JPH01190127A - Ａ／ｄコンバータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は信号のエンコーダ／デコーダに係り、特にＡ／
Ｄ　（アナログ−ディジタル）コンバータ及びこれの基
準磁界ストア手段に関する。

従来の技術及び発明が解決しようとする課題添付図面の
第１図は代表的な逐次比較形Ａ／Ｄコンバータを例示し
たものである。これは入力回路１、サンプル及びホール
ド回路２．コンパレータ３、内部にディジタルレジスタ
及びコントロール回路を有する逐次比較形レジスタ４．
及びｎビットＤ／Ａコンバータ５からなり、図に示すよ
うなｎピットの並列ディジタル信号を出力する。第１図
のコンバータは基本的には吹下のような動作を行う。例
えば電圧、電流、またはその他のパラメータを示す入力
アナログ信号はサンプル及びホールド回路２によって取
り込まれ、この信号は所定の「フルスケール」値の１／
２．１／４．１／８゜１／１６・・・のうち最も近い値
にクラス分けされ、等価なディジタル値が決定される。

レジスタ４のディジタルレジスタ中の数値はコントロー
ル回路によって初期状態ではゼロにセットされる。次に
コントロール回路は最上位デイジットを“１′にセット
し、このディジタル値をコンバータ５によってアナログ
値に変換するとともにこれをコンパレータ３においてサ
ンプルされた入力値と比較する。

この入力値が変換された値よりも大きいかまたは等しい
場合はレジスタのデイジットを“１″のままとし、小さ
いときは“０”にリセットする。続いて次に上位のデイ
ジットを“１″にセットし、この結果得られるディジタ
ル値をアナログ値に変換して入力値と比較し、以下同様
の動作を行う。

アナログ値から最終的に得られたディジタル表示はレジ
スタにストアされ、このレジスタから並列に伝送される
。

高速かつ高精度なＡ／Ｄコンバータを製造しようとする
場合には、逐次比較ループに使用されるＤ／Ａコンバー
タ内の正確な基準（抵抗）の範囲の不足による制限があ
り、更に高精度なコンパレータが必要とされる。

゛　課題を解決するための手段及び作用本発明の一つの
観点によれば、少なくとも１つの超電導ループを有する
逐次比較形アナログ−ディジタルコンバータが与えられ
る。

本発明の別の観点によれば、基準レベルとして用いられ
る磁束發子をストアするための超電導ループよりなるデ
ィジタル−アナログコンバータを有する逐次比較形ｎビ
ットアナログ−ディジタルコンバータが与えられる。

本発明の更に別の観点によれば、検知ローブ。

磁束発生ローブ、及びｎｌ！の別のローブを有する超電
導ループと：非超電導の駆動ループと；基準磁束発生手
段と：各基準磁束を夫々ｎ個の別のローブのうちの１つ
に選択的に結合させる手段と；駆動ループの磁束を検知
ローブに選択的に結合させ、使用時に駆動ループ内の信
号をサンプルして対応する磁束を超電導ループに結合さ
せる手段と：磁束発生ローブの磁束を検出する磁力計と
を具備する逐次比較形ｎビットアナログ−ディジタルコ
ンバータが与えられる。

本発明の更に別の観点によれば、第１の電流を流して静
磁界の磁束を発生させる非超電導ループ。

１つのローブを前記非超電導ループと一列に並べ前記静
磁界の磁束をこれに結合させる超電導磁束変成器を具備
し、前記超電導磁束変成器の他のローブは単一ループス
ネアの超電導回路と一列に並べられ、前記静磁界の磁束
を前記スネ７超電導回路に結合させて直流電流を発生さ
せる、前記磁界の磁束を前記直流電流に変換する配置が
与えられる。

