JPH01190263A - 電力制御装置 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/12—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC
- G05F1/40—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices
- G05F1/44—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only
- G05F1/45—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being controlled rectifiers in series with the load
- G05F1/455—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is AC using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices semiconductor devices only being controlled rectifiers in series with the load with phase control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/725—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for AC voltages or currents
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- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は交流回路の開閉制御装置の制御方式として利用
した装置により、電力系統の電力送配電線路の電圧制御
装置および末端の電力需要家へ供給する電力の電圧制御
装置に関するもので、具体的には静電誘導（ＳＩ）サイ
リスタを使用した交流制御回路の光トリが制御方式によ
る送配電線路等の電力系統の電力制御装置に関する。
した装置により、電力系統の電力送配電線路の電圧制御
装置および末端の電力需要家へ供給する電力の電圧制御
装置に関するもので、具体的には静電誘導（ＳＩ）サイ
リスタを使用した交流制御回路の光トリが制御方式によ
る送配電線路等の電力系統の電力制御装置に関する。
［従来の技術］
従来、交流回路の制御に用いられる電力用半導体素子と
しては、トライアック、またＳＣＲ（サイリスタ）や、
ＧＴＯ（ｆ−トターンオフサイリスタ）を逆並列接続さ
れ次回賭方式が主として使用されている。従来の電力送
配電線路の電力制御装置の場合、電力用半導体素子を用
いた交流回路の制御は、電圧の極性にかかわらず、互い
に逆並列接続した二つの電力用半導体素子に同時に短い
パルス幅の電気的トリが信号全印加する方式や、電流の
位相に合わせてトリが信号を印加する方式が一般的であ
る。
しては、トライアック、またＳＣＲ（サイリスタ）や、
ＧＴＯ（ｆ−トターンオフサイリスタ）を逆並列接続さ
れ次回賭方式が主として使用されている。従来の電力送
配電線路の電力制御装置の場合、電力用半導体素子を用
いた交流回路の制御は、電圧の極性にかかわらず、互い
に逆並列接続した二つの電力用半導体素子に同時に短い
パルス幅の電気的トリが信号全印加する方式や、電流の
位相に合わせてトリが信号を印加する方式が一般的であ
る。
［発明が解決しようとする問題点コ
ＳＣＲやＧＴＯ等の電力用半導体素子を使用した場合、
素子自体の特性によりスイッチング速度が遅いことや、
オン電圧が高りことなどから、電力損失が大きくなると
いう問題点がある。また導通直後に素子内部で電流が集
中する現象による熱破壊や急激な電圧上昇等に対する過
度的な破壊耐量が静電誘導（ＳＩ）サイリスタに比べ小
さく、素子破壊に至らないまでも、その時の電力損失が
問題となる。
素子自体の特性によりスイッチング速度が遅いことや、
オン電圧が高りことなどから、電力損失が大きくなると
いう問題点がある。また導通直後に素子内部で電流が集
中する現象による熱破壊や急激な電圧上昇等に対する過
度的な破壊耐量が静電誘導（ＳＩ）サイリスタに比べ小
さく、素子破壊に至らないまでも、その時の電力損失が
問題となる。
次に、素子のオン、オフ制御をするため、ＳＣＲやＧＴ
Ｏのダート回路と主電力回路とは電気的に絶縁されてお
らず、誘導雑音等の電気的雑音による誤動作の問題点が
ある。オン制御については、従来の場合、ノｆルストラ
ンス等を使用している友め、ダート駆動回路が大きくな
るという問題点がある。
Ｏのダート回路と主電力回路とは電気的に絶縁されてお
らず、誘導雑音等の電気的雑音による誤動作の問題点が
ある。オン制御については、従来の場合、ノｆルストラ
ンス等を使用している友め、ダート駆動回路が大きくな
るという問題点がある。
オフ制御については、ＳＣＲの場合には、交流の極性が
反転した時にオフする自然転流ターンオフであり、ＧＴ
Ｏの場合には、ターンオフするためのｒ−）電流が大き
く、ターンオフ電荷量も大きいためダート回路も大がか
りＫなるという問題点がある。
反転した時にオフする自然転流ターンオフであり、ＧＴ
Ｏの場合には、ターンオフするためのｒ−）電流が大き
く、ターンオフ電荷量も大きいためダート回路も大がか
りＫなるという問題点がある。
更にオン制御にあたって、電流の位相によって、トリガ
のＩインド１−電流の位相に合わせる必要があり、転流
オフ方式の場合でも電流の位相検出機能を付加する必要
があり、かつ短いノ臂ルス幅のトリガ信号ではトリガの
ポイントと電流の位相にずれが生じると、オン制御が不
可能となったり、スムーズなオン制御とならないため、
トリガのポイントは、電流の位相と正確に一致させなけ
ればならない等の問題点があり、電力制御装置も大型、
複雑になる。
のＩインド１−電流の位相に合わせる必要があり、転流
オフ方式の場合でも電流の位相検出機能を付加する必要
があり、かつ短いノ臂ルス幅のトリガ信号ではトリガの
ポイントと電流の位相にずれが生じると、オン制御が不
可能となったり、スムーズなオン制御とならないため、
トリガのポイントは、電流の位相と正確に一致させなけ
ればならない等の問題点があり、電力制御装置も大型、
複雑になる。
［問題点を解決するための手段］
高速、低損失で高ｄｖ／ｄｔ耐量、高ｄｉ／ｄｔｉＭ量
のためにスイッチング時に熱破壊し難い等の特徴を有す
る静電誘導（ＳＩ ）サイリスタを互いに逆並列に接続
し、オン信号を発光ダイオード等による光信号とし、光
ファイバー等の光伝送媒体を介して伝送することにより
、主電力回路とダート回路を電気的に絶縁することで、
誘導雑音等の電気的雑音による誤動作を防止できる。
のためにスイッチング時に熱破壊し難い等の特徴を有す
る静電誘導（ＳＩ ）サイリスタを互いに逆並列に接続
し、オン信号を発光ダイオード等による光信号とし、光
ファイバー等の光伝送媒体を介して伝送することにより
、主電力回路とダート回路を電気的に絶縁することで、
誘導雑音等の電気的雑音による誤動作を防止できる。
また、光オン信号を入力電圧のゼロクロスを基準に前後
共９０°以内の位相角の間、比較的長いパルスでトリガ
することで、電流の位相に無関係に電流の導通制御が可
能で電流の位相検出機能を付加しなくともすむ念め、本
発明を利用した電力制御装置は小型で簡単なものとなる
。
共９０°以内の位相角の間、比較的長いパルスでトリガ
することで、電流の位相に無関係に電流の導通制御が可
能で電流の位相検出機能を付加しなくともすむ念め、本
発明を利用した電力制御装置は小型で簡単なものとなる
。
更に静電誘導（ＳＩ）サイリスタのオフ信号を光または
電気信号とすることにより、オフ制御も可能であり、そ
の時に消費する電力は、ＧＴＯ等のオフ制御に比べ極め
て小さい。
電気信号とすることにより、オフ制御も可能であり、そ
の時に消費する電力は、ＧＴＯ等のオフ制御に比べ極め
て小さい。
したがってオフ制御におけるモードは次の三種類があり
、数ｋＨｚ以下の低周波の交流では転流ターンオフモー
ド、数ｋＨｚ〜数１０ ｋＨｚ以上の比較的高い周波数
の場合には、光または電気信号によるターンオフモード
