１′（これは電導体であ
る）を示す。入射の電磁放射線を表わす矢印１５′を鏡
面反射の状態について第２図に示し、そこでカバリング
１６の表面に局部直角軸に対して入射角θは同じ軸に対
して表面から離脱又は反射の角度に等しい。

第２図に示す装置は反射体又は導体１１′に阻止カバリ
ング１６が均一な厚さで設けられる平らな表面２臀する
ものに対する正確な図面である。第２図はまた何れの位
置でも表面に対する曲率半径が衝突する放射線の波長に
対して十分に大きい場合には衝突する電磁放射線の効果
を測定する目的に対する曲面として正確である。そのよ
うな場合には、衝突する放射線は実際上平らな表面であ
るものに衝突したかのごとく挙動する。

電磁放射線のノースから放出される放射線が第２図の構
造体に衝突する時までに平面波として表わされると考え
られる程十分にこのソースが十分に遠い場合には、それ
が実際上平らであると思われる表面曲率に置かれる条件
は１ｍ　（ｋｒ　Ｃｕｒ’ｖ　）　＞１である。ここで
ｒ。ｕｒｖは間：・１の表面積の曲率半径でありそして
ｋに平面波入射電磁放射線を特徴づける波数である。文
字［ｍはこの文字に続く括弧内に含まれるものの虚数部
を表わし、波数には代表的には？］素数である。また、
阻止カバリ゛ング１６は導体１１′に直接に相対してい
ると推定され、このため介在する間隙又は間に挿入され
る他の物質なしに導体１１′は接地面（電導性反射体）
として役立ち、この間隙又は他の物質はこれらなしで得
られるものと異なる結果を導くであろう。

衝突する放射線に対して第２図で二つの物質媒体不連続
性が示され、第一のものは層１６の左側にある型式の物
質（真空又は放射線に殆ど影響のない空気であると推定
される）から層１６への変化である。物質中の第二の不
連続性は阻止カバリング１６から電導体１１′へ向かう
変化である。かくして、二つの表面、阻止カバリング１
６の左側表面及び導体１１′の左側表面からの反射が可
能である。

衝突する電磁放射線が導体１１′の左側表面に達するた
めには、この放射線は衝突しそして次に阻止カバリング
１６内を進行しなければならず、即ちカバリング１６を
透過しなければならない。阻止カバリング１６中のこの
電磁放射線の速度は全体としてとられる阻止カバリング
１６中の物質の相対誘電率ε、及び同一物質の相対透磁
率μにより影響される。即ち、カバリング１６中の電磁
放射線の速度は層１６中の物質に対する屈折率ｎで割っ
た真空中の放射線の速度であり、ｎは両方に依存しかつ
ｎ−（εμ）４である。速度のこの変化はカバリング１
６上に衝突する前に真空（又は空気）中で進行する入射
放射線の波長λ０から阻止カバリング１６中の放射線の
波長λでの変化があることを導き、これらの波長はλ−
λ。（μＣ）−１／ｌで表わされる。更に、この物質は
吸収性であることによって内部全進行するこの放射線に
更に影響金有し、これによりその強度又はエネルギーを
小さくする。

十分に了解される工うに、第２図の電磁放射線透過及び
反射の分析は周知の散乱パラメーターに基づいて行なわ
れる。この分析の変形は物質媒体の隣接する対の間の各
界面でのグロパｒ−ターマトリックスを定義し、そして
これらのマトリックスのマトリックス積はこのシステム
に対する透過係数と反射係数を出すために使用できる。

ある選択された波長λ０の反射放射線の阻止が第一の関
心事であるので、このシステムに対する反射係数がゼロ
又はその付近である条件に従う解法がここで第一の関心
事である。導体１１′の表面での透過係数はその良好な
電導度の故にゼロである。

第２図の通路１５′に分って進行する電磁放射線の偏波
、即ちここで関連する電場の空間オリエンテーションを
この分析で考慮に入れることが必要である。この空間オ
リエンテーションは入射及び反射波ベクトルの両方を含
む平面である入射の平面に関して定義され、これらの波
ベクトルは平面波正面に直角でありそしてエネルギフロ
一方向に向いている。この放射線は電場が入射の面に垂
直である時には垂直の偏波を有しそして電場が入射の面
に平行である時には平行な偏波を有すると定義される。

他の偏波を有する放射線はまたこの垂直及び平行に偏波
した波の組合わせとして表わされる。

垂直偏波に対して第２図のシステムの反射係数を出して
、これをゼロに等しくする結果は次の通りである： （式中、ｉは虚数単位を表わし又は１−（−１）１／２
、λ。は関係の衝突する放射線の波長であり、そして空
気は殆ど電磁効果を有しないので、本質的に真空中の波
長である）。阻止カバリング１６の厚さ１６は第２図に
示される通りである。平行偏波の放射線に対して対応す
る結果は下記の通シである： 表面に対しである角度で到達する衝突電磁放射線は新し
い概念を導入しないので、そして角度θ−〇である：う
な直角入射の場合はかなりの単純化を示すので、この直
角入射を仮定する前記の二つの式を　々下記の通り書く
ことができる：この式は下記の結果を有する阻止カバリ
ング１６のための適正な厚さｄを得るように解くことが
できる： 物理的意味に！するには、阻止カバリング１６の厚さｄ
は実数でなければならない。この最後の式は相対誘電率
と相対透磁率に対して特定値のみがあることを意味し、
これは阻止カバリング１６の厚さに対して意味のある数
値全厚える。換言すると、厚さ金単に変えることはゼロ
反射系数を生ぜず、むしろ相対誘電率と透磁率はゼロ反
射係数が生ずる場合には対応する厚さと共に適正に選択
されねばならない。

最後の等式でアークタンジェントの偏角が実数でかつか
なりの正の数値であるように相対誘電率と相対透磁率が
選択されると仮定すると、このアークタンジェントはπ
Ａの上方値に達する。前記の等式でこの数値を限界値と
して置換えそして前記の衝突放射線の波長に対する阻止
カバリング１６の物質中の電磁放射線の波長の関係を使
用すると、阻止カバリング１６の厚さｄはｄ−λ／４に
なる。かくして、この状況では、阻止カバリング１６の
厚さはカバリング１６の左側表面上に衝突する入射放射
線から透過されたカバリング中に進行する電磁放射線の
部分の波長λの１４である。

即ち、阻止カバリング１６の左側表面上に衝突する入射
電磁放射線は一部反射されそして一部透過される。

放射線の透過部分はそのかなりの電導度の故に導体１１
′の左側の表面から完全に反射される。阻止カバリング
１６に対する厚さがλ／４である場合には、導体１１′
の左側表面から反射される放射線はカバリング１６の左
側の区域で直接に反対の相でこの左側表面からの反射放
射線と一致しこのため消滅的干渉が起こる。かくして、
阻止カバリング１６の厚さに対する解決は、消滅的干渉
を生ずる衝突電磁放射線の透過部分による阻止カバリン
グ１６の単一の右方向又は前進方向の横断、続いて単一
の反転方向又は左方向の横断に対して必要な厚さである
。＠２図の構造的配置中の阻止カバリング１６の左側表
面から最初に透過されそして次にこの表面を通して戻る
ように反射される放射線の部分は阻止カバリング１６の
左側表面からのみ反射される部分を消滅的に干渉する。

この消滅的干渉は単波長λ。で第１図の配）覆土に衝突
する電磁放射線に対して′ｒＪＬａｉ放射線のこれらの
部分によってお互いにキャンセル化ヲ導く。

このキャンセル化は導体１１′がこの入射電磁放射線に
関して阻止カバリング１６によりスクリーンされる第２
図の構造的配置から入射波長ス。を有する電磁放射線の
反射の排除金主じ、即ち反射が阻止される。前記のよう
に、この解決は透過された放射線が阻止カバリング１６
の中に及び外の単−の横断をなすことと一致しているこ
とに注目せよ。カバリング１６中の物質の別の横断で生
ずる物質不連続性で放射線の透過部分の余分の反射なし
で、エネルギーを吸収するため単位深さ当りこの物質を
最少に使用して消滅的干渉に最大の信頼性がおかれ第２
図のシステムにおいて全体の放射線反射の記載した阻止
が得られる。

かくして、主として消滅的干渉によるのでこの解決は入
射波長λ。の阻止放射線に有用である阻止カバリング１
６に対して最も厚い数値であるようで、その理由は衝突
する放射線の反射部分が本質的に衝突放射線の透過部分
のカバリング１６物質の単一ｆｊｉ断によりキャンセル
されるからである。

勿論、ここに記載した解決より各々半波長の複数倍厚い
解決もあり、これもまたこの消滅的干渉を供するが、こ
の阻止カバリングは重量とコス）を増大することで望ま
しくなく、それ故に使用されそうにない。

別の限定的な場合は矢に大きな吸収性能を有し、多分カ
バリング中に進行する放射線の波長の、ある場合には、
４０分の１程度の薄い阻止カバリングを使用する。この
限界値を実施するにはｄに対する最後の解の前の等式で
、タンジェント因子の偏角をその偏角で置き換え、偏角
が小さりくなるような良好な推定は下記の結果を与える
：これは下記の通りｄに対する解を導く：厚さｄは実数
でなければならないので、この結果は透磁率は虚数でな
ければならず、又は少なくとも推定であることを考しシ
してその実数部に対して極めて大きくなければならない
ことを意味する。