本発明の更に別の観点によれば、逐次比較形ｎピットア
ナログ−ディジタルコンバータは、非超電導の駆動ルー
プ、駆動ループと並べて設けられた検知ローブを有する
超電導ループ、！１束収束ローブ、ｎ個の他のローブを
具備し、更に他のローブに並べて設けられ夫々の他のロ
ーブに対する一連のｎ個の基準コイルよりなる非超電導
の基準コイル、基準コイルとこれに関連する他のローブ
との間秤非接触に配Ｉｉされた超電導遮蔽パッド、遮蔽
パッドを選択的に非超電導とする手段、を具備し、一連
の基準コイルは１．２．４，８．・・・２ｎ−１に対応
する基準磁束値を生成し、超電導ループよりなる磁束収
束ローブと並べて配置されこの磁束を検出する磁力計を
具備し、使用時にはサンプルされたアナログ信号に対応
する磁束が駆動ループから超電導ループに結合され磁束
収束ローブにおいて収束され、基準磁束は夫々の遮蔽パ
ッドを非超電導状態とすることにより超電導ループ中に
入るよう選択的に切換えられ、磁力計で計測される正味
ゼロの磁束はアナログ−ディジタル変換の完了に対応す
る、逐次比較形ｎビットアナログ−ディジタルコンバー
タが与えられる。

本発明の更に別の観点によれば、単一の入力磁束値から
一連のｎ個の基準磁束値を生成するよう配置された連続
する超電導回路を有する基準磁束ストア手段を与える。

以下本発明の具体例について添付図面の第２図乃至第８
図を参照しつつ説明する。

実施例 超電導物質よりなるループ内に誘起された電流は、温度
及び外部磁界の条件がこのループを非超電導とするよう
変化しない限り接続される。このような電流が循環する
結果このループの穴”を通る磁束が発生し、この磁束は
固定され量子化された値を持つ。この磁束は、ｈをブラ
ンク定数。

ｅを電子電荷としたときにｈ／２ｅと表わされる基本的
な量子の整数倍となる。

特定の電流ｉが第２ａ図の単純な超電導ループ１０を循
環している場合にはこのループを通る特定の磁束Ｏが発
生し、ここで磁束ＯはＬをこのループのインダクタンス
とすれば０−Ｌｉで与えられる。

第２ａ図は単一ローブのループを示しているが、第２ｂ
図は２つの同寸法のロー１１１及び１２を有するループ
を示している。第２図のループ中に特定の電流が循環す
るとこれに対応して回路（ループ）の内側全体を通る第
１の磁束が発生する。

超電導ループ内の磁束は保存されるので、もしも更に、
例えば２つのＸ　（ＸＸ）で示すローフ１１内を通る磁
束が紙面に向かって垂直に加えられると、この回路の内
側には等しい大きさで反対向きの磁束が発生し夫々のロ
ーブのインダクタンスに応じて回路の内側全体に分布す
る。この場合２つのローブの面積は等しいので、インダ
クタンスも等しく半分ずつの磁束が夫々のローブ内に生
じる。

この結果として、０−７１１に加えられた磁束の半分が
反転されてローフ１２に生じたことになり、磁束の伝達
が行われる。

このようなローブ構造及び弛の複数ローブ構造は以下の
説明に示されるように多くの超電導ループ間での結合を
可能とする。更に我々の英国特許出願＆　８８２２３６
１．５（Ｒ，Ｅ、　Ｊｏｎｅｓ　　２６−６−２−２ｘ
　）で開示されたように、超電導磁束の変換は第２ｃ図
に示す異なるインダクタンスの２つのローブ１３．１４
を伴う超電導回路（ループ）によって行われる。これは
１つの“回路”ループを螺旋形に巻回した２次元的なコ
イルとし、ローブ１３とこの螺旋コイルの内側の面積と
を等しくすることによってつくられる。第２Ｃ図の回路
中を循環する電流はこのループの内側全体を通るある大
きさの磁束を発生する。ロー１１３に対して外部から磁
束を加えると、この回路には等量逆向きの磁束を発生さ
せる電流が流れる。発生する磁束は夫々の相対的なイン
ダクタンスに従って分布する。即ちローブ１３．１４の
インダクタンスを夫々Ｌ１３゜Ｌ１４とすれば螺旋コイ
ル１４内の磁束は加えられた磁束全体のＬ　　／（Ｌ１
３＋Ｌ１４）となる。２つのローブ内の面積は等しいが
螺旋コイル１４により多くの磁束が発生するのでその磁
束はより収束され、螺旋コイル１４にはローフ１３より
も強い磁界が発生する。