があげられる。
、数ｋＨｚ以下の低周波の交流では転流ターンオフモー
ド、数ｋＨｚ〜数１０ ｋＨｚ以上の比較的高い周波数
の場合には、光または電気信号によるターンオフモード
があげられる。
［作用］
上記構成によれば、交流の正、負の極性に同期して、光
オン信号を静電誘導（ＳＩ）サイリスタへ印加すること
で、交流の導通制御ができ、かつ、光オン信号を比較的
長いパルスとすることで、電流の位相変化に対応できる
。また、交流の極性が変化する前に光または電気による
オフ信号を静電誘導（ＳＩ）サイリスタへ印加すること
で、オフすることができるものである。
オン信号を静電誘導（ＳＩ）サイリスタへ印加すること
で、交流の導通制御ができ、かつ、光オン信号を比較的
長いパルスとすることで、電流の位相変化に対応できる
。また、交流の極性が変化する前に光または電気による
オフ信号を静電誘導（ＳＩ）サイリスタへ印加すること
で、オフすることができるものである。
［実施例コ
以下図面を参照して実施例を説明する。
第１図は実施例１で、第２図は実施例における各部の波
形タイムチャートである。第１図の二つの静電誘導（Ｓ
Ｉ ）サイリスタ１及び２ｔ−逆並列した回路（以下Ｓ
Ｉサイリスタ交流スイッチ）で正の半波の交流電流が流
れる静電誘導（ＳＩ）サイリスタ１（以下５ＩＴｈｙ
１ ）と負の半波の交流電流が流れる静電誘導（ＳＩ）
サイリスタ２（以下５ＩＴｈｙ ２ ）に光トリが（Ｉ
、Ｔ）ドライバ１９からの発光ダイオード９および１０
の光オン信号ＬＴＩおよびＬＴ２を光ファイバー等の光
伝送媒体を介して伝送し照射することにより交流電流の
導通制御をするものである。第１図のＬＴドライバ１９
からの発光ダイオード９および１０の光オン信号ＬＴ１
．ＬＴ２は、ＰＴ１５からの電圧信号から位相制御部１
８で、光オン信号の出力タイミングを検出し、ＬＴドラ
イバＪｊＫ対し、タイミングノ９ルス（ＴＰ）が出力さ
れた時点で、第２図に示すように５ＩＴｈｙ １１へ光
オン信号ＬＴＩが、また５ＩＴｈｙ ２２へ光オン信号
ＬＴ２が比較的長いパルスで出力されるものである。
形タイムチャートである。第１図の二つの静電誘導（Ｓ
Ｉ ）サイリスタ１及び２ｔ−逆並列した回路（以下Ｓ
Ｉサイリスタ交流スイッチ）で正の半波の交流電流が流
れる静電誘導（ＳＩ）サイリスタ１（以下５ＩＴｈｙ
１ ）と負の半波の交流電流が流れる静電誘導（ＳＩ）
サイリスタ２（以下５ＩＴｈｙ ２ ）に光トリが（Ｉ
、Ｔ）ドライバ１９からの発光ダイオード９および１０
の光オン信号ＬＴＩおよびＬＴ２を光ファイバー等の光
伝送媒体を介して伝送し照射することにより交流電流の
導通制御をするものである。第１図のＬＴドライバ１９
からの発光ダイオード９および１０の光オン信号ＬＴ１
．ＬＴ２は、ＰＴ１５からの電圧信号から位相制御部１
８で、光オン信号の出力タイミングを検出し、ＬＴドラ
イバＪｊＫ対し、タイミングノ９ルス（ＴＰ）が出力さ
れた時点で、第２図に示すように５ＩＴｈｙ １１へ光
オン信号ＬＴＩが、また５ＩＴｈｙ ２２へ光オン信号
ＬＴ２が比較的長いパルスで出力されるものである。
次にオフ制御は第１図の５ＩＴｈｙ １’ １またはｓ
Ｉ’ｒｈｙ ２２を流れている電流は極性が反転した時
点で転流ターンオフするが、光ま几は電気信号によるオ
フ制御方式の場合は、５ＩＴｈｙ １１およびｓｘ’ｒ
ｈｙ ２２のｒ−ト電極５および６とカソード電極２７
および２８にオフ制御回路３および４を接続し、転流タ
ーンオフ以前に光クエンチ（ＬＱ）ドライバ２０からオ
フ制御回路３および４へ、第２図（＠）（ｆ）ｔ７ｔは
第２図（ｈ）（１）に示すように、光または電気による
オフ信号ＬＱＩおよびＬＱ２ｔ−印加することによって
、強制的にターンオフ制御をするものである。第２図（
ｅ ） （ｆ ）、および（ｈ）（１）に示すオフ信号
ＬＱＩおよびＬＱ２は第１図のＰＴ１５とＣＴＩ ６か
らの電圧と電流信号より、位相検出部１７で、電圧と電
流の位相差を検出することにより、電流の位相に対応し
て、位相制御部１８から、ＬＱドライバ２０へ出力され
るクエンチ用タイミング・母ルス（ＴＱＰ ）に同期し
て出力されるもので、電流の位相変化に対応できるもの
である。
Ｉ’ｒｈｙ ２２を流れている電流は極性が反転した時
点で転流ターンオフするが、光ま几は電気信号によるオ
フ制御方式の場合は、５ＩＴｈｙ １１およびｓｘ’ｒ
ｈｙ ２２のｒ−ト電極５および６とカソード電極２７
および２８にオフ制御回路３および４を接続し、転流タ
ーンオフ以前に光クエンチ（ＬＱ）ドライバ２０からオ
フ制御回路３および４へ、第２図（＠）（ｆ）ｔ７ｔは
第２図（ｈ）（１）に示すように、光または電気による
オフ信号ＬＱＩおよびＬＱ２ｔ−印加することによって
、強制的にターンオフ制御をするものである。第２図（
ｅ ） （ｆ ）、および（ｈ）（１）に示すオフ信号
ＬＱＩおよびＬＱ２は第１図のＰＴ１５とＣＴＩ ６か
らの電圧と電流信号より、位相検出部１７で、電圧と電
流の位相差を検出することにより、電流の位相に対応し
て、位相制御部１８から、ＬＱドライバ２０へ出力され
るクエンチ用タイミング・母ルス（ＴＱＰ ）に同期し
て出力されるもので、電流の位相変化に対応できるもの
である。
上記のオン、オフ制御によって、負荷電流ＩＬは第２図
（ｄ） （ｇ） Ｋ示す波形となり、ま念、Ｓエサイリ
スク交流スイッチ端子７および８間の電圧と電流は第１
２図（、） （ｂ）に示す波形である。但し、電圧波形
は反転させたものである。
（ｄ） （ｇ） Ｋ示す波形となり、ま念、Ｓエサイリ
スク交流スイッチ端子７および８間の電圧と電流は第１
２図（、） （ｂ）に示す波形である。但し、電圧波形
は反転させたものである。
上記のオフ制御方式はオフ回路３および４の構成要素で
、光あるいは電気信号による制御方式となるもので、電
気的信号による能動素子であるならば、オフ信号は電気
信号になり、静電誘導光トランジスタ等の光感応素子で
あれば、発光ダイオード１１および１２等の光信号ＬＱ
Ｉ及びＬＱ２による制御方式となるものである。
、光あるいは電気信号による制御方式となるもので、電
気的信号による能動素子であるならば、オフ信号は電気
信号になり、静電誘導光トランジスタ等の光感応素子で
あれば、発光ダイオード１１および１２等の光信号ＬＱ
Ｉ及びＬＱ２による制御方式となるものである。
第３図は実施例２で第４図は実施例の各部の波形タイム
チャートである。第１図に示した実施例１に示した構成
と同一部分には、同一符号を付し、その詳細な説明は省
略する。
チャートである。第１図に示した実施例１に示した構成
と同一部分には、同一符号を付し、その詳細な説明は省
略する。
第３図は転流オフ方式を用いる場合の構成で、第４図（
ｂ）および（Ｃ）に示す光オン信号ＬＴＩ、ＬＴ２ｔ−
ＰＴ１５からの交流電源１３に同期した電圧信号カゼロ
クロスする時点より、位相角で、９００前方から１８０
０の位相角の間、比較的長いパルスを、ＬＴドライバ１
９から５ＩＴｈ７１１および５ＩＴｈ７２２へ第４図（
ｂ）（ｃ）に示すように交互に出力することで、負荷１
４の種類による第４図（ｄ）（・）に示す電流の位相変
化に対応して、交流電流の導通制御ができる。上記実施
例では発光ダイオード９および１０の光オン信号ＬＴＩ
、ＬＴ２ｔ−１交流電源１３に同期した電圧信号のゼ
ロクロスする時点より、時間で２ ｍｓ早く出力するよ
うに位相制御部１８で設定し、５ ｍｓの間継続して出
力するようにＬＴドライバ１９で設定した場合のもので
、８Ｉサイリスタ交流スイツチ端子７および８間電圧と
電流および光オン信号ＬＴＩ、ＬＴ２は第１３図および
第１４図に示すような波形となる。
ｂ）および（Ｃ）に示す光オン信号ＬＴＩ、ＬＴ２ｔ−
ＰＴ１５からの交流電源１３に同期した電圧信号カゼロ
クロスする時点より、位相角で、９００前方から１８０
０の位相角の間、比較的長いパルスを、ＬＴドライバ１
９から５ＩＴｈ７１１および５ＩＴｈ７２２へ第４図（
ｂ）（ｃ）に示すように交互に出力することで、負荷１
４の種類による第４図（ｄ）（・）に示す電流の位相変
化に対応して、交流電流の導通制御ができる。上記実施
例では発光ダイオード９および１０の光オン信号ＬＴＩ
、ＬＴ２ｔ−１交流電源１３に同期した電圧信号のゼ
ロクロスする時点より、時間で２ ｍｓ早く出力するよ
うに位相制御部１８で設定し、５ ｍｓの間継続して出