物質の電磁理論で周器であるように、誘電率又は透磁率
における虚数部の存在がこの物質を通過する電磁放射線
エネルギーの吸収のための基本である。第２図のシステ
ムから選択された波長又は周波数で反射された放射線が
ないことは顕著な物質吸収に依存するが、また含まれる
物質の８インピーダンス１により（１）一部反射される
阻止カバリング１６の左側表面上に衝突する入射放射線
の部分、及び（１１）一部透過された部分のカバリング
１６中の複数内部反射の故に右から同じ表面に衝突する
透過されたものの部分、の間の消滅的干渉に依存できる
。

最後の式に表わされるように、大きな吸収性能を有する
薄い阻止カバリングを使用して記載した選択波長λ。で
阻止放射線反射のための限定的場合はカバリング物質“
インピーダンス１が１よりずっと大きい場合に生ずる解
である。このインピーダンスはμ対ｔの比の平方根、２
−（μ／ｌ　）”／２である。かくして、Ｃに対して大
きなμでは、インピーダンスが大きくなる。

阻止カバリング１６の左側表面から入射放射線の一部反
射はインピーダンスの関数であり、それはこの干渉のみ
に対して反射係数は式 によりインピーダンスと関連されるからである。

カバリング１６の左側に生ずる空気の代表的状態ではｚ
ｏΣ１，１よりずっと大きい又は１よりずつと小さい阻
止カバリングインピーダンスでは、一部反射波の電場部
分の振幅は入射波の電場部分の振幅に匹敵して、大きな
結果の反射があるであろ５゜この状態で殆どゼロの全反
射力を得るためには消滅的干渉が供されることが必要で
ある。

阻止で１エリずつと大きい、又は１よりずっと小さいイ
ンピーダンスでは、一部反射波の電場部分の振幅は入射
波の電場部分の振幅に匹敵し得る。

導体１１′に対する阻止カバリングから殆どゼロの全反
射力を得るためには、阻止カバリング１６の左側表面か
ら左方へ進行する波で電場のベクトル合計がゼロでなけ
ればならない。左側表面から左方へ進行する波は一部反
射された入射波と一部透過した波から生ずる一連の波を
含む。一部透過した波はカバリングの表面で複反射及び
カバリングの左側表面で一部透過により左側表面から左
方へ進行する一連の波を生ずる。表面から進行する電場
のベクトル合計が殆どゼロでありこのため全反耐力が殆
どゼロである場合にはこのカバリングは消滅的干渉を介
して反射を阻止した。阻止カバリングのインピーダンス
が１よりずっと大きく、又は１よりずっと小さい場合に
は殆どゼロの全反射を得るためには消滅的干渉が必要で
ある。

大きな吸収性能を有するが、大体３５０のタンジェント
より（１）小さい、又は（１）大きいの何れかで、誘導
損失タンジェント を胃して、εが大きい場合に、１よりずつと小さい、又
は１に大体等しい薄い阻止カバリングに対してこの阻止
のために二つの限定的場合が可能である。大きなＣと大
体３５°のタンジェントより小さい誘導損失を有する阻
止カバリングはゼロ全反射を得るためにはＣに対してμ
が小さいことを必要とする。前記の２の定義から小さい
インピーダンス解であることが判る。大きなＣと大体３
５゜のタンジェントより大きい誘導損失を有する阻止カ
バリングは再びゼロ全反射を得るためにはＣに対してμ
が大体等しいことを必要とする。これはインピーダンス
の定義を再び考慮することによって判るように大体１に
等しいインピーダンスｔＶする解である。この場合には
、一部反射波の電磁場の振幅は殆どゼロである：故に、
殆どゼロの全反射力を得るｔめに消滅的干渉は必要でな
い。しかしながら、阻止カバリング１６における吸収は
導体１１′から何れかの反射を排除するのに十分でなけ
ればならない。

少なくとも選択された区域で第２図の構造的配置上に衝
突する電磁放射線の反射を排除し又は殆ど排除する消滅
的干渉及び吸収の両方に依存する阻止カバリング１６の
代表的配置で、前記から阻止カバリング１６のため材料
と構造を注意深く選択しなければならないことが示唆さ
れる。即ち、阻止カバリング１６に対する成分材料は全
体として考えられる材料の必要な誘電率と透磁率を生ず
る工５に選択され、これによってこの材・料の厚さの選
択と共に所望の反射結果を生ずる。しかしながら、選択
された構造体をスクリーンするための手段としてこれが
成功して役立つためには生ずる幾つかの状況に適してい
る阻止カバリング１６に幾つかの他の基準が合致しなけ
ればならず、さもなくば衝突電磁放射線の望ましくない
反射を引起こすであろう。

これらのあるものについて既に前記に言及した。

第一に、単一の又は比較的狭い範囲の周波数で衝突電磁
放射線の反射を阻止するため幅狭い阻止体が望ましい多
くの状況があるけれども、幅広い阻止カバリングを有し
、これによって周波数のかなりの範囲にわたって衝突電
磁放射線の反射を阻止することが望ましいことが多い。

更に、構造体が不規則な表面ｔａするとしてもスクリー
ンされるべき構造体に面する側に対して阻止カバリング
１６を確実に電導体材料と緊密に接触させるべきである
。前記のように、間隙又は阻止カバリング１６と接地面
（電導性反射体）として役立つ電導性表面の間に挿入さ
れる他の物質は阻止される衝突電磁放射線の周波数の範
囲を移行すること又は全部ではないとして著しい程度に
この阻止を打消すことで予想外の結果を導く。

更に、多くの構造体が完成し、望ましくないことが予想
されない、又は起こることが予想されない、又は送信機
又は受信機を設置した後に生ずる反射を引起こす電導性
部材を内部に有する平面内（１ｎ−ｐｌａｎｅ　）構造
体が近くに導入され、又はこの構造体が完成した後まで
幾つかの他の問題は判らなかった。かくして、上に衝突
する電磁放射線の反射を阻止するようにスクリーンする
選択された構造体の周りにさかのぼって適用できるよう
に阻止カバリング１６を配置すべきである。別法として
、新しい構造体を製造する際に、後の設置を可動に許す
方法で効果的かつ経済的方式で阻止カバリング１６をこ
の構造体の周りに適用可能であるべきである。更に、選
択された構造体のＦｆＲりにこの反射阻止スクリーン化
を行なう際に阻止カバリング１６は気候、種々の化学的
雰囲気等の悪い環境中で同様に行なわねばならない。そ
うすることで、耐水性密封を保ち、温度極値に耐え、腐
食に耐えるために阻止カバリング１６を必要とする。

阻止カバリング１６のため複合材料を選択することでこ
れらの穫々の基準に合致できる。この複合材料はホスト
物質又は結合物質を有し、ここには共に組合わせたこの
物質が阻止カバリング１６に特徴的な所望の物質を供す
るように一つ又はそれ以上の選択された種類の粒子が分
布される。

対応する選択構造体に選択的に一致できるこの複合材料
のために、結合物質又はホスト物質は構造体があまり複
雑でないとしても多くの場合で阻止カバリング１６が選
択構造体に対して緊密に一致することを確実にする。こ
れは電導体のような選択構造体が第２図の方式でシステ
ムを設計通り確実に作動させる良好な接地面を供する。

構造体が非常に複雑でそれに一致させることが止められ
るほど困難である場合には、第３図に示すように固体構
造体と阻止カバリング１６の間に金属層を配置して阻止
カバリング１６が十分な接地面を供する良好な電導体に
相対することを確実にする。

第３図は“山形鉄１又は長手方向にお互いに直角に固着
された鋼片の対の形で選択された構造体を示す。しかし
ながら、これは単に例示でありそしてスクリーンカバリ
ングを一致させることが惟しい表面を有するエビーム、
溝形ビーム、編組みケーブル等の通常のものを含む他の
構造体金属形状により丁度よく表わされる。その端部で
示す工うに編組み金属メツシュカバリング１７が山形鉄
１１′を取囲み、これは阻止カバリング１６ａにより山
形鉄１１′の表面１１“に押付けられ、友だしこれらの
表面は形成しかつ実直角に直接隣接している。かくして
、この配置では、実際には接地面として役立つ内部積層
物として欄組み金４メツシュ１７により形成された山形
鉄１１′の周りに積層阻止配置があり、念だし阻止カバ
リング１６ａＫよる直角区域内では外側積層物として役
立つ。

例えばεネソタマイユングアンドマニュファクチェアリ
ング社（３Ｍ）により供給される５ｃｏｔｃｈＢｒａｎ
ｄ　２４　ｇｌｅｃｔｒｏ　８ｈｉｅｌｄ　Ｔａｐｅの
ようなスズめっき銅編組により金属メツシュ１γを形成
できる。

接地面を供するためメツシュ編組を使用する別法は阻止
カバリング１６ａの内部の表面を金属化すること又はカ
バリングと構造体の間の空間に電導性シーラーを充填す
ることである。