超電導素子を含んだ逐次比較形アナログ−ディジタルコ
ンバータの基本的な配置を第３図に示す。

これは三つの層よりなっている。一番上の層は、８つの
ローフ３１を伴う連続的な減算／加算超電導回路３０．
検知ループ３２．及び２次元的螺旋コイル３３よりなり
、ローフ３１の夫々はＡＤＣの夫々のビットに対応し、
８ビツトＡＤＣを構成する。中間層は夫々がロー１３１
の夫々に並んで配置された一連の超電導遮蔽パッド３４
よりなる。

パッド３４のどれかに十分大きな電流が加えられると、
これはノーマル状態（非超電導状態）とされ、対応する
コイル３８内に磁束はこれと並べて設画されたローフ３
１と結合される。遮蔽バッド３４はこのパッドをノーマ
ル状態に変化させることができる電流スイッチング回路
（第３図には図示せず）に接続されており、磁束に対す
るスイッチ可能なバリアを与える。最下層のループ３６
は信号入力３７に接続された駆動ループ（非超電導）と
なり、検知ループ３２と並べて配置される。

一連のロー１３１のうちの夫々及び遮蔽パッド３４の夫
々に並べて一連の基準磁束コイル３８が設けられ、この
基準磁束コイルは夫々が例えば１゜２．４．８．１６．
・・・１２８と連続的に変化するターン数とされている
。このコイルは上述のように螺旋状とするのが好ましい
が、他の方法でも可能である。この螺旋基準コイルは電
流源３９に接続されている。最下層内の導線は全て非超
電導体とし、例えば銅を用いる。最下層には更にホール
素子などよりなる磁力計（コンパレータ）４０が設けら
れ、一番上の層のコイル３３の直下に並べて配置される
。

第３図の配置でアナログからディジタルへの変換を行う
場合は、まず変換すべき入力アナログ信号のサンプルが
予め決められた時刻に取り込まれて駆動ルーフ３６に加
えられる。

サンプル及びホールド素子を用いてもよいが、これは変
換が十分に速いレートで起こる場合、特にサンプリング
時間内に最下位デイジットが変化しない場合に必要とな
る。対応する磁束は螺旋状コイル３３内に発生しコンパ
レータ４０によって検出される。続いていくつかの遮蔽
バッド３４に電流を流すことによって、またはこれらの
電流を止めることによって、基準磁束によって超電導回
路３０内に発生される磁束をコンパレータ４０によって
計測される回路３０内の正味の磁束がゼロとなるまで連
続的にスイッチングする。こうなったときは逐次比較形
コンバータに対して入力アナログ信号のディジタル表示
が８つの螺旋コイル３８のどれが回路に磁場を与えてい
るかによって、言い換えると遮蔽バッド３４のうちどれ
が非超電導とされているかによって決定される１または
Ｏの組よりなるｎビットワード（本実施例ではｎ＝８）
が通常の形式で与えられる。

本実施例のように容置成分による遅延がないことによっ
て可能となる非常に高速なスイッチング及び基準コイル
３８によって生成される高精度な磁束によって、高精度
かつ高速なアナログ−ディジタルコンバータが実現され
る。

基準コイル３８及び電流源３９は、電流を流すことによ
って基準磁束ストア手段となる。超電導ループを用いた
基準磁束ストア手段の他の例については以下で説明する
。これは磁束スネアを用いたものである。