力するようにＬＴドライバ１９で設定した場合のもので
、８Ｉサイリスタ交流スイツチ端子７および８間電圧と
電流および光オン信号ＬＴＩ、ＬＴ２は第１３図および
第１４図に示すような波形となる。
ここで第１３図は電流の位相が進んだ場合であり、第１
４図は電流の位相が遅れ九場合のものである。
４図は電流の位相が遅れ九場合のものである。
第５図は実施例３で第８図および第９図は第５図のＳＩ
サイリスタ交流スイッチ１０１，１０２および１０３の
詳細な回路図であり、第３図に示し友実施例２の構成と
同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略す
る。第８図はＳ Ｉ Ｔｈ７１１および５ＩＴｈｙ ２
２の逆耐圧が小さい場合の回路図で、ダイオード２０１
および２０２を接続して、逆方向の電圧から保護してい
る。また第９図は５ＩＴｈｙ １１および５ＩＴｈ７２
２の逆耐圧が大きい場合の回路図である。
サイリスタ交流スイッチ１０１，１０２および１０３の
詳細な回路図であり、第３図に示し友実施例２の構成と
同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略す
る。第８図はＳ Ｉ Ｔｈ７１１および５ＩＴｈｙ ２
２の逆耐圧が小さい場合の回路図で、ダイオード２０１
および２０２を接続して、逆方向の電圧から保護してい
る。また第９図は５ＩＴｈｙ １１および５ＩＴｈ７２
２の逆耐圧が大きい場合の回路図である。
第５図の単巻変圧器１００は入力側に１段目のタッグＴ
１と２段目のタップＴ２および３段目のタッｆＴ３ｆ取
りだせる構造で、Ｔｌ、Ｔ２およびＴ３に対応した巻数
をそれぞれＪ＋ １１２１ Ｊとし九場合、その巻数に
ついてＥｌ １ ＞ ｎ ２ ＞ ｆ１５の関係があり
、また出力側の巻数はれである。
１と２段目のタップＴ２および３段目のタッｆＴ３ｆ取
りだせる構造で、Ｔｌ、Ｔ２およびＴ３に対応した巻数
をそれぞれＪ＋ １１２１ Ｊとし九場合、その巻数に
ついてＥｌ １ ＞ ｎ ２ ＞ ｆ１５の関係があり
、また出力側の巻数はれである。
実施例３の一連の動作は第５図のマイクロコンピュータ
−１１１のプログラムに従って制御されるもので、プロ
グラムがスタートすると単巻変圧器１００の２段目のタ
ッグで２に接続したＳＩサイリスタ交流スイッチ１０２
０制御信号がマイクロコンピュータ−１１１から出力さ
れるものである。
−１１１のプログラムに従って制御されるもので、プロ
グラムがスタートすると単巻変圧器１００の２段目のタ
ッグで２に接続したＳＩサイリスタ交流スイッチ１０２
０制御信号がマイクロコンピュータ−１１１から出力さ
れるものである。
この制御信号により単巻変圧器１００のＴ２に接続し７
ｔＳＩサイリスタ交流スイツチ１０２の第８図および第
９図に示す５ＩＴｈ７１１およびＳＩＴｈｙ２２に、第
５図のＬＴドライバ１１２からの光オン信号ＬＴＩおよ
びＬＴ２が位相制御部１０４からのＴＰに同期して出力
され、元ファイバー等の光伝送媒体を介して伝送され、
第８図および第９図のｓｘ’ｒｈｙ １１を正の半波の
交流電流が流れ、５ＩＴｈｙ ２２ ？負の半波の交流
電流が流れて、第５図に示す単巻変圧器１００の巻線に
交流電流が流れ、相互誘導作用により単巻変圧器ｉｏｏ
の出力側に発生する。この相互誘導作用により、単巻変
圧器１００の出力側に発生する電圧と入力電圧の比は、
巻数比に比例するので、交流入力電源１０５の電圧をｖ
ｌ、出力側の電圧ｔ？ｖ２とすると、ｖｌ 町 ２ ｎ となる。
ｔＳＩサイリスタ交流スイツチ１０２の第８図および第
９図に示す５ＩＴｈ７１１およびＳＩＴｈｙ２２に、第
５図のＬＴドライバ１１２からの光オン信号ＬＴＩおよ
びＬＴ２が位相制御部１０４からのＴＰに同期して出力
され、元ファイバー等の光伝送媒体を介して伝送され、
第８図および第９図のｓｘ’ｒｈｙ １１を正の半波の
交流電流が流れ、５ＩＴｈｙ ２２ ？負の半波の交流
電流が流れて、第５図に示す単巻変圧器１００の巻線に
交流電流が流れ、相互誘導作用により単巻変圧器ｉｏｏ
の出力側に発生する。この相互誘導作用により、単巻変
圧器１００の出力側に発生する電圧と入力電圧の比は、
巻数比に比例するので、交流入力電源１０５の電圧をｖ
ｌ、出力側の電圧ｔ？ｖ２とすると、ｖｌ 町 ２ ｎ となる。
次にマイクロコンピュータ−１１１は単巻変圧器１００
の出力電圧ｖ２のＡ／Ｄ変換指令をＡ／Ｄ変換器１１０
に対し出力する。
の出力電圧ｖ２のＡ／Ｄ変換指令をＡ／Ｄ変換器１１０
に対し出力する。
Ａ／Ｄ変換器１１０は電圧検出部１０９を介して直流の
電圧に変換された出力電圧ｖ２ヲデジタル値に変換後、
マイクロコンぎニーター１１１に出力する。
電圧に変換された出力電圧ｖ２ヲデジタル値に変換後、
マイクロコンぎニーター１１１に出力する。
一方マイクロコンピューター１１１はＡ／Ｄ変換器１１
０からのデジタルデータをプログラムまたは外部設定部
１０６で設定し九設定値と比較する。この動作を周期的
に繰り返し、上記の動作中ニマイクロコンピューター１
１１は、Ａ／Ｉｌ換器１１０からのデジタルデータが、
プログラムま念は外部設定部１０６で設定した時間、継
続して設定値から外れた場合には、プログラムに従って
単巻変圧器の１段目のタッグＴ１あるいは３段目のタッ
グＴ３に接続し７’Ｃ８Ｉサイリスタ交流スイツチ１０
１，１０３へ制御全切換るための信号をＬＴドライバ１
１２に対し出力するもので、設定値１９５Ｖ〜１０５ｖ
、時間を５秒に設定した場合の実施例の詳細な動作につ
いて説明する。
０からのデジタルデータをプログラムまたは外部設定部
１０６で設定し九設定値と比較する。この動作を周期的
に繰り返し、上記の動作中ニマイクロコンピューター１
１１は、Ａ／Ｉｌ換器１１０からのデジタルデータが、
プログラムま念は外部設定部１０６で設定した時間、継
続して設定値から外れた場合には、プログラムに従って
単巻変圧器の１段目のタッグＴ１あるいは３段目のタッ
グＴ３に接続し７’Ｃ８Ｉサイリスタ交流スイツチ１０
１，１０３へ制御全切換るための信号をＬＴドライバ１
１２に対し出力するもので、設定値１９５Ｖ〜１０５ｖ
、時間を５秒に設定した場合の実施例の詳細な動作につ
いて説明する。
第５図の単巻変圧器１００の１段目のタッグＴ１ま念は
２段目のタッグＴ２に接続したＳＩサイリスタ交流スイ
ッチ１０１および１０２でマイクロコンピュータ−１１
１からの制御信号により、交流電流を制御している場合
に、負荷１０８の減少等により、負荷電流が小さくなり
、それに伴い単巻変圧器１００の出力電圧ｖ２が上昇し
几場合、マイクロコンピュータ−１１１は、Ａ／Ｄ変換
器１１０からの電圧検出部を介してＡ／Ｄ変換された出
力電圧ｖ２のデータが設定値（９５ｖ〜１０５Ｖ）より
大きいと判断した時点から、プログラムまたは外部設定
部１０６で設定した時間（５秒）継続した場合には、マ
イクロコンピュータ−１１１は、出力中の制御信号を中
断し、１段上のタッグＴ２またはＴ３に接続したＳＩサ
イリスタ交流スイッチ１０２および１０３の制御信号ｔ
−ＬＴドライバ１１２へ出力するものである。
２段目のタッグＴ２に接続したＳＩサイリスタ交流スイ
ッチ１０１および１０２でマイクロコンピュータ−１１
１からの制御信号により、交流電流を制御している場合
に、負荷１０８の減少等により、負荷電流が小さくなり
、それに伴い単巻変圧器１００の出力電圧ｖ２が上昇し
几場合、マイクロコンピュータ−１１１は、Ａ／Ｄ変換
器１１０からの電圧検出部を介してＡ／Ｄ変換された出
力電圧ｖ２のデータが設定値（９５ｖ〜１０５Ｖ）より
大きいと判断した時点から、プログラムまたは外部設定
部１０６で設定した時間（５秒）継続した場合には、マ
イクロコンピュータ−１１１は、出力中の制御信号を中
断し、１段上のタッグＴ２またはＴ３に接続したＳＩサ
イリスタ交流スイッチ１０２および１０３の制御信号ｔ
−ＬＴドライバ１１２へ出力するものである。
一方、本実施例におけるＬＴ？９ＴＰ１１２は、マイク
ロコンピュータ−１１１から制御信号が出力された際に
、光オン信号ＬＴ２から出力する回路構成であるため、
制御信号を入力したＬＴｌ’１イパ１１２は、光オン信
号ＬＴＩの出力終了後、１段上のタップＴ２−１たＩｄ
Ｔ３に接続したＳＩサイリスタ交流スイッチ１０２およ
び１０３の第８図および第９図に示す５ＩＴｈ７１１お
よびＳ工’ｒｈｙ ２２に対し、第５図の位相制御部１