第３図で山形鉄１１“に対してメツシュ１７の阻止カバ
、リング１６をプレスすることはメツシュ１Ｔと山形鉄
１１“の上に置きそして適当な方法でそこで収縮できる
阻止カバリング１６ａの結合物質又はホスト物質を選択
することによって極めて十分に行なわれる。その結果が
阻止カバリング１６ａがそこに内部の力を介して選択的
に一致して緊密な適合が得られることである。

他の具体例では、第１図の棒又はケーブル１１の場合の
＝うに、あまり複雑でない構造体゛に第２図の阻止カバ
リング１６を一致させるためにこの種の配置を使用でき
、この結果を第４図の断面図に示す。より滑らかな表ｒ
ＴＪ輪郭のこの構造体はその端部で示すように阻止カバ
リング１６１）としてメツシュ１Ｔを排除でき、電導性
棒又はケーブルの全表面に対して直接にその内部力によ
る収縮で一致する。第４図の結果は阻止カバリング１６
ｂが緊密に適合して電導性ケーブル１１の周りに一致し
、この几め導体１１はカバリング１６ｂでスクリーンさ
れると第４図の構造的システムに対して接地面として役
立つことである。導体１１がその表面である深さの多く
のらせん形溝を有・する大きな編組入ケーブルである場
合には、そこで点線で示されるように第４図のシステム
にメツシュ１７′を使用できよう。しかしながら、阻止
カバリング１６がそれ自体導体ケーブルに収縮の結果と
して十分に緊密に一致して形成される場合にはメツシュ
１７′は必要でない。

電導性ペースに対して阻止カバリングを収縮させた第３
図及び第４図の構造的システムについて記載した状況は
カバリングが既に形成されたことによって構造体がスク
リーンされそして設置されることになっている状態で特
に有効である。これらの状態では、この阻止カバリング
は通常には押出しにより管として形成されそして多分第
３図に示す山形鉄１１“又は第４図に示す電導性棒又は
ケーブル１１又は他の選択された構造体のようなスクリ
ーンされるべく選択された構造体の上にかつ周りに配置
される。次に好適な手段により選択された構造体に対し
てこのカベリングを収縮させる。

これらの目的に好適な、管１６ｂの端部を！ＳＡ図に示
し、示した管の端部はシームレス閉鎖曲線になる断面を
存する。

別の状態では、スクリーンされるぺ〈選択されｔ構造体
が支持体の間に既に設置され、少なくとも設置しｔ構造
体の広範囲な解体なしでは、その上に第５Ａ図に示した
ような閉鎖し九周辺物を管に配置することが困難であり
又は不可能である。

これらの場合には、第５Ａ図の阻止カバリング１６ｂｔ
−その縦軸に平行に分割し又はスリットを入れ、このた
め管であつ九構造体は第５Ｂ図に示すよ５に端部変形１
６ｃＫおけるように分割されたスリットから離れて広が
った壁をそこに有する。

この装置金スクリーン化のた゛め選択された設置構造体
に配置しそして周りを包むことができる。

別法として、第５Ｂ図で管状カバリング１６ｃの形状に
似たものｔ押出しできるがその側部に沿って縦の開口會
有する。再び、この阻止カバリ、ング装置ｉ１’？離し
て広げ、次にスクリーン化の丸め選択された設置構造体
に配置しそして周りを包む。

更に別法として、この装置で縦の開口に沿ってロッキン
グ装置ｉｌｌ押出し、このためスクリーン化のため選択
された構造体の周りに管の配置がそこに包まれ友後に保
たれる。そうするためには、この装置の縦開口の一縁部
はロッキング装置Ｌｔ介して他方ヘロツクされて久の結
合工種のため管状装置に定位置に保つ。第５Ｃ図には、
縦の開口の縁に沿って、一つが中にそして一つが外に、
二つの異なって、向いた、角度のある壁伸長部を有する
阻止カバリング１６ｄの端部を示す。選択された構造体
の周りに包んだ後にこれらの角度のある壁伸長ｓ′ｔ−
他方のｈ側に一方を置いてこの位置でカバリング１６（
ｌロックする。

縦の開口の対向側部上の縁区域を共に不変に結合して継
ぐことによって、第５Ｂ図及び第５０図に示す構造体の
各々、又は他の類似の割れた管構造体を完全な管として
完成できる。例えば、接着剤、又は感圧性テープで、又
はスクリーン化されるべく選択された構造体に阻止カバ
リングの一致が得られるため使用さｎる次の収縮工程の
間固定した相対位置に縦の開口の対向側部上で縁部會共
に保持するのに十分に強い他の手段でこの結合を行なう
ことができる。この縁結合後に、この阻止カバリングは
継目を有すること以外再び閉じ九曲線となる断面を有す
る。

熱収縮に用いられる上昇温度で使用される好適な接着剤
又は感圧性テープは阻止カバリングのため使用される複
合材料の結合又はホスト物質のため選択された特定の物
質によって異なる。しかしながら、一般に満足すべき接
着剤と複合材料処理は極性液体がその表面を湿潤させる
ことｔ−可能にするように阻止カバリングの表面音処理
することで始まり、そこでアクリル酸、メタクリル酸及
びこれらの他のもの、アクリルアミド、立体的非障害第
三アルキルアクリルアミド及びメタクリルアミド、アル
キル基中に６又はそれ以下の炭素原子を有する第二アル
キルアクリルアミド及びメタクリルアミド、及びＮ−ビ
ニルピロリドンでそのように処理した表面にコートする
。そして続いてコートシた表面に照射して阻止カバリン
グに単量体ｔグラフト１甘する。最後に、このグラフト
重合化表面の上にアクリル型感圧性接着剤の層を適用す
る。一般に満足すべき感圧性テープは６Ｍデ２ンドテー
ｆ／１６６９である。

スクリーン化のため選択された構造体が最初に製造され
る他の状況では、スクリーン化のため選択されている導
体構造体の周りにかつそれに対して？に接に阻止カバリ
ングを形成できる。かくして、スクリーン化構造体の製
造の時点で電導性ワイヤ又はケーブル又は棒はその周り
に押出された阻止カバリングｋｖ！’することができる
。この配置ｔ−第５Ｄ図に示し、ここで阻止カバリング
１６ａの端部は導体１１＃の端部の周りに押出されて示
され・る。貴び、阻止カバリングの断面は継目なしの閉
じた曲線となる。明らかに、阻止カバリング１６ｃはカ
バリング１６ｂ、１６Ｃ又は１６ｄのような収縮可能な
カバリングでちゃ、そこでこれらと共に押出されるより
むしろ第５Ｄ図に示すようなスクリーン化導体の製造時
に好適な位置決めと収縮工程で使用できる。

収縮時に何らかの収縮開始手段によりそこに一致するこ
とができるように、スクリーン化されるべく選択された
構造体の周りに配賑された後に選択的に収縮が引起こさ
れる１合体物質として結合又はホスト物＊１−選択する
。代表的な１合体物質は熱の適用の１うな開始手段でそ
こに熱を著しく加えた結果として収縮できるものである
。この熱は通常には放射手段よりむしろ対流又は伝導手
段により適用され、その理由は複合材料の′＃ｔ＠放射
線吸収特性は通常には赤外線より低い周波数で放射線反
射を阻止する必要性により決定されるからであり、これ
は通常には加熱目的のため十分な赤外線吸収の特性を選
択することに適合しない。別の１合体物質はそこから溶
媒が蒸発される結果として収縮できるものでメジ、開始
手段が溶媒の蒸発である。別の可能性は重合体物質がス
クリーン化されるべく選択された構造体の上にかつ周り
に機械的に伸長されそして次にこの構造体に一致するよ
うにレリーズされるエラストマーであることにある。

これらの形の阻止カバリング適合の各々で、少なくとも
一つの方向に表面の大きさが減少し、即ち収縮してスク
リーン化されるべく選択された対応する構造体の周りに
阻止カバリングの選択的−ａｔ−生ずる。この収縮の間
、この表面大きさｔ減するよう作用する唯一つの力は重
合体物質に内部の力、即ち、対応す−る開始手段を介し
て効果を生ずる分子力である。

しかしながら、その収縮性及び内部に分布された粒子の
電磁気性質に関連したその電気性と磁気性（これらの後
者の性質のみはカバリング１６ｅの物質に対して考慮す
る必要がある）の両方に関して阻止カバリング１６．１
６ａ、１６ｂ、１６ｃ又は１６ｄｌ＋−形成する１合体
物＊’を選択する際に極めて注意しなけれはならない。

前記のように、この複合材料によりスクリーン化された
構造体上で、これに関して少なくともある区域で、衝突
した選択された周波数の電磁放射線の反射の阻止はこの
複合材料の誘Ｊ＃１．率又は透磁率又はこの両方のごく
特定の選択された組合わせ及び選択された構造体に一致
された後の最終の厚さに対してとるに足らぬものになる
。かくして、内部に選択ｉれた粒子全分布させた選択さ
れた重合体物質で製造した阻止カバリングの一つでは、
結果の複合材料に対して選択された厚さがあり、これは
放射線阻止に対して所望の結果が得られるべき場合には
、このカバリングが選択された構造体に一致された後に
適合しなけれはならない。