第４図は２層よりなる系を例示しており、これは例えば
銅線などの常電導体（非超電導）よりなるループ５１を
有し、直流電流源５２に接続されている。電流源５２は
ループ５１のまわりに流れる！！流１１を供給する。こ
のループは自己インダクタンスＬ１を有している。この
場合ループ５１を通って磁束φ１が発生し、これはφ１
＝Ｌ１　■１と表わされる。符号５３は、一端にローフ
５４、他端にロー１５５を有する超電導磁束変成ループ
を示す。ループ５１の層はループ５３の層と平行であり
ローブ５４はループ５１と並べて設けられ、磁束φ１は
全て超電導磁束変成ループ５３の一端、即ちローブ５４
に結合されている。

閉じた超電導ループは磁束を保存しなければならないた
め、ループ５３には等量適向きの磁束φ２を発生させる
電流Ｉ２が流れる。ここでループ５３の自己インダクタ
ンスをＬ２とすれば、これは２つのローブ５４と５５の
インダクタンス及び接続線５６のインダクタンスの和で
あり、Ｌ２＝Ｌ（ローブ５４）＋Ｌ（接続線）＋Ｌ（ロ
ー１５５） と表わされ、 φ２”Ｌ２１２＝−φ１ という関係がある。Ｌ（ローブ５４）−Ｌ（ローフ５５
）、Ｌ（ロー１５５）Ｌ　（接続線）とすれば、変成ル
ープの各ローブ５４．５５には−φ／２ユニットの磁束
が生じ、この結果ローブ５４とループ５１には正味φ１
／２の磁束が、またローフ５５には一φ１／２の磁束が
現われる。

この系に対して第５図に示すような磁束スネア５７を加
えループ５１と同じ層に配置すると、前記とは異なる結
果を生じる。磁束スネアはローブ５５に並べて設けられ
た独立した超電導ループよりなる。

例えば、ノーマルループ５１に＋１６ユニツトの磁束が
発生していると仮定する。第４図に示す配置では変成ル
ープの両端のローブに、＋１６ユニツトを打ち消すため
夫々−８ユニツトずつの磁束が発生する。しかし第５図
の場合には、ローフ５５内の一８ユニットの磁束は、そ
れ自身磁束を保存しなければならないスネア５７にも結
合する。

従ってスネア５７にはそのインダクタンスＬ３（＝Ｌ（
ローフ５５）−Ｌ（ローフ５４）を介して電流が流れ＋
８ユニツトの磁束を生じる。このため変成ループ５３は
＋１６プラス＋８−＋２４ユニツトの磁束を感じること
になり、その両端に一１２ユニットずつの磁束を生じる
よう電流を増加しければならない。このため更にスネア
は＋１２ユニツトの磁束が生じる。以下このようなプロ
セスが繰り返されて漸近的に平衡状態に近づく。平衡状
態になった時点以降はノーマルループ５１及びスネア５
７には夫々＋１６ユニツトの磁束が生じロー１５４と５
５には夫々−１６ユニツトの磁束が生じて、ループ及び
ローブ全体の正味の磁束は打ち消される。しかし電流は
この系の中を流れＩ（スネア）＝Ｉ（ループ５１） −２１（変成ループ５３） と表わされる。従ってループ５１内の静磁界の磁束はス
ネア５７に流れる直流電流に変換される。