０４からのＴＰに同期して光オン信号ＬＴ２から順次出
力し、光ファイバ等の光伝送媒体を介して伝送すること
により、ＳＩサイリスタ交流スイッチ１０２および１０
３の導通を制御すると共に、単巻変圧器１００のタッグ
切換を行うものである。上記のタッグ切換により、単巻
変圧器１００の出力側に発生する出力電圧ｖ２と入力電
圧ｖ１の比は となって、タッグ切換前の出力電圧と比べｎｚ／Ｉｌ
を友はｆｋ ３ ／ ｎ ２倍となるため、負荷１０８
の減少等による出力電圧変動分を補償するもので、第５
図の負荷１０８の電圧と電流はＴ１からで２へ切換っ念
場合は第１６図に示す波形で、Ｔ２からＴ３へ切換り念
場合は第１７図に示す波形になるものである。
ロコンピュータ−１１１から制御信号が出力された際に
、光オン信号ＬＴ２から出力する回路構成であるため、
制御信号を入力したＬＴｌ’１イパ１１２は、光オン信
号ＬＴＩの出力終了後、１段上のタップＴ２−１たＩｄ
Ｔ３に接続したＳＩサイリスタ交流スイッチ１０２およ
び１０３の第８図および第９図に示す５ＩＴｈ７１１お
よびＳ工’ｒｈｙ ２２に対し、第５図の位相制御部１
０４からのＴＰに同期して光オン信号ＬＴ２から順次出
力し、光ファイバ等の光伝送媒体を介して伝送すること
により、ＳＩサイリスタ交流スイッチ１０２および１０
３の導通を制御すると共に、単巻変圧器１００のタッグ
切換を行うものである。上記のタッグ切換により、単巻
変圧器１００の出力側に発生する出力電圧ｖ２と入力電
圧ｖ１の比は となって、タッグ切換前の出力電圧と比べｎｚ／Ｉｌ
を友はｆｋ ３ ／ ｎ ２倍となるため、負荷１０８
の減少等による出力電圧変動分を補償するもので、第５
図の負荷１０８の電圧と電流はＴ１からで２へ切換っ念
場合は第１６図に示す波形で、Ｔ２からＴ３へ切換り念
場合は第１７図に示す波形になるものである。
但し、３段目のタッグで３に接続したＳＩプサイスク交
流スイッチ１０３を制御している場合は出力電圧が設定
値以上に上昇しても、タッグ切換は行われないものであ
る。
流スイッチ１０３を制御している場合は出力電圧が設定
値以上に上昇しても、タッグ切換は行われないものであ
る。
次に第５図の単巻変圧器１００の２段目のタップＴ２ｔ
たは３段目のタッグＴ３に接続し念ＳＩサイリスタ交流
スイッチ１０２および１０３において、マイクロコンピ
ュータ−１１１からの制御信号により交流電流全制御し
ている場合に、負荷の増加等により、負荷’１１８が大
きくなり、それに伴い単巻変圧器１００の出力電圧ｖ２
が低下し念場合、マイクロコンピュータ−１１１はＡ／
Ｄ変換器１１０からの電圧検出部を介してＡ／Ｄ変換さ
れた出力電圧ｖ２のデータが設定値（９５Ｖ−１０５Ｖ
）より小さいと判断し友時点から、グロダラムまたは外
部設定部１０６で設定し要時間（５秒）継続した場合に
は、マイクロコンピー−ター１１１は、出力中の制御信
号を中断し、１段下のタッグＴ１″！たはＴ２に接続し
たＳＩサイリスタ交流スイッチ１０１および１０２０制
御信号をＬＴドライバ１１２へ出力するものである◎ 一方、上記の制御信号を入力したＬＴドライバ１１２は
光オン信号ＬＴＩの出力終了後、１段下のタラｆＴ１ま
たはＴ２に接続したＳＩサイリスタ交流スイッチ１０１
および１０２の第８図および第９図に示す５ＩＴｈｙ
１１および５ＩＴｈｙ ２２に対し、第５図の位相制御
部１０４からのＴＰに同期して元オン信号ＬＴ２から順
次出力し、光ファイバー等の光伝送媒体を介して伝送す
ることにより、ＳＩサイリスタ交流スイッチ１０１およ
び１０２の導通を制御すると共和、単巻変圧器１００の
タッグ切換を行うものである。
たは３段目のタッグＴ３に接続し念ＳＩサイリスタ交流
スイッチ１０２および１０３において、マイクロコンピ
ュータ−１１１からの制御信号により交流電流全制御し
ている場合に、負荷の増加等により、負荷’１１８が大
きくなり、それに伴い単巻変圧器１００の出力電圧ｖ２
が低下し念場合、マイクロコンピュータ−１１１はＡ／
Ｄ変換器１１０からの電圧検出部を介してＡ／Ｄ変換さ
れた出力電圧ｖ２のデータが設定値（９５Ｖ−１０５Ｖ
）より小さいと判断し友時点から、グロダラムまたは外
部設定部１０６で設定し要時間（５秒）継続した場合に
は、マイクロコンピー−ター１１１は、出力中の制御信
号を中断し、１段下のタッグＴ１″！たはＴ２に接続し
たＳＩサイリスタ交流スイッチ１０１および１０２０制
御信号をＬＴドライバ１１２へ出力するものである◎ 一方、上記の制御信号を入力したＬＴドライバ１１２は
光オン信号ＬＴＩの出力終了後、１段下のタラｆＴ１ま
たはＴ２に接続したＳＩサイリスタ交流スイッチ１０１
および１０２の第８図および第９図に示す５ＩＴｈｙ
１１および５ＩＴｈｙ ２２に対し、第５図の位相制御
部１０４からのＴＰに同期して元オン信号ＬＴ２から順
次出力し、光ファイバー等の光伝送媒体を介して伝送す
ることにより、ＳＩサイリスタ交流スイッチ１０１およ
び１０２の導通を制御すると共和、単巻変圧器１００の
タッグ切換を行うものである。
上記のタップ切換により、単巻変圧器１００の出力側に
発生する出力電圧ｖ２と入力電圧Ｖ、の比は、 となって、タッグ切換前の出力電圧と比べｎ、／ｎ２ま
７ｔＦｉｎ２／ｎ３倍となる友め、負荷１０８の増加等
による出力電圧変動分を補償するもので、第５図の負荷
１０８の電圧と電流はＴ２からＴＩへ切換った場合は第
１５図に示す波形になるものである。
発生する出力電圧ｖ２と入力電圧Ｖ、の比は、 となって、タッグ切換前の出力電圧と比べｎ、／ｎ２ま
７ｔＦｉｎ２／ｎ３倍となる友め、負荷１０８の増加等
による出力電圧変動分を補償するもので、第５図の負荷
１０８の電圧と電流はＴ２からＴＩへ切換った場合は第
１５図に示す波形になるものである。
但し、１段目のタッグＴ１に接続し几ＳＩサイリスタ交
流スイッチ１０１を制御している場合は′出力電圧が設
定値以下に低下しても、タッグ切換は行われないもので
ある。
流スイッチ１０１を制御している場合は′出力電圧が設
定値以下に低下しても、タッグ切換は行われないもので
ある。
第６図は実施例４で、第８図および第９図は第６図に示
すＳＩサイリスタ交流スイッチ、４０１゜４０２．４０
３，４０４，４０５，４０６の詳細な回路図であり、第
３図に示した実施例２に示した構成と同一部分には、同
一符号を付し、その詳細な説明は省略する。第８図は５
ＩＴｈ）ｙ １１および５ＩＴｈ７２ ｌの逆耐圧が小
さい場合の回路図で、ダイオード２０１および２０２ｔ
−接続して、逆方向の電圧から保護している。また第９
図は３ＩＴｈ７１１およびｓＩ’ｒｈｙ ２２の逆耐圧
が大きい場合の回路図である。
すＳＩサイリスタ交流スイッチ、４０１゜４０２．４０
３，４０４，４０５，４０６の詳細な回路図であり、第
３図に示した実施例２に示した構成と同一部分には、同
一符号を付し、その詳細な説明は省略する。第８図は５
ＩＴｈ）ｙ １１および５ＩＴｈ７２ ｌの逆耐圧が小
さい場合の回路図で、ダイオード２０１および２０２ｔ
−接続して、逆方向の電圧から保護している。また第９
図は３ＩＴｈ７１１およびｓＩ’ｒｈｙ ２２の逆耐圧
が大きい場合の回路図である。
第６図の単巻Ｖ結線三相変圧器４１０のＵ−Ｖ間の単巻
変圧器４０７およびＶ−Ｗ間の単巻変圧器４０８は入力
側に１段目のタッグｕ１．Ｗ１と２段目のタッグｕ２＋
ｔＦ２および３段目のタッグｕ、、ｖ。
変圧器４０７およびＶ−Ｗ間の単巻変圧器４０８は入力
側に１段目のタッグｕ１．Ｗ１と２段目のタッグｕ２＋
ｔＦ２および３段目のタッグｕ、、ｖ。
を取り出せる構造で、ｕ、、ｗｌの巻数をｆｉ１＋ ｕ
２＋ｗ２の巻数をｎ２． ｕ３１ ｗ５の巻数を１１３
とした場合、その巻数についてｆｌ １ ＞ １１２
＞ ｎ ５の関係があり、出力側の巻数は、それぞれｎ
である。
２＋ｗ２の巻数をｎ２． ｕ３１ ｗ５の巻数を１１３
とした場合、その巻数についてｆｌ １ ＞ １１２
＞ ｎ ５の関係があり、出力側の巻数は、それぞれｎ
である。
第６図の実施例はマイクロコンピュータ−４１５のグロ
グ２ムに従って制御されるもので、グロダラムがスター
トした場合には単巻Ｖ結線三相変圧器４１０の２段目の
タラ７’ｕ２．ｖ２に接続し友Ｓ！サイリスタ交流スイ
ッチ４０２および４０５の制御信号がマイク筒コンピュ
ーター４１５−１）ｈら、ＬＴドライバ１４１７および
ＬＴドライバ２４１８へ出力される。
グ２ムに従って制御されるもので、グロダラムがスター