一致又は収縮後に生ずる阻止カバリングの最終厚さは、
内部に分布された選択粒子を有する収縮可能憲合体結合
又はホスト物質の容量が最終収縮状態前のカバリングの
初期状態から本質的に一定のままであることに基づいて
予想できる（しかしこの容量は実際の収縮の量変化する
）。かくして、収縮前の阻止カバリングの初期容量を知
りそしてスクリーン化さｎるべく選択された対応構造体
の寸法及び収縮後の阻止カバリングの内部周辺の最終寸
法を知ると、このカバリングの最終厚さｔう゛まく予想
できる。１合体物質中に分存された粒子に対して小さい
寸法の重合体物質分子は共に複合材料を形層し、最終結
晶状態の粒子と無関゛係である複合体の性買會生ずる。

異なる種類の粒子に対して異なる熱答墓等の故に１合体
物質に分存される粒子の型式により結晶化の速度が影響
されるが、１合体物質のＮｋＰ：結晶化状態は使用する
粒子の型式がなんであろうと本質的に同一である。スク
リーン化さｎるべく選択された構造体の周りの一致が製
造時に得られる第５Ｄ図に示す押出し型式の阻止カバリ
ング１６ｅでは、最終厚さに関して状況は著しく容易に
なる。最終厚さは丁度押出工種自体から生ずるものであ
りかつ比較的容易に調節される。

しかしながら、これらの両方の場合で、複曾材料が一定
のカバリング浮さに対して計画された所望の誘電峯と透
磁率ｔ″有してこの複合材料でスクリーン化された構造
体上に衝突した選択された周ｒＩｆＬ数の１！磁放射線
の無視し得る反射七生ずる場合には、１合体物質と内部
に分布される粒子の電気的性質と磁気的性質を注意深く
選択しなければならない。この重合体結合物質又はホス
ト物質は通常にはそれ自体何の顕著な磁気的性質を有せ
ず、そこで磁場に応答しない。結果として、この物質の
透磁率は通常には１に等しい。他方、重合体結合物質の
誘１１墨はかなりのものであプ、物質型式の選択及びそ
の方向により異なる。

熱収縮可能である１合体結合又はホスト物質は中にロッ
クされた選択応力を有することができる熱可塑性物質で
ある。架橋でき又は方向つけできる結晶性及び無定形重
合体又は共１合体を使用して応分与ロックできる。文に
これら社融点以下のは度で都合良く便用できるべきであ
る。従って、融点は室温以上、代表的には９５から２２
５℃でおるべきである。ポリオレフィン１合体及びその
共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン及びポリ塩化
ビニルを含むＮ合体からこの結晶可能な物’Ｊ１選択で
きる。シリコーン、ポリアクリレート及び／　ＩＪスチ
レン重合体及び共重合体から無定形物買會選択できる。

架ｗを得るため導入さｎた共重合体は熱収縮の間サーモ
プラスチックの融解全阻止する。

重合体結合又はホスト物質が溶媒収縮し又は機械的に姑
伸しそして次にスクリーン化されるべく選択さｎた構造
体の上でレリーズされる場合には、この物質は＋１１合
成ニジストマー、例えばポリクロロプレン、ＥＰＤＭ等
を含む反応性ジエン皿合体及び（１）天然プムから選択
されたニジストマーでよい。

溶媒収縮のために好適な溶媒を芳香族炭化水素及び脂肪
族炭化水素から選択できる。阻止カバリングが製造時に
ワイヤ又はケーブルの上に押出される状況では、この押
出物’ｊｌＸＩｅＩＪ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリ
アミド又はポリウレタンから選択できる。

熱収縮口」能阻止カバリングのため成功して使用さｎて
いる特定の重合体結合又はホスト物質は下記の調合さｆ
Ｌる。

第１表 Ｕ　　　ＤＰＤＡ　６１８１　　　エチレン−エチルア
クリレート共重合体　　２６．８２ Ｄ　　　ＦＲ−６００ＢＡ　　　デカゾロモジフェニル
オキシド　　　　　　　　２４．４９ −　　　　　酸化アンチモン　　　　　　８．１６マグ
ライトＤ　　酸イヒマグネシウム　　　　　４．６７−
　　　　酸化亜鉛　　　　　　３．２１８　　　５Ｒ３
５０１−リメチロールプロパントリメタクリレート　　
　６．２１ Ｃイルガノックス　障害フェノール １０１０　　　　ｍ化防止剤　　　　　　　　１．１７
０　　イルガノックス　同上１０１０ｆラス金属不活性
剤　　　　　　　１．１７ −　　　　　ステアリン＃　　　　　　　　０．５８１
００、［］０ Ｃ−チバガイイー社　　Ｓ−サルトマー社Ｄ１ダウコー
ニング社Ｕ−ユニオンカーバイド社デカゾロモジフェニ
ルオキシドと共に酸化アンチモンは結合物質に難燃性を
与える。酸化亜鉛と酸化マグネシウムは樹脂に対して熱
安定剤であり、特にコンパウンド化と製造の間その重合
体形を保つことｔ助ける。トリメチロールデミパントリ
アクリレートは架ｍｔ−促進する。障害フェノールは代
表的に空気中で阻止カバリングの続く使用中で酸化安定
性のためでありそして金属不活性剤は結合物質中に分布
さｎた金属粒子の縞貢を阻止することにめる。ステアリ
ン酸は内部潤滑剤として役立つ処理助剤でるる。二つの
類似の樹脂の混和は引張強さ、可焼性及び粘度のＬ５な
物理的性質と処理性の艮好なバランスを得ることにある
。

前記のもの、他の結合又はホスト物質の電気的及び磁気
的性質は内部に分布された粒子の電気的及び磁気的性質
と複雑な方法で組合わさって複合材料の電気的及び磁気
的性負會供する。複合材料の誘電率は谷菫画分で秤量さ
れた結合又はホスト物質の誘電率と一つ又はそれ以上の
対応する容量画分で秤量された粒子の誘電率の直線的な
組合わせで社ない。同様に、複合材料の透磁率は容斂画
分杵蓋結合物質の透磁率（一つであるようである）と容
鴛画分秤量粒子の透磁率の直線的組合わせでない。容量
に基づくこの組合わせで異なった形状粒子によって得ら
れる強い効果の承認が得られない。

一例として、上に衝突する電磁平面波の波長に対して小
さい電導性粒子は粒子を越えて本質的に均一である高周
波電場を感じる（　ｅｘｐｅｒｉｅｎｃｅ　）６電荷は
絶えず反転する電場に従おうとするので、この電場は振
動性方式で対向端部の方へ粒子中の電荷’ｋｐ＆に動か
そうとする。電荷の移動はやがては粒子中で前後に流れ
る電流であり、粒子の電気抵抗により中でエネルギー損
失を導き、結果が粒子の加熱である。これらのエネルギ
ー損失は導Ｉ＃ＩＬＩＩＸ又は誘電率で虚数部の出現に
反映され、この部分はより速い反転が電荷流エネルギー
損失を増加するので、衝突場の周波数及び靜導電率に依
存する（静導電率の増加は実際の周波数効果音より高い
周波数に移す）。

粒子中で前後に電荷のこの同一の振動が粒子に又査分極
を与えそして放射双極子場を起こすことにニジ余分のエ
ネルギー損失が実際には債突放射線會散乱させる。

粒子がある軸に沿って対称から遠く、即ち球状と大違い
である場合には、衝突する電磁改からエネルギーの損失
は球状粒子に対するものより著しく異なる。流れ方向が
反転する前に粒子中で一方向へ流ｎる間末端で蓄積する
電荷は粒子の末端で電荷蓄積を起こして印加電場に対向
する傾向を示すａ２ｉ＄電場を導く。この誘導電場、減
極電場は粒子の一点に力七有し、これはその強さがその
点から電荷の位ｋまでの距離の平方に比例するので粒子
の形状によって異なる。この減極電場強さが印加電場の
強さに匹敵し得る場合には、電流フローが減少し、そし
て結果として、抵抗加熱によるエネルギー損失がそうな
ろう。しかしながら、電流フロー通路に対して長い粒子
では比較的低い減極電場が存在し、電荷が比較的遠い末
端で蓄積し、それ故に著しい電流フローが加熱損失を伴
って続く。

かくして、電導性ウィスカーの形で、即ち長い、薄い銀
である粒子は衝突する放射線のエネルギーでかなシの抵
抗加熱損失を引起こすために有効な粒子である。周りに
電導性コーティングを有する絶縁性粒子もまた弱い減極
電場を生じ、その理由は電荷の殆どは電場方向に対して
末端でコーティング内で前後に振動するが、この末端で
密に配置された電荷分布が小さな結果の電場を導き、こ
れが粒子中間位置で打消す傾向を示してそこに弱い減極
電場を生ずるからである。

粒子が阻止カバリング中で進行する平面波放射線の波長
よシ寸法で匹敵し得る根十分に大きい場合には、放射線
の電場部分は何れの時でも振動の間粒子の大きさを越え
て変化しこのため電流はい２も粒子中でかつ変動する通
路中で流れている。

実際に、これらは抵抗加熱によるエネルギー損失音生ず
る渦電流である。再び、粒径と形状、及び衝突する放射
線の周波数の内容のすべてがこれらの粒子を有する阻止
カバリングを通して進行する放射線によるエネルギー損
失の蓋に効果を有する。