第４図及び第５図に基づいた三層系の磁束変成器及び磁
束スネアを基準磁束ストア手段として用いることができ
、その−例を第７図に示す。しかしまずはじめに略同様
の配置である第６図について説明する。符号５１は再び
ノーマル状態のループを示し、５２は直流電流源を示す
。符号５３も再びローフ５４及び５５を両端に有する超
電導磁束変成ループを示す。符号５８．５９及び６０は
、そのローブが図に示すようにネットワーク状に配列さ
れた同様の超電導磁束変成ループを示す。符号６１．６
２．６３及び６４は、夫々１つのローブが他のループ／
ローブに並べて配列され（図中破線で示すように）、磁
束を結合する三重のループ／ローブを形成する同様の超
電導磁束変成ループを示す。符号５７及び６５は独立し
た超電導ループよりなるスネアを示す。全てのローブは
みな等しいインダクタンスＬを有し、これはスネアルー
プのそれとも等しい。磁束変成ループの接続線のインダ
クタンスは無視できる程度に小さい。

例として電流源５２はノーマルループ５１に対し、この
ノーマルループ５１がその内側に＋１６ユニツトの磁束
を発生するだけの電流を供給するものとする。この磁束
は変成器５３及び６１に結合される。これらの変成器は
その磁束を保存しなければならないため各ローブには必
然的に一８ユニットの磁束が生じることとなる。このた
めループ５３／ループ５１／ループ６１の三重部分の正
味の磁束はゼロとなる。しかし変成ループ５３のローブ
５における一８ユニットは変成ループ５８及び６２に結
合される。これら２つのループはその各端部のローブに
＋４ユニツトの磁束を生じることによって磁束を保存し
、再び三重部分の正味の磁束をゼロとする。このプロセ
スは線状に並んだ三重部分に沿って変成ループ６０及び
２つの磁束スネア５７．６５まで連続し、磁束スネア５
７゜６５には夫々−１／２ユニツトの磁束が生ずる。

磁束変成器６１乃至６４をスネア変成器と呼ぶ。

これらスネア変成器がないとすれば残りのループは全て
＋１６ユニツトまたは一１６ユニツトの磁束を生ずると
いうことに注意すべきである。

スネア変成器夫々はその大きさが１つ前のものの半分で
ある磁束を有し、スネア変成器の三重部分を構成しない
方のローブの磁束は夫々−８゜＋４．−２．＋１ユニツ
トとなっている。基準ストア手段として用いる場合には
、その極性は全て同じでなければならないが、こうする
ためには単純に例えば接続線６１及び６３の中央部分を
第７図に示すように交差させることによって＋８゜＋４
．＋２．＋１ユニツトの基準磁束を、または逆に接続線
６２及び６４を交差させて（図示せず）−８，−４，−
２，−１ユニツトの基準磁束を夫々前ることができる。

第７図の基準磁束ストア手段は、第８図に示す磁束アナ
ログ−ディジタルコンバータの基部として用いることが
できる。これは五層構造とされ、第６図及び第７図の三
層に加えてシールド６６を含む層とコレクタ（加算／減
算）の超電導ルー１６８を含む層とを含んでいる。コレ
クタルー１６８は４つのローブ７４．検知ループ７１及
び２次元螺旋コイル７２を有し、ロー７７４のひとつひ
とつはアナログ−ディジタルコンバータ（ＡＤＣ）の各
ビットに対応して図示する如く４ビツトＡＤＯを構成す
る。ゼロ磁界検出器として使用する磁力計（コンパレー
タ）が必要とされる。これは例えばホール素子７３を用
い、コイル７２の内側に配設される。ルー７６８内に螺
旋コイル７２を設けたことにより、ルー７６８に生じる
磁束はコイル７２に収束される。

シールド６６は超電導遮蔽パッドであり、この夫々はス
イッチング回路（図示せず）を介して電流源に接続され
ている。この電流源がシールドに対して十分大きい電流
を供給すればこれはノーマル（非超電導）状態に変化さ
れ、１つのループ、例えばスネア変成器６１に生じる磁
束はシールド６６を通り対応するローブ７４に結合する
。一方電流を流さないか流しても小さい電流のときは、
シールド６６は磁束に対してバリアとなる。