トした場合には単巻Ｖ結線三相変圧器４１０の２段目の
タラ７’ｕ２．ｖ２に接続し友Ｓ！サイリスタ交流スイ
ッチ４０２および４０５の制御信号がマイク筒コンピュ
ーター４１５−１）ｈら、ＬＴドライバ１４１７および
ＬＴドライバ２４１８へ出力される。
ＬＴドライバ１４１７は光オン信号ＬＴｕ１およびＬＴ
ｕ２ ｅ、ま几ＬＴドライバ２４１８は光オン信号ＬＴ
Ｗ１およびＬＴ、２ ｔ、制御信号に対応するＳＩサイ
リスタ交流スイッチ４０２および４０５へ出力すること
で、交流電流の導通を制御して、単巻Ｖ結線三相変圧器
４１０の出力側に電圧が発生する。
ｕ２ ｅ、ま几ＬＴドライバ２４１８は光オン信号ＬＴ
Ｗ１およびＬＴ、２ ｔ、制御信号に対応するＳＩサイ
リスタ交流スイッチ４０２および４０５へ出力すること
で、交流電流の導通を制御して、単巻Ｖ結線三相変圧器
４１０の出力側に電圧が発生する。
次にマイクロコンピュータ−４１５はＡ／Ｄ変換器４１
４へ単巻Ｖ結線三相変圧器４１０のＵ−Ｗ間の単巻変圧
器４０７の出力電圧ｖｕｖ ｔ” Ａ／ Ｄ変換する指
＊１に出力する。Ａ／Ｄ変換器４１４は電圧検出部４１
３ｆ介して直流の電圧に変換され７’ｊＵ−Ｖ間の出力
電圧ｖｕｖｔ−デジタル値に変換して、マイクロコンピ
ュータ−４１５へ出力する。
４へ単巻Ｖ結線三相変圧器４１０のＵ−Ｗ間の単巻変圧
器４０７の出力電圧ｖｕｖ ｔ” Ａ／ Ｄ変換する指
＊１に出力する。Ａ／Ｄ変換器４１４は電圧検出部４１
３ｆ介して直流の電圧に変換され７’ｊＵ−Ｖ間の出力
電圧ｖｕｖｔ−デジタル値に変換して、マイクロコンピ
ュータ−４１５へ出力する。
一方、マイクロコンピー−ター４１５は入力したデジタ
ルデータ′ｆ：ｆログラムまたは外部設定部４１６で設
定した設定値と比較する。この動作を、単巻Ｖ結線三相
変圧器４１０のＶ−Ｗ間の単巻変圧器４０Ｂの出力電圧
ｖｖｖについても同様に行い、上記の動作を周期的に繰
返すものである。上記の動作中にマイクロコンピー−タ
ー４１５はＡ／Ｄ変換器４１４からの入力デジタルのい
づれかが、設定値から外れた状態でプログラムまたは外
部設定部４１６で設定し九時間、継続して経過し念場合
には、対応する単巻Ｖ結線三相変圧器４１０のタッグ切
換をプログラムに従って行うものである。
ルデータ′ｆ：ｆログラムまたは外部設定部４１６で設
定した設定値と比較する。この動作を、単巻Ｖ結線三相
変圧器４１０のＶ−Ｗ間の単巻変圧器４０Ｂの出力電圧
ｖｖｖについても同様に行い、上記の動作を周期的に繰
返すものである。上記の動作中にマイクロコンピー−タ
ー４１５はＡ／Ｄ変換器４１４からの入力デジタルのい
づれかが、設定値から外れた状態でプログラムまたは外
部設定部４１６で設定し九時間、継続して経過し念場合
には、対応する単巻Ｖ結線三相変圧器４１０のタッグ切
換をプログラムに従って行うものである。
タッグ切換の動作は、マイクロコンピュータ−４１５か
らの制御信号により、ＬＴドライバ１４１７およびＬＴ
ドライバ２４１８は、今まで出力していた光オン信号Ｌ
Ｔｕ１１ ＬＴｕ２１およびＬＴＷｌ。
らの制御信号により、ＬＴドライバ１４１７およびＬＴ
ドライバ２４１８は、今まで出力していた光オン信号Ｌ
Ｔｕ１１ ＬＴｕ２１およびＬＴＷｌ。
ＬＴ、２を中断し、制御信号に対応するＳＩサイリスタ
交流スイッチ４０１，４０２，４０３および４０４．４
０５，４０６へ元オン信号ＬＴｕ１ 、 ＬＴｕ２およ
びＬＴＷｌ、 ＬＴＷＺを位相制御部４１９からのＬＴ
ドライバー４１２に対するタイミングパルスＴＰＩおよ
びＬＴドライバ２４１８に対するタイミング・ぐルスＴ
Ｐ２に同期して出力することにより、単巻Ｖ結線三相変
圧器４１０のタップ切換が行われるものである。
交流スイッチ４０１，４０２，４０３および４０４．４
０５，４０６へ元オン信号ＬＴｕ１ 、 ＬＴｕ２およ
びＬＴＷｌ、 ＬＴＷＺを位相制御部４１９からのＬＴ
ドライバー４１２に対するタイミングパルスＴＰＩおよ
びＬＴドライバ２４１８に対するタイミング・ぐルスＴ
Ｐ２に同期して出力することにより、単巻Ｖ結線三相変
圧器４１０のタップ切換が行われるものである。
上記実施例において単巻Ｖ結線三相変圧器４１０の三相
交流電源４００の電圧が１００Ｖまたは三相負荷４０９
ｔ−抵抗１００Ωとし、設定値ｉ９５■〜１０５■およ
び時間を５秒に設定した場合の動作について説明する。
交流電源４００の電圧が１００Ｖまたは三相負荷４０９
ｔ−抵抗１００Ωとし、設定値ｉ９５■〜１０５■およ
び時間を５秒に設定した場合の動作について説明する。
第６図の単巻Ｖ結線三相変圧器４１０の［Ｊ−Ｖ間の単
巻変圧器４０７およびＶ−Ｗ間の単巻変圧器４０８の１
段目のタッグＵ およびＷｌまたは２段目のタラｆｕ
およびＷ２に接続したＳＩサイリスタ交流スイッチ（
４０１，４０２および４０４゜４０５ ）のいづれかを
マイクロコンピュータ−４１５からの制御信号により制
御している場合に、Ｕ−Ｖｌ＄ｆｌまたはｖ−ｗ間の出
力電圧ｖｕｖオよびｖｖＷの両方、ま几は一方が１０５
Ｖ以上に変化した状態が５秒間、継続した場合は、マイ
クロコンピュータ−１０５から対応するＬＴドライバ１
４１２およびＬＴドライバ２４Ｊ、９に対し、現在のタ
ップｕ、、ｖ、ま九はｕ２＋ Ｗ２から１段上のタラ７
’ ｕ２１ ｗ２またはｕ、、 ｗ３ＶＣ接続したＳＩ
プサイスク交流スイッチ４０２，４０５または４０３゜
４０６に切換える制御信号が出力される。
巻変圧器４０７およびＶ−Ｗ間の単巻変圧器４０８の１
段目のタッグＵ およびＷｌまたは２段目のタラｆｕ
およびＷ２に接続したＳＩサイリスタ交流スイッチ（
４０１，４０２および４０４゜４０５ ）のいづれかを
マイクロコンピュータ−４１５からの制御信号により制
御している場合に、Ｕ−Ｖｌ＄ｆｌまたはｖ−ｗ間の出
力電圧ｖｕｖオよびｖｖＷの両方、ま几は一方が１０５
Ｖ以上に変化した状態が５秒間、継続した場合は、マイ
クロコンピュータ−１０５から対応するＬＴドライバ１
４１２およびＬＴドライバ２４Ｊ、９に対し、現在のタ
ップｕ、、ｖ、ま九はｕ２＋ Ｗ２から１段上のタラ７
’ ｕ２１ ｗ２またはｕ、、 ｗ３ＶＣ接続したＳＩ
プサイスク交流スイッチ４０２，４０５または４０３゜
４０６に切換える制御信号が出力される。
−万、本実施例ではＬＴドライバ１４１２は光オン信号
をＬＴ ２． ＬＴ １の順に、またＬＴドライバｕ
ｕ ２４１３は光オン信号をＬＴＷｌ、 ＬＴ、２の順に出
力するように設定しであるため、上記の出力順序で、マ
イクロコンピー−ター４１５の制御信号に対応、するＳ
Ｉサイリスタ交流スイッチ４０２，４０３゜４０５．４
０６へ出力することＫより、Ｕ−Ｖ間ま几はＶ−Ｗ間の
単巻変圧器４０７，４０８のタッグを切換ることかでき
るものである。
をＬＴ ２． ＬＴ １の順に、またＬＴドライバｕ
ｕ ２４１３は光オン信号をＬＴＷｌ、 ＬＴ、２の順に出
力するように設定しであるため、上記の出力順序で、マ
イクロコンピー−ター４１５の制御信号に対応、するＳ
Ｉサイリスタ交流スイッチ４０２，４０３゜４０５．４
０６へ出力することＫより、Ｕ−Ｖ間ま几はＶ−Ｗ間の
単巻変圧器４０７，４０８のタッグを切換ることかでき
るものである。
上記のタップ切換に伴う出力電圧の変化は実施例３と同
一なので、詳細な説明は省略する。
一なので、詳細な説明は省略する。
但し、３段目のタラｆｕ３およびｗ３に接続し之ＳＩサ
イリスタ交流スイッチ４θ３および４０６を制御してい
る場合には出力電圧Ｖ およびｖｖＷＷ が設定値以上に上昇しても、タッグの変換は行われない
ものである。
イリスタ交流スイッチ４θ３および４０６を制御してい
る場合には出力電圧Ｖ およびｖｖＷＷ が設定値以上に上昇しても、タッグの変換は行われない
ものである。
Ｕ−Ｖ間の単巻変圧器４０７のタッグが切換る際の電流
工Ｌｕと光オン信号ＬＴｕ２の波形をｕｌからｕ２へ切
換る場合を第１８図に示し、ｕ２からｕ３へ切換る場合
を第１９図に示すものである。またＶ−Ｗの単巻変圧器
４０８のタップが切換る際の電流ＩＬｗと光オン信号Ｌ
Ｔ、、 １の波形ヲｗ１からｗ２へ切換る場合を第２２
図に示し、ｗ２からｗ３へ切換る場合を第２３図に示す
もゆである。
工Ｌｕと光オン信号ＬＴｕ２の波形をｕｌからｕ２へ切
換る場合を第１８図に示し、ｕ２からｕ３へ切換る場合
を第１９図に示すものである。またＶ−Ｗの単巻変圧器
４０８のタップが切換る際の電流ＩＬｗと光オン信号Ｌ
Ｔ、、 １の波形ヲｗ１からｗ２へ切換る場合を第２２