結合又はホスト物質中の粒子の濃度もまた著しく差異を
生ずる。それ以上の粒子濃度が電°導性複合体を生ずる
ようなものである粒子濃度値の１パーコレーシヨン閾値
”以下である８Ｍ画分に対して、なお不導性の物質中で
粒子クラスターが生ユこのクラスターのあるものは局部
連続性電導性通路又はループを形成する。このルーｆ’
（通過する磁束音生ずる阻止カバリング中で進行する衝
突放射線の磁場部分はこれによってループ中に電流金誘
専する。再び、これらの電流は抵抗加熱により、そして
ループ中の電流フローから生ずる放射線ののための散乱
によりエネルギー損失を導く。このパーコレーション閾
値は粒子の形状、粒子オリエンテーション及び粒子分散
によって異なる。存在するループの数はパーコレーショ
ン閾値に到達するにつれて急速に増大する。反磁性応答
は周波数によって異なり、その理由はループ食通して更
に頻繁な磁束反転はより大きな放射線エネルギー損失を
導くからである。かくして、この損失は周波数依存性で
あシかつ更にパーコレーション閾値をセットする際の粒
子形状とオリエンテーション及び存在するこのループの
数によって異なる。

阻止カバリング中を進行する衝突放射線の磁場部分はま
たそこに含まれる磁気粒子に影響する。

こ扛らの粒子は通常には粒子中で好適な方向に持続する
傾向を示す磁化を有する。放射線中の磁場はこの磁化を
回転する傾向を示して磁場と整合させそして放射線で起
こるような交番磁化は適当な磁化方向の周りにこの磁化
を首振すさせる。この首振りは近くの他のドメインと磁
化の相互作用の故にエネルギー損失葡場くであろう。こ
の粒子システムは首振り磁化が最も良く交番磁場の周波
数に従うことができる共鳴周波数を有する。粒子の形状
の偏りが大きくなる程、この共鳴周波数が高くなり、こ
れにより大きなエネルギー損失音導く。

電磁放射線の波長が前記のような粒子より寸法で匹敵し
得る又は１９大きい場合には電導性磁気粒子はまた渦電
流に従う。このように流れる渦電流は電気的に考えて前
記のようにエネルギー損失を生ずるが、これらの流れる
電流はまた別の磁場を導き、これが複合材料中で進行す
る衝突放射線でエネルギー損失に影響する。複合材料中
に分散される程々の粒子とそこを進行する衝突放射線の
間の種々の種類の相互作用に対するこの多数の可能性が
複合材料の結果の誘電率と透磁率に対して多数の可能性
を導くが、明らかに結果の誘を率と透磁率は衝突電出放
射線の周波数と共に変わる。

稙々の組合わせで種々の寸法、靜４′＆１！率、透磁本
誘電率、形状及びオリエンテーションの粒子の選択は適
合したホスト又は結合物質を使用して非常に広い種類の
複合材料が見出されること全意味し、これは適正に選択
された厚さと共にこの材料でスクリーン化された構造体
を有するシステムに衝突する電磁放射線の選択された周
波数で反射を阻止できる。しかしながら、結合又はホス
ト物質及びその内部に分布されるべき粒子全注意深く選
択しなければならず、それは単に複合材料の性質とその
厚さを合致させてこの材料によってスクリーン化された
システムから反射を減する必要性のためだけでなく、ま
た粒子と結合物質の電磁気的性質が組合わされて複合材
料の性質が形成する複雑な方式のためでもある。

即ち、結果の複合材料が予測された誘電率と透磁率金有
すべき場合には、結合又はホスト物質及びそζに分布さ
れるベキを式の粒子の両方の電気及び磁気的性質から複
合材料の電気及び磁気的性質の予測は種々の要因のすべ
てを考慮に入れねばならない。こｎらの予測はホスト物
質及びそこに分布された粒子による複合材料中で電場と
磁場を組合わせることによってそしてお互いによい分極
と磁化を組合わせることによってうまく行なうことがで
きる。そこでこの複合材料の誘電率と透磁率は粒子形状
の効果を無視する単なる容量画分秤量に基つくよりむし
ろホスト物質及び粒子の誘電率と透磁率の点から七ｎに
基づいて得られる。複合材料の誘電率と透１率會見出す
基礎としてこれらの場の組合わせは粒子形状、粒子オリ
エンテーション、粒子分布、相互作用の周波数効果等を
考慮する仁とになる。

結果の複合材料の誘ｖｔ率と透磁率を見出す際に出会う
簡単な状態の一つの性質を示すために、複合材料中の粒
子と結合又はホスト物質の場の寄与による平均した全体
の場を使用することに基づいて、単一粒子の誘ｘｉε、
と透磁率μｍ及び結合又はホスト物質の誘電率ε。と透
磁率μ。に基づき分析形の結果會示す。粒子が関係の衝
突平面波放射線の波長に対して小さいこと、複合体に使
用される粒子が低い容量画分で存在すること、しかも粒
子が楕円形と合理的に推定さｎる形状を有することが仮
定される。こｎらの状況では、全体として複合材料に対
する誘ｘｉテンソルは下記の通りに示すことができる： （１−ｆ）〒−ｆｌ’ε （式中ｆは被合材料中の分布された粒子でとられる容量
画分であシ、６ｍとεｐは各々ホスト又は結合物質及び
粒子の誘電率全表わす二次テンソルであり、↑はユニッ
ト二次テンソル上表わし、そしてｒεはεｍ、ε、及び
粒子の形状により決定されるパラメーターによって異な
る要素全盲する二次テンソルを表わす） 同一の仮定及び粒子が磁気相互作用の故に特定方向に整
合された出仕を有する単一ドメイン強磁性又はフェリ磁
性粒子であること、しかも結合又はホスト物質が非磁性
であ夛このためμｍ−１であることの余分の仮定の下で
、複合材料の透磁率は下記の式により示される二次テン
ソルである：（式中ｆは再び複合材料中の粒子にとられ
る容量画分であり、Ｔはユニット二次テンソルであり、
μｍは複合体中に分布さｎる粒子中の粒子の透磁１１表
わし、そしてｒμはμｍと粒子の形状にニジ決定される
パラメーターによって異なる二次テンソルである〕。前
記の式が示すように、分析法又は数値法の何れによって
も、複合材料の誘電率と透磁率の決定は粒子とホスト又
は結合物質の各々の谷蓋画分により秤量された各々の性
質の単なる合計ニジ著しく更に複雑である結果を導く。

前記の例の結合物質を更に続けて、前記のように複合材
料に入れる工うに最後の章に示した予測法によ９２種の
粒子を選択して約１０．０　（）Ｈｚと選択された周波
数でこの複合材料によってスクリン化さｎる選択構造体
上に衝突するｅｔ＆放射線の阻止を得る。第一の種類の
粒子Ａは平均して約０．４ミクロンの最大寸法を有する
針状形に底形された、表面上にコバルトの薄層を吸着さ
せた四三酸化鉄（ｒＦｅｏｚＦｅ２０３）の粒子１１−
有する。Ｘの数値は１．０と１．５の間であり、表面層
中のコバルトは粒子重量の１から１０％となる。第二の
種類の粒子Ｂは第一の粒子のものと類似の形状と寸法を
有し、表面上にコバルトの薄層とダブルイオン化鉄を成
層させた酸化第二鉄（ｒＦｅ２Ｏ３）の粒子を有する。

これらの粒子の更に詳細會下記の表に示し、そして２０
％容量画分で前記のホスト物質でそれ自体各々に対する
誘電率と透磁率対周波数のグラフｔ−第６Ａ図及び第６
Ｂ図に示す： 第■表 Ｈｃ、保鑓（Ｏｅ）　　　　　　　　　６３３　　　　
　　　６５５ｍ、モーメント（ｅｍｕ／＃）　　　　　
　　７６　　　　　　　　　７４寸法（ミクロン）　　
　　　　　　　　０．４　　　　　　０．４形　状　　
　　　　　　　針状　　　　針状縦横比　　　　　　　
　６：１／８：１　　　　６：１粒子大は前記の組成の
安定した四三酸化鉄である。

粒子Ｂは製品名称Ｐｆｅｒｒｉｃｏ　２６７０としてＰ
ｆｉｚｅｒ社から市販されている。

第６Ａ図から判るように、関連の周波数、約１０．０　
ＧＨｚで結合物質中の粒子Ａの透磁率の虚数部、は著し
くかつ対応する実数部でとられる数値の１０％を越える
、これは第６Ｂ図のグラフに示さ詐るように結合物質中
の粒子Ｂに対してもあてはまる。２種の粒子で粒子のこ
ｎらの磁性は比較的類似しているが、誘１ＦＩＬ率に著
しい差があることに注目せよ。結合物質中の粒子Ａは示
される周波数範囲にわたって高い実数部及び低い虚数部
全盲する誘電率髪示す。結合物質中の粒子Ｂはより低い
実数の誘電率そして、再び、低い虚数部を示す。