ループ６９は、信号！９！７０で示される変換すべき信
号に接続された非超電導駆動ループである。

駆動ループ６９は検知ループ７１に並べて配置される。

コレクタループ６８の各ロー１７４には、夫々のシール
ド６６及びスネア変成器６１乃至６４のうち三重部分を
構成しない方の基準磁束値を与えるローブが並べて配置
される。

第８図の配置でアナログからディジタルへの変換を行な
うためにノーマルループ５１に＋１６ユニツトの磁束が
発生するよう電流を流すと、上に述べたように基準磁束
ストア手段はスネア変成器６１から６４の三重部分を構
成しない方のローブに基準値（＋８．　＋４．　＋２．
＋１）を発生する。

シールド６６は最初は全て超電導状態である。変換すべ
きアナログ信号がサンプルされ駆動ループ６９に加えら
れると、これに対応する磁束が発生し検知ループ７１に
結合する螺旋コイル７２によってコレクタルー７６８に
結合された磁束は螺旋コイル内に収束され、ホール素子
７３によって検出される。続いてホール素子７３で計測
されるコレクタルー７６８内の磁束がゼロとなるまで、
シールド６６に電流を流すことによって／シールド６６
から電流を取り去ることによって、コレクタルー７６８
に加わる基準磁束を連続的にスイッチングする。計測さ
れる磁束がゼロとなったときにはコレクタループに磁束
を与えているスネア変成器６１乃至６４で、言い換える
と非超電導とされたシールド６６で決定される１とＯの
組み合せよりなるｎビットワード（この例ではｎ−４）
によって、入力ディジタル信号に対するディジタル表示
が逐次比較形コンバータに対する通常の方法で与えられ
る。

上で述べた超電導の構造及び他の構造は種々の方法で製
造することができる。多層構造の特性を考慮すると、各
層を絶縁材で分離してスクリーン印ｅ１１．ＭＯｃＶＤ
、或いはスパッタリングなどを行うのが適当であろう。

超電導ループはこのような方法でつくるか、または超電
導ワイヤをループ状に形成してもよい。非超電導ループ
も同様に形成される。新しい高温超電導物質を用いるこ
とは必ずしも必要なことではないが、用いれば有利であ
る。使用し得る超電導物質としてはニオブ−ニオブ窒化
物（４，２ｋ）、ＹＢａ　　Ｃｕ３０７−ｘ（９５ｋ＞
或いはタリウムをベースとした化合物（１２５ｋ）があ
る。

本発明が提供する高速、高精度のアナログ−ディジタル
コンバータは、特にレーダーシステムのフロントエンド
におけるようなデータ収集システム、ディジタルラジオ
、その他高速な信号処理が必要とされるものに応用され
る。