図に示し、ｗ２からｗ３へ切換る場合を第２３図に示す
もゆである。
次に２段目のタッグＵ およびｗ２または３段目のタラ
ｆｕ およびｗ３に接続し７ｔＳＩサイリスタ交流ス
イッチ（４０２，４０３および４０５゜４０６）のいづ
れかをマイクロコンピュータ−４１５からの制御信号に
より制御している場合に、Ｕ−Ｖ間またはＶ−Ｗ間の出
力型ＥＥＶｕｖおよびｖｖＷの両方または一方が９５Ｖ
以下に変化した状態が５秒間継続した場合は、マイクロ
コンピュータ−４１５から対応するＬＴドライバ１およ
び２４１２．４１３に対し、現在のタッグｕ２１ｗ２′
！念はｕ５．ｗ３から１段下のタッグｕ４．Ｗ、ま之は
ｕ ２ ＋Ｗ２に接続したＳｌサイリスタ交流スイッチ
４０１゜４０４ｉたけ４０２，４０５に切換る制御信号
が出力される。
ｆｕ およびｗ３に接続し７ｔＳＩサイリスタ交流ス
イッチ（４０２，４０３および４０５゜４０６）のいづ
れかをマイクロコンピュータ−４１５からの制御信号に
より制御している場合に、Ｕ−Ｖ間またはＶ−Ｗ間の出
力型ＥＥＶｕｖおよびｖｖＷの両方または一方が９５Ｖ
以下に変化した状態が５秒間継続した場合は、マイクロ
コンピュータ−４１５から対応するＬＴドライバ１およ
び２４１２．４１３に対し、現在のタッグｕ２１ｗ２′
！念はｕ５．ｗ３から１段下のタッグｕ４．Ｗ、ま之は
ｕ ２ ＋Ｗ２に接続したＳｌサイリスタ交流スイッチ
４０１゜４０４ｉたけ４０２，４０５に切換る制御信号
が出力される。
一方、ＬＴドライバ１４１２およびＬＴドライバ２４１
３Ｃｈ、マイクロコンピュータ−４１５の制御信号に対
応するＳｌサイリスタ交流スイッチ４０１，４０２，４
０３，４０４へ元オン信号ＬＴ、、 １ ＃ ＬＴｕ２
およびＬＴｗｌ 、 ＬＴ、 ２ ｔ”出力することに
より、タッグを切換ることかできるものである。
３Ｃｈ、マイクロコンピュータ−４１５の制御信号に対
応するＳｌサイリスタ交流スイッチ４０１，４０２，４
０３，４０４へ元オン信号ＬＴ、、 １ ＃ ＬＴｕ２
およびＬＴｗｌ 、 ＬＴ、 ２ ｔ”出力することに
より、タッグを切換ることかできるものである。
上記のタッグ切換に伴う出力電圧の変化は実施例３と同
一なので、詳細な説明は省略する。
一なので、詳細な説明は省略する。
但し、１段目のタラｆｕ１およびＷｌに接続したＳｌサ
イリスタ交流スイッチ４０１および４０４を制御してい
る場合は出力電圧Ｖ およびＶ がｕｖ
ｖｗ 設定値以下に低下しても、タップの切換は行われないも
のである。
イリスタ交流スイッチ４０１および４０４を制御してい
る場合は出力電圧Ｖ およびＶ がｕｖ
ｖｗ 設定値以下に低下しても、タップの切換は行われないも
のである。
ｕ３からｕ２へ切換る際の電流工Ｌｕと光オン信号ＬＴ
２の波形を第２０図に示し、ｕ２からｕｌへ切換る
場合ｔ−第２１図に示すものである。ま几ｗ３からＷ２
へ切換る際の電流工Ｌｗと光オン信号ＬＴ、 １の波形
を第２４図に示し、ｗ２からＷ、へ切換る場合を第２５
図に示すものである。
２の波形を第２０図に示し、ｕ２からｕｌへ切換る
場合ｔ−第２１図に示すものである。ま几ｗ３からＷ２
へ切換る際の電流工Ｌｗと光オン信号ＬＴ、 １の波形
を第２４図に示し、ｗ２からＷ、へ切換る場合を第２５
図に示すものである。
第７図は実施例５で第１０図および第１１図は実施例５
のＳＩサイリスタ交流スイッチ群５０２の詳細な回路図
で第３図に示した実施例２の構成と同一部分には同一符
号を付し、その詳細な説明は省略する。
のＳＩサイリスタ交流スイッチ群５０２の詳細な回路図
で第３図に示した実施例２の構成と同一部分には同一符
号を付し、その詳細な説明は省略する。
第１０図はｓｘ’ｒｈｙ Ｉ Ｊおよびｓｘ’ｒｈｙ
２ ；ｌの逆耐圧が小さい場合の回路図であり、第１１
図はｓｘ’ｒｈｙ １１およびｓ工’ｒｈｙ ２２の逆
耐圧が大きい場合の回路図である。
２ ；ｌの逆耐圧が小さい場合の回路図であり、第１１
図はｓｘ’ｒｈｙ １１およびｓ工’ｒｈｙ ２２の逆
耐圧が大きい場合の回路図である。
第７図の単巻ｎ相変圧器の入力側のタッグの巻数および
出力側の巻数は実施例４と同一なので、詳細な説明は省
略する。
出力側の巻数は実施例４と同一なので、詳細な説明は省
略する。
第７図の実施例はマイクロコンピュータニ５０８のプロ
グラムに従って制御されるもので、プログラムがスター
トし次場合には単巻ｎ相変圧器５θ３の各相のタッグに
接続した第１０図および第１１図に示すＳｌサイリスタ
交流スイッチ６０２の制御信号がマイクロコンピュータ
−５０８かうＬＴドライバ５０９に対し出力されるもの
である。
グラムに従って制御されるもので、プログラムがスター
トし次場合には単巻ｎ相変圧器５θ３の各相のタッグに
接続した第１０図および第１１図に示すＳｌサイリスタ
交流スイッチ６０２の制御信号がマイクロコンピュータ
−５０８かうＬＴドライバ５０９に対し出力されるもの
である。
ＬＴドライバ５０９は、光オン信号ＬＴ、 １ 。
ＬＴ１２・・・・・・ＬＴｎｌ 、 ＬＴｎ２を制御信
号に対応する単巻ｎ相変圧器５０３の各相の第１０図お
よび第１１図の１１サイリスタ交流スイツチ６０２へ出
力することで、交流を流の導通を制御して、第７図の単
巻１相変圧器５０３の出力側へ電圧が発生する。
号に対応する単巻ｎ相変圧器５０３の各相の第１０図お
よび第１１図の１１サイリスタ交流スイツチ６０２へ出
力することで、交流を流の導通を制御して、第７図の単
巻１相変圧器５０３の出力側へ電圧が発生する。
次にマイクロコンピュータ−５０８はＡ／Ｄ変換器５０
７へ単巻ａ相変圧器５０３の出力電圧をＡ／Ｄ変換する
指令を出力する。Ａ／Ｄ変換器５０７は対応する電圧検
出部５０６を介して直流の電圧に変換された出力電圧を
デジタル値に変換ｔ、テ、マイクロコンピュータ−５０
８へ出力する。
７へ単巻ａ相変圧器５０３の出力電圧をＡ／Ｄ変換する
指令を出力する。Ａ／Ｄ変換器５０７は対応する電圧検
出部５０６を介して直流の電圧に変換された出力電圧を
デジタル値に変換ｔ、テ、マイクロコンピュータ−５０
８へ出力する。
一方、マイクロコンピュータ−５０８は入力したデジタ
ルデータをノログラムまたは外部設定部５ノ０で設定し
た設定値とを比較する。
ルデータをノログラムまたは外部設定部５ノ０で設定し
た設定値とを比較する。
この動作をノログラムに従って、単巻ｎ相変圧器５０３
の各相間の出力電圧について順番に周期的に繰返すもの
である。上記の動作中にマイクロコンピュータ−５０８
はＡ／Ｄ変換器５０７からのデジタルデータのいづれか
が、設定値から外れた状態でノログラムまたは外部膜足
部５１０で設定した時間、継続した場合には、単巻ｉ相
変圧器の対応するタラｆｆ１段上のタラｆｔたけ１段下
のタッグへ切換えを行うものである。
の各相間の出力電圧について順番に周期的に繰返すもの
である。上記の動作中にマイクロコンピュータ−５０８
はＡ／Ｄ変換器５０７からのデジタルデータのいづれか
が、設定値から外れた状態でノログラムまたは外部膜足
部５１０で設定した時間、継続した場合には、単巻ｉ相
変圧器の対応するタラｆｆ１段上のタラｆｔたけ１段下
のタッグへ切換えを行うものである。
タッグ切換えの動作はＬＴドライバ５０９から出力中の
光オン信号ＬＴ１．ＬＴ、２〜ＬＴｎ１ 。
光オン信号ＬＴ１．ＬＴ、２〜ＬＴｎ１ 。
１ 。
ＬＴ ２の内、マイクロコンビ、−ター５０８０制両
信号に対応する。光オン信号を中断し、新几に、単巻ｎ
相変圧器５θ３の１段上のタップまたＩ／ｉ１股下の夕
２グに接続した第１０図および第１１図のＳＩサイリス
タ交流スイッチ６０ノおよび６０３の５ＩＴｂｙ １１
およびｓＩ’ｒｈｙ ２２へ光オン信号を位相制御部５
１１からの対応するタイミングノ４ルス（ＴＰ）に同期
して出力するもので、上記の動作がなされることにより
、第７図の単巻ｎ相変圧器５０３のマイクロコンピュー
タ−５０８の制御信号に対応する相のタップ切換えが行
われるものである。
信号に対応する。光オン信号を中断し、新几に、単巻ｎ
相変圧器５θ３の１段上のタップまたＩ／ｉ１股下の夕
２グに接続した第１０図および第１１図のＳＩサイリス
タ交流スイッチ６０ノおよび６０３の５ＩＴｂｙ １１
およびｓＩ’ｒｈｙ ２２へ光オン信号を位相制御部５
１１からの対応するタイミングノ４ルス（ＴＰ）に同期
して出力するもので、上記の動作がなされることにより
、第７図の単巻ｎ相変圧器５０３のマイクロコンピュー