他の状況では、誘電率の虚数部は別に又は更に、実数部
の１０％以上のような関係の周波数の更に著しい虚数部
を有する。

これらの２稙の粒子Ａ及びＢは前記の結合又はホスト物
質に共に均一に分布されて選択されたシステムにより反
射されるこの周波数を含有する入射放射線から１０．０
　ＧＨ２の周波数付近の入射電磁放射線の反射の幅の狭
い阻止が得られる。このシステムはそこに熱収縮で介し
て棒に一致させることによって、初期内径１５ｍと”１
１Ｍ１．５ｍの管の形の複合材料によってスクリーンさ
れた電導性構造体（直径１０．Ｏｎ＋ｔｌＮする金属棒
）を含んだ。

こｔ”Ｌらの粒子の各々は複合材料の１０％の容量画分
を有するように選択され（結合又はホスト物質は８０％
の容量画分を有する）、そして１０．０ＧＨ２の周波数
を含有する衝突放射線のこの阻止を供するこの材料の厚
さは２．４６ｔｍであると決定された。

前記の最後の二つの等式を導く種類の分析を使用して結
果の複合材料の必要な特性を予測できるが、この分析は
示した二つの等式のような丁度−つエフ結合又はホスト
物質中に二つの粒子種類を有する状況に拡大したもので
ある。他方、前記の最後の二つの等式はまさに第６Ａ図
及び第６Ｂ図に示される測定により見出された結果の単
一粒子複合材料誘電率及び透磁率から各々が結合物質中
でその場で測定される場合には各粒子自体の周波数にわ
たって誘電率と透磁率を抽出するのに必要なものである
。次に二つの粒子複合材料の結果の誘電率と透磁率を予
測するためデータとして粒子Ａ及びＢの粒子誘電率と透
磁率を使用できる。

前記の結合物質中に粒子ＡとＢの各々音別々に分布され
ることから生ずる二つの複合材料社告々単一粒子複合材
料の結果の誘電率と透磁率を有１勿論これはその場で測
定されそして第６Ａ図及び第６Ｂ図に示される。これら
の複合材料の各々に対するこれらのパジメーター會使用
してこれらの各々の阻止性能を予測できる。前記の２粒
子阻止カバリングとして同一種類の導体（棒）をスクリ
ーンする２０％容積画分で内部に粒子Ｂを有する複合材
料に対する結果を第６Ｃ図に示し、ここでは単一粒子阻
止カバリングが厚さ２．８３ＩＩ１１である場合には約
１０．０　Ｇ）］ｚで２０から３　［１ｄｌ）の反射減
衰を供することが示される。

第６Ａ図及び第６Ｂ図に示す単一粒子複合材料誘電率と
透磁率測定に基づいて２粒子複合材料パラメーター予測
に別のアプローチも可能でめり、これはこのデータから
個々の粒子誘電率と透磁率を抽出することｔ避ける。成
分粒子と結合物質の誘電率と透磁率は通常には複雑な方
法で組合わされて結果の複合材料誘電率と透磁率を供す
るが、各粒子に対する単一粒子複合材料誘電率と透磁率
はエフ単純な方法でしばしば有効に組合わされて同一の
結合物質と粒子を使用する２粒子複合材料の誘電率と透
磁ｉｔ−与える。即ち、この後の状況での組合わせはし
はしに加法的に基づいていることに近く、周波数特性は
使用した粒子中の粒子の靜導電率を調節することによっ
て周波数軸に沿って位置決め可能である。

最初に結合又はホスト物質として列挙した物質によって
２粒子複合材料會形成する。こｔらのペレット及び第一
と第二の粒子ｔ−１２１℃でミキサーで共に混合する。

結果の第二の混合物を管の形で押出し、この例ではこれ
は外部直径１０１ｍと壁厚２．４ｗｋ有した。次にこの
管に３メガ２ツドに電子線で照射して内部で重合体の架
橋を引起こす。

その後に、この照射した管上加熱しかつ前記のように、
空気圧を使用して内部直径１５Ｉ１１１１ｔ−有する工
うに半径方向延伸によって広げた。次にこの広けた状態
でこの管を冷却した。この点で、管は第５Ａ図に示す阻
止カバリング１６ｂとしていつでも役立つ。別法として
、その後この管を縦軸に平行に分割して第５Ｂ図に示す
阻止カバリング１６ｃを形成できる。第５ＡＩＩＷに示
す形では、この管上前記の例の選択された金属棒に熱収
縮させた。この初期桝造の金属棒の上にこの複合材料管
の熱収縮は所望の通り最終状態の壁厚２．４６ｗｘ、即
ち粒子Ｂｔ使用して第６Ｃ図に関して前記の単粒子複合
材料の壁厚より著しく薄い壁厚を有する阻止カバリング
１６１）音導いた。

この方法の結果として第５Ａ図の複合材料形成阻止カバ
リング１６１）は第７Ａ図に示す誘電率と透磁率の結果
の数値を有し、これらはこの複合材料を形成するように
結合又はホスト物質中にこれらｔ分布する記載の結合物
質と、記載の２種類の粒子Ａ及びＢの電気的及び磁気的
性質を組合わせる結果として生する。前記のように、複
合材料に分布された２株の粒子に対して第６Ａ図及び第
６Ｂ図に示さｔた性質から、そして前記の適当な方法を
使用して結合又はホスト物質の誘電率特性から、第７Ａ
図に示さｎるこれらの性）ｘｔ予測できる。

前記の工うに、約１Ｑ、Ｑ　ＧＨｚの周波数でスクリー
ンさｎた構造体から反射Ｗａ放射線の幅の狭い阻止を得
る九めに２種の粒子が予測されそして複合材料でより薄
い壁を得ることが必要であると判明した。単粒子複合材
料と較べて比較的小さい阻止カバリングの壁厚にすると
スクリーンされたシステム上で衝突電磁放射線の吸収の
著しい量を必要とする。これはかなりの量の衝突放射線
が阻止カバリングにより透過さｎｌここでこれが必要な
程度まで吸収できることｔ必要とする。各々の透磁率の
虚数部は非常に類似するので、しかも各々に対する誘電
率の虚数部は非常に小さいのでこれは無視し得るので、
吸収は粒子Ａと粒子Ｂの両方で大体同一である。かくし
て、これらの粒子を共に混合することによって吸収は変
わらない。更に１この吸収は関係の周波数で起こらず、
その理由は第６Ａ図と第６Ｂ図から判るように、実数部
に対して透磁率の虚数部の比率はこの点で比較的大きい
からでおる。これらの結果は第７Ａ図でｓｉ！される。

しかしながら、粒子Ａは高すぎる誘電率実数部を有し、
これは阻止カバリング１６の外側表面で多すぎる反射を
生じ、そこでカバリングに殆ど透過がない、他方、粒子
Ｂは小さすぎる誘電率実数部に有して多すぎる透過を供
する。第７Ａ図から判るように、中間値は阻止カバリン
グ１６のため使用さする２粒子複合材料で得られる。

直径１０．０ｎｔの選択された金属棒をスクリーンする
この２粒子複合材料葡使用する結果葡第７Ｂ図に示す。

第７Ｂ図のグラフは複合材料スクリーン化なしでこの棒
からの反射に対して前記の複合材料でスクリーンさ扛た
棒の上に電磁放射線の反射を示す。このグラフから判る
ように、約１０．０ＧＨｚでの反射は複合材料によりス
クリーン化によって２０ｄｂ以上、殆ど６０ｄｂも減少
し又は阻止さｎる。状況に応じて、反射で工９多くの又
はより少ない減少又は減衰が望まれ、その何ｎもが粒子
と結合物質の選択を変えることにぶって適合できる。

これらの粒子の何れから容量画分を変えること又は粒子
の種類又は種類の数を変えることは最大阻止の中心周波
数及び阻止が起こる中心周波数の周りの帯域幅の変化を
導き、同様に所望の阻止會得るため材料の対応する異な
る厚さを必要とする。

従って、収縮する結合物質の性能が、例えば、悪く影響
さｎる前に、粒子の′４４画分は１％の低さから結合又
はホスト物質の負荷限界までの範囲に及ぶ。これは何で
も４５から７０′４量係である。

代表的には、容量画分に対して好適な範囲は１５から３
０係である。

再び、粒子型式を変えることに１って、粒子で著しく異
なる寸法が生じ、その範囲はｏ、ｏ　ｏ　ｉ　ｓクロン
の低さから数ミクロンの高さまででるる。

代表的には、好適な範囲は０．０５ミクロンから２５ミ
クロンである。

結合又はホスト物質の選択はまた電気的性質に影ｗ’ｉ
有するが、代表的には内部に分布される粒子の選択はど
殆ど大きくない。かくして、結合物質の選択は他の要因
、例えば収縮工程又は押出工程が有用に行なわれる温度
、阻止カバリングが損傷しないように又はその性能で劣
化しないように又は湿分を移さないように使用される環
境条件に耐える性能に向けられる。

粒子型式及びその各１画分の選択が作れる差を示すため
に、前と同一の種類の導体（棒）スクリーンする６０％
容蓋画分で前記の同一の結合物質中に、粒子Ｃ，カルボ
ニル峡球体、型式８Ｆの第三の型式を使用して側倒の複
合材料を供する。粒子Ｃはこの説明の通りでＧＡＦから
市販さＩしている。