発明の効果 本発明になる°アナ０グーディジタルコンバータは、超
電導ループ構造を用いることにより、容量成分による遅
延がなく高速に、かつ高精度に動作する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の代表的な逐次比較形Ａ／Ｄコンバータの
ブロック因、 第２ａ図、第２ｂ図及び第２Ｃ図は３つの超電導ループ
の形態を示す図、 第３図は超電導ループに基づいた３層構造のアナログ−
ディジタルコンバータを展開した図、第４図は磁束を超
電導磁束変成ループに結合される２Ｍ配置を示す図、 第５図は磁束を電流に変換する２層配置を示す図、 第６図は磁束変成ループの三層配置を示す図、第７図は
基準磁束ストア手段を有する磁束変成ループの三層配置
を示す図、 第８図は超電導ループを有し第７図の基準磁束ストア手
段とともに用いられるアナログ−ディジタルコンバータ
の五層配置を示す図である。 ３０．６８・・・超電導ループ、５３．５８．５９゜６
０．６１〜６４・・・超電導磁束変成ループ、５７゜６
５・・・磁束スネア、３４．６６・・・超電導遮蔽パッ
ド、３６．６９・・・駆動ループ、７１・・・検知ロー
ブ、７２・・・磁束収束ローブ、７３・・・ホール素子
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも１つの超電導ループ（３０；６８）を有
   することを特徴とする逐次比較形アナログ−ディジタル
   コンバータ。 ２、基準レベルとして用いられる磁束量子をストアする
   ための超電導ループ（６１〜６４）を有するディジタル
   −アナログコンバータを具備することを特徴とする逐次
   比較形ｎビットアナログ−ディジタルコンバータ。 ３、磁束量子の基準レベルがコントロール回路（６６）
   によって結合される加算／減算超電導ループ（６８）、
   及び使用時には変換されるべきアナログ信号が供給され
   る非超電導駆動ループ（６９）を具備することを特徴と
   する請求項２記載のコンバータ。 ４、加算／減算超電導ループ（６８）は検知ローブ（７
   １）、磁束収束ローブ（７２）及びｎ個の他のローブ（
   ７４）を具備することを特徴とする請求項３記載のコン
   バータ。 ５、検知ローブ（３２；７１）、磁束収束ローブ（３３
   ；７２）及びｎ個の他のローブ（３１；７４）を有する
   超電導ループ（３０；６８）と；非超電導駆動ループ（
   ３６；６９）と；ｎ個の基準磁束を発生する手段（３８
   ；６１〜６４）と；各基準磁束をｎ個の他のローブに選
   択的に結合させる手段（３４；６４）と；駆動ループに
   おける磁束を検知ローブに選択的に結合させ、使用時に
   は駆動ループ内の信号をサンプルして対応する磁束を超
   電導ループに結合させる手段と；収束ローブにおける磁
   束を検出する磁力計（４０；７３）とを具備することを
   特徴とする逐次比較形ｎビットアナログ−ディジタルコ
   ンバータ。６、前記磁束を選択的に結合させる手段は、
   超電導遮蔽（３４；６６）及び磁束を結合させる必要が
   あるときにこれらを選択的に非超電導とする手段とを具
   備することを特徴とする請求項５記載のアナログ−ディ
   ジタルコンバータ。 ７、磁力計がホール素子であることを特徴とする請求項
   ５または６記載のアナログ−ディジタルコンバータ。 ８、ｎ個の基準磁束を発生する手段は、単一の入力磁束
   値からｎ個の一連の基準磁束値を生成するよう配置され
   た連続する超電導回路（５３、５８、５９、６０、５７
   、６５、６１〜６４）を具備することを特徴とする請求
   項５記載のアナログ−ディジタルコンバータ。 ９、超電導回路はｎ個の超電導磁束変成器（５３、５８
   、５９、６０）及びｎ個のスネア磁束変成器（６１〜６
   ４）を具備し、基準磁束値はスネア磁束変成器の第１の
   ローブにおいて発生されることを特徴とする請求項８記
   載のアナログ−ディジタルコンバータ。 １０、単一の入力磁束値が発生される非超電導ループ（
   ５１）が第１のスネア変成器（６１）の第２のローブ及
   び第１の前記超電導磁束変成器（５３）の第１のローブ
   に並べて三重に配置され；第１の前記超電導磁束変成器
   の第２のローブは第２の前記超電導磁束変成器（５８）
   の第１のローブ及び第２の前記スネア変成器（６２）の