タ−５０８の制御信号に対応する相のタップ切換えが行
われるものである。
タッグ切換えの詳細な動作は実施例４と同一であるので
説明は省略する。
説明は省略する。
以上詳述した実施例は商用周波数の交流電力に対しての
ものであり、第２８図および第２９図は第１図の実施例
１のｓｘ’ｒｈｙ １１および５ＩＴｈ７２ ｌを光オ
ン信号ＬＴＩおよびＬＴ２で制御した場合のターンオン
時間で、第２８図は第１図の入力電源の１３電圧に対す
る依存性を示すものであり、第２９図は第１図の負荷電
流ＩＬに対する依存性を示すものである。
ものであり、第２８図および第２９図は第１図の実施例
１のｓｘ’ｒｈｙ １１および５ＩＴｈ７２ ｌを光オ
ン信号ＬＴＩおよびＬＴ２で制御した場合のターンオン
時間で、第２８図は第１図の入力電源の１３電圧に対す
る依存性を示すものであり、第２９図は第１図の負荷電
流ＩＬに対する依存性を示すものである。
第２８図および第２９図の結果から、第１図の入力電源
１３の電圧上昇率ｄｖ／ａｔおよび負荷電流ＩＬの電流
増加率ｄ ｉ／ｄ ｔが大きい程、ターンオン時間は短
くなるところから、本発明は更に高い周波数の交流電力
の制御への応用も可能である。但し、本発明の第１図の
ｓ工’ｒｈｙ １１および５ＩＴｈ）ｒ ２２の逆並列
接続回路をはじめ一般の電力用半導体素子を使用し之逆
並列回路で交流電力を制御する場合には、交流の極性が
変化する際に、静電誘導（ＳＩ）サイリスタｔｈｅは一
般の電力半導体素子を流れていた電流は極性が変化して
も、逆電流が流れ続け、徐々に減少して定常の逆もれ電
流値に近づいていくまでのターンオフ時間を有するもの
で、従って高周波電力を制御する場合には、このターン
オフ時間によるスイッチング損失が増加し、ま友制御可
能な周波数の限界がある。
１３の電圧上昇率ｄｖ／ａｔおよび負荷電流ＩＬの電流
増加率ｄ ｉ／ｄ ｔが大きい程、ターンオン時間は短
くなるところから、本発明は更に高い周波数の交流電力
の制御への応用も可能である。但し、本発明の第１図の
ｓ工’ｒｈｙ １１および５ＩＴｈ）ｒ ２２の逆並列
接続回路をはじめ一般の電力用半導体素子を使用し之逆
並列回路で交流電力を制御する場合には、交流の極性が
変化する際に、静電誘導（ＳＩ）サイリスタｔｈｅは一
般の電力半導体素子を流れていた電流は極性が変化して
も、逆電流が流れ続け、徐々に減少して定常の逆もれ電
流値に近づいていくまでのターンオフ時間を有するもの
で、従って高周波電力を制御する場合には、このターン
オフ時間によるスイッチング損失が増加し、ま友制御可
能な周波数の限界がある。
そこで、本発明の自己消弧機能を有する第１図の５ＩＴ
ｈ７１１および５ＩＴｈｙ ２２ ｔ−光ま念は電気信
号によるターンオフモードを採用することにより、交流
電源電圧１３の極性が変化する直前に強制的にオフする
ことで、ターンオフ時間を最小限に抑制することにより
、スイッチング損失を小さくして、制御可能な周波数の
限界を高めることができるもので、数ｋＨｚ〜数１０
ｋＨｚ程度の高周波電力の制御に応用することができる
ものである。
ｈ７１１および５ＩＴｈｙ ２２ ｔ−光ま念は電気信
号によるターンオフモードを採用することにより、交流
電源電圧１３の極性が変化する直前に強制的にオフする
ことで、ターンオフ時間を最小限に抑制することにより
、スイッチング損失を小さくして、制御可能な周波数の
限界を高めることができるもので、数ｋＨｚ〜数１０
ｋＨｚ程度の高周波電力の制御に応用することができる
ものである。
［発明の効果コ
上記実施例から明らかなように、本発明によれば、互い
に逆並列に接続した静電誘導（ＳＩ）サイリスタ交流ス
イッチおよび上記の構成による静電誘導（ＳＩ）サイリ
スタ交流スイッチ群を光信号により制御することで、交
流電流の導通制御ができるもので、光信号を比較的長い
ノ４ルスにすることで、電流の位相変化にも、容易に対
応することができるものである。
に逆並列に接続した静電誘導（ＳＩ）サイリスタ交流ス
イッチおよび上記の構成による静電誘導（ＳＩ）サイリ
スタ交流スイッチ群を光信号により制御することで、交
流電流の導通制御ができるもので、光信号を比較的長い
ノ４ルスにすることで、電流の位相変化にも、容易に対
応することができるものである。
本発明の実施例３、実施例４、および実施例５において
、静電誘導（８１）サイリスタ交流スイッチ群を制御す
る光オン信号は最初Ｋ ｓｘ’ｒｈｙ １１に対し、あ
るいは、最初にｓｘ’ｒｈｙ ２．２に対し出力するよ
うに設定しである之め、マイクロコンピュータ−から制
御信号が出力されて、光オン信号が出力されるまで、最
大で１周期の遅れを伴う場合があるが、光トリが（ＬＴ
）ドライバの回路構成により半周期の遅れに抑制するこ
とができるものであり、更に、光ま友は電気信号による
オフ制御をすることで、応答速度を数μ（３）程度に速
めることができるものである。また第２６図、第２７図
、第２８図は実施例３の各段のタッグＴＩ 、 Ｔ２
。
、静電誘導（８１）サイリスタ交流スイッチ群を制御す
る光オン信号は最初Ｋ ｓｘ’ｒｈｙ １１に対し、あ
るいは、最初にｓｘ’ｒｈｙ ２．２に対し出力するよ
うに設定しである之め、マイクロコンピュータ−から制
御信号が出力されて、光オン信号が出力されるまで、最
大で１周期の遅れを伴う場合があるが、光トリが（ＬＴ
）ドライバの回路構成により半周期の遅れに抑制するこ
とができるものであり、更に、光ま友は電気信号による
オフ制御をすることで、応答速度を数μ（３）程度に速
めることができるものである。また第２６図、第２７図
、第２８図は実施例３の各段のタッグＴＩ 、 Ｔ２
。
Ｔ３ごとによる電圧波形の歪率で、第２６図は１段目の
タラｆＴ１、第２７図は２段目のタッグ、第２８図は３
段目のタッグにそれぞれ接続したＳエサイリスタ交流ス
イッチ１０１，１０２および１０３を制御している時に
おける、入力電圧と出力電圧の歪率であり、第２９図は
実施例４の各段のタッグｕ１． ｕ２． ｕ３． ｖｌ
、 ｗ２． ｗ、の組合せによる各相間の電圧の歪率で
あり、いづれも３ｔｓ以内の低歪率である。
タラｆＴ１、第２７図は２段目のタッグ、第２８図は３
段目のタッグにそれぞれ接続したＳエサイリスタ交流ス
イッチ１０１，１０２および１０３を制御している時に
おける、入力電圧と出力電圧の歪率であり、第２９図は
実施例４の各段のタッグｕ１． ｕ２． ｕ３． ｖｌ
、 ｗ２． ｗ、の組合せによる各相間の電圧の歪率で
あり、いづれも３ｔｓ以内の低歪率である。
従って本発明は、低損失の特徴を有する静電誘導（ＳＩ
）サイリスタを使用する事から、上記の低歪率で、か
つ少ない損失で交流を制御できるものである。男に、光
、または電気信号によるオフ制御も併用する事により、
交流チオツノ９や、高周波電力の制御もできるものであ
る。
）サイリスタを使用する事から、上記の低歪率で、か
つ少ない損失で交流を制御できるものである。男に、光
、または電気信号によるオフ制御も併用する事により、
交流チオツノ９や、高周波電力の制御もできるものであ
る。
第１図はこの発明の実施例１″ｆ！：示すブロック回路
構成図、第２図は同実施例１の各部の波形図、第３図は
この発明の実施例２を示すブロック回路構成図、第４図
は同実施例２の各部の波形図、第５図はこの発明の実施
例３を示すブロック回路構成図、第６図はこの発明の実
施例４ｔ−示すブロック回路構成図、第７図はこの発明
の実施例５を示すブロック構成図、第８図及び第９図は
それぞれ実施例３および実施例４の詳細な回路構成図、
第１０図及び第１１図はそれぞれ実施例５の詳細な回路
構成図、第１２図は実施例１の各部のオシロ波形の写真
、第１３図及び第１４図はそれぞれ実施例２の各部のオ
シロ波形の写真、第１５図、第１６図及び第１７図はそ
れぞれ実施例３の各部のオシロ波形の写真、第１８図、
第１９図、第２０図、第２１図、第２２図、第２３図、
第２４図及び第２５図はそれぞれ実施例４の各部のオシ
ロ波形の写真、第２６図、第２７図及び第２８図はそれ
ぞれ実施例３の各部の歪率データを示す特性図、第２９
図は実施例４の各部の歪率データを示す図、第３０図及
び第３１図はそれぞれ実施例１のターンオン時間のデー
タを示す特性図である。 １３・・・交流電源、１４・・・負荷、２ノ・・・スナ
バコンデンサ、２２・・・スナバ抵抗、２３．２４・・
・逆バイアス電源、２５．２６・・・ダート抵抗、２９