この粒子は下記の表に記載さ才しる特性を有する：第鳳
表 Ｈｃ　、保磁度（Ｏｅ）　　　　　　　　　　１７０黒
、モーメン）　（ｅｍｕ／ｇ）　　　　　　　２１０す
法（ミクロン〕１．３ 形状　　　　　　球状 結果の複合材料は第８Ａ図に示す誘電率と透磁率特性を
有する。反射阻止又は減衰は第８Ｂ図に示される。判る
ように、ピーク阻止は１４．ＯＧＨｇ付近に移りそして
その減衰は１５ｄｌ）より少し多く減衰した。阻止カバ
リングの厚さは１．６５ｍであった。粒子の性能を予測
しそして粒子の非常に種々の性質から選択する能力は阻
止カバリングがこの複合材料によりスクリーンされる構
造体上に衝突する放射線を阻止するように作用するセツ
ティングに関連して特に有用である。阻止カバリング内
の吸収の外に、衝突電磁放射線の反射を阻止するため干
渉を使用する場合には、複合材料の誘％を率と透ｈｇの
周波数依存性はこの阻止が起こる帯域幅に直接に影響す
る。勿論、複合材料でこれらのパラメーターのこの周波
数依存性は結合又はホスト基質及びこの内部に分布され
九粒子の誘電率と透ｅｉ率の性質の周波数依存性から生
ずるに違いない。

干渉が使用される状況で複合材料の誘電率と透ｉａ率の
周波数依存性の効果は干渉が大いに依存される限定した
場合で前記に到達した結果により示唆される。この場合
には、スクリーンされる構造体の周りの阻止カバリング
の厚さは下記の通りであると決定さｎた： ここで阻止カバリング中の放射線の波長はこれがソース
からくるような放射線、即ちカバリングに衝突する放射
線の波長に掛けたこのソース波長に影ｖｈ示す因子で置
き換えられ、こｎはソース放射線が物質の誘電率と透磁
率の性質により異なる波長を有する場所に入るからであ
る。

電磁理論から周知なように、真空又は真空付近で波長は
角周改数又は２π掛けるエベント（ｅｖｅｎｔ　）周波
数で割ったこの媒体中で技の進行の速度Ｃに等しく、即
ち： この最後の式を前記の式に入れると次の結果が得られる
： に れは下記の通り書き直しできる： に の式は衝突放射線の周波数が誘電率及び透磁率μ’１Ｍ
’する阻止カバリングの一定の厚さに対して干渉を受け
ること【示す。

判るように、速度Ｃは真空中で一定でありそして阻止カ
バリングの厚さｄはその場で一度固定されるので、誘１
［率と透磁率が一定であるならば、また十分な干渉が起
こる唯一つの周波数を表わすνに対して一定値があり、
これによって狭い帯域幅の反射阻止システムを生ずる。

ｌｐ、　９　Ａ図は例示として周波数に関して一定であ
る誘電率と透磁率の冥数部と虚数部の数値を有するグラ
フを示す。

しかしながら、最後の式は因子（με）／２が周波　　
、数と共に変わる場合には、干渉を受ける衝突放射線の
波長もまた変わることを示す。従って、ｅ又はμ、又は
両方が周波数の関数である場合は反射阻止が起こる帯域
ｓを増大する可能性がある。−例として、周波数依存性
を有する透ａｉ率のグラフ會第９Ｂ図に示す。

阻止カバリングで交互の複合材料、第９Ａ図の性質に！
するもの及び第９Ｂ図の性質１４するものの結果を第９
Ｃ図に示した工うに谷父互のものに対して生ずるパワー
グラフで示す。曲線Ｎｂは阻止カバリング誘電率と透磁
率性質が第９Ａ図で示さａ；ｂ工９に周波数に関して一
定であるので狭い帯域幅の結果が起こることｔ示す。曲
線ｗｂは第９Ａ図に示すように誘電率が周波数に関して
一定であることが続くが第９Ｂ図に示すように透磁率が
周波数と共に変わる場合には広い帯域幅阻止が生ずるこ
とｔ示す。

明らかに判るように、反射された放射線の阻止は曲線Ｎ
ｂに対するものより曲線ｗｂに対する周改数のずっと広
い範囲にわたって起こる。実際に、衝突放射線で関係の
周波数の範囲に対応して、阻止カバリングとして役立つ
複合材料の厚さに大体等しい、複合材料中の放射線の波
長の４分の１を保つように複合材料誘電率と透磁率が選
択される。

最後の式の前の式が考えらｎる場合には、式の左側の一
定値ｄに一致させるように式の右側１−−定に保つには
、因子（μす／２は周波数νの増加と共に減少しなけれ
はならない。かくして、この条件が一致されるべき場合
に誘電率又は透磁率又は両方は周ａ数と共に減少しなけ
′ｎはならず、この減少の周波数値は阻止周波数範囲の
低い周波数端部に落ち盾く。明らかに、ある点では、利
用し得るパラメーターで丈に減少は起こらず、増加はも
はや合致する干渉条件音導かず、このためこの点以上の
周波数を含む放射線の反射の阻止はもはやないであろう
。

しかしながら、結合又はホスト、物質に一′ａ類以上の
粒子を入ｎることかできることでこの帯域及び阻止が周
波数軸に沿って開始しそして阻止が終了する点全関節す
ることでかなりの自由が得られる。かくして、一連の種
類の粒子が複合材料に供さｎｌその各々は前のものと重
なる連続した範囲で他とは異なる一定範囲の周波数にわ
たって一波数と共に減少する大きさでそれらの誘電率と
透磁率を有する。このシリーズの粒子を含有す°るこの
複合材料でスクリーンさｎた構造体上の衝突放射線から
反射が阻止さｎるかなりの周波数範囲が生ずる。この一
連の粒子を第１０図に略示し、ここでは三つの異なる粒
子に対する透出率の実数部又は虚数部の何ｎかの周波数
特性が示され、これは異なる周波数範囲にわたって起こ
る透磁率の減少を示すが、こｎらのすべては反射放射線
の阻止のため関係の周波数範囲内にある。

複数の粒子を使用するこの案は限界ｒ１ｉｒＬ、その理
由は複合体を作る工うに結合又はホスト物質に粒子型式
を加え続けることは粒子に対して大きな容量画分１！を
導くので選択さｎた構造体に一致させる結合物質の能力
を損ねるからである。第１１図に代行物を示し、こｎは
阻止カバリング１６ｆのための積層構造体の端部で、Ｓ
す、ここでは導体１１の端部の周９に示される幾つかの
薄層は結合叉はホスト物質の各々であｐそして各々が一
つ又はそれ以上の粒子を含む。各薄層の粒子に対して関
係の周波数範囲と共に大きさの減少が第１１図に示す方
式で関係の阻止周波数範囲を越えて広がる場合には、対
応する薄層によって関係のこの周波数範囲の異なる部分
で反射が阻止さｎることを生ずる。更に、薄層間に別の
界面がこの積層物構造体に生じ、更に反射と反射波の幾
つかの打消しのため干渉配置ｉ會供する大きな設計の自
由の可能性を導き、これによって関係の周波数を越えて
全体として第１１図のスクリーンされた構造体シス゛　
　テムから無視し得る反射係数を得る・第１１図の構造
体の可能な配置は誘電率又は透ａａｇ又は両方が半径に
沿って内方へ向って各層で増加するように異なるパラメ
ーターでスクリーンされた構造体に半径に沿って一連の
粒子分布會供することにある。各層でこれらの変化する
パラメーターは棒の中心から半径に沿って実際に屈折率
　ｌ上質化させている。実際にこの配置で薄層の数を増
加することは半径に沿って勾配のある屈折率を有する単
一阻止カバリング薄層のものに達する結果となる。

従って、この単一薄層中の粒子パラメーターは半径に沿
って変化して第１１図の積層阻止カバリング１６ｆで得
らｎた結果を生ずる。阻止カバリングのこの外側表面か
らの反射を最小にするように真空又は空気のものと近く
、阻止カバリングの外側表面での初期誘１［率と透磁率
を有することは特に有益であろう。

かくして、この阻止カバリングによってスクリーンされ
た選択構造体の上に衝突する放射線について反射が阻止
される、阻止カバリングの帯域幅を増大する多くの別の
可能性がある。本発明を好適な具体例について記載した
が、当業者は本発明の精神と範囲から逸脱することなく
形と詳細におい上置化させることができることを認める
であろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は透過反射効果上水す略示図である。第２図は本
発明を含む外側部材を支持する反射体を有する構造的配
置の一部の断面図である。第６図は本発明を含む外側部
材を支持する反射体を有する別の構造的配置の断面図で
ある。第４図は本発と成分會示すグラフである。第１０
図は本発明の一具体例の例示の代表的なグラフである。 第１１図は本発明の別の具体例を示す。