   第２のローブに並べて三重に配置され；第２の前記超電
   導磁束変成器の第２のローブは第３の前記超電導変成器
   （５９）の第１のローブ及び第３の前記スネア変成器（
   ６３）の第２のローブに並べて三重に配置され；以下同
   様にして、第ｎの前記超電導磁束変成器（６０）の第２
   のローブは２つの単一のループである超電導回路（５７
   、６５）に三重に結合され、第１のスネア変成器（６１
   ）に与えられる基準磁束値は入力磁束値の半分であり、
   第２のスネア変成器（６２）に与えられる基準磁束値は
   入力磁束値の４分の１であり、第３のスネア変成器（６
   ３）に与えられる基準磁束値は８分の１であり、以下同
   様であることを特徴とする請求項９記載のアナログ−デ
   ィジタルコンバータ。 １１、第１の電流が流れて静磁界を発生する非超電導ル
   ープ（５１）と、１つのローブ（５４）が前記非超電導
   ループ（５１）と並べられて前記静磁界をこれに結合さ
   せ、別のローブ（５５）が単一ループのスネア超電導回
   路（５７）と並べられて前記静磁界を前記スネア超電導
   回路に結合させて直流電流を発生させる超電導磁束変成
   器とを具備することを特徴とし、前記静磁界を直流電流
   に変換する配置。 １２、非超電導駆動ループ（３６）と、この駆動ループ
   （３６）に並べて配置された検知ローブ（３２）を有す
   る超電導ループ（３０）と、磁束収束ローブ（３１）と
   、ｎ個の他のローブ（３１）と、各他のローブ（３１）
   に対するｎ個の一連の基準コイルである非超電導基準コ
   イル（３８）とを具備し、この基準コイルは他のローブ
   と並べて配置され、超電導遮蔽パッド（３４）は各基準
   コイルとこれに関連する他のローブの間に非接触に配置
   され、遮蔽パッドを選択的に非超電導とする手段を設け
   、一連の基準コイルは連続する１、２、４、８、・・・
   、２＾ｎ＾−＾１に対応する基準磁束値を発生し、超電
   導ループの磁束収束ローブ（３１）に並べて配置されこ
   の磁束を検出する磁力計（４０）を設け、使用的にはサ
   ンプルされたアナログ信号に対応する磁束を駆動ループ
   から超電導ループに結合させて磁束収束ローブに収束さ
   せ、夫々の遮蔽パッドを非超電導とすることにより基準
   磁束を選択的に超電導ループ中へスイッチングし、磁力
   計によつて計測される正味ゼロの磁束がアナログからデ
   ィジタルへの変換の終了に対応することを特徴とする逐
   次比較形ｎビットアナログ−ディジタルコンバータ。 １３、単一の入力磁束値からｎ個の一連の磁束基準値を
   生成するよう配置された連続する超電導回路（５３、５
   ８、５９、６０、５７、６５、６１〜６４）を設けたこ
   とを特徴とする基準磁束ストア手段。 １４、超電導回路はｎ個の超電導磁束変成器（５３、５
   ８、５９、６０）及びｎ個のスネア磁束変成器（６１〜
   ６４）を有し、基準磁束値はスネア磁束変成器の第１の
   ローブに発生することを特徴とする請求項１３記載のス
   トア手段。 １５、単一の入力磁束値を発生する非超電導ループ（５
   １）を設け、この非超電導ループ（５１）は第１のスネ
   ア変成器（６１）の第２のローブ及び第１の前記超電導
   磁束変成器（５３）の第１のローブに並べて三重に配置
   され；第１の前記磁束変成器（５３）の第２のローブは
   第２の前記超電導磁束変成器（５８）の第１のローブ及
   び第２の前記スネア変成器（６２）の第２のローブに並
   べて三重に配置され；第２の前記超電導磁束変成器（５
   ８）の第２のローブは第３の前記超電導磁束変成器（５
   ９）の第１のローブ及び第３の前記スネア変成器（６３
   ）の第２のローブに並べて三重に設けられ；以下同様に
   して、第ｎの前記超電導磁束変成器（６０）は２つの単
   一ループのスネア超電導回路（５７、６５）に三重に結
   合し、第１のスネア変成器（６１）における基準磁束値
   は入力磁束値の半分であり、第２のスネア変成器（６２
   ）における基準磁束値は入力磁束値の４分の１であり、
   第３のスネア変成器（６３）における基準磁束値は入力
   磁束値の８分の１であり、以下同様であることを特徴と
   する請求項１４記載のストア手段。