．３０・・・アノード電極、１０７・・・電圧信号検出
用トランス、２０１，２０２・・・保護用ダイオード、
４１１゜４１２・・・電圧信号検出用トランス、Ｕ、Ｖ
、Ｗ・・・出力端子、５０１・・・１相交流電源、５０
４・・・ｎ相負荷、５０５・・・電圧、信号検出用ｎ相
トランス出願人代理人 弁理土鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ↓ 第６区 ↓ 第８図 第９図 図１０図 図１１図 第１２図 第１３図 第１４図 ｃ 、ｄ ：１０Ｖ／ＤＩＶ ２ｍｓ／ＤＩＶ第１５
［２］ ａ：５０Ｖ／ＤＩＶ ｂ：０．５Ａ／ＤＩＶ ２ｓ
ｓ／ＤＩＶ第１８図 第 ２０ 図 第 ２１ ［２ 第 ２２ 口 第 ２３２ 第２４図 第２５［２１ 第 ２９３ に’ｓ ：入力端子電圧歪率 に＊ｓｔ ：出力端子電圧歪率 第３０区 （μＳ） 入力端子（Ｖ） 第３１（２Ｉ （μＳ） 負′ｆＩｔ流（Ａ）
構成図、第２図は同実施例１の各部の波形図、第３図は
この発明の実施例２を示すブロック回路構成図、第４図
は同実施例２の各部の波形図、第５図はこの発明の実施
例３を示すブロック回路構成図、第６図はこの発明の実
施例４ｔ−示すブロック回路構成図、第７図はこの発明
の実施例５を示すブロック構成図、第８図及び第９図は
それぞれ実施例３および実施例４の詳細な回路構成図、
第１０図及び第１１図はそれぞれ実施例５の詳細な回路
構成図、第１２図は実施例１の各部のオシロ波形の写真
、第１３図及び第１４図はそれぞれ実施例２の各部のオ
シロ波形の写真、第１５図、第１６図及び第１７図はそ
れぞれ実施例３の各部のオシロ波形の写真、第１８図、
第１９図、第２０図、第２１図、第２２図、第２３図、
第２４図及び第２５図はそれぞれ実施例４の各部のオシ
ロ波形の写真、第２６図、第２７図及び第２８図はそれ
ぞれ実施例３の各部の歪率データを示す特性図、第２９
図は実施例４の各部の歪率データを示す図、第３０図及
び第３１図はそれぞれ実施例１のターンオン時間のデー
タを示す特性図である。 １３・・・交流電源、１４・・・負荷、２ノ・・・スナ
バコンデンサ、２２・・・スナバ抵抗、２３．２４・・
・逆バイアス電源、２５．２６・・・ダート抵抗、２９
．３０・・・アノード電極、１０７・・・電圧信号検出
用トランス、２０１，２０２・・・保護用ダイオード、
４１１゜４１２・・・電圧信号検出用トランス、Ｕ、Ｖ
、Ｗ・・・出力端子、５０１・・・１相交流電源、５０
４・・・ｎ相負荷、５０５・・・電圧、信号検出用ｎ相
トランス出願人代理人 弁理土鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ↓ 第６区 ↓ 第８図 第９図 図１０図 図１１図 第１２図 第１３図 第１４図 ｃ 、ｄ ：１０Ｖ／ＤＩＶ ２ｍｓ／ＤＩＶ第１５
［２］ ａ：５０Ｖ／ＤＩＶ ｂ：０．５Ａ／ＤＩＶ ２ｓ
ｓ／ＤＩＶ第１８図 第 ２０ 図 第 ２１ ［２ 第 ２２ 口 第 ２３２ 第２４図 第２５［２１ 第 ２９３ に’ｓ ：入力端子電圧歪率 に＊ｓｔ ：出力端子電圧歪率 第３０区 （μＳ） 入力端子（Ｖ） 第３１（２Ｉ （μＳ） 負′ｆＩｔ流（Ａ）
Claims (1)
- 互いに逆並列に接続した静電誘導（ＳＩ）サイリスタを
交流電圧のゼロクロスを基準に前後共９０°以内の位相
角の間、比較的長いパルスの発光ダイオード等の光信号
を光ファイバー等の光伝送媒体を介して伝送することに
よってオン制御を行い、自然転流オフまたは光あるいは
電気信号によるオフ制御を行う方式による交流電力制御
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63012096A JPH0823779B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 電力制御装置 |
| US07/298,900 US4956599A (en) | 1988-01-22 | 1989-01-19 | Power control apparatus |
| EP89101145A EP0325301B1 (en) | 1988-01-22 | 1989-01-23 | Power control apparatus |
| DE68924185T DE68924185T2 (de) | 1988-01-22 | 1989-01-23 | Leistungsteuerungsgerät. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63012096A JPH0823779B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 電力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01190263A true JPH01190263A (ja) | 1989-07-31 |
| JPH0823779B2 JPH0823779B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=11796044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63012096A Expired - Lifetime JPH0823779B2 (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 電力制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4956599A (ja) |
| EP (1) | EP0325301B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0823779B2 (ja) |
| DE (1) | DE68924185T2 (ja) |
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| JP2006230042A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 双方向スイッチ回路 |
| CN111298539A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-06-19 | 苏州耀水源环境科技有限公司 | 一种自清理袋滤式除尘装置 |
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| FR2752537B1 (fr) * | 1996-08-22 | 1998-11-13 | Kvaerner Clecim | Procede de transformation d'une installation de traitement d'un produit en bande et installation ainsi transformee |
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| US6172489B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-01-09 | Ultrawatt.Com Inc. | Voltage control system and method |
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| JP5502504B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2014-05-28 | 株式会社東芝 | 変電所自動制御システム |
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| JPS59151211A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Tokyo Rikoushiya:Kk | 位相制御式電力調整回路 |
Family Cites Families (7)
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