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ａ）選択された吸収放射線周波数の範囲内の周
   波数で測定して、吸収体誘電率及び透磁率値の少なくと
   も一つの虚数部が対応する実数部の１０％より大きく又
   はそれに等しく、そして （ｂ）吸収体が吸収体に対して外部のエージェントを受
   ける時に結合剤に対して内部の力により反射構造体の形
   成に一致する、 一致可能な重合体結合剤中に結合された吸収性粒子を含
   み、各々実数部と虚数部を有する誘電率及び透磁率パラ
   メーターを有する、反射構造体のための一致可能な電磁
   放射線吸収体。
2. （２）吸収体の断面が閉じた曲線になるように結合でき
   る二つの縁を吸収体が有する、特許請求の範囲第１項の
   放射線吸収体。
3. （３）吸収体が閉じた曲線に沿いそしてこの曲線に沿っ
   てシームレスである断面を有する、特許請求の範囲第１
   項の放射線吸収体。
4. （４）吸収体に対して外部のエージェントが、吸収体に
   適用された熱、吸収体に適用された溶媒の蒸発、及び吸
   収体の寸法を変更するように適用された力のレリーズか
   らなる群から選択される、特許請求の範囲第１項の放射
   線吸収体。
5. （５）外部エージェントが吸収体に熱で適用され、そし
   て結合剤がシリコーン重合体及び共重合体並びにポリオ
   レフィン重合体及び共重合体からなる群から選択される
   、特許請求の範囲第４項の放射線吸収体。
6. （６）吸収性粒子が電導性である、特許請求の範囲第１
   項の放射線吸収体。
7. （７）吸収性粒子が電気絶縁性内部及び電導性外部コー
   ティングを有する複合体である、特許請求の範囲第６項
   の放射線吸収体。
8. （８）吸収性粒子が強磁性である、特許請求の範囲第１
   項の放射線吸収体。
9. （９）吸収性粒子が （ａ）コバルトの薄い吸着された表面層を有する四三酸
   化鉄、 （ｂ）コバルト及びダブルイオン化された鉄原子の薄い
   吸着された表面層を有する酸化第二鉄、（ｃ）カルボニ
   ル鉄球、及び （ｄ）（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の少なくとも二つの組
   合わせ、からなる群から選択される、特許請求の範囲第
   １項の放射線吸収体。
10. （１０）吸収性粒子が選択された吸収放射線の範囲内の
    何れの周波数の波長の１０分の１より小さい平均最大寸
    法を荷する、特許請求の範囲第９項の放射線吸収体。
11. （１１）誘電率及び透磁率値の両方の虚数部が対応する
    実数部の１０％より大きく又はそれに等しく、そして吸
    収性粒子が平均最小寸法の少なくとも３倍である平均最
    大寸法を有する、特許請求の範囲第１項の放射線吸収体
    。
12. （１２）吸収体が反射構造体に一致した後は、選択され
    た吸収放射線周波数の範囲内の周波数で測定して、７０
    ％より小さくない構造体の電磁反射係数における減少を
    特徴とする特許請求の範囲第１項の放射線吸収体。
13. （１３）吸収体が反射構造体に一致した後に測定して、
    選択された吸収放射線周波数の範囲内の何れの放射線の
    波長の４０分の１より大きいが４分の１より大きくない
    、放射線伝搬の方向での吸収体厚さを特徴とする、特許
    請求の範囲第１項の放射線吸収体。
14. （１４）結合物質に隣接した電導体を更に含む、特許請
    求の範囲第１項の放射線吸収体。
15. （１５）吸収体がその少なくとも一つが一致可能な重合
    体結合剤に結合された吸収性粒子を含む複数の層を含む
    、特許請求の範囲第１項の放射線吸収体。
16. （１６）第一及び第二の結合剤が、別の隣接した層に配
    置される、第二の重合体結合剤で結合された第二の吸収
    性粒子を更に含む、特許請求の範囲第１５項の放射線吸
    収体。
17. （１７）第一及び第二重合体結合剤の各々が各層の誘電
    率及び透磁率値の少なくとも一つの虚数部を有し、これ
    が選択された周波数範囲の各第一及び第二部分にわたっ
    て著しく減少し、各部分で周波数の少なくともあるもの
    が互いに著しく異なる、特許請求の範囲第１６項の放射
    線吸収体。
18. （１８）一致可能な重合体結合剤で結合された第二の吸
    収性粒子を更に含み、ここで吸収体誘電率及び透磁率値
    の虚数部に対する第一及び第二吸収性粒子の各々の寄与
    が選択された周波数範囲の各第一及び第二部分にわたっ
    て著しく減少し、各部分における周波数の少なくともあ
    るものが互いに著しく異なる、特許請求の範囲第１項の
    放射線吸収体。
19. （１９）選択された吸収放射線周波数の範囲内の放射線
    が赤外線周波数より小さい又はそれに等しい周波数を有
    する放射線だけを含む、特許請求の範囲第１項の放射線
    吸収体。
20. （２０）各々実数部及び虚数部を有する誘電率及び透磁
    率パラメーターを有し、そして一致可能な重合体結合剤
    で結合された吸収性粒子を含み、ここで（ａ）選択され
    た吸収放射線周波数の範囲内の周波数で測定して、吸収
    体誘電率及び透磁率値の少なくとも一つの虚数部が対応
    する実数部の１０％より大きく又はそれに等しく、 （ｂ）吸収体が吸収体に外部のエージェントにより開始
    される結合剤に内部の力によって反射構造体の形状に一
    致され、そして （ｃ）実質上吸収体と導体の間に何ら他の物質なしに、
    そして軸に実質上平行に伸びる吸収体中に何ら継目なし
    に吸収体が導体に直接に一致される、一致可能な電磁放
    射線吸収体でカバーされた、軸の方向に伸長された、電
    導性の、電磁気的に反射性の構造体。
21. （２１）（ａ）放射線吸収性粒子の型式を選択すること
    、（ｂ）結合剤が結合剤に外部のエージェントを受ける
    時に結合剤に内部の力によって形状を変える一致可能な
    重合体結合剤物質を選択すること、（ｃ）工程（ａ）の
    粒子と工程（ｂ）の結合剤物質を混合することによって
    一致可能な放射線吸収体を造ること、この吸収体は選択
    された吸収放射線周波数の範囲内の周波数で測定して、
    対応する実数部の１０％より大きく又はそれに等しい誘
    電率及び透磁率値の少なくとも一つの虚数部を特徴とす
    ること、 （ｄ）工程（ｃ）の吸収体を放射線反射構造体に適用す
    ること、そして （ｅ）吸収体を外部エージェントに受けさせることによ
    って工程（ｃ）の吸収体を反射構造体の形状に一致させ
    ること、放射線伝搬の方向で混合物の一致された厚さが
    選択された吸収放射線周波数の範囲内の何れの放射線の
    波長の４０分の１より大きいが４分の１より大きくない
    こと、 の工程を含む、反射構造体の上に入射の電磁放射線の反
    射を減する方法。
22. （２２）放射線反射構造体が電導体であり、工程（ｂ）
    の結合剤物質が樹脂の形であり、そして工程（ｄ）が導
    体上に工程（ｃ）の樹脂状混合物の押出しである、特許
    請求の範囲第２１項の方法。
23. （２３）放射線反射構造体が軸の方向に伸長された電導
    体であり、そして実質上吸収体と導体の間に何ら他の物
    質なしに、そして軸に実質上平行に伸びる吸収体中に何
    ら継目なしに放射線吸収体が電導体に直接に一致される
    、特許請求の範囲第２１項の方法。
24. （２４）外部エージェントが吸収体に適用された熱、吸
    収体に適用された溶媒の蒸発、及び吸収体の寸法を変え
    るように適用された力のレリーズからなる群から選択さ
    れる、特許請求の範囲第２１項の方法。
25. （２５）選択された外部エージェントが吸収体に適用さ
    れた熱であり、そして結合剤がシリコーン重合体及び共
    重合体並びにポリオレフィン重合体及び共重合体からな
    る群から選択される、特許請求の範囲第２４項の方法。
26. （２６）吸収性粒子が （ａ）コバルトの薄い吸着された表面層を有する四三酸
    化鉄、 （ｂ）コバルト及びダブルイオン化された鉄原子の薄い
    吸着された表面層を有する酸化第二鉄、（ｃ）カルボニ
    ル鉄球体、 （ｄ）（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）の何れかの二つ又は
    三つの組合わせ （ｅ）電導性粒子、及び （ｆ）強磁性粒子 からなる詳から選択される、特許請求の範囲第２１項の
    方法。
27. （２７）工程（ａ）が更に第二の型式の吸収性粒子を選
    択することを含み、工程（ｂ）が更に第二の一致可能な
    重合体結合剤物質を選択することを含み、そして工程（
    ｃ）は更に第二の一致可能な放射線吸収体に工程（ａ）
    の第二の粒子と工程（ｂ）の第二の結合剤物質を混合し
    そしてこの第一及び第二吸収体を複合吸収体の別の隣接
    した層に配置されることを含み、そして工程（ｄ）と（
    ｅ）が複合吸収体の上で行なわれる特許請求の範囲第２
    １項の方法。
28. （２８）吸収体の各々が選択された周波数範囲の各第一
    及び第二部分にわたつて著しく減少する誘電率及び透磁
    率値の少なくとも一つの虚数部を有し、各部分の周波数
    の少なくともあるものが互いに著しく異なる、特許請求
    の範囲第２７項の方法。
29. （２９）工程（ａ）が更に第二の型式の吸収性粒子を選
    択することを含み、そしてここで吸収体誘電率及び透磁
    率値の各虚数部に対して第一及び第二吸収性粒子の各々
    の寄与が選択された周波数範囲の各第一及び第二部分に
    わたって著しく減少し、各部分の周波数の少なくともあ
    るものが互いに著しく異なる、特許請求の範囲第２１項
    の方法。